供體基板及其制造方法以及有機發光顯示裝置的制造方法

專利名稱：供體基板及其制造方法以及有機發光顯示裝置的制造方法
技術領域：
本發明涉及供體基板、供體基板的制造方法及使用供體基板的有機發光顯示裝置的制造方法。本發明尤其涉及包括膨脹層或者抗靜電部件的供體基板、供體基板的制造方法及使用供體基板的有機發光顯示裝置的制造方法。
背景技術：
通常，有機發光顯示(OLED)裝置的顯示基板包括設置于透明基板上的薄膜晶體管、像素電極、有機發光層、公共電極等。其中，所述有機發光層包括發射白色光、紅色光、綠色光、藍色光等的發光層，進一步還可以包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等。通過將具有有機轉印層的供體基板貼合在所述顯示基板的像素電極上之后照射激光以轉印所述有機轉印層的激光熱轉印(Laser Induced Thermal Imaging,簡稱為LITI)工序，形成所述有機發光層。當使用所述激光熱轉印工序將所述供體基板的有機轉印層向所述顯示基板轉印時，由于所述供體基板和所述顯示基板之間的摩擦等而產生的靜電，很難準確地轉印所述有機轉印層，因此存在很難在所述顯示基板上均勻地形成所述有 機發光層的問題。從而，會降低所述有機發光層的發光特性，并且這種有機發光層的發光特性的減少將成為降低由所述有機發光顯示裝置所顯示的影像質量的原因。

發明內容
本發明的一目的在于提供通過減小靜電的產生以有效地轉印有機轉印層的供體基板。本發明的另一目的在于提供通過減小靜電的產生以有效地轉印有機轉印層的供體基板的制造方法。本發明的再一目的在于提供通過使用將靜電減小并且具有優良的轉印效率的供體基板以制造具有均勻的有機層圖案的有機發光顯示裝置的方法。本發明所要解決的技術問題并不限于上述的技術問題，在不脫離本發明的技術構思及技術領域的范圍內可以有多種展開。為了實現上述本發明的一目的，根據本發明示例性的實施例的供體基板可以包括襯底基板、設置于所述襯底基板上的膨脹層、設置于所述膨脹層上的光熱轉換層、設置于所述光熱轉換層上的絕緣層以及設置于所述絕緣層上的有機轉印層。在示例性的實施例中，所述膨脹層可以包含熱膨脹系數在I. 5X10_5/°C以上的物質。在示例性的實施例中，所述膨脹層可以包含熱塑性樹脂。例如，所述膨脹層可以包含聚苯乙烯、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸丙酯、聚丙烯酸異丙酯、聚丙烯酸正丁酯、聚丙烯酸仲丁酯、聚丙烯酸異丁酯、聚丙烯酸叔丁酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸正丁酯、聚甲基丙烯酸正癸酯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物等。在示例性的實施例中，所述襯底基板包含熱塑性樹脂，并且所述襯底基板和所述膨脹層可以形成為一體。為了實現上述本發明的另一目的，根據本發明示例性的實施例的供體基板可以包括襯底基板、設置于所述襯底基板的第一面上的光熱轉換層、設置于所述光熱轉換層上的絕緣層、設置于所述絕緣層上的有機轉印層以及設置于所述襯底基板或所述絕緣層的抗靜電部件。·在示例性的實施例中，所述抗靜電部件可以包含分散于所述襯底基板內的抗靜電劑。在示例性的實施例中，所述抗靜電劑的含量可以為以所述襯底基板的重量為基準時的O. 1%至2. 0%。在示例性的實施例中，所述抗靜電劑可以包含GMS類抗靜電物質、胺類抗靜電物質、具有磁性的金屬氧化物等。在示例性的實施例中，所述抗靜電部件可以包含分散于所述絕緣層內的抗靜電劑。在示例性的實施例中，所述抗靜電部件可以包括設置于所述襯底基板的第二面上的透明導電層。在示例性的實施例中，所述透明導電層可以包含導電性金屬氧化物或者傳導性高分子物質。例如，所述透明導電層可以包含聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚(3，4_乙烯基二氧噻吩)、銻錫氧化物(ATO)、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鈮氧化物、鋅氧化物、鎵氧化物、錫氧化物、銦氧化物等。為了實現上述本發明的再一目的，在根據本發明示例性實施例的供體基板的制造方法中形成襯底基板。在所述襯底基板上形成膨脹層。在所述膨脹層上形成光熱轉換層。在所述光熱轉換層上形成絕緣層。在所述絕緣層上形成有機轉印層。在示例性的實施例中，可以通過旋涂工序、狹縫涂布工序或者凹印涂布工序將熱塑性樹脂涂覆于所述襯底基板上而形成所述膨脹層。在示例性的實施例中，可以通過使用包含熱塑性樹脂的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)樹脂來形成所述膨脹層。在示例性的實施例中，可以將所述襯底基板和所述膨脹層形成為一體。在示例性的實施例中，可以通過實施雙軸拉伸(biaxial drawing)工序來形成所述膨脹層。為了實現上述本發明的再一目的，在根據本發明示例性實施例的供體基板的制造方法中形成襯底基板。在所述襯底基板的第一面上形成光熱轉換層。在所述光熱轉換層上形成絕緣層。在所述絕緣層上形成有機轉印層。在所述襯底基板或所述絕緣層或者所述襯底基板的第二面上形成抗靜電部件。在示例性的實施例中，形成所述抗靜電部件的步驟可以包括將抗靜電劑分散于所述襯底基板內的步驟。在示例性的實施例中，形成所述抗靜電部件的步驟可以包括使抗靜電劑分散于所述絕緣層內的步驟。
