供體基板及其制造方法和制造有機發光顯示設備的方法

專利名稱：供體基板及其制造方法和制造有機發光顯示設備的方法
技術領域：
本發明的不例實施例涉及供體基板、制造供體基板的方法和使用供體基板制造有機發光顯示設備的方法。
背景技術：
一般來說，有機發光顯示設備可以包括薄膜晶體管、像素電極、有機層和公共電極 等。有機層可以包括發射白色光、紅色光、緑色光和藍色光中至少ー種的有機發光層。有機層另外可以包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等。在形成相対照的有機發光顯示設備的有機發光層的過程中，可以在供體基板上形成紅色有機轉移層、緑色有機轉移層和藍色有機轉移層，然后可以使用激光束將這些有機轉移層轉移到像素電極上，從而在相対照的發光顯示設備的像素的像素電極上形成有機發光層。在此情況下，經常會因為靜電的原因而造成有機發光層的污染，并且很可能發生相對照的有機發光顯示設備中的鄰近像素的顔色混合。

發明內容
示例實施例的方面致カ于可容易地重新使用且能夠有效地轉移微尺寸的有機轉移層的供體基板。示例實施例的方面致力于制造可容易地重新使用且能夠有效地轉移微尺寸的有機轉移層的供體基板的方法。示例實施例的方面致カ于使用可容易地重新使用且能夠有效地轉移微尺寸的有機轉移層的供體基板制造有機發光顯示設備的方法。本發明的示例實施例的方面致カ于具有凹槽結構的供體基板、制造具有凹槽結構的供體基板的方法以及使用具有凹槽結構的供體基板制造有機發光顯示設備的方法。根據示例實施例，提供ー種包括基板、光熱轉換層和有機轉移層的供體基板。所述基板可以具有凹槽和與所述凹槽相鄰的隔離結構。所述光熱轉換層可以布置在所述凹槽內。所述有機轉移層可以布置在所述光熱轉換層上。在示例實施例中，所述供體基板可以進一歩包括布置在所述凹槽的底表面和所述光熱轉換層之間的底層。在示例實施例中，所述底層可以包括硅、丙烯酰基樹脂、聚酰亞胺類樹脂、硅氧烷類樹脂、苯并環丁烯、硅氧化物和/或金屬氧化物。在示例實施例中，所述底層可以包括涂層和熱輻射層。
在示例實施例中，所述基板可以包括對激光束透明的材料。在示例實施例中，所述光熱轉換層可以包括金屬、金屬氧化物、金屬硫化物和/或炭黑O在示例實施例中，所述光熱轉換層可以包括鎳、鑰、鈦、鋯、銅、釩、鉭、鈀、釕、銥、金、銀和鉬，鎳、鑰、鈦、錯、銅、fL、鉭、鈕、釕、銥、金、銀和鉬的氧化物，和/或鎳、鑰、鈦、錯、銅、銀、鉭、鈕、釕、銥、金、銀和鉬的硫化物。在示例實施例中，所述有機轉移層可以包括紅色有機轉移層、緑色有機轉移層或藍色有機轉移層。根據示例實施例，提供一種供體基板，其包括基板、第一光熱轉換層、第二光熱轉換層、第三光熱轉換層、紅色有機轉移層、緑色有機轉移層和藍色有機轉移層。所述基板可 以具有第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽和隔離結構。所述隔離結構可以由所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽限定。所述第一光熱轉換層、所述第二光熱轉換層和所述第三光熱轉換層可以分別布置在所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽內。所述紅色有機轉移層可以布置在所述第一光熱轉換層上。所述綠色有機轉移層可以布置在所述第二光熱轉換層上。所述藍色有機轉移層可以布置在所述第三光熱轉換層上。在示例實施例中，所述供體基板可以進ー步包括分別布置在所述第一凹槽的底表面和所述第一光熱轉換層之間、所述第二凹槽的底表面和所述第二光熱轉換層之間以及所述第三凹槽的底表面和所述第三光熱轉換層之間的第一底層、第二底層和第三底層。在示例實施例中，所述第一底層、所述第二底層和所述第三底層可以包括硅、丙烯酰基類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、硅氧烷類樹脂、苯并環丁烯、硅氧化物和/或金屬氧化物。在示例實施例中，所述第一底層、所述第二底層和所述第三底層分別可以包括涂層和熱輻射層。根據示例實施例，提供一種制造供體基板的方法。在所述方法中，可以在基板上形成凹槽和隔離結構。所述隔離結構可以由所述凹槽限定。可以在所述凹槽上形成底層。可以在所述底層上形成光熱轉換層。可以在所述光熱轉換層上形成有機轉移層。在示例實施例中，所述凹槽的形成可以包括在所述基板上形成掩膜以及使用所述掩膜部分地去除所述基板，從而形成所述凹槽和所述隔離結構。在示例實施例中，所述凹槽的形成可以包括噴砂エ藝、干式蝕刻エ藝或濕式蝕刻エ藝。在示例實施例中，所述底層的形成可以包括噴嘴印刷工藝、噴墨印刷工藝、刮墨刀印刷工藝、膠版印刷工藝或生片層壓エ藝。在示例實施例中，所述光熱轉換層的形成可以包括噴嘴印刷工藝、噴墨印刷工藝、刮墨刀印刷工藝、膠版印刷工藝、凹版印刷エ藝、凹版膠印エ藝或狹縫印刷工藝。在示例實施例中，所述光熱轉換層的形成可以包括生片層壓エ藝、層壓エ藝或轉移エ藝。在示例實施例中，所述有機轉移層的形成可以包括噴嘴印刷工藝、噴墨印刷工藝、刮墨刀印刷工藝、膠版印刷工藝、凹版印刷エ藝、凹版膠印エ藝、狹縫印刷工藝、生片層壓エ藝或層壓エ藝。根據示例實施例，提供一種制造有機發光顯示設備的方法。在所述方法中，可以形成具有多個凹槽和隔離結構的供體基板。所述隔離結構可以由所述凹槽限定。可以在第一基板上形成第一電極。可以在所述第一電極上形成像素限定層，以限定多個像素區。所述供體基板可以布置在所述第一基板上方，并且可以執行激光轉移エ藝，以在所述像素區內形成多個發光層。可以在所述像素限定層和所述多個發光層上形成第二電極。在示例實施例中，所述供體基板可以包括在所述凹槽上形成的多個光熱轉換層以及在所述多個光熱轉換層上形成的多個有機轉移層。在示例實施例中，形成所述發光層可以進ー步包括使所述像素限定層匹配所述隔尚結構。在示例實施例中，可以在降低的壓カ下或大氣壓カ下執行所述激光轉移エ藝。 根據示例實施例，供體基板可以包括在多個凹槽內的光熱轉換層和有機轉移層。基板的位于所述多個凹槽之間的部分可以充當隔離結構。可以從所述供體基板有效地獲得具有微尺寸的有機發光層。隔離結構可以與基板一體地形成，因此所述供體基板可以在激光轉移エ藝以后重新使用。


