專利名稱：半導體發光裝置及其制造方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體發光裝置及其制造方法。
背景技術：
發光二極管(LED)是這樣一種半導體裝置，即，當向這種半導體裝置施加電流時，由于在P型半導體和n型半導體之間的p-n結處發生電子-空穴復合，所以該半導體裝置能夠發射各種顏色的光。這種LED相對于基于燈絲的發光裝置的優點在于其具有長的壽命、低的功耗、優異的初始操作特性等。這些因素使對LED的需求不斷增加。尤其是近來，能夠在藍光/短波長區域內發光的III族氮化物半導體已經受到大量關注。 由于對氮化物半導體裝置的開發，所以已經做出了技術進步來擴大其應用范圍。因此，正在進行大量研究來確定如何將氮化物半導體裝置用在普通的照明設備和電照明源中。按照現有技術，已經將氮化物發光裝置用作在低電流、低輸出移動產品中采用的部件。然而，近來，氮化物發光裝置的應用范圍已經擴大到包括高電流、高輸出產品的領域。同時，與外部空氣、包封材料或基底相比，構成LED的半導體層具有高的折射率，從而使確定入射角范圍(以該入射角范圍，光可以發射出去)的臨界角減小。結果，從活性層產生的大量的光被全內反射而沿著實質上不期望的方向發射或者在全內反射過程中損耗，由此會降低光提取效率。因此，需要一種增加沿期望的方向發射的光的量并且改善實質亮度的方法。
發明內容
本發明的一方面提供了一種在生長基底的后表面上包括反射器結構的半導體發光裝置，該反射器結構具有優異的光反射特性和散熱特性。本發明的一方面還提供了一種以有效的方式制造上述半導體發光裝置的方法。根據本發明的一方面，提供了一種半導體發光裝置，所述半導體發光裝置包括透光基底，具有面向彼此的第一主表面和第二主表面，第二主表面上形成有不平坦部分；發光部分，設置在第一主表面上，并且包括第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層以及置于第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間的活性層；第一電極和第二電極，第一電極電連接到第一導電類型半導體層，第二電極電連接到第二導電類型半導體層；后反射部分，包括設置在第二主表面上的反射金屬層以及置于透光基底和反射金屬層之間的透光介電層。透光介電層可以包括具有不同折射率且交替堆疊的多個介電層。這里，多個介電層可以具有分布式布拉格反射器(DBR)結構。透光介電層和反射金屬層可以具有全方位反射器(ODR)結構。
透光基底可以包括形成在透光基底的第一主表面上的不平坦部分。反射金屬層可以由選自于由鋁(Al)、銀(Ag)、鎳(Ni)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)、釕(Ru)、鎂(Mg)、鋅(Zn)、鉬(Pt)和金(Au)組成的組中的材料形成。半導體發光裝置還可以包括平坦化層，當透光介電層和反射金屬層的表面因與形成在透光基底上的不平坦部分的曲面共形而不平坦地形成時，平坦化層填充反射金屬層的不平坦表面。平坦化層可以由旋涂玻璃(SOG)形成。透光介電層可以由導熱率高于透光基底的導熱率的材料形成。根據本發明的另一方面，提供了一種發光設備，所述發光設備包括安裝基底；半導體發光裝置，安裝在安裝基底上，并且當向半導體發光裝置施加電信號時，半導體發光裝置發光；粘合層，置于安裝基底和半導體發光裝置之間，其中，半導體發光裝置包括透光基底、發光部分、第一電極和第二電極以及后反射部分，透光基底具有面向彼此的第一主表面 和第二主表面，第二主表面上形成有不平坦部分，發光部分設置在第一主表面上，并且包括第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層以及置于第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間的活性層，第一電極和第二電極分別電連接到第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層，后反射部分包括設置在第二主表面上的反射金屬層以及置于透光基底和反射金屬層之間的透光介電層。