專利名稱：多維集成電路結構及其形成方法
技術領域：
本發明一般地涉及半導體技術領域，更具體地來說，涉及多維集成電路結構及其形成方法。
背景技術：
因為集成電路的發明，半導體工業由于各種電子部件(即，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度的不斷改進而經歷了連續快速發展。通常，集成密度的這些改進源于最小部件尺寸的重復減小，從而允許更多的部件集成到給定的芯片面積中。這些集成改進本質上主要是二維(2D)的，其中，由集成部件所占用的體積基本上位于半導體晶圓的表面上。盡管光刻的顯著改進導致2D集成電路形成的重大改進，但對可以二維實現的密度存在物理限制。這些限制中的一個是需要制造這些部件的最小部件尺寸。此外，當將更多的器件置于一個芯片中時，要求更加復雜的設計。隨著器件數量增加，額外限制源于器件之間的互連件的數量和長度的顯著增加。當互連件的數量和長度增加時，電路RC延遲和功耗也增加。由此形成了三維集成電路(3D 1C)，其中，可以堆疊至少兩個管芯，在一個管芯中形成的硅通孔(TSV)將另一個管芯連接至封裝襯底。這些3D IC通常會帶來多個問題。例如，管芯(例如，頂部管芯)與另一部件的連接要求對介于管芯和另一部件之間的其他管芯的設計的依賴性。此外，通常通過成品率要求來限制堆疊高度。通常，隨著堆疊高度由于添加管芯而增加，·產量降低，這是因為任何管芯的故障都會導致整個結構具有缺陷，并且管芯增加的數量增加了任意一個管芯不合格的可能性。此外，底部管芯在堆疊中通常為熱和電流“熱點”，因為在管芯的正常操作期間，相對較大的電流從電源流經底部管芯到達頂部管芯，以及因為與最頂部管芯上方的封裝散熱器的較大距離。接下來，這些結構可以具有占位面積，該占位面積太小以致于不能包含各種應用所要求的所有可控崩潰芯片連接(Controlled Collapse Chip Connection, “C4”)凸塊或焊球。此外，半導體工業形成已知的2.5維集成電路(2.5D IC)，其中，至少兩個管芯可以連接至中介板，中介板又連接至封裝襯底。這些結構可以通過中介板大小來限制，其由通過刻線、產量和封裝要求來限制。此外，占位面積對于一些產品來說太大。此外，與單片器件相比，沒有減小配線長度和功耗。由于電信號的全局布線，在中介板的中心會發生熱點。
發明內容
為了解決現有技術中所存在的缺陷，根據本發明的一方面，提供了一種結構，包括:第一管芯，具有第一表面和第二表面，所述第一管芯的第二表面與所述第一管芯的第一表面相對，對應的第一導電連接器連接至所述第一管芯的第一表面，以及對應的第二導電連接器連接至所述第一管芯的第二表面；第二管芯，具有第一表面和第二表面，所述第二管芯的第二表面與所述第二管芯的第一表面相對，對應的第一導電連接器連接至所述第二管芯的第一表面，以及對應的第二導電連接器連接至所述第二管芯的第二表面；第一中介板，位于所述第一管芯和所述第二管芯的上方，所述第一中介板的第一表面連接至所述第一導電連接器，所述第一中介板的第二表面連接至第三導電連接器；第三管芯，位于所述第一中介板的上方，所述第三管芯的第一表面連接至對應的第三導電連接器；以及第四管芯，位于所述第一中介板的上方，所述第四管芯的第一表面連接至對應的第三導電連接器，其中，所述第一管芯通過所述第一中介板通信連接至所述第二管芯，和/或所述第三管芯通過所述第一中介板通信連接至所述第四管芯。該結構還包括:襯底，連接至所述第二導電連接器，所述第一管芯和所述第二管芯位于所述襯底的上方。該結構還包括:第二中介板，位于所述第三管芯和所述第四管芯的上方；第五管芯，位于所述第二中介板的上方；以及第六管芯，位于所述第二中介板的上方。該結構還包括:第五管芯，具有第一表面和第二表面，所述第五管芯的第二表面與所述第五管芯的第一表面相對，對應的第一導電連接器連接至所述第五管芯的第一表面，以及對應的第二導電連接器連接至所述第五管芯的第二表面；第六管芯，位于所述第一中介板的上方，所述第六管芯的第一表面連接至對應的第三導電連接器；第七管芯，具有第一表面和第二表面，所述第七管芯的第二表面與所述第七管芯的第一表面相對，對應的第一導電連接器連接至所述第七管芯的第一表面，以及對應的第二導電連接器連接至所述第七管芯的第二表面；以及第八管芯，位于所述第一中介板的上方，所述第八管芯的第一表面連接至對應的第三導電連接器。在該結構中，所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯或所述第四管芯中的至少一個為所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯或所述第四管芯中的另外一個的冗余管芯。·在該結構中，所述第一中介板包括:多路復用器，所述多路復用器能夠接收來自所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯或所述第四管芯中的至少兩個的對應信號并選擇性地發送所選信號。在該結構中，所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯或所述第四管芯中的至少一個包括:多路復用器，所述多路復用器能夠接收來自所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯或所述第四管芯中的至少兩個其他管芯的對應信號。在該結構中，所述第四管芯不直接位于所述第一管芯的上方，所述第一管芯通過電通路通信連接至所述第四管芯，所述電通路不延伸經過所述第二管芯和所述第三管芯。根據本發明的另一方面，提供了一種結構，包括:第一管芯層，包括第一管芯和第二管芯，所述第一管芯和所述第二管芯的對應第一表面連接至對應的第一導電連接器，所述第一管芯和所述第二管芯的對應第二表面連接至對應的第二導電連接器，所述第一管芯的第一表面與所述第一管芯的第二表面相對，以及所述第二管芯的第一表面與所述第二管芯的第二表面相對；第二管芯層，包括第三管芯和第四管芯，所述第三管芯和所述第四管芯的對應第一表面連接至對應的第三導電連接器；以及第一中介板，設置在所述第一管芯層和所述第二管芯層之間，所述第一中介板的第一表面連接至所述第一導電連接器，以及所述第一中介板的第二表面連接至所述第三導電連接器。該結構還包括:襯底，連接至所述第二導電連接器，所述第一管芯層設置在所述襯底和所述第一中介板之間。
