專利名稱：于積層電子元件上形成端電極的方法
技術領域：
本發明關于一種于積層電子兀件(multi-layer electronic component)上形成端電極(termination)的方法。
背景技術：
積層電子元 件，例如，積層電容器(multi-layer capacitor)、積層電感器(multi-layer inductor)等,其外部輪廓上皆須形成端電極,端電極電連接外露的外電極，并且提供對應的電路板上焊墊足夠的焊接面積。關于外電極，外電極可能是積層電子元件的多層內電極延伸至積層電子元件的側表面的外露部分所構成。外電極也可能是形成在積層電子元件的多層絕緣層內且電連接多層內電極的貫孔導體(via hole conductor)其在積層電子元件的側表面的外露部分所構成。無論構成外電極的為何者，其外露的面積甚小，無法直接被覆金屬層，以形成端電極。現有技術有利用施加形成在玻璃基底上的銀或銅的厚膜條至內電極外露部分，接著電鍍金屬層覆蓋厚膜條，以形成端電極。另有現有技術利用額外的錨狀垂片(anchortab)，導引電鍍金屬層的形成，以形成端電極。然而，形成端電極的現有技術的成本過高，且隨著積層電子元件的尺寸越小，現有技術的困難度更高、可靠度更低。此外，現有電路板為了提升其上電子元件密度，其上的焊墊已采用岸面柵格陣列(land grid array,LGA)焊墊。相對地，積層電子元件的端電極的解析度須提升，以利電路板上電子元件密度的提升。
發明內容
因此，本發明所欲解決的技術問題在于提供一種于積層電子元件上形成端電極的方法，并且該方法具有高可靠度、低成本、高解析度等優點。利用本發明的方法形成端電極的積層電子元件適用于焊接在LGA焊墊上，以利電路板上電子元件密度的提升。本發明一較佳具體實施例的一種于積層電子元件上形成端電極的方法，首先，提供積層電子元件，積層電子元件包含多層內電極層、多層絕緣層以及外電極。多層內電極層與多層絕緣層交互穿插形成。外電極形成于積層電子元件的一側表面上，且與多層內電極層電連接。接著，該方法藉由第一被覆制程(coating process),于積層電子元件的該側表面上選擇性地被覆第一金屬層，且覆蓋外電極。第一被覆制程可以是化學氣相沉積制程(CVD process)、灘鍛制程(sputtering process)、蒸鍛制程(evaporation process)、網印制程(screen printing process)或沾附制程(dipping process)。最后，藉由第二被覆制程，于積層電子元件的該側表面上選擇性地被覆第二金屬層，且覆蓋該第一金屬層，即完成端電極。第二被覆制程可以是電鍍制程或無電鍍制程。于一具體實施例中，第一被覆制程為化學氣相沉積制程、濺鍍制程或蒸鍍制程，并且第一金屬層由鎳所形成。進一步，第一金屬層于被覆后執行退火處理。
于一具體實施例中，第一被覆制程為網印制程或沾附制程，并且第一金屬層由導電膠所形成。進一步，第一金屬層于被覆后執行烘烤程序(baking procedure)以及硬化程序(curing procedure)。于一具體實施例中，導電膠包含重量百分比為約70% -95%的金屬材料以及重量百分比為約5% -30%的玻璃助燒劑。于一具體實施例中，金屬材料包含重量百分比為約5% -100%的鎳以及重量百分比為約95% -0%的銅。 于一具體實施例中，玻璃助燒劑可以是Ma20、MbO、Mc2O3或MdO2，其中元素Ma可以是鋰、鈉或鉀，元素Mb可以是鈹、鎂、鈣、鍶、鋇或鋅，元素Mc可以是硼、鋁或鎵，并且元素Md可以是硅或鍺。于一具體實施例中，在玻璃助燒劑中，Ma2O所占重量百分比為30%以下，MbO所占重量百分比為30%以下，Mc2O3所占重量百分比為30%以下，且MdO2所占重量百分比為50%以上。于一具體實施例中，第二金屬層由錫所形成。與先前技術相較，根據本發明的形成端電極的方法具有高可靠度、低成本、高解析度等優點。以下在實施方式中詳細敘述本發明的詳細特征以及優點，其內容足以使本領域技術人員了解本發明的技術內容并據以實施，且根據本說明書所揭露的內容、權利要求及圖示，本領域技術人員可輕易地理解本發明相關的目的及優點。