在示例性的實施例中，形成所述抗靜電部件的步驟可以包括在所述襯底基板的第二面上形成透明導電層的步驟。為了實現上述本發明的再一目的，在根據本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置的制造方法中，在基板上形成下部電極。在下部電極上形成像素限定膜，從而限定像素區域。形成包括襯底基板、形成于所述襯底基板上的膨脹層、形成于所述膨脹層上的光熱轉換層以及形成于所述光熱轉換層上的有機轉印層的供體基板。使所述有機轉印層與所述基板的像素區域對應且將所述供體基板貼合于所述基板。向與所述像素區域對應的所述供體基板照射激光，從而在所述像素區域上由所述有機轉印層形成有機層圖案。在示例性的實施例中，所述供體基板還可以包括形成于所述光熱轉換層和所述有機轉印層之間的絕緣層。為了實現上述本發明的再一目的，在根據本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置的制造方法中，在基板上形成下部電極。在所述下部電極上形成限定像素區域的像素限 定膜。形成供體基板，所述供體基板包括襯底基板、形成于所述襯底基板的第一面上的光熱轉換層、形成于所述光熱轉換層上的絕緣層、形成于所述絕緣層上的有機轉印層以及形成于所述襯底基板或所述絕緣層或者所述襯底基板的第二面的抗靜電部件。使所述有機轉印層與所述基板的像素區域對應，將所述供體基板貼合于所述基板。向與所述像素區域對應的所述供體基板照射激光，從而在所述像素區域上由所述有機轉印層形成有機層圖案。在示例性的實施例中，所述抗靜電部件可以包括形成于所述襯底基板的第二面上的透明導電層。在示例性的實施例中，所述抗靜電部件可以包含分散于所述絕緣層內的抗靜電劑。在示例性的實施例中，所述抗靜電部件可以包含分散于所述襯底基板內的抗靜電劑。根據本發明示例性的實施例，由于供體基板可以包括膨脹層，因此能夠從具有膨脹層的所述供體基板中有效地分離出有機轉印層以在顯示基板上形成有機層圖案，并且即使使用能量相對小的激光，也可以有效地形成所述有機層圖案。根據其他示例性的實施例，由于供體基板包括用作抗靜電部件的抗靜電劑、抗靜電層或者透明導電層，因此將所述供體基板的有機轉印層向所述顯示基板上轉印時可以防止在所述供體基板上產生靜電。由此，可以由所述供體基板的有機轉印層均勻地形成所述顯示裝置的有機層圖案，因此可以改善所述有機層圖案的發光特性，并且可以提高所述有機發光顯示裝置所顯示的影像質量。但是，本發明的效果并不限于上述的效果，在不脫離本發明的技術構思及技術領域的范圍內會有多種展開。


圖I為用于說明根據本發明示例性實施例的供體基板的截面圖；圖2為圖示根據本發明另一示例性實施例的供體基板的截面圖；圖3為用于說明根據本發明再一示例性實施例的供體基板的截面圖；圖4為圖示根據本發明再一示例性實施例的供體基板的截面圖5至圖7用于說明根據本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置的制造方法的示意圖。附圖標記說明100、200、300、400 :供體基板；110、210、310、410 :襯底基板；120、220、320、420 :光熱轉換層；130、230、330、430 :色緣層；140、240、340、440 :有機轉印層；150 :膨脹層；250、350 :抗靜電劑；450 :透明導電層； 510 :基板；520 :半導體圖案； 521 :溝道區域；523 :源區域；525 :漏區域；530:柵絕緣膜；541:柵電極；543:源電極；545:漏電極；550 :第一層間絕緣膜；555 :第二層間絕緣膜；560 :第一電極；570 :像素限定膜；580:有機層圖案；590:第二電極。
具體實施例方式以下將參考附圖詳細地說明根據本發明的示例性實施例的供體基板、供體基板的制造方法及使用供體基板的有機發光顯示裝置的制造方法，但是本發明并不限于下述實施例，所屬領域的技術人員在不脫離本發明的技術思想的范圍內，能夠以多種形態實施本發明。就本發明的說明書，其特定的結構或功能性說明僅以示例性地說明本發明的實施例為目的，本發明能夠以多種形式實施，不能解釋為僅限于本文中說明的實施例，應理解為包括本發明的思想以及技術范圍的所有變更、等同物以及代替物。某種組成要素與其它的組成要素“連接”或“接觸”，則表示其與其它的組成要素直接連接或接觸，也應理解為中間還可以存在其它組成要素。相反，某種組成要素與其它組成要素“直接連接”或“直接接觸”，則應理解為中間不存在其它組成要素。就描述組成要素之間關系的其他表述方式，即"...之間”、“就在...之間”或者“與...相鄰”和直接相鄰”也應進行相同的解釋。在本說明書中所使用的用語僅用于說明示例性的實施例，并不用于限定本發明。對于單數用語，在文字上沒有沖突的解釋的前提下，則應當包括多個的含義。在本說明書中，“包括”、“具備”或“具有”等用語僅用于說明實施本發明時可以存在數字、步驟、動作、結構要素、部件或者它們的組合，并且不應當理解為對增加數字、步驟、動作、結構要素、部件或者它們的組合的可能性予以排除。沒有其他定義的前提下，包括技術術語或科學術語在內的在此使用的所有術語的含義與本發明所屬領域的技術人員通常理解的含義相同。針對與在通常使用的詞典所定義的術語相同的術語，應理解為與相關技術上下文所具有的含義一致，除本發明明確定義的以外，不應解釋成理想或過于形式的含義。雖然第一、第二、第三等術語可以用于說明多種組成要素，但所述組成要素不限于所述術語。使用所述術語的目的在于區別一個組成要素與另一個組成要素。例如，在不脫離本發明的保護范圍下，第一組成要素可以命名為第二或第三組成要素，類似地，第二或者第三組成要素也可以交互命名。圖I為用于說明根據本發明示例性實施例的供體基板的截面圖。如圖I所示，供體基板100可以包括襯底基板110、膨脹層150、光熱轉換層120、絕緣層130以及有機轉印層140等。在有機發光顯示裝置的顯示基板上形成有機層圖案(多個)的激光轉印工序期間，襯底基板Iio可以起到讓激光經過并傳輸至光熱轉換層120的功能。襯底基板110可以由基本上透明且具有預定的機械強度的物質構成。例如，襯底基板110可以包含透明樹脂、玻璃、石英等。可用于襯底基板110的透明樹脂可以包括聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,簡稱為PET)類樹脂、聚丙烯酸(polyacryl)類樹脂、聚環 氧(polyepoxy)類樹脂、聚乙烯(polyethylene)類樹脂、聚苯乙烯(polystyrene)類樹脂、聚酰亞胺(polyimide)類樹脂、聚碳酸脂(polycarbonate)類樹脂、聚醚(polyether)類樹月旨、聚丙烯酸酯(polyacrylate)類樹脂等。膨脹層150可以設置于襯底基板110上。根據在所述激光轉印工序期間在被激光照射的部分產生的熱量，會增加膨脹層150的體積。根據這種膨脹層150的膨脹，有機轉印層140有效地從襯底基板110被分離出，從而可以由供體基板100的有機轉印層140在所述有機發光顯示裝置的顯示基板上有效地形成所述有機層圖案。在示例性的實施例中，膨脹層150可以包含具有相對高的熱膨脹系數的物質。此時，膨脹層150可以包含大約具有1.5X10_5/°C以上的熱膨脹系數的物質。例如，膨脹層150可以包含具有相對大的熱膨脹系數的熱塑性樹脂(thermoplastic resin)。