該結構還包括:第三管芯層，包括第五管芯和第六管芯；以及第二中介板，設置在所述第二管芯層和所述第三管芯層之間。在該結構中，所述第一管芯層還包括第五管芯和第六管芯，所述第五管芯和所述第六管芯的對應第一表面連接至對應的第一導電連接器，以及其中，所述第二管芯層還包括第七管芯和第八管芯，所述第七管芯和所述第八管芯的對應第一表面連接至對應的第三導電連接器。在該結構中，所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯或所述第四管芯中的至少一個為所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯或所述第四管芯中的另外一個的冗余管芯。在該結構中，所述第一中介板包括多路復用器，所述多路復用器能夠接收來自所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯或所述第四管芯中的至少兩個的對應信號并選擇性地發送所選信號。在該結構中，所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯或所述第四管芯中的至少一個包括多路復用器，所述多路復用器能夠接收來自所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯或所述第四管芯中的至少兩個其他管芯的對應信號。根據本發明的又一方面，提供了一種方法，包括:使用連接至第一管芯和第二管芯的對應第一表面的對應第一導電連接器將所述第一管芯和所述第二管芯附接至第一中介板的第一表面；使用對應的第二導電連接器將第三管芯和第四管芯附接至所述第一中介板的第二表面，所述第一中介板的第二表面與所述第一中介板的第一表面相對；以及使用連接至所述第一管芯和所述第二管芯的對應第二表面的對應第三導電連接器將所述第一管芯和所述第二管芯附接至襯底。該方法還包括:將所述第三管芯和所述第四管芯附接至第二中介板的第一表面；以及將第五管芯和第六管芯附接至所述第二中介板的第二表面。該方法還包括:將第五管芯和第六管芯附接至所述第一中介板的第一表面；以及將第七管芯和第八管芯附接至所述第一中介板的第二表面。在該方法中，所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯或所述第四管芯中的至少一個為冗余管芯。在該方法中，所述第一中介板包括多路復用器。
為了更好的理解本發明的實施例及其優點，現在將結合附圖所進行以下描述作為參考，其中:圖1A是根據實施例的四管芯3D IC結構的橫截面圖；圖1B是根據實施例的四管芯3D IC結構的橫截面圖；圖2是在圖1A和圖1B的截面中示出的3D IC結構的簡化三維圖；圖3不出了根據實施例的五管芯3D IC結構的橫截面圖；圖4示出了在圖3的截面中示出的3D IC結構的三維圖；圖5是根據實施例的具有下面的中介板的3D IC結構的三維圖；圖6是根據實施例的具有覆蓋 中介板的結構的三維圖7是根據實施例的八管芯3D IC結構的三維圖；圖8是根據實施例的六管芯3D IC結構的三維圖；圖9是根據實施例的十二管芯3D IC結構的三維圖；以及圖1OA至圖1OM是根據實施例的形成三層3DIC結構的方法。
具體實施例方式以下詳細討論本發明實施例的制造和使用。然而，應該理解，本公開內容提供了許多可以在各種具體環境中實現的可應用發明概念。所討論的特定實施例僅僅是制造和使用所公開的主題的具體方式，并沒有限定不同實施例的范圍。提供了新穎的三維集成電路(3D IC)結構及其形成方法。3D IC的實施例適用于各種應用，包括現場可編程門陣列(FPGA)、芯片上系統(SoC)、圖形處理單元(GPU)等，所有這些應用都具有或不具有在3D IC中包括的存儲器管芯。應該注意，盡管在3D IC結構的情況下進行討論，但其他實施例可以實施2.5維IC(2.5D IC)結構。示出了實施例和制造實施例的中間階段。討·論了實施例的一些變形例，并且其他變形例對于本領域的技術人員來說是顯而易見的。在整個附圖和所描述的實施例中，類似的參考標號用于指定類似的元件。現在，參照圖1A，示出了根據實施例的四管芯3D IC結構50的橫截面圖。3D IC結構50包括:第一管芯10和第二管芯12 (統稱為“第二層管芯10/12”)、中介板18、第三管芯14和第四管芯16 (統稱為“第一層管芯14/16”)以及襯底20。第二層管芯10/12均具有第一表面(諸如有源面)，將該第一表面通過對應的第一連接器22 (例如,導電微凸塊)電、通信和/或機械連接至中介板18的第一表面(諸如頂面)。類似地，第一層管芯14/16均具有第一表面(諸如有源面)，將該第一表面通過對應的第一連接器22 (例如，導電微凸塊)電、通信和/或機械地連接至中介板18的第二表面(諸如底面)。第一層管芯14/16均具有:第二表面(諸如背面)，將該第二表面通過第二連接器24 (例如，可控崩潰芯片連接(“C4”)凸塊)電、通信和/或機械地連接至襯底20的第一表面(諸如頂面)。襯底20的第二表面(諸如底面)具有第三連接器26，諸如球珊陣列(“BGA”)球。例如，襯底20為封裝層壓襯底。第一管芯10包括互連件36，其將管芯襯底中、上和/或上方的有源器件和/或無源器件電連接至外部部件。互連件36可以為各個金屬層中的圖案和對應圖案之間的通孔的組合。對應的第一連接器22直接或間接連接至互連件36。例如，連接器焊盤可以位于第一管芯10的第一表面上方，其中，第一連接器22連接至第一管芯的第一表面。第二管芯12也包括互連件36，該互連件36電連接管芯襯底中、上和/或上方的有源器件和/或無源器件，并且進一步包括襯底通孔(“TSV”)通孔32 (已知為“半導體通孔”或“硅通孔”)。