從結合附圖進行的下面描述中可以更詳細地理解示例實施例，其中圖I是示出根據示例實施例的供體基板的截面圖。圖2是示出根據ー些示例實施例的供體基板的截面圖。圖3到圖6是示出根據示例實施例的制造供體基板的方法的截面圖。圖7A是示出根據示例實施例的有機發光顯示設備的平面圖。圖7B是示出根據示例實施例的有機發光顯示設備的截面圖。圖8到圖10是示出根據示例實施例的制造有機發光顯示設備的方法的截面圖。
具體實施例方式下文將參照示出一些示例實施例的附圖更充分地描述各個示例實施例。然而，本發明可以以多種不同形式體現且不應解釋為局限于此處提出的示例實施例。更確切地說，提供這些示例實施例是為了使得此描述將全面和完整，并且將本發明的范圍充分地傳達給本領域技術人員。在附圖中，為了清晰起見可以放大層和區域的尺寸和相對尺寸。應當理解，當元件或層被提到在另一元件或層“上”、“連接至”或“聯接至”另一元件或層時，其可以直接在該另一元件或層上、連接或聯接至該另一元件或層，或者可以存在一個或多個中間元件或層。相比之下，當元件被提到“直接”在另一元件或層“上”、“直接連接至”或“直接聯接至”另一元件或層”時，不存在中間元件或層。相同的附圖標記始終代表相同的元件。如這里所使用的那樣，術語“和/或”包括一個或多個相關列出項的任ー組合和全部組合。應當理解，雖然術語第一、第二、第三、第四等在這里可以用于描述各種元件、部件、區域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區域、層和/或部分不應受這些術語限制。這些術語僅用于將ー個元件、部件、區域、層或部分與另一區域、層或部分區分開。因此，在不背離本發明的教導的情況下，可以將下面描述的第一元件、第一部件、第一區域、第一層或第一部分稱為第二元件、第二部件、第二區域、第二層或第二部分。
為了易于描述，空間上相対的術語(例如“在……下方”、“在……下面”、“下層的”、“在……上面”、“上部的”等)在這里可以用來描述ー個元件或特征與其它元件或特征的關系，如附圖所示。應當理解，空間上相対的術語g在包括使用或工作中的設備除附圖中所示的方位以外的不同方位。例如，如果附圖中的設備翻轉，那么被描述為在其它元件或特征“下面”或“下方”的元件將位于這些其它元件或特征“上面”。因此，示例性術語“在……下面”可以包括“在……上面”和“在……下面”的方位。設備可以朝向不同的方位(被旋轉90度或者朝向其它方位)，并且應當相應地理解此處使用的空間上相対的描述詞語。此處使用的術語僅是為了描述特定示例實施例，而不是g在限制本發明。除非上下文另外明確地指出，否則此處使用的単數形式還意在包括復數形式。還將理解，術語“包括”和/或“包含”在本申請文件中使用時指定所聲明的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除存在或添加ー個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其集合。

示例實施例在這里是參照截面圖示描述的,這些截面圖示是理想化的示例實施例 狀的改變。因此，示例實施例不應被解釋為局限于此處圖示的區域的具體形狀，而是應包括由例如制造而導致的形狀偏差。例如，以矩形形式示出的注入區域將通常在其邊緣處具有圓形特征或彎曲特征和/或注入濃度的梯度，而不是從注入區域到非注入區域的ニ元變化。類似地，由注入形成的掩埋區可能導致在該掩埋區和執行注入所穿透的表面之間的區域內產生ー些注入。因此，附圖中示出的區域本質上是示意性的，并且它們的形狀并不旨在示出設備區域的實際形狀，且并不g在限制本發明的范圍。除非另外限定，否則此處使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有與本發明所屬技術領域的普通技術人員通常所理解的意義相同的意義。還將理解，應當將術語(例如在通常使用的詞典中定義的那些術語)理解為具有與它們在相關領域的環境中的意義ー致的意義，而不要從理想化的或過于形式的意義上去理解，除非在這里進行了明確地限定。圖I是示出根據示例實施例的供體基板的截面圖。參考圖1，供體基板100可以包括具有凹槽115、底層120、光熱轉換層130和有機轉移層140中至少ー個的基板110。底層120、光熱轉換層130和有機轉移層140可以順序布置在凹槽115內。在示例實施例中，當多個凹槽115布置在基板110頂部時，多個底層120、多個光熱轉換層130和多個有機轉移層140布置在多個凹槽115內。基板110可以包括透明基板，例如玻璃基板、石英基板、透明硅基板、透明塑料基板等。透明塑料基板的示例可以包括聚對苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)、聚丙烯酰基(polyacryl)、聚環氧樹脂、聚こ烯、聚苯こ烯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚醚和聚丙烯酸酯等。在不例實施例中，基板110可以包括玻璃基板和/或石英基板。基板110可以包括具有足以在激光誘導熱成像エ藝中將激光束發射和傳輸到光熱轉換層130的機械強度的材料。在此情況下，玻璃基板和/或石英基板可以容易地處理成具有設定的或預定的結構，并且不會在在高溫處理時變形，使得玻璃基板和/或石英基板可以充當示例實施例中采用的基板110。 在示例實施例中，多個凹槽115可以布置在基板110的頂部。具有設定的或預定的尺寸的每個凹槽115可以以設定的或預定的距離布置在基板110上。凹槽115可以被布置為基本上與有機發光顯示設備的像素或子像素的布局對應。例如，基板110可以包括玻璃基板，并且布置在基板110頂部的每個凹槽115可以具有從基板110的上表面起大約IOOnm到大約10 μ m的深度。基板110的具有凹槽115的頂部可以被限定為基本上與有機發光顯示設備的像素區的邊界對應的隔離結構117。例如，隔離結構117中的每個可以布置在相鄰的凹槽115之間。隔離結構117可以充當用于保護或防止有機轉移層140混合到相鄰像素內的障壁。在示例實施例中，隔離結構117和基板110可以一體地形成。因此，可以保證供體基板100的期望的機械強度，并且供體基板100可以在激光誘導熱成像エ藝之后容易地重復使用。底層120可以布置在基板110上，以便部分地填充凹槽115。例如，底層120可以包括硅(Si)、丙烯酰基類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、硅氧烷類樹脂、苯并環丁烯(BCB)、硅氧化物(SiOx)和金屬氧化物等。底層120可以充當可降低基板110表面粗糙度的涂層。