安裝基底可以為電路板。可選擇地，安裝基底可以為引線框架。粘合層可以由共晶合金和聚合物中的至少一種形成。根據本發明的另一方面，提供了一種制造半導體發光裝置的方法，所述方法包括下述步驟準備具有面向彼此的第一主表面和第二主表面的透光基底，并且在第一主表面上形成發光部分，其中，發光部分包括第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層以及置于第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間的活性層；形成電連接到第一導電類型半導體層的第一電極和電連接到第二導電類型半導體層的第二電極；在透光基底的第二主表面上形成不平坦部分；形成包括反射金屬層和透光介電層的后反射部分，其中，反射金屬層設置在透光基底的設置有所述不平坦部分的第二主表面上，透光介電層置于透光基底和反射金屬層之間。所述方法還可以包括在透光基底的第二主表面上形成不平坦部分之前，在發光部分的頂部上形成支撐發光部分的臨時基底。所述方法還可以包括在形成后反射部分之后，使臨時基底與發光部分分開。透光介電層可以包括具有不同折射率且交替堆疊的多個介電層。多個介電層可以具有分布式布拉格反射器(DBR)結構。透光介電層和反射金屬層可具有全方位反射器(ODR)結構。所述方法還可以包括在形成發光部分之前，在透光基底的第一主表面上形成不平坦部分。
通過下面結合附圖進行的詳細描述，本發明的上述和其他方面、特征和其他優點將被更清楚地理解，在附圖中
圖I是示出了根據本發明實施例的半導體發光裝置的示意性剖視圖；圖2和圖3是示出了根據圖I的實施例的修改例的后反射部分的結構的示意性剖視圖；圖4是示出了反射率相對于分布式布拉格反射器(DBR)結構本身的入射角的變化的曲線圖；圖5是不出了反射率相對于可應用于本發明實施例的DBR+反射金屬層結構的入射角的變化的曲線圖；圖6是示出了根據圖I的實施例的修改例的半導體發光裝置的示意性剖視圖；圖7至圖11是示出了根據本發明實施例的制造半導體發光裝置的方法的示意性首丨J視圖; 圖12是示出了根據本發明另一實施例的發光設備的示意性剖視圖。
具體實施例方式現在將參照附圖詳細地描述本發明的實施例。然而，本發明可以以許多不同的形式實施，并且不應被解釋為局限于在此闡述的實施例。相反，提供這些實施例使得本公開將是徹底的和完全的，并且這些實施例將把本發明的范圍充分地傳達給本領域的技術人員。在附圖中，為了清晰起見，會夸大元件的形狀和尺寸，將始終使用相同的附圖標記來指示相同或相似的元件。圖I是示出了根據本發明實施例的半導體發光裝置的示意性剖視圖。圖2和圖3是示出了根據圖I的實施例的修改例的后反射部分的結構的示意性剖視圖。參照圖1，根據本發明該實施例的半導體發光裝置100包括透光基底101，具有面向彼此的第一主表面SI和第二主表面S2 ;發光部分,形成在透光基底101的第一主表面SI的頂部上,發光部分包括順序堆疊的第一導電類型半導體層102、活性層103、第二導電類型半導體層104和歐姆電極層105。此外,第一電極106a和第二電極106b形成在第一導電類型半導體層102和歐姆電極層105的上表面上。后反射部分R形成在透光基底101的第二主表面S2的底部上，使得可以向上引導從活性層103發射且穿過透光基底101的光。后反射部分R包括透光介電層107和反射金屬層108。在這種情況下,如圖I所不，透光介電層107置于透光基底101和反射金屬層108之間。這里，術語“頂部”、“底部”、“上表面”、“下表面”、“側表面”等是以附圖中的方向為基準的，它們可以根據半導體發光裝置實際被安裝的方向而改變。透光基底101可以設置為半導體生長基底，并且可以利用由諸如藍寶石、SiC,MgAl2O4^MgO, LiAlO2, LiGaO2或GaN等具有絕緣性能或導電性能的半導體材料形成的基底。透光基底101可以使從活性層103發射的光的至少一部分能夠穿過其透射。在這種情況下，最優選地可以使用具有電絕緣性能的藍寶石。藍寶石是具有Hexa-Rhombo R3C對稱性的晶體，沿著C軸的晶格常數為13. 001A，沿著A軸的晶格常數為4. 758A。藍寶石的取向面包括C(OOOl)面、A(1120)面和R(1102)面等。