對應的第一連接器22直接或間接連接至互連件36。TSV 32從與第二管芯12的第一表面相對的第二表面(例如，背面)延伸到互連件36。第四連接器28 (諸如C4凸塊)直接或間接地連接至第二管芯12的對應TSV 32。接合引線30連接至第四連接器28中的一個和襯底20。盡管在圖1A中沒有具體示出，但接合引線可以連接至第四連接器28中的另一個和襯底20。在圖1B的3D IC結構51的另一實施例中，接合引線31連接至第一連接器28以及中介板18的第一表面。在該實施例中，中介板18的第一表面的面積大于第一管芯10的第一表面和第二管芯12的第一表面的組合面積，以具有接合引線連接至中介板18的面積。圖1A和圖1B( “統稱為圖1”)示出了各個實施例的方面，其中，頂層管芯可能具有或者可能不具有TSV和與其連接的接合引線。在圖1中，第一管芯10既不具有TSV也不具有接合引線，但是第二管芯12具有TSV32以及接合引線30或31。應該注意，兩個管芯都可以具有TSV和接合弓I線，或者沒有管芯具有TSV和接合弓I線。如圖所示，TSV和接合弓I線可以允許進一步連接至襯底20和/或中介板18。盡管在以后的附圖中沒有具體示出，但每幅圖中的管芯都可以具有與其連接且與結構中的各個部件連接的接合弓I線。再次參照圖1A，中介板18包括:TSV 34 ;第一面互連部件38，包括任何數量的金屬層以及任何數量的介電層中的通孔；以及第二面互連部件40，也包括任何數量的金屬層以及任何數量的介電層中的通孔。在該實施例中，中介板18可以說處于第一層管芯14/16與第二層管芯10/12之間的中間層中。中介板18的第一面上的第一連接器22通過第一面互連部件38、TSV 34、以及第二面互連部件40電連接至中介板18的第二面上的對應第一連接器22。值得注意的是，盡管在圖1中示出了互連部件，但在其他實施例中，中介板可以不包括互連部件。例如，第一連接器22中的每一個都可以直接連接至連接器焊盤，而連接器焊盤又直接連接至 TSV 34。此外，在又一些實施例中，只有一面可以具有互連部件。第一層管芯14/16還包括互連件36，該互連件電連接對應管芯襯底中、上和/或上方的有源和/或無源器件；并且進一步包括TSV 32。對應的第一連接器22直接或間接地連接至互連件36。TSV 32從第二表面(例如，背面)延伸到互連件36，該第二表面與第一層管芯14/16中的每一個的第一表面相對。第二連接器24電、通信和/或機械地直接或間接連接至第一層管芯14/16中的每一個的對應TSV 32。圖2示出了圖1的橫截面圖所示的3D IC結構50 (隨后提及的結構50也指的是結構51)的三維圖。值得注意的是，如上所述，盡管在圖2中沒有具體示出，但一條或多條接合引線可以連接至一個或多個管芯10/12的每一個。圖1和圖2中的3D IC結構可以包括各種部件。在實施例中，中介板18允許管芯電和/或通信連接在一起。在又一些實施例中，中介板18允許管芯電和/或通信連接在一起而不通過另一管芯來傳送電信號。例如，第一管芯10可以電連接至第四管芯16，而不通過第二管芯12或第三管芯14來傳送電信號。連接至第一管芯10的第一連接器22可以連接至第一面互連部件38中的一個，該第一面互連部件38中的一個連接至中介板中的TSV34。然后，TSV 34可以連接至第二面互連部件40中的一個，第二面互連部件40中的一個連接至與第四管芯16相連的第一連接器22。第一面互連部件38和第二面互連部件40中的一個或兩個都可以通過例如導線橫跨(cross)中介板18。類似地，第二管芯12和第三管芯14可以電和/或通信連接在一起。此外，第一管芯10可以電和/或通信連接至第三管芯14，以及第二管芯12可以以類似方式電和/或通信連接至第四管芯16，而不具有例如橫跨中介板18的導線。此外，第二層管芯10/12可以使用例如第一面互連部件38中的導線電和/或通信連接在一起而不使用TSV 34，類似地，第一層管芯14/16可以使用例如第二面互連部件40中的導線電和/或通信連接在一起而不使用TSV 34。因此，兩個對應管芯之間的路徑可以為專用路徑，并且每個管芯的設計可以獨立于兩個其他管芯之間的所要求的電通路以及相關聯的連接。
實施例進一步允許管芯的冗余。在實施例中，一個管芯(例如，第二管芯12)與另一管芯(諸如第一管芯10)相同或者功能等效。因此，第二管芯12是冗余管芯。例如，從第一管芯10和第二管芯12去往另一管芯(諸如第三管芯14或第四管芯16)的信號進行多路復用，以選擇要通過另一管芯接收和處理來自第一管芯10的信號還是來自第二管芯12的信號。在實施例中，諸如當中介板18為有源中介板時，在中介板18中實施多路復用。例如，將中介板18的襯底進行處理，以包括諸如多路復用器的有源電路。有源中介板中的其他器件可以包括:晶體管、二極管、熔絲、RLC無源器件、諧振器和/或微機電系統(MEMS)。多路復用器從第一管芯10和第二管芯12接收輸入信號。通過多路復用器接收諸如來自第三管芯14或第四管芯16的控制信號，以選擇哪些信號傳送至另一管芯(諸如第三管芯14或第四管芯16)。在另一實施例中，通過另一管芯(諸如第三管芯14或第四管芯16)中的多路復用器來進行多路復用。值得注意的是，多路復用器可以采取許多不同的結構。例如，如果存在N個冗余管芯，則多路復用器可以為單個N:1多路復用器，或者多路復用器可以為N-1個串連的2:1多路復用器，其中，在每個控制層處僅有一個多路復用器，或者每個控制層都具有兩個多路復用器。在其他實施例中，從第一管芯10和第二管芯12輸出的信號通過三態緩沖器傳送至每個管芯的輸出。可以連接(諸如短路)管芯的輸出，并且可以控制三態緩沖器以輸出僅來自第一管芯10或第二管芯12的一個管芯的信號。實施例預期用于多路復用的任何結構。在這些實施例中，例如，如果管芯發生故障，則在3D IC結構中可以復制廉價制造的管芯，以允許修復。基于廉價管芯的故障，這可以防止3DIC中損失更多的昂貴管芯。