此外，底層120可以充當可輻射在激光熱成像エ藝中由光熱轉換層130所產生的熱量的熱輻射層。雖然圖I中示出的是具有單層結構的底層120，但是底層120可以具有包括涂層和熱輻 射層的雙層結構。這里，涂層和熱輻射層可以分別包括不同的材料。光熱轉換層130可以布置在凹槽115中底層120上面。光熱轉換層130可以吸收被照射到基板110內的激光束并且可以把激光束能量轉換成熱能。在示例實施例中，光熱轉換層130可以包括金屬、金屬氧化物、金屬硫化物和炭黑等。例如，光熱轉換層130可以包括金屬，例如鋁(Al)、鎳(Ni)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、銅(Cu)、釩(V)、鉭(Ta)、鈀(Pd)、釕(Ru)、銥(Ir)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Pt)，這些金屬的氧化物，以及這些金屬的硫化物等。這些物質可以単獨使用或者組合使用。有機轉移層140可以布置在光熱轉換層130上。有機轉移層140可以完全地或部分地填充凹槽115。例如，有機轉移層140可以具有從光熱轉換層130的上表面起大約30人到大約5 00人的厚度。有機發光顯示設備的有機發光層可以從供體基板100的有機轉移層140中獲得。在示例實施例中，有機轉移層140可以包括紅色有機轉移層、緑色有機轉移層或藍色有機轉移層。在此情況下，有機轉移層140可以包括有機發光主體材料和摻雜在有機發光主體材料中的有機發光摻雜劑材料。有機發光主體材料的示例可以包括4，4' -N，N' ニ咔唑-聯苯(CBP)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4_苯基苯酚鋁(BAlq)、2，9_ ニ甲基_4，7_ ニ苯基-1，10-鄰ニ氮雜菲(BCP)、N, N- ニ咔唑基-1，4- ニ亞甲基-苯(DCB)、紅熒烯、聯苯こ烯(DSA)衍生物、噁ニ唑衍生物、蒽衍生物等等。當有機發光摻雜劑材料包括熒光摻雜劑時，有機發光摻雜劑材料的示例可以包括ニ苯こ烯胺衍生物、噁ニ唑衍生物、蒽衍生物、ニ萘嵌苯衍生物、喹吖酮衍生物、ニ苯こ烯基聯苯衍生物、10- (2-苯并噻唑基)-1，1，7，7_四甲基-2，3，6，7-四氫-1H, 5H, IlH-(I)苯并吡喃基(6，7-8-1，j)喹嗪-11-酮(C545T)、4_ ニ氰基亞甲基-2-叔-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃(DC JTB ),4- ニ氰基亞甲基-2-甲基-6- (4-ニ甲基氨基苯こ烯)-4H-吡喃(DCM)等等。可選地，當有機發光摻雜劑材料包括磷光摻雜劑時，有機發光摻雜劑材料的不例可以包括雙[(4，6-ニ-氟苯基)-吡啶-N，C2,]吡啶甲酸銥(III) (F2Irpic), (F2ppy)2Ir (tmd)、三(2-苯基吡啶)合銥(III) (Ir (PPy) 3)> PQIr, Btp2Ir (acac) ,2, 3, 7, 8, 12，13，17，18-八こ基-21H, 23H-卟吩合鉬(II) (PtOEP)、Ir (Piq)2 (acac)等等。
在不例實施例中，有機轉移層140可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等。在此情況下，空穴注入層可以包括芳胺化合物、酞菁化合物、星爆型胺等等。例如，空穴注入層可以包括4，4'，4"-三(3-甲基苯基胺基)三苯胺(m-MTDATA)、1，3，5-三[4- (3-甲基苯基氨基)苯基]苯、酞菁銅等等。空穴傳輸層可以包括亞芳基ニ胺衍生物、星爆型化合物、具有螺環基和/或梯狀化合物的聯苯ニ胺衍生物。例如，空穴傳輸層可以包括N，N' -ニ苯基-N，N'-雙(3-甲基苯基)-1，I' -ニ苯基-4，4' -ニ胺(TPD)、N，N' - ニ(萘-I-基)-N，N' -ニ苯基-聯苯胺(a-NPD)、4，4'-雙[ト(1-萘基-1-)-Ν-苯基-氨基]-聯苯(NPB)等等。此外，電子傳輸層可以包括TAZ、PBD、螺環-PBD、Alq3、BAlq和/或SAlq，并且電子傳輸層可以包括Lif、鎵(Ga)配合物、Liq和/或CsF。對于根據不例實施例的供體基板100而言,光熱轉換層130和有機轉移層140可以布置在設置于基板110上的至少ー個凹槽115內，并且基板110的在相鄰凹槽115之間的部分可以充當隔離結構117。因此，可以從供體基板100有效地獲得具有精細尺寸的有機發光層。此外，隔離結構117可以與基板110 —體地形成，因此供體基板100可以在激光誘導熱成像エ藝以后容易地重復使用。
圖2是示出根據ー些示例實施例的供體基板的截面圖。參見圖2，供體基板200可以包括基板210、第一凹槽215R、第二凹槽215G、第三凹槽215B、第一底層220R、第二底層220G、第三底層220B、第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G、第三光熱轉換層230B、第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B等。在示例實施例中，基板210可以具有第一區(I)、第二區(II)和第三區(III)。第一凹槽215R、第二凹槽215G和第三凹槽215B可以分別布置在第一區(I)、第二區(II)和第三區(III)內。此外，第一至第三底層220R、220G和220B，第一至第三光熱轉換層230R、230G和230B，以及第一至第三有機轉移層240R、240G和240B可以分別順序地布置在第一至第三凹槽215R、215G和215B內。這里，基板210的第一區(I )、第二區(II)和第三區(III)可以基本上對應于有機發光顯示設備的紅色子像素、緑色子像素和藍色子像素。基板210可以包括透明基板，例如玻璃基板、石英基板、透明硅基板、透明塑料基板等。基板210可以包括具有足以在激光熱誘導成像エ藝中將激光束傳輸到第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G和第三光熱轉換層230B的機械強度的透明材料。例如，玻璃基板或石英基板可以容易地處理成具有設定或預定的結構并且可以在高溫處理時結構穩定，使得玻璃基板或石英基板可以充當在示例實施例中使用的基板210。第一凹槽215R、第二凹槽215G和第三凹槽215B可以布置成基本上對應于有機發光顯示設備的紅色子像素、緑色子像素和藍色子像素的布局。例如，第一凹槽215R、第二凹槽215G和第三凹槽215B中的每ー個可以具有從基板210的上表面起大約IOOnm到大約IOym的深度。基板210的具有第一凹槽215R、第二凹槽215G和第三凹槽215B的頂部可以充當隔離結構217。隔離結構217可以基本上對應于有機發光顯示設備的紅色子像素區、綠色子像素區和藍色子像素區的邊界。隔離結構217可以充當用于保護或防止第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B混合到相鄰像素內的障壁。在示例實施例中，隔離結構217可以與基板210 —體地形成，使得可以可期望地保證供體基板200的機械強度，并且供體基板200可以在激光誘導熱成像エ藝以后重復使用。