具體地講，由于C面相對地有利于氮化物膜的生長并且在高溫下穩定，所以C面主要用作用于氮化物生長的基底。第一導電類型半導體層102和第二導電類型半導體層104可以分別是用n型雜質和P型雜質摻雜的半導體層，然而，本發明不限于此。相反，第一導電類型半導體層102和第二導電類型半導體層104可以分別是p型半導體層和n型半導體層。第一導電類型半導體層102和第二導電類型半導體層104可以由氮化物半導體形成。例如，可以對其使用組成式為AlxInyGamN(0彡x彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡I)的材料。此外，還可以使用AlGaInP半導體或AlGaAs半導體。設置在第一導電類型半導體層102和第二導電類型半導體層104之間的活性層103通過電子-空穴復合發射具有預定能級的光。活性層103可以具有量子阱層和量子壘層交替地堆疊的多量子阱(MQW)結構，這里，在氮化物半導體的情況下，可以使用GaN/InGaN結構。同時，可以通過諸如金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)、氫化物氣相外延(HVPE)、分子束外延(MBE)等本領域已知的半導體層生長工藝來生長形成發光結構的第一導電類型半導體層102、第二導電類型半導體層104和活性層103。 歐姆電極層105可以由展現出與第二導電類型半導體層104的電歐姆特性的材料形成。例如，歐姆電極層105可以由用于透明電極的材料中的透光率水平高且歐姆接觸性能相對優良的諸如ITO、CIO、ZnO等的透明導電氧化物形成。這里，歐姆電極層105在本實施例中可以不是必需的，根據改變的情況可以不包括歐姆電極層105。 第一電極106a和第二電極106b可以由本領域已知的具有導電性的材料形成。例如，第一電極106a和第二電極106b可以通過沉積、濺射等由銀(Ag)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鉻(Cr)等中的一種或多種形成。在圖I示出的結構中，第一電極106a形成在第一導電類型半導體層102的上表面上，第二電極106b形成在歐姆電極層105的上表面上，但是這種電極形成方式僅是示例，電極可以形成在包括第一導電類型半導體層102、活性層103和第二導電類型半導體層104的發光結構上的不同位置。在本實施例中，包括透光介電層107和反射金屬層108的后反射部分R可以形成在透光基底101的第二主表面S2上，從而將光的路徑改變為沿著期望的方向(在該方向上設置發光部分)朝向透光基底101。透光介電層107可以由包含從由娃(Si)、錯(Zr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、銦(In)、錫(Sn)、鎂(Mg)、鋁(Al)組成的組中選擇的元素的氧化物或氮化物(作為具有特定折射率的材料)形成。反射金屬層108可以由包括鋁(Al)、銀(Ag)、鎳(Ni)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)、釕(Ru)、鎂(Mg)、鋅(Zn)、鉬(Pt)、金(Au)等的材料形成，例如由包含鋁(Al)或銀(Ag)的合金形成，從而具有高反射性能。反射金屬層108可以與透光介電層107結合，從而可以進一步提高反射率。例如，在第二主表面S2上堆疊厚度滿足從活性層103發射的光的波長的X/4n并且由具有低折射率的材料(例如，SiO2)形成的透光介電層107和由具有高反射率的材料(例如，鋁(Al)、銀(Ag)等)形成的反射金屬層108的情況下，可以實現全方位反射器(ODR)結構。另外，在透光基底101的第二主表面S2上形成不平坦部分，從而其可以增大透光介電層107和透光基底101之間的接觸面積。在透光介電層107與透光基底101相比具有相對高的導熱率的情況下(例如，在透光基底101由藍寶石形成并且透光介電層107由SiO2形成的情況下)，可以改進發光部分中產生的熱的消散。在光學方面，通過第二主表面S2的不平坦部分增大了反射面積，從而可以提高后反射部分R的反射率。此外，可以改變通過后反射部分R反射的光的路徑，從而增大從半導體發光裝置100發射的光的方位角。