可用于膨脹層150的熱塑性樹脂可以包括聚苯乙烯(polystyrene)、聚丙烯酸甲酯(polymethyl acrylate)、聚丙烯酸乙酯(polyethyl acrylate)、聚丙烯酸丙酯(polypropyl acrylate)、聚丙烯酸異丙酯(polyisopropyl acrylate)、聚丙烯酸正丁酉旨(polyn-butyl acrylate)、聚丙烯酸仲丁酯(polysec-butyl acrylate)、聚丙烯酸異丁酯(polyisobutyl acrylate)、聚丙烯酸叔丁酯(polytetra-butyl acrylate)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate) >聚甲基丙烯酸乙酯(polyethyl methacrylate)、聚甲基丙烯酸正丁酯(polyn-butylmethacrylate)、聚甲基丙烯酸正癸酯(polyn-decyl methacrylate)、聚氯乙烯(polyvinylchloride)、聚偏氯乙烯(polyvinylidene chloride)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(acrylonitrile butadiene-styrene copolymer)等熱塑性低分子聚合物。光熱轉換層120可以設置于膨脹層150上。光熱轉換層120可以起到吸收向襯底基板110照射的激光從而將其轉換為熱量的功能。光熱轉換層120可以包括金屬、金屬氧化物、金屬硫化物、含碳物質等。例如，光熱轉換層120可以包括招(Al)、鎳(Ni)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、銅(Cu)、釩(V)、鉭(Ta)、鈀(Pd)、釕(Ru)、銥(Ir)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Pt)等金屬、這些金屬的氧化物、這些金屬的硫化物、碳黑(carbon black)、石墨等。這些可以單獨或互相組合而得以使用。絕緣層130可以位于光熱轉換層120上。絕緣層130可以防止有機轉印層140受到污染或者受損。并且，在所述激光熱轉印工序期間，絕緣層130控制光熱轉換層120和有機轉印層140之間的粘著力，從而可以提高在所述顯示基板上形成的有機層圖案的均勻性。根據示例性的實施例，絕緣層130可以由有機物質或者無機物質構成。例如,絕緣層130可以包含丙烯酸樹脂(acrylic resin)、醇酸樹脂(alkyd resin)、娃氧化物(SiOx)、鋁氧化物(AlOx)、鎂氧化物(MgOx)等。有機轉印層140可以設置于絕緣層130上。根據由光熱轉換層120傳輸的熱能有機轉印層140從供體基板100被分離出，從而其可以起到在所述顯示基板上形成所述有機層圖案(多個)的功能。在示例性的實施例中，有機轉印層140可以包括發出紅色(R)光、綠色(G)光或者藍色(B)光的有機發光層，進一步還可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層等。根據了另一示 例性的實施例，有機轉印層140的有機發光層還可以具有通過發出紅色光、綠色光以及藍色光以最終發出白色(W)光的多層結構。在示例性的實施例中，當有機轉印層140的有機發光層發出紅色光時，所述有機發光層可以包含作為紅色發光物質的如Alq3 (主體)/DCJTB (熒光摻雜物)、Alq3 (主體)/DCM(熒光摻雜物)、CBP (主體)/PtOEP (磷光有機金屬復合物)等低分子物質以及如PFO類高分子物質、PPV類高分子物質等高分子物質。當所述有機發光層發出綠色光時，所述有機發光層可以包含作為綠色發光物質的如Alq3、Alq3(主體)/C545t(摻雜物)、CBP (主體)/IrPPy (磷光有機金屬復合物)等低分子物質以及如PFO類高分子物質、PPV類高分子物質等高分子物質。另外，當所述有機發光層發出藍色光時，所述有機發光層可以包含作為藍色發光物質的如DPVBi、螺-DPVBi、螺-6P、蒸餾苯(DSB)、亞甲基聯苯乙烯(DSA)等低分子物質以及如PFO類高分子物質、PPV類高分子物質等高分子物質。有機轉印層140的空穴注入層可以包含如CuPc, TNATA, TCTA, TDAPB等低分子物質以及如PANI、PEDOT等高分子物質；有機轉印層140的空穴傳輸層可以包含如芳胺(arylamine)類低分子物質、腙(hydrazone)類低分子物質、二苯乙烯(stilbene)類低分子物質、星爆(starburst)類低分子物質等低分子物質,或者可以包含如咔唑(carbazole)類高分子物質、芳胺(arylamine)類高分子物質、花(perylene)類高分子物質、批咯(pyrrole)類高分子物質等高分子物質。有機轉印層140的電子傳輸層可以包含如PBD、TAZ、螺(spiro)-PBD等高分子物質，或者可以包含Alq3、BAlq, SAlq等低分子物質。并且，有機轉印層140的電子注入層可以包含如Alq3、鎵復合物(Ga complex)、PBD等低分子物質,或者可以包含11惡二唑(oxadiazol)類高分子物質。根據另一示例性的實施例，絕緣層130和有機轉印層140之間還可以設置有氣體生成層和/或金屬反射層。其中，所述氣體生成層根據因吸收光或者熱量而發生的分解反應來釋放氮氣、氫氣等，從而可以起到給有機轉印層140的轉印提供能量的功能。例如，所述氣體生成層可以包含季戍四醇四硝酸酯(pentaerythritol tetranitrate)、三硝基甲苯(trinitrotoluene)等。另外,所述金屬反射層通過反射向供體基板100照射的激光，以便于向光熱轉換層120傳輸更多的能量，并且可以防止從所述氣體生成層生成的氣體向有機轉印層140滲透。例如，所述金屬反射層可以包含如鋁、鑰、鈦、銀、鉬等具有相對高的反射性的金屬。根據本發明示例性的實施例，供體基板100具有膨脹層150，因此在激光熱轉印工序期間膨脹層150可以在被激光照射的部分發生局部膨脹。即，在所述激光熱轉印工序期間，位于轉印至顯示基板上的部分的有機轉印層140下方的膨脹層150 —部分可以發生膨脹。由此，供體基板100的有機轉印層140和在所述顯示基板上轉印有有機轉印層140的區域(形成有機層圖案的區域)之間的距離會減小，因此有效地使有機轉印層140從供體基板100向所述顯示基板上轉印，從而可以在所述顯示基板上形成均勻的有機層圖案。