第一底層220R、第二底層220G和第三底層220B可以分別布置在第一凹槽215R、第二凹槽215G和第三凹槽215B的底面上，以部分地填充第一凹槽215R、第二凹槽215G和第三凹槽215B。第一底層220R、第二底層220G和第三底層220B可以充當用于降低基板210的表面粗糙度的涂層。此外，第一底層220R、第二底層220G和第三底層220B可以充當用于福射在激光誘導熱成像工藝中由第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G和第三光熱轉換層230B所產生的熱量的熱輻射層。例如，第一底層220R、第二底層220G和第三底層220B中的每一個可以包括硅、丙烯酰基類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、硅氧烷類樹脂、苯并環丁烯、硅氧化物和金屬氧化物等。在一些示例實施例中，第一底層220R、第二底層220G和第三底層220B中的每一個可以分別包括涂層和熱輻射層，涂層和熱輻射層可以包括不同材料。第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G和第三光熱轉換層230B可以布置 在第一底層220R、第二底層220G和第三底層220B上，以部分地填充第一凹槽215R、第二凹槽215G和第三凹槽215B。第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G和第三光熱轉換層230B中的每一個可以包括金屬、金屬氧化物、金屬硫化物和炭黑等。第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G和第三光熱轉換層230B中的每一個可以吸收被照射到基板210內的激光束并且可以將激光束能量轉換成熱能。例如，第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G和第三光熱轉換層230B可以通過噴嘴印刷工藝、噴墨印刷工藝、刮墨刀印刷工藝(doctor blade printing process)、膠版印刷工藝和生片層壓工藝(green sheetlamination process)等獲得。第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B可以分別布置在第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G和第三光熱轉換層230B上。第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B可以完全地或部分地填充第一凹槽215R、第二凹槽215G和第三凹槽215B。在示例實施例中，第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B可以分別包括紅色有機轉移層、綠色有機轉移層和藍色有機轉移層。當有機發光顯示設備的像素區包括紅色子像素區、綠色子像素區和藍色子像素區時，第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B可以形成在供體基板200的部分上以基本上與這些子像素區對應。然后，第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B可以通過激光照射工藝被轉移到這些子像素區上。因此，有機發光顯不設備的有機發光層可以由供體基板200的第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B形成。第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B中的每一個可以包括有機發光主體材料和摻雜在有機發光主體材料中的有機發光摻雜劑材料。在示例實施例中，第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B中的每一個可以附加地包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層。此夕卜，第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B可以通過噴嘴印刷工藝、噴墨印刷工藝、刮墨刀印刷工藝、膠版印刷工藝、狹縫印刷工藝和生片層壓工藝等獲得。在根據示例實施例的供體基板200中，第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B可以分別布置在位于基板210上的第一凹槽215R、第二凹槽215G和第三凹槽215B內。基板210的位于第一凹槽215R、第二凹槽215G和第三凹槽215B之間的部分可以充當隔離結構217。因此，具有精細尺寸的有機發光層可以從第一至第三有機轉移層240R、240G和240B中有效地獲得。此外，隔離結構217可以與基板210 —體地形成，因此供體基板200可以在激光誘導熱成像工藝以后重復使用。圖3到圖6是示出根據一些示例實施例的制造供體基板的方法的截面圖。通過圖3到圖6所示的方法獲得的供體基板可以具有與參照圖2所描 述的供體基板的結構基本相同或者基本相類的結構。參見圖3，可以在基板210上形成掩膜260。基板210可以包括透明材料，例如玻璃、石英、透明硅和透明塑料等。