例如，如果第一管芯10需要5美元來處理，第二管芯12與第一管芯10相同或者功能等效(由此為冗余管芯)，第三管芯14需要100美元來處理以及第四管芯16需要50美元來處理，則盡管第一管芯10發生故障，但第二管芯12可以使得3D IC結構仍然保持功能，由此分別防止第三管芯14的100美元和第四管芯16的50美元的處理成本。如上所述，冗余管芯可以為3D IC結構中另一管芯的復制品。復制管芯可以使得3D IC結構增加能力，原始管芯和復制管芯中的每一個都在結構操作期間保持功能。在一些情況下，冗余管芯可以包括TSV并且可以位于頂層。在這些情況下，如果沒有連接器通過冗余管芯的背面連接至TSV，則鈍化層或過填充層(overfill)(諸如封裝期間應用的模塑料)可以電隔離TSV。如果連接器連接至TSV (諸如通過C4凸塊)，則過填充絕緣層可以抑制(smother)連接器。在使用接合引線的實施例中，接合引線可以向管芯提供電源。如果確定接合引線提供電源的管芯發生故障，則可以切斷接合引線以防止電源被提供給故障管芯，由此節省了電能。在其他實施例中，管芯可以為冗余管芯或者可以為可通過切斷接合引線而無效的任選產品部件。在又一些實施例中，接合引線可以提供用于多路復用的控制信號。接合引線可以接合至恒定值以基于用于結構的修復分析來提供控制信號。圖3示出了根據實施例的5管芯3D IC結構70的橫截面圖。該實施例示出了考慮層之間不對稱的實施例的實例部件。3D IC結構70包括第一管芯52和第二管芯54(統稱為“第二層管芯52/54”)；中介板62 ;第三管芯56、第四管芯58和第五管芯60 (統稱為“第一層管芯56/58/60”)；以及襯底64。第二層管芯52/54均具有第一表面(諸如有源面)，將這些第一表面通過對應的第一連接器22電、 通信和/或機械連接至中介板62的第一表面(諸如頂面)。類似地，第一層管芯56/58/60均具有第一表面(諸如有源面)，將這些第一表面通過對應的第一連接器22電、通信和/或機械連接至中介板62的第二表面(諸如底面)。第一層管芯56/58/60均具有第二表面(諸如背面)，將這些第二表面通過第二連接器24電、通信和/或機械連接至襯底64的第一表面(諸如頂面)。襯底64的第二表面(諸如底面)具有第三連接器26。圖3還示出了在圖1中描述的參考標號的部件，因此為了簡化在這里省略這些部件的詳盡描述。在圖3中，第一層包括比第二層多的管芯，并且管芯具有不同尺寸。此外，第三管芯56和第五管芯60的每一個都從中介板62的下方(諸如第三管芯56和第五管芯60的對應第一表面沒有被中介板62覆蓋的部分)開始延伸。此外，中介板62的面積大于第二層管芯52/54的第一表面的組合面積，使得中介板62具有從第二層管芯52/54開始延伸且沒有被其覆蓋的區域。在該實施例中，接合引線66和68可用于電連接各個器件的各個表面上的部件。如圖所示，接合引線68將第三管芯56的第一表面上的第一連接器22電連接至中介板62的第一表面。此外，接合引線66將第五管芯60的第一表面上的第一連接器22電連接至第二管芯54上的第四連接器28。由于不同的技術用于電連接各種部件(諸如通過接合引線)，所以在其他實施例中考慮管芯的不同形狀、尺寸、數量和結構。圖4示出了圖3的橫截面圖所示的3D IC結構70的三維圖。值得注意的是，如上所述，盡管在圖4中沒有具體示出，但一條或多條接合引線可以連接至一個管芯或多個管芯(諸如圖3所討論的)的每一個。圖5是類似于圖1的結構50的3D IC結構80的三維圖。結構80包括第一層管芯14/16與襯底20之間的第二中介板72。第一連接器22電、通信和/或機械地將第一層管芯的第二表面連接至第二中介板72的第一表面(諸如頂面)，以及第二連接器24電、通信和/或機械地將第二中介板72的第二表面(諸如底面)連接至襯底20。第二中介板72通常類似于中介板18，并且可以允許管芯之間的附加電通路。圖6是類似于圖5的3D IC結構80的結構90的三維圖。結構80不包括中介板18上方的管芯。因此，中介板18可以為覆蓋中介板。圖7示出了 8管芯3D IC結構110的三維圖。3D IC結構110類似于圖1和圖2的3D IC結構50。3D IC結構110還包括中介板98上方的第二層上的第五管芯92和第六管芯94，并且還包括襯底100上方的第一層上的第七管芯(沒有具體示出)和第八管芯96。中介板98和襯底100與中介板18和襯底20的不同之處分別在于，中介板98和襯底100可以提供四個管芯而不是兩個管芯的面積(兩個管芯乘以兩個管芯的面積)。3D IC結構110可以具有如參照圖1和圖2的3D IC結構50所討論的部件。此外，實施例考慮附加部件，諸如不同層上不同數量的管芯、不同尺寸的管芯、不同的電連接件等(諸如參照圖3和圖4所討論的)以及下面的中介板和覆蓋中介板(諸如參照圖5和圖6所討論的)。圖8示出了 6管芯3D IC結構120的三維圖。3D IC結構120類似于圖1和圖2中的3D IC結構50。3D IC結構120還包括中介板116上方的第三層上的第五管芯112和第六管芯114 (統稱為“第三層管芯112/114”)。中介板116位于第二層管芯10/12上方并通過第一連接器22連接至第二層管芯10/12。在該實施例中，第二層管芯中的一個或兩個管芯包括TSV，以允許來自第三層管芯112/114的信號被傳送至3D IC結構120的各個下面的層。3D IC結構120可具有參照圖1和圖2的3D IC結構50所討論的部件。 此外，實施例考慮附加部件，諸如不同層上的不同數量的管芯、不同尺寸的管芯、不同的電連接件等(諸如參照圖3和圖4所討論的)以及下面的中介板和覆蓋中介板(諸如參照圖5和圖6所討論的)。圖9示出了 12管芯3D IC結構140的三維圖。3D IC結構140將圖7的3D IC結構Iio的部件與圖8的3D IC結構120的部件進行組合。3D IC結構140還包括:第九管芯122、第十管芯124、第十一管芯126和第十二管芯128，這些管芯位于中介板130上方并通過連接器22連接至中介板130。中介板130與中介板98的類似之處在于，其可以提供四個管芯的面積(兩個管芯乘以兩個管芯的面積)。