專利名稱：一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發明屬于顯示器制造技術領域，具體涉及一種陣列基板的制作方法、采用該方法制成的陣列基板、以及包括所述陣列基板的顯示裝置。
背景技術：
隨著顯示器制造技術的發展，液晶顯示器技術發展迅速，已經逐漸取代了傳統的 顯像管顯示器而成為未來平板顯示器的主流。目前，絕大多數液晶顯示器都是有源矩陣型液晶顯示器(AM-LCD, Active Matrix Liquid Crystal Display),其中，薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-IXD，Thin Film Transistor IXD)因具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場中占據了主導地位。由于非晶硅(a-Si)易于在低溫下大面積制備、技術成熟，是目前TFT-IXD中最廣泛應用的技術，也使得非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器成為目前TFT-LCD的主流。但是非晶硅材料的帶隙只有I. 7V，對可見光不透明，且在可見光范圍內具有光敏性，需增加不透明金屬掩模板(黑矩陣)來阻擋光線，因此增加了 TFT-IXD的工藝復雜性，提高了生產成本，降低了產品可靠性和單元像素的開口率；同時，為了獲得足夠的亮度，還需要增加背光源的光強，從而增加了產品的功耗。相對于非晶硅TFT，市場上還出現有多晶硅(poly-Si)TFT以及氫化非晶硅(a_Si:H) TFT。雖然多晶硅性能優越，但其制備工藝復雜，成本較高，同時對可見光亦不透明；而且隨著TFT性能的不斷提高，氫化非晶硅的技術已經成熟，其半導體的遷移率一般不超過Icm2 W—1 很難再有突破性的提高，且現有的氫化非晶硅TFT已經很難滿足尺寸不斷增大的液晶電視和更高性能的驅動電路的需求。1997年Ohtomo研究小組首次報道了在藍寶石襯底上制備出高結晶質量的ZnO薄膜，以及該薄膜紫外受激發射的現象，從此對ZnO這種寬帶隙半導體的研究越來越受到人們的重視。ZnO材料價格低廉、原料充足、對環境人體均無害且制備簡單。理論研究表明，II VI族的寬帶隙半導體材料在常態下為六方纖鋅礦晶體結構，熔點高、熱穩定性好、介電常數低、光電耦合系數大，室溫下禁帶寬度E = 3. 37eV，激子束60meV。其中ZnO納米結構薄膜存在很強的紫外及藍光發射，這使其在紫外光探測器件、紫外發光器件、壓電透明薄膜晶體管、表面聲波器件及太陽能電池等領域有著重要的應用前景。此外，ZnO還具有高的擊穿強度和飽和飄移速度，比Si、GaAs, CdS, GaN等大部分半導體材料的抗輻照能力更強，可以應用在高速器件和空間器件方面。基于這些優點，ZnO TFT具有取代AM-IXD中常規a-SiTFT的趨勢。現有技術中，ZnO基薄膜晶體管陣列基板一般采用4mask 6mask,即四次 六次構圖工藝完成。其中，所述四次構圖工藝包括通過一次構圖工藝形成柵電極與柵線的圖形的步驟、通過一次構圖工藝形成柵絕緣層、有源層以及源漏電極的圖形的步驟、通過一次構圖工藝形成保護層的圖形的步驟、通過一次構圖工藝形成像素電極圖形。由于每次構圖工藝均需要把掩模板圖形轉移到薄膜圖形上，且每一層圖形都需要精確的覆蓋在另一層薄膜圖形上，而在ZnO基薄膜晶體管陣列基板的制作過程中，所用到的掩模板的次數越少，則生產效率越高，生產成本越低，因此，如何進一步減少構圖工藝的次數，提高生產效率，降低生產成本是行業內亟待解決的問題。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在的上述問題，提供一種能夠進一步減少構圖工藝次數的陣列基板的制作方法、采用該方法制成的陣列基板、以及包括所述陣列基板的顯示裝置。