基板210中的透明塑料的例子可以包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯酰基、聚環氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚醚、聚丙烯酸酯等等。在不例實施例中，考慮到基板210的熱傳導性、機械穩定性和加工性能，基板210可以包括玻璃基板和/或石英基板。掩膜260可以包括噴砂抗蝕圖案(sand blasting resist pattern)、金屬掩膜圖案和光致抗蝕劑圖案等。在示例實施例中，包括噴砂抗蝕圖案的掩膜260可以通過在基板210上層壓干膜抗蝕劑(DFR)、通過在干膜抗蝕劑上形成光掩膜以及通過執行曝光工藝和顯影工藝而設置在基板210上。掩膜260可以暴露基板210的設定的或預定的部分。參見圖4，基板210可以使用掩膜260被部分地去除，從而在基板210上形成第一凹槽215R、第二凹槽215G和第三凹槽215B。在示例實施例中，當基板210包括玻璃基板和/或石英基板時，可以對基板210執行噴砂工藝、濕式蝕刻工藝和/或干式蝕刻工藝，以去除基板210的部分。然而，可以根據基板210的成分對基板210執行其它工藝。例如，當對包括玻璃的基板210執行噴砂工藝時，噴砂設備可以將沙粒噴灑到上面具有掩膜260的基板210上，使得可以去除基板210的由掩膜260暴露的部分，以便形成第一至第三凹槽215R、215G和215B。在一些示例實施例中，基板210可以通過例如離子束蝕刻工藝的干式蝕刻工藝和/或使用包括硫酸和/或氫氟酸的蝕刻溶液的濕式蝕刻工藝而被部分地去除，從而形成第一至第三凹槽215R、215G和215B。在示例實施例中，第一凹槽215R、第二凹槽215G和第三凹槽215B中的每一個可以具有基本上與有機發光顯示設備的每個子像素區或每個像素區的尺寸對應的尺寸。此外，第一凹槽215R、第二凹槽215G和第三凹槽215B中的每一個可以具有從大約IOOnm到大約10 μ m范圍內的深度。第一凹槽215R、第二凹槽215G和第三凹槽215B可以形成在基板210上，使得基板210的與第一凹槽215R、第二凹槽215G和第三凹槽215B相鄰的部分可以限定為隔離結構217。隔離結構217可以基本上對應于像素區或子像素區的邊界。參見圖5，掩膜260可以從基板210上去除，然后可以在第一凹槽215R、第二凹槽215G和第三凹槽215B上分別形成第一底層220R、第二底層220G和第三底層220B。此外，可以在第一底層220R、第二底層220G和第三底層220B上分別形成第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G和第三光熱轉換層230B。第一底層220R、第二底層220G和第三底層220B可以使用硅、丙烯酰基類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、硅氧烷類樹脂、苯并環丁烯、硅氧化物和金屬氧化物等形成。第一底層220R、第二底層220G和第三底層220B可以充當用于降低基板210的表面粗糙度的涂層。此外，第一底層220R、第二底層220G和第三底層220B可以充當用于輻射在激光誘導熱成像工藝中由第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G和第三光熱轉換層230B所產生的熱量的熱輻射層。雖然圖5中示出的是具有單層結構的第一底層220R、第二底層220G和第三底層220B中的每一個，但是第一底層220R、第二底層220G和第三底層220B中的每一個可以具有包括涂層和熱輻射層的雙層結構。第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G和第三光熱轉換層230B可以分別位于第一底層220R、第二底層220G和第三底層220B上。在示例實施例中，第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G和第三光熱轉換層230B可以使用金屬、金屬氧化物、金屬硫化物和炭黑等形成。例如，第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G和第三光熱轉換層230B可以包括鋁、鎳、鑰、鈦、鋯、銅、釩、鉭、鈀、釕、銥、金、銀、鉬，這些金屬的氧化物，以及這些金屬的硫化物等。這些物質可以單獨使用或者組合使用。第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G和第三光熱轉換層230B可以通過生片層壓工藝、離子電鍍工藝、印刷工藝、化學氣相沉積工藝、濺射工藝等形成。在一些示例實施例中，當第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G和第三光熱轉換層230B中的每一個包括鎳和鑰時，可以在在第一底層220R、 第二底層220G和第三底層220B上順序地形成包括鎳的第一生片(green sheet)和包括鑰的第二生片。然后，可以對第一生片和第二生片進行燒結，以便分別形成包括鎳層和鑰層的第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G和第三光熱轉換層230B。參見圖6,可以在第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G和第三光熱轉換層230B上分別形成第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B。例如，第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B中的每一個可以具有從大約30人到大約500人范圍內的厚度。在示例實施例中，第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B可以分別包括紅色有機轉移層、綠色有機轉移層和藍色有機轉移層。在一些不例實施例中，第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B中的每一個可以包括紅色有機轉移層、綠色有機轉移層和藍色有機轉移層中的至少兩個。