3D IC結構140可具有參照圖1和圖2的3D IC結構50所討論的部件。此外，實施例考慮附加部件，諸如不同層上的不同數量的管芯、不同尺寸的管芯、不同的電連接件等(諸如參照圖3和圖4所討論的)以及下面的中介板和覆蓋中介板(諸如參照圖5和圖6所討論的)。圖1OA至圖1OM示出了根據實施例的用于形成三層3D IC結構(諸如圖8的3DIC結構120和/或圖9的3D IC結構140)的方法。本領域的技術人員容易理解如何修改本文所公開的工藝以實現兩層3D IC結構、具有多于三層的3D IC結構或者2.1C結構。此外，可以以任何邏輯順序來實施所討論的步驟。這些修改在各個實施例的范圍內。例如，盡管一些步驟示出了晶圓上芯片接合，但可以使用晶圓上晶圓接合來實施一些步驟。首先，參照圖10A，示出了第一中介板襯底200和形成的穿過第一中介板襯底200的正面的TSV 202。第一中介板襯底200的材料通常與用于形成管芯(其中，將該管芯附接至中介板)的襯底的材料類似，諸如硅。雖然第一中介板襯底200可以由其他材料形成，但應該相信使用硅襯底用于中介板可以減小應力，因為硅襯底與用于管芯的硅之間的熱膨脹系數(CTE)失配低于襯底由不同材料形成的情況下的熱膨脹系數失配。例如，通過蝕刻、研磨、激光技術、其組合等在第一中介板襯底200中形成凹槽來形成TSV 202。諸如通過化學汽相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、物理汽相沉積(PVD)、熱氧化、其組合等，在第一中介板襯底200的正面上方和開口中共形地沉積薄勢壘層。勢壘層可以包括氮化物或氮氧化物，諸如氮化鈦、氮氧化鈦、氮化鉭、氮氧化鉭、氮化鎢、其組合等。導電材料沉積在薄勢壘層的上方和開口中。導電材料可以通過電化學噴鍍工藝、CVD、ALD、PVD、其組合等來形成。導電材料的實例為銅、鎢、鋁、銀、金、其組合，諸如合金等。例如，通過化學機械拋光來從第一中介板襯底200的正面去除多余的導電材料和勢壘材料。因此，TSV202包括導電材料以及導電材料和第一中介板襯底200之間的薄勢壘層。例如，當第一中介板襯底200為絕緣體材料時，可以省略薄勢壘層。在圖1OB中繼續正面工藝，在第一中介板襯底200上方形成互連結構204。互連結構204可以包括任意數量的金屬層、金屬間介電(MD)層、通孔和鈍化層或者可以包括它們的任意組合。圖1OB所示互連結構204在MD層中包括三個金屬層，諸如第一金屬層(Mx) 206、第二金屬層(My)208和第三金屬層(Mz) 210 (圖中金屬層所示的連接不用于指定具體連接)。通孔形成在MD層中的金屬層之間。金屬層通過以下工藝步驟形成:沉積MD層、使用例如可接受的光刻技術蝕刻MD層中的層的金屬圖案、在MD中沉積用于金屬層的導電材料以及通過例如CMP去除任何多余的導電材料。尤其當形成的通孔穿過IMD到達下面的金屬層時，光刻技術可以包括單鑲嵌工藝或雙鑲嵌工藝。MD層可以為氧化物電介質， 諸如二氧化硅(SiO2)、硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、來自Dow Chemicals的SiLK、Teflon AF或其他介電材料。例如，金屬層的導電材料可以為銅、鎳、鋁、銅鋁、鎢、鈦、金、銀、其組合(諸如合金)等。金屬層可以包括導電材料和IMD材料之間的勢壘層，并且可以在MD層之間形成其他介電層，諸如例如由氮化硅制成的蝕刻停止層。在形成頂部金屬層(在圖1OB中為第三金屬層210)之后，在金屬層的上方形成一個或多個鈍化層。鈍化層可以為聚酰亞胺、BPSG、氮化硅(SiN)、其組合等，并且可以使用旋涂技術、CVD、ALD、PVD、其組合等來形成該鈍化層。形成穿過鈍化層的開口以暴露頂部金屬層(在圖1OB中為第三金屬層210)，以在頂部金屬層上方形成連接器焊盤212。例如，可以使用可接受的光刻和蝕刻技術來形成開口。通過頂部金屬層上的開口形成連接器焊盤212，并且導電連接器214形成在連接器焊盤212上方。例如，導電連接器214為:引腳、微凸塊、凸塊、微柱、柱、圓柱等和/或它們的組合。可以通過在開口中沉積導電材料并將導電材料圖案化為連接器焊盤212來形成連接器焊盤212。導電材料可以包括:銅、銀、錫、鈦、鎢、金、銀、它們的組合(諸如合金)等，并且可以通過PVD、CVD、ALD、它們的組合等來沉積導電材料。可以通過可接受的光刻和蝕刻技術圖案化連接器焊盤212。導電連接器214通過電化學噴鍍(ECP)等形成在連接器焊盤212上方，并且 可以包括銅、錫、鎳、它們的組合等。在圖1OC中，第一管芯216和第二管芯218 (統稱為“第三層管芯216/218”)(如果使用更多管芯的話則為更多管芯)通過導電連接器214附接，并且底部填充材料220分布在第三層管芯216/218與第一中介板襯底200之間。第三層管芯216/218可以為使用拾取和放置工具附接的已知良好管芯，并且導電連接器214可以在分布底部填充材料220之前進行回流。底部填充材料220可以為使用可接受的涂膠設備(dispensing equipment)所分布的液態環氧樹脂、可變形凝膠、硅橡膠、它們的組合等。此外，第一管芯216均包括連接至導電連接器219 (例如，其可以為C4凸塊)的TSV 217。可以在形成每一個第一管芯216中的有源或無源器件之前以及在從晶圓切割每一個第一管芯216之前形成TSV 217。雖然TSV217為晶圓的部分，但可以通過穿過第一管芯襯底的表面形成開口(諸如通過蝕刻、研磨、激光技術、它們的組合等)來形成TSV 217。諸如通過CVD、ALD、PVD、熱氧化、它們的組合等，薄勢壘層共形地沉積在第一管芯襯底的上方以及開口中。勢壘層可以包括氮化物或氮氧化物，諸如氮化鈦、氮氧化鈦、氮化鉭、氮氧化鉭、氮化鎢、它們的組合等。導電材料沉積在薄勢壘層的上方和開口中。導電材料可以通過電化學噴鍍工藝、CVD、ALD、PVD、它們的組合等來形成。導電材料的實例為銅、鎢、鋁、銀、金、它們的組合等。例如，通過化學機械拋光來從第一管芯襯底去除多余的導電材料和勢壘層。