解決本發明技術問題所采用的技術方案如下所述陣列基板的制作方法包括以下步驟 通過構圖工藝分別形成柵電極、有源層、源電極、漏電極以及像素電極的圖形，其特征在于，所述源電極、漏電極的圖形和像素電極的圖形通過一次構圖工藝形成。優選的是，所述制作方法還包括有形成柵絕緣層、保護層、數據線以及柵線的步驟；所述制作方法具體為I)在基板上形成柵電極與柵線的圖形；2)完成步驟I)的基板上依次形成柵絕緣層、有源層、像素電極、源電極、漏電極以及數據線的圖形；3)在完成步驟2)的基板上形成保護層的圖形。進一步優選的是，所述步驟2)具體為21)在所述基板上依次形成柵絕緣薄膜及有源層薄膜；22)在完成步驟21)的基板上依次形成透明導電薄膜及源漏金屬薄膜；23)在完成步驟22)的基板上形成一層光刻膠，采用半色調掩模板或灰色調掩模板對所述光刻膠進行曝光、顯影后，所述基板上形成光刻膠完全保留區域、光刻膠部分保留區域以及光刻膠完全去除區域，所述光刻膠完全保留區域對應于形成漏電極的圖形，所述光刻膠部分保留區域對應于形成像素電極的圖形，所述光刻膠完全去除區域對應于形成柵絕緣層、有源層、源電極、數據線以及TFT溝道的圖形；24)對完成步驟23)的基板進行刻蝕，形成柵絕緣層、有源層、源電極、數據線、TFT溝道以及像素電極的圖形；25)對完成步驟24)的基板進行灰化處理，灰化掉所述光刻膠部分保留區域的光刻膠，然后對所述基板再次進行刻蝕，形成漏電極的圖形。更進一步優選的是，所述步驟22)包括所述透明導電薄膜與源漏金屬薄膜采用相同的材料制成，其形成方法包括采用離子注入的方法對步驟21)形成的有源層薄膜進行表面處理，使所述有源層薄膜表面形成透明導電薄膜及源漏金屬薄膜；或者，所述透明導電薄膜與源漏金屬薄膜采用不同的材料制成，其形成方法為采用離子注入的方法對步驟21)形成的有源層薄膜進行表面處理，使所述有源層薄膜表面形成透明導電薄膜，在所述透明導電薄膜上形成源漏金屬薄膜。優選的是，所述有源層薄膜采用ZnO或In2O3制成；所述離子注入包括在ZnO制成的有源層薄膜表面摻雜In、Sn、Al、B或Ga，或者在In2O3制成的有源層薄膜表面摻雜Zn或Sn。優選的是，所述柵絕緣薄膜的厚度范圍為300nm-400nm，其采用等離子增強化學氣相沉積法并采用SiNx或SiOx制成，或者采用磁控濺射法并采用Al2O3或AIN制成；所述有源層薄膜的厚度范圍為1000A-1500A,其采用磁控濺射法制成；所述透明導電薄膜的厚度范圍為400A-600A;所述源漏金屬薄膜的厚度范圍為200nm-300nm。優選的是，所述步驟I)包括在基板上形成柵極薄膜，然后在其上形成一層光刻膠，采用掩模板對所述光刻膠進行曝光、顯影，所述光刻膠保留區域對應于形成柵電極與柵線的圖形的區域，再對暴露出來的柵極薄膜進行刻蝕，最后將所述光刻膠剝離，形成柵電極 與柵線的圖形。進一步優選的是，所述柵極薄膜采用Mo、Al或Cu的單層膜制成，或者采用AlNd合金與Mo形成的雙層膜制成；所述柵極薄膜采用濺射的方法形成。優選的是，所述步驟3)包括在完成步驟2)的基板上形成保護層薄膜，然后在其上形成一層光刻膠，采用掩模板對所述光刻膠進行曝光、顯影，所述光刻膠保留區域對應于形成保護層的圖形的區域，再對暴露出來的保護層薄膜進行刻蝕，最后將所述光刻膠剝離，形成保護層的圖形；所述保護層薄膜的厚度范圍為250nm-300nm，其采用等離子增強化學氣相沉積法并采用SiNx或SiOx制成，或者采用磁控濺射法并采用Al2O3或AIN制成。本發明同時提供一種陣列基板，所述陣列基板采用上述制作方法制成。本發明同時還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述陣列基板。