圖I以積層電容器為積層電子元件的范例的各層結構展開圖；圖2A至圖2C以圖I的積層電容器為范例實施本發明一較佳具體實施例的端電極形成方法的流程示意圖。
具體實施例方式為使對本發明的目的、構造、特征、及其功能有進一步的了解，茲配合實施例詳細說明如下。請參閱圖I及圖2A至圖2C。圖I以積層電容器I為積層電子元件的范例的各層結構展開圖。圖2A至圖2C以圖I的積層電容器I為范例實施本發明一較佳具體實施例的端電極形成方法的流程示意圖。如圖2A所示，首先，提供積層電子元件(積層電容器)I。如圖I所示，積層電子元件(積層電容器)I含多層內電極層12、14、多層絕緣層10以及外電極。多層內電極層12、14與多層絕緣層10交互穿插形成。每一層內電極層12具有突出部122，且每一層內電極層14具有突出部142。外電極形成于積層電子元件(積層電容器)I的側表面16上，且與多層內電極層12、14電連接。圖I及圖2A所示的積層電容器I有兩個外電極，分別為外露在其側表面16上的突出部122以及突出部142所構成。不同類型的積層電子元件其外電極也可能是外露側表面的貫孔導體所構成，貫孔導體并且電連接積層電子元件的多層內電極。
接著，如圖2B所示，藉由第一被覆制程，于積層電子元件(積層電容器)1的側表面16上選擇性地被覆第一金屬層20、22，且覆蓋外電極(外露的突出部122、外露的突出部142)，此處，選擇性地被覆的含義是指于該側表面16上的部分區域進行被覆而非對整個側表面16進行被覆。特別地，第一被覆制程可以是化學氣相沉積制程、濺鍍制程、蒸鍍制程、網印制程或沾附制程。上述制程具有較高的制程解析度，容易在特定位置，形成較小面的金屬層。化學氣相沉積制程、濺鍍制程、蒸鍍制程以及網印制程需要利用制程遮罩，沾附制程則需要利用到沾附模具。最后，如圖2C所示，藉由第二被覆制程，于積層電子元件(積層電容器)I之側表面16上選擇性地被覆第二金屬層24、26，且分別覆蓋第一金屬層20、22，即完成端電極。也 就是說，圖2C中兩個端電極分別由第一金屬層20與第二金屬層24所構成，以及由第一金屬層22與第二金屬層26所構成。第二被覆制程可以是電鍍制程或無電鍍制程。第一金屬層20、22利于第二金屬層24、26分別藉由電鍍制程或無電鍍制程被覆在其上。顯見地，上述第一被覆制程與第二被覆制程可提升端電極的形成的可靠度以及解析度，并且降低制造成本。藉由以上的詳細描述可以清楚了解，利用本發明的方法形成端電極的積層電子元件(積層電容器)I適用于焊接在LGA焊墊上，以利電路板上電子元件密度的提升。于一具體實施例中，第一被覆制程為化學氣相沉積制程、濺鍍制程或蒸鍍制程，并且第一金屬層由鎳所形成。進一步，第一金屬層于被覆后執行退火處理。于一具體實施例中，第一被覆制程為網印制程或沾附制程，并且第一金屬層由導電膠所形成。進一步，第一金屬層于被覆后執行烘烤程序以及硬化程序。于一具體實施例中，導電膠包含重量百分比為約70% -95%的金屬材料以及重量百分比為約5% -30%的玻璃助燒劑。于一具體實施例中，金屬材料包含重量百分比為約5% -100%的鎳以及重量百分比為約95% -0%的銅。于一具體實施例中，玻璃助燒劑可以是Ma20、MbO、Mc2O3或MdO2，其中元素Ma可以是鋰、鈉或鉀，元素Mb可以是鈹、鎂、鈣、鍶、鋇或鋅，元素Mc可以是硼、鋁或鎵，并且元素Md可以是硅或鍺。