因此，TSV 217包括導電材料以及導電材料和第一管芯襯底之間的薄勢壘層。然后，諸如通過化學機械拋光(CMP)工藝從背面減薄第一管芯216的晶圓以暴露TSV 217。晶圓可以附接至承載襯底以在減薄期間提供支持。鈍化層形成在背面上，并且例如通過使用可接受的光刻技術進行蝕刻暴露穿過鈍化層的TSV 217。通過沉積和圖案化導電材料在暴露的TSV 217上方形成連接器焊盤。然后，導電連接器219形成在連接器焊盤上方。然后，切割晶圓以分離成第一管芯216，并且第一管芯216通過導電連接器214附接至第一中介板焊盤200。值得注意的是，在第一管芯216附接至第一中介板襯底200之前執行，或者在第一管芯216部分或全部附接至第一中介板襯底200之后可以實施第一管芯216的背面工藝。本領域的技術人員容易理解這些修改，因此為了簡化這里省略這些修改的討論。從圖1OD開始示出了第一中介板襯底200的背面處理。在背面處理期間將圖1OC的組件附接至第一承載襯底222。第一承載襯底222可以使用粘合劑224附接至第三層管芯216/218。通常，第一承載襯底222在后續處理步驟期間提供臨時的機械和結構支撐。例如，第一承載襯底222可以包括:玻璃、氧化硅、氧化鋁、它們的組合等。粘合劑224可以為任何適當的粘合劑，諸如紫外線(UV)膠，當該UV膠暴露在UV光下時，失去其粘性。在圖1OE中，通過減薄第一中介板襯底200，從第一中介板襯底200的背面暴露TSV 202。可以使用蝕刻工藝和/或平面化工藝(諸如CMP工藝)來實施減薄工藝。互連結構226形成在第一中介板襯底200的背面上。類似于正面上的互連結構204，互連結構226可以包括任意數量的金屬層、頂D層、通孔和鈍化層或者它們的任意組合。互連結構226在MD層中包括三個金屬層。通孔形成在MD層中的金屬層之間。在形成頂部金屬層之后，在金屬層的上方形成一個或多個鈍化層。形成穿過鈍化層的開口以暴露頂部金屬層。在頂部金屬層上方形成穿過開口的連接器焊盤228，并且導電連接器230形成在連接器焊盤228上方。在參照圖1OE討論的背面處理期間形成的部件可以包括任何材料并且可以通過對于正面處理期間形成的對應部件所討論(諸如參照圖1OB所討論的)的任何技術來形成。在圖1OF中，第三管芯232和第四管芯234 (統稱為“第二層管芯232/234”)(如果使用更多管芯的話則為更多管芯)通過導電連接器230附接，并且底部填充材料236分布在第二層管芯232/234和第一中介板襯底200之間。第二層管芯232/234可以為使用拾取和放置工具附接的已知良好管芯，并且在分布底部填充材料236之前，導電連接器230可以進行回流。底部填充材料236可以為使用可接受的涂膠設備所分布的液態環氧樹脂、可變形凝膠、硅橡膠、它們的組合等。此外，第二層管芯232/234均包括連接至導電連接器240的TSV 238。可以通過與第一管芯216中的TSV 217相同或類似的技術進行第二層管芯232/234中的TSV 238的處理以及第二層管芯232/234中的TSV 238的處理具有與第一管芯216中的TSV 217相同或類似材料(諸如參照圖1OC所討論的)。此外，導電連接器240可以形成在連接器焊盤242上方。例如，導電連接器240為引腳、微凸塊、凸塊、微柱、柱、圓柱等和/或它們的組合。在減薄對應晶圓以暴露TSV 238之后，沉積鈍化層以及暴露穿過鈍化層的TSV 238，可以通過在第二層管芯232/234的背面上(諸如在切割管芯之前的對應晶圓的背面上)沉積導電材料以及通過可接受光刻技術圖案化導電材料來形成連接器焊盤242。導電材料可以包括銅、銀、錫、鈦、鎢、其組合等，并且可以通過PVD、CVD、ALD、它們的組合等來沉積導電材料。導電連接器240通過電化學噴鍍(ECP)等形成在連接器焊盤242上方，并且可以包括銅、錫、鎳、它們的組合等。值得注意的是，在第二層管芯232/234附接至第一中介板襯底200之前，或者在第二層管芯232/234部分或全部附接至第一中介板襯底200之后，實施第二層管芯232/234的背面處理。在圖1OG中，通過參照圖1OA和圖1OB討論的正面處理來處理第二中介板襯底244。第二中介板襯底244包括正面互連結構246 (包括金屬層、MD層和通孔)，并且還包括連接器焊盤250和導電連接器252。第二中介板襯底244還包括TSV 248。與參照圖1OA至圖1OB討論的工藝相同或類似地， 實施第二中介板襯底244的正面處理。
從圖1OH開始示出了第二中介板襯底244的背面處理。圖1OG的組件中背面處理期間附接至第二承載襯底254。第二承載襯底254可以使用粘合劑256附接至第二中介板襯底244(包括導電連接器252)的正面。這些部件與參照圖1OD所討論的部件類似。通過減薄第二中介板襯底244從第二中介板襯底244的背面暴露TSV 248。可以使用蝕刻工藝和/或平面化工藝(諸如CMP工藝)來實施減薄工藝。在圖101中，類似于圖10E，互連結構258形成在第二中介板襯底244的背面上。類似于正面上的互連結構246，互連結構258可以包括任意數量的金屬層、頂D層、通孔和鈍化層或者它們的任意組合。互連結構258在MD層中包括三個金屬層。通孔形成在MD層中的金屬層之間。在形成頂部金屬層之后，在金屬層的上方形成一個或多個鈍化層。形成穿過鈍化層的開口以暴露頂部金屬層。在頂部金屬層上形成穿過開口的連接器焊盤260，并且導電連接器262形成在連接器焊盤260上。在參照圖1OH和圖101討論的背面處理期間形成的部件可以包括任何材料并且可以通過對于正面處理期間形成的對應部件所討論(諸如參照圖1OE所討論的)的任何技術來形成。在圖1OJ中，切割第二中介板襯底244以形成單獨的第二中介板264，并且例如，第二中介板264通過將粘合劑256暴露在UV輻射下而與承載襯底254分離。第二中介板264位于第二層管芯232/234上方并通過連接器焊盤242和250上的導電連接器240和252連接至第二層管芯232/234。使用例如拾取和放置工具并且導電連接器240和252進行回流來附接第二中介板164。