例如，第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B中的每一個可以包括紅色有機轉移層和綠色有機轉移層，或者可以包括紅色有機轉移層、綠色有機轉移層和藍色有機轉移層。在示例實施例中，有機發光顯示設備的有機發光層可以由供體基板的第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B形成。在此情況下，第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B可以分別包括有機發光主體材料和有機發光摻雜劑材料。例如，第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B可以通過噴嘴印刷工藝、噴墨印刷工藝、狹縫印刷工藝和生片層壓工藝等形成。在一些示例實施例中，可以在隔離結構217的上表面上形成包括疏水性溶液的附加涂層。附加的涂層可以保護或防止在形成第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B時包括有機轉移材料的溶液混合到相鄰凹槽內。這里，包括疏水性溶液的附加涂層可以通過將樹脂與疏水性材料(例如氟類聚合物)混合并且通過將樹脂與疏水性材料的混合物涂布到隔離結構217的上表面上來形成。在一些示例實施例中，第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G和第三有機轉移層240B中的每一個可以進一步包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等。
圖7A和圖7B是示出根據示例實施例的有機發光顯示設備的平面圖和截面圖。圖7B是示出沿圖7A中的線A-A'截取的有機發光顯示設備的截面圖。參見圖7A，有機發光顯示設備可以包括像素區和隔離圖案(像素限定層)370。有機發光顯示設備的像素區可以包括紅色子像素區300R、綠色子像素區300G和藍色子像素區300B。紅色子像素區300R、綠色子像素區300G和藍色子像素區300B可以通過隔離圖案(像素限定層)370隔開。紅色子像素區300R、綠色子像素區300G和藍色子像素區300B可以以基本上平行于第一基板300的第一方向并且沿基本上垂直于第一方向的第二方向布置。參見圖7B，有機發光顯示設備可以包括第一基板300、薄膜晶體管330、第一絕緣隔層320、第二絕緣隔層340、第一電極360、像素限定層370、空穴注入層380、紅光發射層390R、綠光發射層390G、藍光發射層390B、電子注入層400、第二電極410等。第一基板300可以包括玻璃基板和/或石英基板。薄膜晶體管330可以設置在第一基板300上。薄膜晶體管330可以包括柵絕緣層310、有源圖案331、漏電極333、源電極335、柵電極337等。 有源圖案331可以布置在第一基板300上，并且可以包括多晶硅。雖然沒有示出，但是有源圖案331可以具有源區、漏區和溝道區。柵絕緣層310可以位于第一基板300上，以便覆蓋有源圖案331。例如，柵絕緣層310可以包括硅氧化物、硅的氧氮化物、金屬氧化物等。漏電極333和源電極335可以布置在第一絕緣隔層320上。漏電極333和源電極335可以形成穿過柵絕緣層310和第一絕緣隔層320，以便與有源圖案331的漏區和源區接觸。例如，漏電極333和源電極335中的每一個可以包括多晶娃、金屬、金屬氮化物、合金等。柵電極337可以放置在柵絕緣層310上。柵電極337可以包括多晶娃、金屬、金屬氮化物、合
全坐
W. -rf* ο第二絕緣隔層340可以布置在薄膜晶體管330和第一絕緣隔層320上。例如，第一絕緣隔層320和第二絕緣隔層340中的每一個可以包括硅的化合物，例如硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氧氮化物等。第一電極360 (例如陽極)可以布置在第二絕緣隔層340上。第一電極360可以與漏電極333電連接。例如，第一電極360可以包括透明導電材料，例如氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、鋅的氧化物(ZnOx)、鎵的氧化物(GaOx)和錫的氧化物(SnOx)等。可選地，第一電極360可以包括金屬，例如銀、鋁、鉬、金、鉻、鎢、鑰、鈦、鈀等。在示例實施例中，第一電極360可以具有包括透明材料膜和/或金屬膜的單層結構。在一些示例實施例中，第一電極360可以具有包括至少一種透明材料膜和/或至少一種金屬膜的多層結構。例如第一電極360可以包括具有第一氧化銦錫膜、銀膜和第二氧化銦錫膜的多層結構。像素限定層370可以布置在第二絕緣隔層340和第一電極360上。像素限定層370可以限定紅色子像素區300R、綠色子像素區300G和藍色子像素區300B。在示例實施例中，像素限定層370可以充當用于分隔紅色子像素區300R、綠色子像素區300G和藍色子像素區300B的隔離圖案370 (見圖7A)。例如，像素限定層370可以包括聚酰亞胺類樹脂和丙烯酰基類樹脂等。在示例實施例中，空穴注入層380可以布置在像素限定層370和第一電極360上。紅光發射層390R、綠光發射層390G和藍光發射層390B可以放置在像素限定層370的可布置空穴注入層380的開口內。這里，紅光發射層390R、綠光發射層390G和藍光發射層390B可以分別布置在紅色子像素區300R、綠色子像素區300G和藍色子像素區300B內。電子注入層400可以布置在紅光發射層390R、綠光發射層390G、藍光發射層390B和像素限定層370上。第二電極410 (例如陰極)可以布置在電子注入層400上。第二電極410可以包括透明導電材料，例如氧化銦錫、氧化鋅錫、氧化銦鋅、鋅的氧化物、錫的氧化物等。圖8到圖10是示出根據示例實施例的制造有機發光顯示設備的方法的截面圖。圖8到圖10中圖示的方法可以提供具有與參照圖7B所描述的有機發光顯示設備的結構基本相同或基本相似的結構的有機發光顯示設備。參見圖8,第一電極360可以形成在位于第一基板300上方的開關結構350上。這里，開關結構350可以包括薄膜晶體管330、第一絕緣隔層320和第二絕緣隔層340，如圖7B所示。此外，薄膜晶體管330可以包括柵絕緣層310、有源圖案331、漏電極333、源電極335、 柵電極337等。第一電極360可以使用透明材料、金屬等形成在開關結構350上。在示例實施例中，第一電極360可以通過在開關結構350上形成電極層(未示出)以及通過對電極層進行圖案化來獲得。