第二主表面S2的不平坦部分可以各種各樣地成形，只要它可以增大透光基底101和透光介電層107之間的界面面積即可。在不平坦部分具有從第二主表面S2向外突出的如圖I中示出的半球形結構、三棱錐結構等的情況下，可以進一步提高光反射效率。同時，作為上述結構的修改例，透光介電層107'可以具有不同折射率的多個介電層交替堆疊的分布式布拉格反射器(DBR)結構，如圖2所示。具有DBR結構的透光介電層107/具有90%或更大的高反射率。在將透光介電層107'與反射金屬層108結合來形成ODR結構的情況下,可以進一步提聞反射率。將參照圖4和圖5對此進行描述。圖4是不出了反射率相對于DBR結構本身的入射角的變化的曲線圖；圖5是示出了反射率相對于可應用于本發明實施例的DBR+反射金屬層結構的入射角的變化的曲線圖。這里，從各結構中省略了形成在基底的第二主表面上的不平坦部分。參照圖4和圖5，當入射角小(大約50°或更小)時，在DBR結構與DBR+反射金屬層結構之間沒有太多差別。另一方面，在入射角大的情況下，當僅使用DBR結構時，DBR結構的反射率根據波長帶顯著變化。即，當波長為440nm或更大時，DBR結構的反射率趨向于顯著下降，如圖4中所示，但是如圖5中所示的DBR+反射金屬層結構(在本實驗中，使用Al反射膜)保持為具有高的整體反射率，沒有根據入射角過度改變。按照這種方式，確認的是，與單獨使用DBR結構的情況相比，當另外將反射金屬層與DBR結構結合時，反射率根據 波長帶和入射角的變化減小，從而得到優異的反射特性。同時，在圖3中示出的修改結構中，在透光介電層107和反射金屬層108的表面與形成在透光基底101上的不平坦部分的曲面共形從而它們可以不平坦地形成的情況下，當將半導體發光裝置100安裝在安裝基底上時在接觸區域中會形成空隙等，從而半導體發光裝置100和安裝基底之間的粘合力會減小。為了克服這種問題，可以形成平坦化層109來填充反射金屬層108的表面的不平坦部分。可以通過將液體玻璃、聚合物等施加到反射金屬層108的表面并且將施加的物質硬化來形成平坦化層109。考慮到對安裝基底的優異的粘附，可以使用旋涂玻璃(SOG)。SOG可以允許粘性液體狀態下的平坦化。可以通過快速旋轉將要施加SOG的區域并且通過離心力以平坦的方式施加液體材料來形成平坦化層109。圖6是示出根據圖I的實施例的修改例的半導體發光裝置的示意性剖視圖。參照圖6，根據本發明該實施例的半導體發光裝置100'包括透光基底101，具有面向彼此的第一主表面SI和第二主表面S2 ;第一導電類型半導體層102 ;活性層103 ;第二導電類型半導體層104 ;歐姆電極層105 ;第一電極106a和第二電極106b。另外,后反射部分R形成在透光基底101的第二主表面S2上，第二主表面S2具有形成在其上的不平坦部分，并且后反射部分R包括透光介電層107和反射金屬層108。與前述實施例不同，不平坦部分進一步形成在透光基底101的第一主表面SI上。第一主表面SI的不平坦部分引導形成在透光基底101上的半導體層的生長。在本實施例中，第一主表面SI的不平坦部分引導第一導電類型半導體層102的橫向生長，從而可以改進結晶性。在光學方面，在第一導電類型半導體層102和透光基底101之間的界面中，全反射率下降，從而可以減少光損失。在這種情況下，第一主表面SI的不平坦部分可以具有與第二主表面S2的不平坦部分的形狀相同的形狀，或者可以具有與第二主表面S2的不平坦部分的形狀不同的形狀。不平坦部分的形狀可以是半球形、三棱錐形等。在下文中，將參照圖7至圖11來描述具有如上所述的這種結構的半導體發光裝置的制造方法。將以圖I的半導體發光裝置作為參考示例來描述制造方法；然而，本領域技術人員將清楚的是，可以使用所述制造方法來制造根據本發明另一實施例的具有不同結構的半導體發光裝置。在制造根據本實施例的半導體發光裝置的方法中，如圖7中所示，首先可通過MOCVD、HVPE等在透光基底101上生長第一導電類型半導體層102、活性層103和第二導電類型半導體層104來形成發光部分。接下來，如圖8中所示，可以利用沉積工藝、濺射工藝等在第二導電類型半導體層104上形成歐姆電極層105。此后，可以形成第一電極106a和第二電極106b，以分別連接到第一導電類型半導體層102和第二導電類型半導體層104。