底部填充材料 266分布在第二中介板164和第二層管芯232/234之間。底部填充材料266可以為使用可接受的涂膠設備所分布的液態環氧樹脂、可變形凝膠、硅橡膠、它們的組合等。在圖1OK中，第五管芯268和第六管芯270(統稱為“第一層管芯268/270”)(如果使用更多管芯的話則為更多管芯)通過第一層管芯268/270的接合焊盤276上的導電連接器278并且通過導電連接器262附接，并且連接器278和262回流。第一層管芯268/270可以為使用拾取和放置工具附接的已知良好管芯。底部填充材料277分布在第一層管芯268/270和第二中介板264之間。底部填充材料277可以為使用可接受的涂膠設備所分配的液態環氧樹脂、可變形凝膠、硅橡膠、它們的組合等。此外，第一層管芯268/270均包括連接至導電連接器272 (例如，其可以為C4凸塊)的TSV 274。可以通過與第二層管芯232/234中的TSV 238 (諸如參照圖1OF討論的)相同或類似的技術處理第一層管芯268/270中的TSV 274或者第一層管芯268/270中的TSV 274具有與第二層管芯232/234中的TSV 238相同或類似的材料。在減薄對應晶圓以暴露TSV 274之后，沉積鈍化層以及暴露穿過鈍化層的TSV 274，可以通過沉積和圖案化導電材料在暴露的TSV 274上方形成連接器焊盤。然后，導電連接器272形成在連接器焊盤上方。然后，切割第一層管芯268/270的每一個,并且第一層管芯268/270通過導電連接器268附接至第二中介板襯底244。值得注意的是，在附接至第二中介板襯底244之前，或者在第一層管芯268/270部分或全部附接至第二中介板襯底244之后，可以實施第一層管芯268/270的背面處理。在圖1OL中，沿切割線180切割第一中介板襯底200以分離為單獨的3D IC結構。可以通過切割、蝕刻等或者它們的組合來實施切割。然后，單個的3D IC結構通過導電連接器272連接至襯底282的第一表面。襯底282可以為封裝層壓襯底。襯底282在第二表面上具有導電球284，諸如BGA球。可以對3D IC結構實施附加封裝步驟，諸如利用模塑料進行密封。本領域的技術人員容易理解這些步驟，因此為了簡化省略這些步驟。實施例可以實現各種優點。首先，可以實現管芯之間更高的連接性而不依賴于另一管芯的設計。例如，可以通過中介板電連接兩個管芯而不需要使用第三管芯的TSV和/或金屬線。此外，中介板上的連接器(諸如微凸塊)不必與中介板上的另一連接器對準，因為中介板允許各種連接器的再分布。因此，在各個實施例中，不對稱布線不再是問題。接下來，可以實現管芯冗余以增加制造3D IC結構的成品率。例如，冗余管芯可以功能性地代替另一故障管芯，使得3D IC結構保持功能。此外，與一些現有技術結構(其中，面積不足成為問題)相比，實施例允許具有連接器(諸如C4凸塊)的更大面積以連接封裝襯底。此外，該結構的堆疊高度可以減小。然而，與結構要求太多面積的其他現有技術結構相比，實施例允許具有更小的占位面積。另外，實施例實現更好的電壓和熱特性。在實施例中，每個管芯的電源可以不串聯連接。由于尤其在串聯連接的開始處相對較大的電流流動，以及導體的阻抗，傳統結構中的串聯電源會引起電源和串聯連接中最后的管芯之間的顯著壓降。實施例允許電源獨立，由此允許減小的電流流動以及由電流流動的較短距離所引起的減小阻抗。因此，可以減小來自電源的壓降。此外，實施例可以實現較短的3D IC結構高度，從而可以具有管芯溫度較低以及熱產生和熱消散增加的混合效果。較短的高度允許從一些管芯到散熱器的較短距離，減小了熱阻抗以及流經熱阻抗的中間管芯熱量產生。溫度上升通常為熱阻與每單位時間的要消散的熱量的乘積(product)。 第一實施例是一種結構，包括:第一管芯、第二管芯、第一中介板、第三管芯和第四管芯。第一管芯具有第一表面和第二表面，第一管芯的第二表面與第一管芯的第一表面相對。對應的第一導電連接器連接至第一管芯的第一表面，以及對應的第二導電連接器連接至第一管芯的第二表面。第二管芯具有第一表面和第二表面，并且第二管芯的第二表面與第二管芯的第一表面相對。對應的第一導電連接器連接至第二管芯的第一表面，以及對應的第二導電連接器連接至第二管芯的第二表面。第一中介板位于第一管芯和第二管芯的上方。第一中介板的第一表面連接至第一導電連接器，第一中介板的第二表面連接至第三導電連接器。第三管芯位于第一中介板的上方，第三管芯的第一表面連接至對應的第三導電連接器。第四管芯位于第一中介板的上方，第四管芯的第一表面連接至對應的第三導電連接器。第一管芯通過第一中介板通信連接至第二管芯，和/或第三管芯通過第一中介板通信連接至第四管芯。第二實施例是一種結構，包括:第一管芯層、第二管芯層以及設置在第一管芯層和第二管芯層之間的第一中介板。第一管芯層包括第一管芯和第二管芯。第一管芯和第二管芯的對應第一表面連接至對應的第一導電連接器，第一管芯和第二管芯的對應第二表面連接至對應的第二導電連接器。第一管芯的第一表面與第一管芯的第二表面相對，以及第二管芯的第一表面與第二管芯的第二表面相對。第二管芯層包括第三管芯和第四管芯。第三管芯和第四管芯的對應第一表面連接至對應的第三導電連接器。第一中介板的第一表面連接至第一導電連接器，以及第一中介板的第二表面連接至第三導電連接器。又一實施例是一種方法，包括:使用連接至第一管芯和第二管芯的對應第一表面的對應第一導電連接器將第一管芯和第二管芯附接至第一中介板的第一表面；使用對應的第二導電連接器將第三管芯和第四管芯附接至第一中介板的第二表面，第一中介板的第二表面與中介板的第一表面相對；以及使用連接至第一管芯和第二管芯的對應第二表面的對應第三導電連接器將第一管芯和第二管芯附接至襯底。盡管詳細描述了示例性實施例及其特征，但應該理解，在不背離由所附權利要求限定的公開內容的精神和范圍的情況下，可以進行各種改變、替換和變化。此外，本申請的范圍不限于說明書中描述的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實施例。本領域的技術人員應該容易地從公開內容中理解，可以根據公開內容利用現有或稍后開發的執行與本文所描述對應實施例基本相同的功能或實現基本相同的結果的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、 方法和步驟。因此，所附權利要求應該包括在這樣的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內。