第一電極360可以在第一基板300的紅色子像素區300R、綠色子像素區300G和藍色子像素區300B內延伸。可以在開關結構350和第一電極360上形成像素限定層370。在示例實施例中，可以使用聚酰亞胺類樹脂或丙烯酰基類樹脂形成初步的像素限定層(未示出)，以便覆蓋開關結構350和第一電極360，然后可以對初步的像素限定層進行圖案化，以便形成具有使第一電極360在紅色子像素區300R、綠色子像素區300G和藍色子像素區300R中的部分暴露的開口的像素限定層370。在此情況下，由像素限定層370的開口暴露的區域可以限定為紅色子像素區300R、綠色子像素區300G和藍色子像素區300B。可以形成空穴注入層380以覆蓋第一電極360和像素限定層370。在示例實施例中，空穴注入層380可以通過旋涂工藝、狹縫涂布工藝、印刷工藝等形成。在一些示例實施例中，可以在空穴注入層380上附加地形成空穴傳輸層。空穴傳輸層可以使用上面描述的材料形成。參見圖9，可以相對于第一基板300布置具有與參照圖2所描述的供體基板200的構造基本相同或基本相類的構造的供體基板(未示出)。在形成根據示例實施例的供體基板時，可以在基板上形成第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽。基板的由第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽暴露的頂部可以限定為隔離結構。因此，隔離結構可以與基板一體地形成。可以在第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽內分別形成第一底層、第二底層和第三底層。可以在第一底層、第二底層和第三底層上分別形成第一光熱轉換層、第二光熱轉換層和第三光熱轉換層。此外，可以在第一光熱轉換層、第二光熱轉換層和第三光熱轉換層上分別形成第一有機轉移層、第二有機轉移層和第三有機轉移層。供體基板的隔離結構可以基本對應于像素限定層370。分別包括位于第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽內的紅光發射層、綠光發射層和藍光發射層的第一有機轉移層、第二有機轉移層和第三有機轉移層，可以布置成分別對應于紅色子像素區300R、綠色子像素區300G和藍色子像素區300B。激光束可以照射到供體基板的后表面內。例如，激光束可以照射到基板210的與第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽相對的表面內。因此，供體基板的紅光發射層、綠光發射層和藍光發射層可以形成在第一基板300的紅色子像素區300R、綠色子像素區300G和藍色子像素區300B內空穴注入層380上。在此情況下，第一光熱轉換層、第二光熱轉換層和第三光熱轉換層可以將激光束的能量轉換成熱能，因此第一光熱轉換層、第二光熱轉換層和第三光熱轉換層上的第一有機轉移層、第二有機轉移層和第三有機轉移層可以通過熱能升華。因此，第一有機轉移層、第二有機轉移層和第三有機轉移層可以轉移到第一基板300的紅色子像素區300R、綠色子像素區300G和藍色子像素區300B內。結果，紅光發射層390R、綠光發射層390G和藍光發射層390B可以形成在空穴注入層380上。供體基板的隔離結構可以布置成基本對應于第一基板300上的像素限定層370，使得第一有機轉移層可以容易地轉移到紅色子像素區300R上，并且隔離結構217可以防止第一有機轉移層240R混合到相鄰的子像素區內。類似地，第二有機轉移層和第三有機轉移層也可以分別容易地轉移到綠色子像素區300G和藍色子像素區300B上，而不混合到相鄰子像素區內。因此，具有精細尺寸的有機轉移層可以有效地轉移到第一基板300上。即使激光束可能照射到供體基板的相對大的區域上，發光層390R、390G和390B也可以準確地形成在相應的子像素區內，以便 減少用于形成發光層390R、390G和390B的處理時間。在示例實施例中，激光誘導熱成像工藝可以在降低的壓力下執行。例如，在由供體基板的隔離結構和第一基板300的像素限定層370限定的空間內，供體基板的第一有機轉移層、第二有機轉移層和第三有機轉移層可以通過由激光束的照射所產生的熱能而升華，使得紅光發射層390R、綠光發射層390G和藍光發射層390B可以形成在第一基板300上。當激光誘導熱成像工藝在降低的壓力下執行時，供體基板的有機轉移層可以利用相對低的激光束功率有效地轉移，并且所轉移的發光層390R、390G和390B可以具有期望的表面特性。在一些示例實施例中，激光誘導熱成像工藝可以在大氣壓下執行。在一些示例實施例中，可以在供體基板的隔離結構上形成包括疏水性溶液的附加涂層，使得紅光發射層390R、綠光發射層390G和藍光發射層390B可以更有效地和更準確地形成在第一基板300上面。參見圖10，紅光發射層390R、綠光發射層390G和藍光發射層390B可以根據激光誘導熱成像工藝形成在紅色子像素區300R、綠色子像素區300G和藍色子像素區300B內空穴注入層380上。可以在紅光發射層390R、綠光發射層390G、藍光發射層390B和空穴注入層380上順序地形成電子注入層400和第二電極410。可以在第二電極410上形成保護層(未示出)和第二基板(未示出)，以提供有機發光顯示設備。在一些示例實施例中，在形成電子注入層400以前，可以在紅光發射層390R、綠光發射層390G、藍光發射層390B和空穴注入層380上附加地形成電子傳輸層。在根據示例實施例的制造有機發光顯示設備的方法中，供體基板的隔離結構可以布置成對應于第一基板的像素限定層，并且有機轉移層可以從供體基板轉移到第一基板上。因此，隔離結構可以保護或防止有機轉移層混合到相鄰的像素區內。另外，具有精細尺寸的有機轉移層可以有效地轉移到第一基板上。而且，激光束可以照射到供體基板的相對大的部分上，使得可以縮短用于形成有機發光層的處理時間。根據示例實施例，供體基板可以包括在形成于基板上的凹槽內布置的光熱轉換層和有機轉移層。基板的與凹槽相鄰的一部分可以充當隔離結構。具有精細尺寸的有機發光層可以從供體基板的有機轉移層有效地獲得。隔離結構可以與基板一體地形成，因此供體基板可以在激光誘導熱成像工藝以后重復使用。前述內容是對示例實施例的說明，而不被解釋為對示例實施例的限制。雖然已經描述了幾個示例實施例，但是本領域的技術人員將容易理解，可以在不實質上背離示例實施例的新穎教導和優勢的情況下對示例實施例進行多種修改。因此，所有這樣的修改旨在包括在如權利要求所限定的示例實施例的范圍內。在權利要求中，裝置加功能語句旨在覆蓋這里所描述的執行所記載功能的結構，并且不僅覆蓋結構等同物，還覆蓋等同結構。因此，應當理解，前述內容是對示例實施例的說明，而不被解釋為局限于所公開的具體實施 例，并且應當理解，對所公開的示例實施例以及其它示例實施例的修改旨在包括在所附權利要求的范圍內。本發明由所附權利要求限定，其中權利要求的等同物包括在這里。