這里，為了形成第一電極106a，可以去除發光部分的一部分，從而暴露第一導電類型半導體層 102。然后，如圖9中所示，可以在發光部分的頂部上支撐性地形成臨時基底111。另外，為了將臨時基底111粘附到發光部分，可以插入由例如膠等的具有粘合力的聚合物或SOG形成的粘合部分110。然而，粘合部分110在本實施例中可以不是必需的。可以以任何結構提供臨時基底111，只要它可以支撐發光部分即可。臨時基底111可以由熱膨脹系數與形成發光部分的半導體材料的熱膨脹系數相似的材料例如Si、SiC、GaN等形成。在粘合部分 110由SOG形成的情況下，粘合部分110可以經歷旋轉施加、硬化和燒結工藝，從而粘合部分110聚合以作為絕緣膜，同時保證發光部分和臨時基底111之間的粘合。在這種情況下，當粘合部分110厚時，粘合部分110本身可以作為臨時基底。因此，可以不需要將臨時基底附于粘合部分。然后，如圖10中所示，在將臨時基底111附于發光部分的狀態下，可以在透光基底101的第二主表面S2上形成不平坦部分。作為形成不平坦部分的方法的示例，可以對第二主表面S2應用各向異性蝕刻掩模，并且對其執行例如感應耦合等離子體反應離子蝕刻(ICP-RIE)的蝕刻工藝。可以使用濕蝕刻工藝來代替這種蝕刻工藝，來形成不平坦部分。然后，如圖11中所示，可以利用合適的沉積工藝在透光基底101的第二主表面S2上順序形成透光介電層107和反射金屬層108，從而形成后反射部分R。在這種情況下，如上所述，透光介電層107可以具有DBR結構，后反射部分R可以具有ODR結構。為此，透光介電層107可以具有滿足從活性層103發射的光的波長的\ Mn的厚度；然而，這種條件不是必需的。透光介電層107的厚度可以在能夠獲得期望反射性能的范圍內改變。盡管未示出，但是在如上所述形成后反射部分R之后，將臨時基底111和粘合部分110與發光部分分開，從而得到如圖I中所示的發光結構。具有如上所述結構的半導體發光裝置可以安裝在安裝基底等上，從而用作發光設備，例如用于顯示裝置的背光單元、室內/室外照明裝置、前燈等。圖12是示出根據本發明另一實施例的發光設備的示意性剖視圖。根據本實施例的發光設備200包括安裝在安裝基底201上的半導體發光裝置。這里，半導體發光裝置可以具有圖I的結構。粘合層203可以插入在半導體發光裝置和安裝基底201之間。考慮到散熱，粘合層203可以由例如AuSn的共晶合金、例如硅樹脂的聚合物等形成。安裝基底201可以作為例如PCB、MCPCB, FPCB,MPCB等的電路板而提供。在這種情況下，電路圖案202a和202b可以利用導電線W連接到第一電極106a和第二電極106b。可以沿著發光部分的表面和安裝基底201形成導線形式的布線結構來代替導電線W。同時，安裝基底201可以作為如上所述的電路板而提供；然而，安裝基底201可以作為封裝級的至少一對引線框架而提供。在這種情況下，可以不提供電路圖案202a和202b。
如上所述，根據本發明的實施例，半導體發光裝置包括位于生長基底的后表面上的反射體結構，該反射體結構具有優異的光反射特性和散熱特性。另外，提供了一種以有效的方式制造上述半導體發光裝置的方法。
盡管已經結合實施例示出和描述了本發明，但是本領域技術人員將清楚，在不脫離由權利要求限定的本發明的精神和范圍的情況下，可以進行修改和變化。
權利要求
1.一種半導體發光裝置，所述半導體發光裝置包括 透光基底，具有面向彼此的第一主表面和第二主表面，第二主表面上形成有不平坦部分； 發光部分，設置在第一主表面上，并且包括第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層以及置于第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間的活性層； 第一電極和第二電極，第一電極電連接到第一導電類型半導體層，第二電極電連接到第二導電類型半導體層；以及 后反射部分，包括設置在第二主表面上的反射金屬層以及置于透光基底和反射金屬層之間的透光介電層。
2.如權利要求I所述的半導體發光裝置，其中，透光介電層包括具有不同折射率且交替堆疊的多個介電層。