下面，根據本發明示例性的實施例，對具有與參考圖I進行說明的供體基板100基本上相同的構成的供體基板的制造方法進行說明。根據示例性的實施例，首先準備襯底基板110之后，可以在襯底基板110上形成膨脹層150。襯底基板110可以由如透明樹脂基板、玻璃基板、石英基板等透明基板構成。例如，襯底基板110可以由包含聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚丙烯酸、聚環氧、聚乙烯、聚苯乙烯、聚酰亞胺、聚碳酸脂、聚醚和/或聚丙烯酸酯等的透明樹脂基板構成。膨脹層150可以由具有相對高的熱膨脹系數的熱塑性樹脂形成。從而，當激光向膨脹層150照射時，膨脹層150的體積可以在局部或者整體上出現膨脹。例如，膨脹層150可以由具有約1.5X10_5/°C以上的熱膨脹系數的熱塑性低分子聚合物形成。此時，膨脹層 150可以通過使用下述樹脂中的一種或多種而得以形成聚苯乙烯、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸丙酯、聚丙烯酸異丙酯、聚丙烯酸正丁酯、聚丙烯酸仲丁酯、聚丙烯酸異丁酯、聚丙烯酸叔丁酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸正丁酯、聚甲基丙烯酸正癸酯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物等。并且，膨脹層150可以通過旋涂(spin coating)工序、狹縫涂布(slit coating)工序、凹印涂布(gravurecoating)工序等而形成于襯底基板110上。根據另一示例性的實施例，膨脹層150還可以由添加熱塑性樹脂的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜形成。一般來講，在制造聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜的過程中，通過縮聚反應形成聚對苯二甲酸乙二酯(PET)樹脂之后，使用熔融擠出工序而以無定形狀態的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)芯(chip)的形態進行切割。然后，使用雙軸拉伸(biaxialdrawing)工序形成聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜。在另一示例性的實施例中，通過縮聚反應形成聚對苯二甲酸乙二酯(PET)樹脂之后，以預定的濃度向聚對苯二甲酸乙二酯(PET)樹脂添加熱塑性樹脂，從而可以形成添加有熱塑性樹脂的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)芯。然后，在對添加有所述熱塑性樹脂的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)芯實施雙軸拉伸工序時，可以得到由熱量膨脹性質得以提高的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜形成的膨脹層150。此時，由添加有熱塑性樹脂的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜構成的膨脹層150相比不包含熱塑性樹脂的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜，可以具有約高出5倍以上的熱膨脹系數。并且，當膨脹層150由添加有熱塑性樹脂的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜形成，并且襯底基板110包括聚對苯二甲酸乙二酯(PET)時，實質上襯底基板110和膨脹層150可以形成為一體。在膨脹層150上可以形成有光熱轉換層120。可以通過使用金屬、金屬氧化物和/或金屬硫化物等而形成光熱轉換層120。例如，可以使用如鋁、鎳、鑰、鈦、鋯、銅、釩、鉭、鈀、釕、銥、金、銀、鉬等金屬、或者這些金屬的氧化物、或者這些金屬的硫化物等而形成光熱轉換層120。并且，光熱轉換層120可以通過真空沉積工序、電子束(e-beam)沉積工序和/或濺射工序等而形成于膨脹層150上。在另一示例性的實施例中，可以通過使用由包含碳黑、石墨或者紅外線顏料的高分子物質形成的有機物質形成光熱轉換層120。此時，光熱轉換層120可以通過輥涂工序、凹印涂布工序、旋涂工序和/或狹縫涂布工序等而形成于膨脹層150上。光熱轉換層120上可以形成有絕緣層130。可以通過使用有機物質或者無機物質來形成絕緣層130。例如，絕緣層130可以通過使用丙烯酸樹脂、醇酸樹脂、硅氧化物、鋁氧化物和/或鎂氧化物等而得以形成。當絕緣層130包含有機物質時，可以通過實施涂覆工序和紫外線(UV)硬化工序而在光熱轉換層120上形成絕緣層130。當絕緣層130包含金屬氧化物時，可以通過使用真空沉積工序、電子束沉積工序、濺射工序和/或化學氣相沉積(CVD)工序等而在光熱轉換層120上形成絕緣層130。絕緣層130上可以形成有有機轉印層140。由此，可以提供包括襯底基板110、膨脹層150、光熱轉換層120、絕緣層130以及有機轉印層140的供體基板。有機轉印層140可以包括有機發光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層等。根據生成的光的顏色而可以使用多種物質來形成有機轉印層140的組成要素。并且，通過使用旋涂工序、狹縫涂布工序、輥涂工序、凹印涂布工序、真空沉積工序和/或化學氣相沉積工序等而可以將有機轉印層140形成于絕緣層130上。
