專利名稱：GaN基LED網孔電極的制作方法
技術領域：
本發明屬于半導體技術領域，特別是指ー種GaN基LED網孔電極的制作方法。
背景技術：
發光二極管是節能環保型光源，具有體積小、響應時間短、發光效率高、壽命長，在照明和顯示領域得到了廣泛的應用。GaN基LED的研究對白光照明具有重要意義，得到很大的關注度。在LED的制作エ藝過程中，電極的制作通常存在接觸電阻大、透過率低，造成出光效率低以及電流分布不均勻等方面的問題，限制了 LED輸出功率的提高
發明內容
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本發明的目的在于，提供ー種GaN基LED網孔電極的制作方法，其是在GaN基外延片的ITO膜上形成網孔電極，可以得到較好的電流擴展均勻性，提高出光效率。本發明提供ー種GaN基LED網孔電極的制作方法，包括以下步驟I)在GaN基外延片的表面蒸鍍ITO膜；2)在ITO膜的表面排列ー單層緊密排列的自組裝球；3)加熱，使自組裝球與ITO膜結合牢固；4)采用ICP方法，刻蝕自組裝球，經過刻蝕后，自組裝球間距變大，球半徑減小；5)再加熱，使自組裝球在ITO膜表面有稍微塌陷，把點接觸變成面接觸；6)在自組裝球的表面、間隙里及ITO膜的表面蒸鍍金屬；7)采用甲苯超聲方法，去除自組裝球表面的金屬，保留ITO膜表面金屬；8)高溫處理，使自組裝球氣化，使ITO膜表面的金屬形成網孔狀電極，完成網孔電極的制作。
為使審查員能進ー步了解本發明的結構、特征及其目的，以下結合附圖及較佳具體實施例的詳細說明如后，其中圖I是本發明GaN基LED外延片及ITO膜的結構示意圖；圖2是本發明制作自組裝球后的俯視圖；圖3是本發明的自組裝球覆蓋在ITO膜上的截面圖；圖4是本發明采用ICP刻蝕自組裝球后的截面圖；圖5是本發明在自組裝球間隙及ITO膜表面蒸金屬后的截面圖；圖6是本發明高溫去除自組裝球后的截面圖。
具體實施例方式請參閱圖I至圖6所示，本發明提供ー種GaN基LED網孔電極的制作方法，包括以下步驟
I)在GaN基外延片10的表面蒸鍍ITO膜11，此處也可以是其它AZO，PET導電薄膜；2)在ITO膜11的表面排列ー單層緊密排列的自組裝球20，所述的自組裝球20的材料為聚苯こ烯或者氧化硅，等有機高分子球，球的直徑為O. 5-lum(參閱圖2)；3)加熱，使自組裝球20與ITO膜11結合牢固，所述的加熱的溫度為80°C ；4)采用ICP方法，刻蝕自組裝球20，經過刻蝕后，自組裝球20間距變大，球半徑減小，所述的刻蝕氣體為氧氣，300W的啟輝功率，IOW刻蝕功率，刻蝕時間為l-2min ；5)再加熱，使自組裝球20在ITO膜11表面有稍微塌陷(參閱圖4)，把點接觸變成面接觸，所述的再加熱的溫度為105°C，時間為l_5min ；
6)在自組裝球20的表面、間隙里及ITO膜11的表面蒸鍍金屬50，該金屬50為Ni和Au，Ni的厚度為l_5nm，Au的厚度為10_50nm ;或者是Ni\Ag\Pt\Au，Cr\Pt\Au等其它金屬電極體系。7)采用甲苯超聲方法，去除自組裝球20表面的金屬50，保留ITO膜11表面金屬50,所述的甲苯超聲方法處理的時間為4-6min ；8)高溫處理，使自組裝球20氣化，使ITO膜11表面的金屬50形成網孔狀電極，所述的高溫處理的溫度為500-600°C，時間為25-35min，完成網孔電極的制作。以上所述，僅為本發明中的具體實施方式
，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉該技術的人在本發明所揭露的技術范圍內，可輕易想到的變換或替換，都應涵蓋在本發明的包含范圍之內。因此，本發明的保護范圍應該以權利要求書的保護范圍為準。
權利要求
1.ー種GaN基LED網孔電極的制作方法，包括以下步驟 1)在GaN基外延片的表面蒸鍍ITO膜； 2)在ITO膜的表面排列ー單層緊密排列的自組裝球； 3)加熱，使自組裝球與ITO膜結合牢固； 4)采用ICP方法，刻蝕自組裝球，經過刻蝕后，自組裝球間距變大，球半徑減小； 5)再加熱，使自組裝球在ITO膜表面有稍微塌陷，把點接觸變成面接觸； 6)在自組裝球的表面、間隙里及ITO膜的表面蒸鍍金屬； 7)采用甲苯超聲方法，去除自組裝球表面的金屬，保留ITO膜表面金屬； 8)高溫處理，使自組裝球氣化，使ITO膜表面的金屬形成網孔狀電極，完成網孔電極的制作。
2.根據權利要求I所述的GaN基LED網孔電極的制作方法，其中所述的自組裝球的材料為聚苯こ烯，或者氧化硅，等有機高分子球，球的直徑為O. 5-lum。
3.根據權利要求I所述的GaN基LED網孔電極的制作方法，其中加熱的溫度為80°C。
4.根據權利要求I所述的GaN基LED網孔電極的制作方法，其中采用ICP方法，刻蝕氣體為氧氣，300W的啟輝功率，IOW刻蝕功率，刻蝕時間為l-2min。
5.根據權利要求I所述的GaN基LED網孔電極的制作方法，其中再加熱的溫度為105°C，時間為ト5min。
6.根據權利要求I所述的GaN基LED網孔電極的制作方法，其中蒸鍍的金屬為Ni和Au, Ni的厚度為l_5nm, Au的厚度為10_50nm。
7.根據權利要求I所述的GaN基LED網孔電極的制作方法，其中采用甲苯超聲方法的時間為4_6min。
8.根據權利要求I所述的GaN基LED網孔電極的制作方法，其中高溫處理的溫度為500-600°C，時間為 25-35min。
全文摘要
一種GaN基LED網孔電極的制作方法，包括以下步驟1)在GaN基外延片的表面蒸鍍ITO膜；2)在ITO膜的表面排列一單層緊密排列的自組裝球；3)加熱，使自組裝球與ITO膜結合牢固；4)采用ICP方法，刻蝕自組裝球，經過刻蝕后，自組裝球間距變大，球半徑減小；5)再加熱，使自組裝球在ITO膜表面有稍微塌陷，把點接觸變成面接觸；6)在自組裝球的表面、間隙里及ITO膜的表面蒸鍍金屬；7)采用甲苯超聲方法，去除自組裝球表面的金屬，保留ITO膜表面金屬；8)高溫處理，使自組裝球氣化，使ITO膜表面的金屬形成網孔狀電極，完成網孔電極的制作。具有電極的接觸電阻小、透過率高、出光效率高以及電流分布均勻的優點。
文檔編號H01L33/00GK102709433SQ20121017497
公開日2012年10月3日 申請日期2012年5月30日 優先權日2012年5月30日
發明者吳奎, 曾一平, 王家鑫 申請人:中國科學院半導體研究所