權利要求
1.一種結構，包括: 第一管芯，具有第一表面和第二表面，所述第一管芯的第二表面與所述第一管芯的第一表面相對，對應的第一導電連接器連接至所述第一管芯的第一表面，以及對應的第二導電連接器連接至所述第一管芯的第二表面； 第二管芯，具有第一表面和第二表面，所述第二管芯的第二表面與所述第二管芯的第一表面相對，對應的第一導電連接器連接至所述第二管芯的第一表面，以及對應的第二導電連接器連接至所述第二管芯的第二表面； 第一中介板，位于所述第一管芯和所述第二管芯的上方，所述第一中介板的第一表面連接至所述第一導電連接器，所述第一中介板的第二表面連接至第三導電連接器； 第三管芯 ，位于所述第一中介板的上方，所述第三管芯的第一表面連接至對應的第三導電連接器；以及 第四管芯，位于所述第一中介板的上方，所述第四管芯的第一表面連接至對應的第三導電連接器，其中，所述第一管芯通過所述第一中介板通信連接至所述第二管芯，和/或所述第三管芯通過所述第一中介板通信連接至所述第四管芯。
2.根據權利要求1所述的結構，還包括:襯底，連接至所述第二導電連接器，所述第一管芯和所述第二管芯位于所述襯底的上方。
3.根據權利要求1所述的結構，還包括: 第二中介板，位于所述第三管芯和所述第四管芯的上方； 第五管芯，位于所述第二中介板的上方；以及 第六管芯，位于所述第二中介板的上方。
4.根據權利要求1所述的結構，還包括: 第五管芯，具有第一表面和第二表面，所述第五管芯的第二表面與所述第五管芯的第一表面相對，對應的第一導電連接器連接至所述第五管芯的第一表面，以及對應的第二導電連接器連接至所述第五管芯的第二表面； 第六管芯，位于所述第一中介板的上方，所述第六管芯的第一表面連接至對應的第三導電連接器； 第七管芯，具有第一表面和第二表面，所述第七管芯的第二表面與所述第七管芯的第一表面相對，對應的第一導電連接器連接至所述第七管芯的第一表面，以及對應的第二導電連接器連接至所述第七管芯的第二表面；以及 第八管芯，位于所述第一中介板的上方，所述第八管芯的第一表面連接至對應的第三導電連接器。
5.根據權利要求1所述的結構，其中，所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯或所述第四管芯中的至少一個為所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯或所述第四管芯中的另外一個的冗余管芯。
6.根據權利要求1所述的結構，其中，所述第一中介板包括:多路復用器，所述多路復用器能夠接收來自所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯或所述第四管芯中的至少兩個的對應信號并選擇性地發送所選信號。
7.根據權利要求1所述的結構，其中，所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯或所述第四管芯中的至少一個包括:多路復用器，所述多路復用器能夠接收來自所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯或所述第四管芯中的至少兩個其他管芯的對應信號。
8.根據權利要求1所述的結構，其中，所述第四管芯不直接位于所述第一管芯的上方，所述第一管芯通過電通路通信連接至所述第四管芯，所述電通路不延伸經過所述第二管芯和所述第三管芯。
9.一種結構,包括: 第一管芯層，包括第一管芯和第二管芯，所述第一管芯和所述第二管芯的對應第一表面連接至對應的第一導電連接器，所述第一管芯和所述第二管芯的對應第二表面連接至對應的第二導電連接器，所述第一管芯的第一表面與所述第一管芯的第二表面相對，以及所述第二管芯的第一表面與所述第二管芯的第二表面相對； 第二管芯層，包括第三管芯和第四管芯，所述第三管芯和所述第四管芯的對應第一表面連接至對應的第三導電連接器；以及 第一中介板，設置在所述第一管芯層和所述第二管芯層之間，所述第一中介板的第一表面連接至所述第一 導電連接器，以及所述第一中介板的第二表面連接至所述第三導電連接器。
10.一種方法，包括: 使用連接至第一管芯和第二管芯的對應第一表面的對應第一導電連接器將所述第一管芯和所述第二管芯附接至第一中介板的第一表面； 使用對應的第二導電連接器將第三管芯和第四管芯附接至所述第一中介板的第二表面，所述第一中介板的第二表面與所述第一中介板的第一表面相對；以及 使用連接至所述第一管芯和所述第二管芯的對應第二表面的對應第三導電連接器將所述第一管芯和所述第二管芯附接至襯底。
全文摘要
一種結構包括第一管芯、第二管芯、第三管芯和第四管芯。第一管芯和第二管芯均具有第一表面和第二表面。第一導電連接器連接至第一管芯和第二管芯的第一表面，以及第二導電連接器連接至第一管芯和第二管芯的第二表面。中介板位于第一管芯和第二管芯的上方。中介板的第一表面連接至第一導電連接器，以及中介板的第二表面連接至第三導電連接器。第三管芯和第四管芯位于中介板的上方并連接至第三導電連接器。第一管芯通過中介板通信連接至第二管芯，和/或第三管芯通過中介板通信連接至第四管芯。本發明還提供了多維集成電路結構及其形成方法。
文檔編號H01L21/56GK103219325SQ20121017189
公開日2013年7月24日 申請日期2012年5月29日 優先權日2012年1月20日
發明者馬克·商墨邁爾, 桑迪·庫馬·戈埃爾 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司