于一具體實施例中，在玻璃助燒劑中，Ma2O所占重量百分比為30%以下，MbO所占重量百分比為30%以下，Mc2O3所占重量百分比為30%以下，且MdO2所占重量百分比為約50%以上。于一具體實施例中，第二金屬層由錫所形成。本發明已由上述相關實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本發明的范例。必需指出的是，已揭露的實施例并未限制本發明的范圍。相反地，在不脫離本發明的精神和范圍內所作的更動與潤飾，均屬本發明的專利保護范圍。
權利要求
1.一種于積層電子元件上形成端電極的方法，其特征在于，包含下列步驟 提供該積層電子元件，其中該積層電子元件包含多層內電極層、多層絕緣層以及外電極，該多層內電極層與該多層絕緣層交互穿插形成，該外電極形成于該積層電子元件的一側表面上且與該多層內電極層電連接； 藉由第一被覆制程，于該積層電子元件的該側表面上選擇性地被覆第一金屬層，且覆蓋該外電極，其中該第一被覆制程選自由化學氣相沉積制程、濺鍍制程、蒸鍍制程、網印制程以及沾附制程的其中之一；以及 藉由第二被覆制程，于該積層電子元件的該側表面上選擇性地被覆第二金屬層，且覆蓋該第一金屬層，即完成該端電極，其中該第二被覆制程為電鍍制程或無電鍍制程。
2.如權利要求I所述的于積層電子元件上形成端電極的方法，其特征在于，該第一被覆制程選自由該化學氣相沉積制程、該濺鍍制程以及該蒸鍍制程的其中之一，該第一金屬層由鎳所形成。
3.如權利要求2所述的于積層電子元件上形成端電極的方法，其特征在于，該第一金屬層于被覆后進一步執行退火處理。
4.如權利要求I所述的于積層電子元件上形成端電極的方法，其特征在于，該第一被覆制程為該網印制程或該沾附制程，該第一金屬層由導電膠所形成。
5.如權利要求4所述的于積層電子元件上形成端電極的方法，其特征在于，該第一金屬層于被覆后進一步執行烘烤程序以及硬化程序。
6.如權利要求4所述的于積層電子元件上形成端電極的方法，其特征在于，該導電膠包含重量百分比為約70% -95%的金屬材料以及重量百分比為約5% -30%的玻璃助燒劑。
7.如權利要求6所述的于積層電子元件上形成端電極的方法，其特征在于，該金屬材料包含重量百分比為約5% -100%的鎳以及重量百分比為約95% -0%的銅。
8.如權利要求7所述的于積層電子元件上形成端電極的方法，其特征在于，該玻璃助燒劑選自Ma2O、MbO、Mc2O3或MdO2,元素Ma選自鋰、鈉或鉀，元素Mb選自鈹、鎂、韓、銀、鋇或鋅，元素Mc選自由硼、招或鎵,并且元素Md為娃或鍺。
9.如權利要求8所述的于積層電子元件上形成端電極的方法，其特征在于，在該玻璃助燒劑中，Ma2O所占重量百分比為30%以下，MbO所占重量百分比為30%以下，Mc2O3所占重量百分比為30%以下，且MdO2所占重量百分比為50%以上。
10.如權利要求I所述的于積層電子元件上形成端電極的方法，其特征在于，該第二金屬層由錫所形成。
全文摘要
本發明提供一種于積層電子元件上形成端電極的方法，先提供積層電子元件，接著，藉由第一被覆制程，于積層電子元件的一側表面上選擇性地被覆第一金屬層，且覆蓋積層電子元件的外電極，最后，藉由第二被覆制程，于積層電子元件的該側表面上選擇性地被覆第二金屬層，且覆蓋第一金屬層，即完成端電極，本發明的形成端電極的方法具有高可靠度、低成本、高解析度等優點。
文檔編號H01G4/30GK102655054SQ20121012068
公開日2012年9月5日 申請日期2012年4月23日 優先權日2012年4月23日
發明者吳旻修, 羅立偉, 蕭朝光 申請人:蘇州達方電子有限公司, 達方電子股份有限公司