權利要求
1.一種供體基板,包括 基板，具有凹槽和與所述凹槽相鄰的隔離結構； 位于所述凹槽內的光熱轉換層；和 位于所述光熱轉換層上的有機轉移層。
2.根據權利要求I所述的供體基板，進一步包括位于所述凹槽的底面和所述光熱轉換層之間的底層。
3.根據權利要求2所述的供體基板，其中所述底層包括從由硅、丙烯酰基類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、硅氧烷類樹脂、苯并環丁烯、硅氧化物和金屬氧化物組成的組中選擇的至少一種。
4.根據權利要求2所述的供體基板，其中所述底層包括涂層和熱輻射層。
5.根據權利要求I所述的供體基板，其中所述基板包括對于激光束具有透射性的材料。
6.根據權利要求I所述的供體基板，其中所述光熱轉換層包括從由金屬、金屬氧化物、金屬硫化物和炭黑組成的組中選擇的至少一種。
7.根據權利要求6所述的供體基板，其中所述光熱轉換層包括從由下列各項組成的組中選擇的至少一種鎳、鑰、鈦、錯、銅、銀、鉭、鈕、釕、銥、金、銀和鉬，鎳、鑰、鈦、錯、銅、銀、鉭、鈀、釕、銥、金、銀和鉬的氧化物，以及鎳、鑰、鈦、鋯、銅、釩、鉭、鈀、釕、銥、金、銀和鉬的硫化物。
8.根據權利要求I所述的供體基板，其中所述有機轉移層包括紅色有機轉移層、綠色有機轉移層或藍色有機轉移層。
9.一種供體基板,包括 基板，具有第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽以及由所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽限定的隔離結構； 分別位于所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽內的第一光熱轉換層、第二光熱轉換層和第三光熱轉換層； 位于所述第一光熱轉換層上的紅色有機轉移層； 位于所述第二光熱轉換層上的綠色有機轉移層；和 位于所述第三光熱轉換層上的藍色有機轉移層。
10.根據權利要求9所述的供體基板，進一步包括 位于所述第一凹槽的底面和所述第一光熱轉換層之間的第一底層； 位于所述第二凹槽的底面和所述第二光熱轉換層之間的第二底層；以及 位于所述第三凹槽的底面和所述第三光熱轉換層之間的第三底層。
11.根據權利要求10所述的供體基板，其中所述第一底層、所述第二底層和所述第三底層中的每一個包括從由硅、丙烯酰基類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、硅氧烷類樹脂、苯并環丁烯、硅氧化物和金屬氧化物組成的組中選擇的至少一種。
12.根據權利要求10所述的供體基板，其中所述第一底層、所述第二底層和所述第三底層中的每一個包括涂層和熱輻射層。
13.—種制造供體基板的方法，所述方法包括 在基板上形成凹槽和隔離結構，所述隔離結構由所述凹槽限定；在所述凹槽上形成底層； 在所述底層上形成光熱轉換層；以及 在所述光熱轉換層上形成有機轉移層。
14.根據權利要求13所述的制造供體基板的方法，其中，所述凹槽和所述隔離結構的形成包括 在所述基板上形成掩膜；以及 使用所述掩膜部分地去除所述基板，以形成所述凹槽和所述隔離結構。
15.根據權利要求13所述的制造供體基板的方法，其中所述凹槽和所述隔離結構的形成包括噴砂工藝、干式蝕刻工藝或濕式蝕刻工藝。
16.根據權利要求13所述的制造供體基板的方法，其中所述底層的形成包括噴嘴印刷工藝、噴墨印刷工藝、刮墨刀印刷工藝、膠版印刷工藝或生片層壓工藝。
17.根據權利要求13所述的制造供體基板的方法，其中所述光熱轉換層的形成包括噴嘴印刷工藝、噴墨印刷工藝、刮墨刀印刷工藝、膠版印刷工藝、凹版印刷工藝、凹版膠印工藝或狹縫印刷工藝。
18.根據權利要求13所述的制造供體基板的方法，其中所述光熱轉換層的形成包括生片層壓工藝、層壓工藝或轉移工藝。
19.根據權利要求13所述的制造供體基板的方法，其中所述有機轉移層的形成包括噴嘴印刷工藝、噴墨印刷工藝、刮墨刀印刷工藝、膠版印刷工藝、凹版印刷工藝、凹版膠印工藝、狹縫印刷工藝、生片層壓工藝或層壓工藝。
20.一種制造有機發光顯示設備的方法，所述方法包括 形成具有多個凹槽和由所述多個凹槽限定的多個隔離結構的供體基板； 在第一基板上形成第一電極； 在所述第一電極上形成像素限定層，以限定多個像素區； 相對于所述第一基板布置所述供體基板； 執行激光誘導熱成像工藝，以在所述多個像素區內形成多個發光層；以及 在所述像素限定層和所述多個發光層上形成第二電極。
21.根據權利要求20所述的制造有機發光顯示設備的方法，其中形成所述供體基板包括 在所述多個凹槽上形成多個光熱轉換層；以及 在所述多個光熱轉換層上形成多個有機轉移層。
22.根據權利要求20所述的制造有機發光顯示設備的方法，其中形成所述多個發光層包括相對于所述隔離結構布置所述像素限定層。
23.根據權利要求20所述的制造有機發光顯示設備的方法，其中所述激光誘導熱成像工藝在降低的壓力下或大氣壓下執行。
全文摘要
本發明提供一種供體基板及其制造方法和制造有機發光顯示設備的方法。該供體基板具有多個凹槽和多個隔離結構。隔離結構可以由凹槽限定。在第一基板上形成第一電極。可以在第一電極上形成像素限定層，以限定多個像素區。供體基板可以布置在第一基板上方，并且可以執行激光誘導熱成像工藝，以便在像素區內形成多個發光層。可以在像素限定層和發光層上形成第二電極。可以從供體基板中有效地獲得具有精細尺寸的有機發光層。隔離結構可以與供體基板一體地形成，因此供體基板可以在激光誘導熱成像工藝以后容易地重復使用。
文檔編號H01L21/77GK102856327SQ20121015889
公開日2013年1月2日 申請日期2012年5月21日 優先權日2011年6月29日
發明者辛慧媛, 金相洙, 樸商勛, 孫永睦, 金英一 申請人:三星顯示有限公司