3.如權利要求2所述的半導體發光裝置，其中，所述多個介電層具有分布式布拉格反射器結構。
4.如權利要求I所述的半導體發光裝置，其中，透光介電層和反射金屬層具有全方位反射器結構。
5.如權利要求I所述的半導體發光裝置，其中，透光基底包括形成在透光基底的第一主表面上的不平坦部分。
6.如權利要求I所述的半導體發光裝置，其中，反射金屬層由選自于由鋁、銀、鎳、銠、鈀、銥、釕、鎂、鋅、鉬和金組成的組中的材料形成。
7.如權利要求I所述的半導體發光裝置，所述半導體發光裝置還包括平坦化層，當透光介電層和反射金屬層的表面因與形成在透光基底上的不平坦部分的曲面共形而不平坦地形成時，平坦化層填充反射金屬層的不平坦表面。
8.如權利要求7所述的半導體發光裝置，其中，平坦化層由旋涂玻璃形成。
9.如權利要求I所述的半導體發光裝置，其中，透光介電層由導熱率高于透光基底的導熱率的材料形成。
10.一種發光設備，所述發光設備包括 安裝基底； 半導體發光裝置，安裝在安裝基底上，并且當向半導體發光裝置施加電信號時，半導體發光裝置發光；以及 粘合層，置于安裝基底和半導體發光裝置之間， 其中，半導體發光裝置包括透光基底，具有面向彼此的第一主表面和第二主表面，第二主表面上形成有不平坦部分；發光部分，設置在第一主表面上，并且包括第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層以及置于第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間的活性層；第一電極和第二電極，第一電極電連接到第一導電類型半導體層，第二電極電連接到第二導電類型半導體層；后反射部分，包括設置在第二主表面上的反射金屬層以及置于透光基底和反射金屬層之間的透光介電層。
11.如權利要求10所述的發光設備，其中，安裝基底為電路板。
12.如權利要求10所述的發光設備，其中，安裝基底為引線框架。
13.如權利要求10所述的發光設備，其中，粘合層由共晶合金和聚合物中的至少一種形成。
14.一種制造半導體發光裝置的方法，所述方法包括下述步驟 準備具有面向彼此的第一主表面和第二主表面的透光基底，并且在第一主表面上形成發光部分，其中，發光部分包括第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層以及置于第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間的活性層； 形成電連接到第一導電類型半導體層的第一電極和電連接到第二導電類型半導體層的第二電極； 在透光基底的第二主表面上形成不平坦部分；以及 形成包括反射金屬層和透光介電層的后反射部分，其中，反射金屬層設置在透光基底的設置有所述不平坦部分的第二主表面上，透光介電層置于透光基底和反射金屬層之間。
15.如權利要求14所述的方法，所述方法還包括在透光基底的第二主表面上形成不平坦部分之前，在發光部分的頂部上形成支撐發光部分的臨時基底。
16.如權利要求15所述的方法，所述方法還包括在形成后反射部分之后，使臨時基底與發光部分分開。
17.如權利要求14所述的方法，其中，透光介電層包括具有不同折射率且交替堆疊的多個介電層。
18.如權利要求17所述的方法,其中,所述多個介電層具有分布式布拉格反射器結構。
19.如權利要求14所述的方法，其中，透光介電層和反射金屬層具有全方位反射器結構。
20.如權利要求14所述的方法，所述方法還包括在形成發光部分之前，在透光基底的第一主表面上形成不平坦部分。
全文摘要
本發明提供了一種半導體發光裝置及其制造方法和一種發光設備。該半導體發光裝置包括透光基底；發光部分；第一電極和第二電極，分別電連接到第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層；后反射部分，包括反射金屬層以及置于透光基底和反射金屬層之間的透光介電層。
文檔編號H01L33/46GK102800781SQ201210162730
公開日2012年11月28日 申請日期2012年5月23日 優先權日2011年5月23日
發明者金臺勛, 蔡昇完, 金容一, 李承宰, 張泰盛, 孫宗洛, 金甫耕 申請人:三星電子株式會社