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圖2為圖示根據本發明另一示例性實施例的供體基板的截面圖。在圖2所示的供體基板200中，光熱轉換層220、絕緣層230以及有機轉印層240的構成與參考圖I進行說明的光熱轉換層120、絕緣層130以及有機轉印層140的構成基本上相同或者基本上類似。如圖2所示，供體基板200可以包括含有用作抗靜電部件的抗靜電劑250的襯底基板210、光熱轉換層220、絕緣層230以及有機轉印層240等。襯底基板210可以包括添加有抗靜電劑250的透明基板。其中，所述透明基板可以包含聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚丙烯酸、聚環氧、聚乙烯、聚苯乙烯、聚酰亞胺、聚碳酸脂、聚醚、聚丙烯酸酯等。在另一示例性的實施例中，襯底基板210和光熱轉換層220之間，可以設置有抗靜電層(未圖示)作為所述抗靜電部件。根據再一示例性的實施例，還可以為在襯底基板210的第一面上設置有光熱轉換層220、且襯底基板210的第二面上設置有抗靜電層(未圖示)。其中，所述第一面和所述第二面基本上可以互相相對。根據示例性的實施例，抗靜電劑250或者所述抗靜電層可以包含含有聚氧乙烯燒基胺(polyoxyethylene alkyl amine)的胺類抗靜電物質、甘油單體硬脂酸酯(glycerine monomer stearate,簡稱為GMS)類抗靜電物質、胺類抗靜電物質和GMS類抗靜電物質的混合物等。在另一示例性的實施例中，包含于襯底基板210的抗靜電劑250或者形成于襯底基板210上的抗靜電層還可以包含如注冊商標FC-4400 (美國3M公司制造)等已得到商業應用的抗靜電物質。根據再一示例性的實施例，所述抗靜電層或者抗靜電劑250可以包含磺酸鹽(sulfonate)類化合物、硫酸鹽(sulfate)類化合物、磷酸鹽(phosphate)類化合物、這些化合物的混合物等。例如，抗靜電劑250可以包含燒基磺酸鹽、烷基苯磺酸鹽、烷基硫酸鹽、烷基磷酸鹽等。在再一示例性的實施例中，包含于襯底基板210的抗靜電劑250或者形成于襯底基板210上的抗靜電層還可以包含如三氧化二鐵(Fe2O3)、一氧化鐵(FeO)等具有磁性的金屬氧化物。光熱轉換層220可以設置于包含抗靜電劑250的襯底基板210上。根據另一不例性的實施例，襯底基板210和光熱轉換層220之間還可以置有所述抗靜電層。在再一示例性的實施例中，光熱轉換層220和所述抗靜電層還可以設置于襯底基板210的互相相對的面上。即，光熱轉換層220和所述抗靜電層之間設置有襯底基板210，從而可以互相間隔。光熱轉換層220包含金屬、金屬氧化物或者金屬硫化物，或者可以由包含高分子物質的有機物質構成，所述高分子物質包含碳黑、石墨或者紅外線顏料。絕緣層230可以位于光熱轉換層220上。絕緣層230包含丙烯酸樹脂、醇酸樹脂等有機絕緣物質，或者可以由硅氧化物、鋁氧化物和/或鎂氧化物等金屬氧化物構成。絕緣層230上可以設置有有機轉印層240。有機轉印層240可以包括有機發光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層等。根據有機轉印層240的構成物質，由有機轉印層240生成的、有機發光顯示裝置的有機層圖案(多個)所發出的顏色光可以不同。當使用現有的供體基板來在有機發光顯示裝置的顯示基板上形成有機層圖案時，在激光熱轉印工序期間，在所述供體基板產生靜電，并且為了去除這種靜電，在實施激光熱轉印工序的腔室內設置了多個離子發生器(ionizer)。然而，當所述腔室內設置有多個離子 發生器時，用于制造有機發光顯示裝置的費用會增加；在形成所述有機層圖案的期間，將所述腔室的內部保持真空狀態或者以氮氣填充所述腔室的內部時，即使使用離子發生器也難以去除所述供體基板的靜電。根據本發明示例性的實施例，由于供體基板200可以具有用作抗靜電部件的抗靜電劑250的襯底基板210、或者襯底基板210上設置有抗靜電層，因此可以防止為了在有機發光顯示裝置的顯示基板上形成有機層圖案而實施激光熱轉印工序的期間在供體基板200中產生靜電的現象。從而，可以從供體基板200的有機轉印層240在顯示基板上均勻地形成有機層圖案，因此可以提高所述有機層圖案的發光特性，并且可以改善有機發光顯示裝置的影像質量。下面，根據本發明其它示例性的實施例，對制造具有與參考圖2進行說明的供體基板200基本上相同的構成的供體基板的方法進行說明。在示例性的實施例中，可以在形成襯底基板210時將用作抗靜電部件的抗靜電劑250添加在襯底基板210內。抗靜電劑250可以包含胺類抗靜電劑、GMS類抗靜電劑、或者胺類和GMS類抗靜電劑的混合物等。根據另一示例性的實施例，在襯底基板210的第一面(例如，襯底基板210的前面)或者襯底基板210的第二面(例如，襯底基板210的后面)上還可以形成有用作抗靜電部件的抗靜電層。當將抗靜電劑250分散于襯底基板210內時，向構成襯底基板210的透明樹脂添加抗靜電劑250并進行混合之后，對所述透明樹脂和抗靜電劑250的混合物實施雙軸拉伸工序,從而可以得到包含抗靜電劑250的襯底基板210。此時，根據襯底基板210的構成物質，以襯底基板210的重量為基準，可以添加約O. 11 %至約2. 0%左右的含量的抗靜電劑250。例如，當襯底基板210包含聚對苯二甲酸乙二酯(PET)樹脂時，可以添加占襯底基板210的全體重量的約O. I %至約O. 5%左右的抗靜電劑250。另一方面，當襯底基板210包含聚丙烯樹脂時，可以添加以襯底基板210的重量為基準時的約O. 5%至約I. 0%左右的含量的抗靜電劑250。另外，當襯底基板210包含聚苯乙烯樹脂時，襯底基板210內的抗靜電劑250的含量可以為襯底基板210重量的約I. 0%至約I. 5%左右。可以在襯底基板210上形成光熱轉換層220。作為所述供體基板的抗靜電部件，襯底基板210包含抗靜電劑250或者在襯底基板210的第二面上形成所述抗靜電層時，可以直接在襯底基板210的第一面上形成光熱轉換層220。另外，在襯底基板210的第一面上設置有所述抗靜電層的情況下，光熱轉換層220還可以形成于所述抗靜電層上。
將金屬、金屬氧化物、金屬硫化物等通過真空沉積工序、電子束沉積工序和/或濺射工序等沉積于襯底基板210上，從而可以形成光熱轉換層220。根據另一示例性的實施例，可以通過使用輥涂工序、凹印涂布工序、旋涂工序和/或狹縫涂布工序等而在襯底基板210上沉積包括高分子物質的有機物質來得到光熱轉換層220，所述高分子物質可以含有碳黑、石墨、紅外線顏料等。可以在光熱轉換層220上形成絕緣層230。可以使用有機絕緣物質或者金屬氧化物來形成絕緣層230。當絕緣層230包含有機絕緣物質的情況下，可以通過實施涂覆工序以及紫外線硬化工序來得到絕緣層230。當絕緣層230包含金屬氧化物的情況下，可以通過使用真空沉積工序、電子束沉積工序、濺射工序和/或化學氣相沉積工序等而在光熱轉換層220上形成絕緣層230。在絕緣層230上可以形成有機轉印層240。有機轉印層240可以具有包括有機發光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層等的多層結構。可以通過使用旋涂 工序、狹縫涂布工序、輥涂工序、凹印涂布工序、真空沉積工序和/或化學氣相沉積工序等來形成有機轉印層240。圖3為圖示根據本發明再一示例性實施例的供體基板的截面圖。在圖3所示的供體基板300中，襯底基板310、光熱轉換層320以及有機轉印層340的構成與參考圖I進行說明的襯底基板110、光熱轉換層120以及有機轉印層140的構成基本上相同或者基本上類似。如圖3所示，供體基板300可以包括襯底基板310、光熱轉換層320、將抗靜電劑350作為抗靜電部件而包括的絕緣層330、有機轉印層340等。根據另一示例性的實施例，作為抗靜電部件，供體基板300還可以包括設置于光熱轉換層320和絕緣層330之間或者設置于絕緣層330和有機轉印層340之間的抗靜電層(未圖示)。在圖3中，襯底基板310可以包括如透明樹脂基板、玻璃基板、石英基板等透明基板。用作襯底基板310的所述透明樹脂基板可以包含聚對苯二甲酸乙二酯(PET)類樹脂、聚丙烯酸類樹脂、聚環氧類樹脂、聚乙烯類樹脂、聚苯乙烯類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、聚碳酸脂類樹脂、聚醚類樹脂、聚丙烯酸酯類樹脂等。光熱轉換層320可以設置于襯底基板310上。光熱轉換層320可以包含金屬、金屬氧化物、金屬硫化物、含碳物質等。絕緣層330可以設置于光熱轉換層320上。當光熱轉換層320上設置有所述抗靜電層的情況下，絕緣層330還可以設置于所述抗靜電層上。絕緣層330可以包含丙烯酸樹月旨、醇酸樹脂等有機絕緣物質或者如硅氧化物、鋁氧化物、鎂氧化物等金屬氧化物。在示例性的實施例中，抗靜電劑350可以分散于絕緣層330內。其中，根據絕緣層330的構成物質，以絕緣層330的整體重量為基準，抗靜電劑350的含量可以為約O. 1%至約2. 0%左右。根據另一示例性的實施例，所述抗靜電層可以設置于光熱轉換層320和絕緣層330之間或者絕緣層330上。抗靜電劑350或者所述抗靜電層可以包含胺類抗靜電物質、GMS類抗靜電物質、胺類和GMS類抗靜電物質的混合物等。在另一示例性的實施例中，抗靜電劑350或者所述抗靜電層可以包含磺酸鹽類化合物、硫酸鹽類化合物、磷酸鹽類化合物、這些化合物的混合物等。根據再一示例性的實施例，抗靜電劑350或者所述抗靜電層還可以包含如一氧化鐵、三氧化二鐵等具有磁性的金屬氧化物。有機轉印層340可以設置于絕緣層330上或者所述抗靜電層上。有機轉印層340可以包含與參考圖I進行說明的供體基板100的有機轉印層140基本上相同或者基本上類似的物質。根據本發明示例性的實施例，由于供體基板300具有包含用作抗靜電部件的抗靜電劑350的絕緣層330或者具有在絕緣層330上設置的抗靜電層，因此可以有效地防止用于在顯示基板上形成有機層圖案的激光熱轉印工序期間在供體基板300產生靜電的現象。從而，不需要如離子發生器等進一步的靜電發生防止裝置，從而可以降低有機發光顯示裝置的制造費用，并可以在所述顯示基板上通過供體基板300的有機轉印層340均勻地形成有機層圖案，且提高所述有機層圖案的發光特性，從而可以改善有機發光顯示裝置的影像質量。圖4為圖示根據本發明再一示例性實施例的供體基板的截面圖。在圖4所示的供體基板400中，襯底基板410、光熱轉換層420、絕緣層430以及有機轉印層440的構成與參考圖I進行說明的襯底基板110、光熱轉換層120、絕緣層130以及有機轉印層140的構成基本上相同或者基本上類似。如圖4所示，供體基板400可以包括襯底基板410、光熱轉換層420、絕緣層430、有機轉印層440以及透明導電層450等，透明導電層450用作抗靜電部件。·襯底基板410可以包括透明樹脂基板、玻璃基板、石英基板等。襯底基板410的第一面上可以設置有光熱轉換層420。例如，光熱轉換層420可以包含金屬、金屬氧化物、金屬硫化物、含碳物質等。絕緣層430可以設置于光熱轉換層420上。例如，絕緣層430可以包含丙烯酸樹月旨、醇酸樹脂、硅氧化物、鋁氧化物、鎂氧化物等。有機轉印層440可以位于絕緣層430上。有機轉印層440可以包括有機發光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層
坐寸ο根據示例性的實施例，與所述抗靜電部件相應的透明導電層450可以設置于襯底基板410的第二面上。其中，襯底基板410的第二面基本上可以與所述第一面相對。S卩，透明導電層450和光熱轉換層420可以分別設置于襯底基板410的相對面上。透明導電層450是透明的，并且其可以包含具有透明性的導電性金屬氧化物或者具有透明性的傳導性高分子物質，以便于其在激光熱轉印工序期間能夠使激光透射。例如，透明導電層450可以包含聚苯胺(polyaniline)、聚卩比咯(polypyrrole)、聚噻吩(polythiophene)、聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)[poly (3,4-ethylenedioxythiophene)]等透明傳導性高分子物質。在另一示例性的實施例中，透明導電層450可以包含如銻錫氧化物(antimony tin oxide,簡稱為 ΑΤΟ)、銦錫氧化物(indium tin oxide,簡稱為 ITO)、銦鋒氧化物(indium zinc oxide,簡稱為ΙΖ0)、銀氧化物(NbOx)、鋅氧化物(ZnOx)、鎵氧化物(GaOx)、錫氧化物(SnOx)、銦氧化物(InOx)等透明無機物質。根據本發明示例性的實施例，供體基板400可以將設置于襯底基板410的一面的、使激光透射的、具有導電性的透明導電層450作為抗靜電部件，因此可以防止由有機轉印層440在顯示基板上形成有機層圖案的期間在供體基板400上產生的靜電。所以，不需要如離子發生器等額外的靜電發生防止裝置，從而可以降低有機發光顯示裝置的制造費用，并且可以有效地在所述顯示基板上形成均勻的有機層圖案。圖5至圖7用于說明根據本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置的制造方法的示意圖。在圖5至圖7中示例性的示出的有機發光顯示裝置的制造方法中使用了具有與參考圖I進行說明的供體基板100基本上相同或者基本上類似的構成的供體基板；但是應當理解在圖5至圖7中示例性的示出的有機發光顯示裝置的制造方法中使用參考圖2至圖4進行說明的供體基板200、供體基板300、供體基板400，也可以得到具有基本上相同或者基本上類似的構成的有機發光顯示裝置。如圖5所示，可以將具有與參考圖I進行說明的供體基板100基本上相同的構成的供體基板貼緊于有機發光顯示裝置的顯示基板上。在示例性的實施例中，所述顯示基板可以包括形成于基板510上的晶體管、第一層間絕緣膜550、第二層間絕緣膜555、第一電極560、像素限定膜570等。根據示例性的實施例，在包含透明絕緣物質的基板510上可以形成包括溝道區域521、源區域523以及漏區域525的半導體圖案520。可以通過使用非晶硅、包含雜質的 非晶硅、多晶硅、包含雜質的多晶硅、半結晶硅和/或包括微結晶的硅等來形成半導體圖案520。可以通過向半導體圖案520的兩側注入雜質來形成源區域523和漏區域525 ;根據源區域523和漏區域525的形成，可以限定溝道區域521。可以在基板510上形成覆蓋半導體圖案520的柵絕緣膜530之后在柵絕緣膜530上形成柵電極541。可以通過使用硅化合物和/或金屬氧化物等來形成柵絕緣膜530，可以通過使用金屬、合金、金屬氮化物和/或導電性金屬氧化物等來形成柵電極541。在柵絕緣膜530中，柵電極541可以設置于下部設置有溝道區域521的部分上。柵絕緣膜530上可以形成有覆蓋柵電極541的第一層間絕緣膜550。可以通過使用硅化合物來形成第一層間絕緣膜550。第一層間絕緣膜550上可以形成有貫通第一層間絕緣膜550和柵絕緣膜530從而與源區域523以及漏區域525接觸的源電極543以及漏電極545。由此，基板510上可以提供有如包括半導體圖案520、柵絕緣膜530、柵電極541、源電極543和漏電極545的薄膜晶體管(TFT)等開關器件。源電極543和漏電極545分別可以使用金屬、合金、金屬氮化物、導電性金屬氧化物等而得以形成。第一層間絕緣膜550上可以形成有覆蓋源電極543和漏電極545的第二層間絕緣膜555。可以通過使用透明有機絕緣物質來形成第二層間絕緣膜555。為了后續形成的所述有機發光顯示裝置的組成要素，第二層間絕緣膜555可以具有基本上平坦的上面。第二層間絕緣膜555上可以形成有貫通第二層間絕緣膜555而與漏電極545連接的第一電極560。第一電極560可以相當于所述有機發光顯示裝置的像素電極。根據所述有機發光顯示裝置的發光方式，可以使用具有反射性的物質或者透明導電性物質來形成第一電極560。像素限定膜570可以形成于第一電極560的一部分之上。可以通過使用有機物質或者無機物質來形成像素限定膜570。所述有機發光顯示裝置的發光區域I可以限定于像素限定膜570上。即，被像素限定膜570所露出的部分的第一電極560可以相當于發光區域I。再次參考圖5，可以將所述供體基板和所述顯示基板排列成使所述供體基板的有機轉印層140與所述顯示基板的像素限定膜570的上面接觸。在這種情況下，由于像素限定膜570從發光區域I的第一電極560上突出，因此有機轉印層140和第一電極560可以間隔有第一間隔Dl。例如，當像素限定膜570的厚度約為I μ m左右時，有機轉印層140和第一電極560之間的第一間隔Dl可以約為I μ m左右。如圖6所示，可以向位于發光區域I上部的所述供體基板上照射激光。其中，激光被光熱轉換層120吸收并被轉換為熱量，從而可以將有機轉印層140轉印至發光區域I的第一電極上。當所述供體基板具有膨脹層150時，通過光熱轉換層120所吸收的熱量，膨脹層150可以發生部分膨脹。例如，包含熱膨脹系數相對大的熱塑性樹脂的膨脹層150在發光區域I上部發生膨脹，從而其厚度可以得以增加；由此有機轉印層140和第一電極560之間的第一間隔Dl的減少量相當于膨脹層150的厚度的增加量，從而可以減少為第二間隔D2。由于第二間隔D2比第一間隔Dl實質上小，因此即使照射具有相對而言較小能量的激光，也可以有效地將有機轉印層140向第一電極560上轉印。另一方面，根據膨脹層150的熱膨脹系數、厚度等和像素限定膜570的厚度來調節有機轉印層140和第一電極560之間的間隔，則可以提高有機轉印層140的轉印效率。根據另一示例性的實施例，當所述供體基板包括用作抗靜電部件的抗靜電劑、抗靜電層或者透明導電層等時，可以防止在所述供體基板上產生的靜電，因此可以將有機轉印層均勻地轉印至第一電極560上。
如圖7所示，可以將所述供體基板從所述顯示基板分離出，從而可以在發光區域I的第一電極560和像素限定膜570的側壁上形成有機層圖案580。在像素限定膜570和有機層圖案580上形成第二電極590之后，在第二電極590上設置保護層(未圖示)、上部基板等，從而可以制造所述有機發光顯示裝置。根據所述有機發光顯示裝置的發光方式，第二電極590也可以通過使用具有反射性的物質或者透明導電性物來得以形成。根據本發明示例性的實施例的有機發光顯示裝置的制造方法中，可以使用具有膨脹層150的供體基板來形成有機層圖案580。所述供體基板的有機轉印層140中，在轉印至第一電極560上的部分膨脹層150的厚度是增加的，因此可以減少有機轉印層140和第一電極560之間的距離。由此可以從所述供體基板有效地分離出有機轉印層140。并且，即使照射輸出較小的激光，也可以轉印有機轉印層140，因此可以在第一電極560上有效地形成有機層圖案580。另一方面，由于所述供體基板可以包括用作抗靜電部件的抗靜電劑、抗靜電層或者透明導電層，因此可以防止在將所述供體基板的有機轉印層向所述顯示基板上轉印的期間在所述供體基板產生的靜電。從而可以由所述供體基板的有機轉印層均勻地形成所述顯示裝置的有機層圖案，因此可以改善所述有機層圖案的發光特性，并且可以提高所述有機發光顯示裝置所顯示的影像的質量。以上，說明了本發明的示例性的實施例，但是所屬技術領域的技術人員能夠明白，在不脫離所述權利要求書中說明的本發明的技術思想和技術領域的范圍內能夠對本發明進行多種修改和變形。工業可利用性根據本發明的實施例，供體基板包括膨脹層、抗靜電劑、抗靜電層或者透明導電層，從而可以由所述供體基板的有機轉印層在顯示基板上有效且均勻地形成發光性質得以提高的有機層圖案。包括這種有機層圖案的有機發光顯示裝置可以呈現出質量改善的影像，因此可以適用于如HD電視、智能手機、移動通信器械等要求高分辨率影像的多種電子器械中。
權利要求
1.一種供體基板,包括 襯底基板； 膨脹層，設置于所述襯底基板上； 光熱轉換層，設置于所述膨脹層上； 絕緣層，設置于所述光熱轉換層上；以及 有機轉印層，設置于所述絕緣層上。
2.根據權利要求I所述的供體基板，其特征在于， 所述膨脹層包含熱膨脹系數在I. 5X10_5/°C以上的物質。
3.根據權利要求2所述的供體基板，其特征在于， 所述膨脹層包含熱塑性樹脂。
4.根據權利要求3所述的供體基板，其特征在于， 所述膨脹層包含選自聚苯乙烯、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸丙酯、聚丙烯酸異丙酯、聚丙烯酸正丁酯、聚丙烯酸仲丁酯、聚丙烯酸異丁酯、聚丙烯酸叔丁酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸正丁酯、聚甲基丙烯酸正癸酯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯以及丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物中的任意一種。
5.根據權利要求3所述的供體基板，其特征在于， 所述襯底基板包含熱塑性樹脂，并且所述襯底基板和所述膨脹層形成為一體。
6.—種供體基板,包括 襯底基板； 光熱轉換層，設置于所述襯底基板的第一面上； 絕緣層，設置于所述光熱轉換層上； 有機轉印層，設置于所述絕緣層上；以及 抗靜電部件，設置于所述襯底基板或所述絕緣層。
7.根據權利要求6所述的供體基板，其特征在于， 所述抗靜電部件包含分散于所述襯底基板內的抗靜電劑。
8.根據權利要求7所述的供體基板，其特征在于， 所述抗靜電劑的含量為以所述襯底基板的重量為基準時的O. 1%至2. 0%。
9.根據權利要求7所述的供體基板，其特征在于， 所述抗靜電劑包含選自甘油單體硬脂酸酯類抗靜電物質、胺類抗靜電物質以及具有磁性的金屬氧化物的一種。
10.根據權利要求6所述的供體基板，其特征在于，所述抗靜電部件包含分散于所述絕緣層內的抗靜電劑。
11.根據權利要求6所述的供體基板，其特征在于，所述抗靜電部件包括設置于所述襯底基板的第二面上的透明導電層。
12.根據權利要求11所述的供體基板，其特征在于， 所述透明導電層包含導電性金屬氧化物或者傳導性高分子物質。
13.根據權利要求12所述的供體基板，其特征在于， 所述透明導電層包含選自聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚(3，4_乙烯基二氧噻吩)、銻錫氧化物、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鈮氧化物、鋅氧化物、鎵氧化物、錫氧化物以及銦氧化物的一種。
14.一種供體基板的制造方法，包括 形成襯底基板； 在所述襯底基板上形成膨脹層； 在所述膨脹層上形成光熱轉換層； 在所述光熱轉換層上形成絕緣層；以及 在所述絕緣層上形成有機轉印層。
15.根據權利要求14所述的供體基板的制造方法，其特征在于， 通過旋涂工序、狹縫涂布工序或者凹印涂布工序，將熱塑性樹脂涂覆于所述襯底基板上，從而形成所述膨脹層。
16.根據權利要求14所述的供體基板的制造方法，其特征在于， 使用包含熱塑性樹脂的聚對苯二甲酸乙二酯樹脂來形成所述膨脹層。
17.根據權利要求16所述的供體基板的制造方法，其特征在于， 通過實施雙軸拉伸工序來形成所述膨脹層。
18.一種供體基板的制造方法，包括 形成襯底基板； 在所述襯底基板的第一面上形成光熱轉換層； 在所述光熱轉換層上形成絕緣層； 在所述絕緣層上形成有機轉印層；以及 在所述襯底基板或所述絕緣層或者所述襯底基板的第二面上形成抗靜電部件。
19.根據權利要求18所述的供體基板的制造方法，其特征在于， 形成所述抗靜電部件的步驟包括將抗靜電劑分散于所述襯底基板內。
20.根據權利要求18所述的供體基板的制造方法，其特征在于， 形成所述抗靜電部件的步驟包括將抗靜電劑分散于所述絕緣層內。
21.根據權利要求18所述的供體基板的制造方法，其特征在于， 形成所述抗靜電部件的步驟包括在所述襯底基板的第二面上形成透明導電層。
22.—種有機發光顯示裝置的制造方法，包括 在基板上形成下部電極； 在所述下部電極上形成限定像素區域的像素限定膜； 形成供體基板，所述供體基板包括 襯底基板； 膨脹層，形成于所述襯底基板上； 光熱轉換層，形成于所述膨脹層上；以及 有機轉印層，形成于所述光熱轉換層上； 使所述有機轉印層對應于所述基板的像素區域并且將所述供體基板貼合于所述基板；以及 向與所述像素區域對應的所述供體基板照射激光，從而由所述有機轉印層在所述像素區域上形成有機層圖案。
23.根據權利要求22所述的有機發光顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述供體基板還包括形成于所述光熱轉換層和所述有機轉印層之間的絕緣層。
24.一種有機發光顯示裝置的制造方法，包括 在基板上形成下部電極； 在所述下部電極上形成限定像素區域的像素限定膜； 形成供體基板，所述供體基板包括 襯底基板； 光熱轉換層，形成于所述襯底基板的第一面上； 絕緣層，形成于所述光熱轉換層上； 有機轉印層，形成于所述絕緣層上；以及 抗靜電部件，形成于所述襯底基板或所述絕緣層或者所述襯 底基板的第二面； 使所述有機轉印層對應于所述基板的像素區域并且將所述供體基板貼合于所述基板；以及 向與所述像素區域對應的所述供體基板照射激光，從而由所述有機轉印層在所述像素區域上形成有機層圖案。
25.根據權利要求24所述的有機發光顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述抗靜電部件包括形成于所述襯底基板的第二面上的透明導電層，。
26.根據權利要求24所述的有機發光顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述抗靜電部件包含分散于所述絕緣層內的抗靜電劑。
27.根據權利要求24所述的有機發光顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述抗靜電部件包含 分散于所述襯底基板內的抗靜電劑。
全文摘要
供體基板包括襯底基板、設置于所述襯底基板上的膨脹層、設置于所述膨脹層上的光熱轉換層、設置于所述光熱轉換層上的絕緣層以及設置于所述絕緣層上的有機轉印層。所述供體基板可以向有機發光顯示裝置有效地轉印有機轉印層。
文檔編號H01L21/77GK102891263SQ20121008466
公開日2013年1月23日 申請日期2012年3月27日 優先權日2011年7月19日
發明者魯碩原 申請人:三星顯示有限公司