有益效果I)現有技術中，ZnO基薄膜晶體管陣列基板在各次構圖工藝中都采用普通掩模板，使得源、漏電極的圖形與像素電極的圖形無法在一次構圖工藝中形成，也使得至少需要四次構圖工藝才能形成陣列基板，而本發明所述陣列基板的制作方法以及采用該方法制成的陣列基板在第二次構圖工藝中采用半色調或灰色調掩模板，使得源、漏電極的圖形與像素電極的圖形在一次構圖工藝中形成，因此本發明所述陣列基板的制作方法以及采用該方法制成的陣列基板只需采用三次構圖工藝即可完成，與現有技術相比進一步減少了構圖工藝次數、簡化了陣列基板的制作工藝，提高了生產效率、縮短了制作時間、降低了生產成本。2)現有技術一般采用沉積的方式形成透明導電薄膜，而本發明創新地采用離子注入的方法對有源層薄膜進行表面處理，在所述有源層薄膜的表面形成性能更優越的透明導電薄膜，因而省去了透明導電薄膜沉積工藝，進一步縮短了陣列基板的制造時間和生產成本。3)本發明所述陣列基板中的源、漏電極的圖形和像素電極的圖形采用同一次構圖工藝形成，像素電極和漏電極的連接無需過孔，連接性好，電學性能好。
圖I為本發明實施例I中陣列基板的制作方法的流程示意圖；圖2為本發明實施例I中進行第一次構圖工藝過程中的陣列基板的結構示意圖；其中圖2(a)為在基板上沉積了柵極薄膜之后的陣列基板的截面圖；圖2(b)為完成第一次構圖工藝之后的陣列基板的截面圖；圖3為本發明實施例I中進行第二次構圖工藝過程中的陣列基板的結構示意其中圖3(a)為在圖2(b)所示基板上沉積了柵絕緣薄膜、有源層薄膜之后的陣列基板的截面圖；圖3(b)為對圖3(a)所示的有源層薄膜進行表面處理后形成透明導電薄膜之后的陣列基板的截面圖；圖3(c)為在圖3(b)所示基板上沉積了源漏金屬薄膜之后的陣列基板的截面圖；圖3 (d)為在圖3 (C)所示基板上沉積了光刻膠，并對所述光刻膠進行曝光、顯影之后的陣列基板的截面圖；圖3(e)為對圖3(d)所示基板完成刻蝕之后的陣列基板的截面圖；圖3(f)為對圖3(e)所示基板完成灰化處理之后的陣列基板的截面圖； 圖3 (g)為對圖3 (f)所示基板完成刻蝕之后的陣列基板的截面圖；圖3 (h)為將圖3 (g)所示基板上的光刻膠剝離之后的陣列基板的截面圖；圖4為本發明實施例I中完成第三次構圖工藝之后的陣列基板的結構示意圖；其中圖4(a)為完成第三次構圖工藝之后的陣列基板的平面結構示意圖；圖4(b)為圖4(a)的A-A向截面圖。圖中1-柵電極；2_柵絕緣層；3_有源層；4_像素電極；5a_源電極；5b_漏電極；6-保護層；7_光刻膠；8_數據線；9_柵線。
具體實施例方式為使本領域技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖和具體實施方式
對本發明陣列基板的制作方法以及采用該方法制成的陣列基板作進一步詳細的描述。本發明中，所述陣列基板的制作方法包括以下步驟通過構圖工藝分別形成柵電極I、有源層3、源電極5a、漏電極5b以及像素電極4的圖形，其特征在于，所述源電極5a、漏電極5b的圖形和像素電極4的圖形通過一次構圖工藝形成。實施例I :如圖I所示，本實施例中，所述陣列基板的制作方法采用基于狹縫光刻技術的三次構圖工藝，使得源電極5a、漏電極5b的圖形和像素電極4的圖形通過一次構圖工藝形成。所述狹縫光刻技術的原理是在掩模板上設置特定尺寸的狹縫，通過產生光學衍射來控制光的透過率，從而有選擇地控制光刻膠的厚度。所述光刻膠優選采用旋涂的方法形成。所述陣列基板的制作方法具體包括如下步驟slOl.在基板上通過第一次構圖工藝形成柵電極I與柵線9的圖形。具體的，如圖2(a)、2(b)所示，在基板上沉積柵極薄膜，然后在其上涂敷一層光刻膠，采用掩模板對所述光刻膠進行曝光、顯影，其中，光刻膠保留區域對應于形成柵電極I與柵線9的圖形的區域，再對暴露出來的柵極薄膜進行刻蝕，最后通過光刻膠剝離工藝將所述光刻膠剝離，形成柵電極I與柵線9的圖形。本實施例中，所述柵極薄膜的厚度范圍為200nm-400nm,其采用金屬或ITO (IndiumTin Oxide，銦錫氧化物)制成，優選采用Mo、Al或Cu的單層膜制成，或者采用AlNd合金與Mo形成的雙層膜制成，所述柵極薄膜采用濺射的方法形成。sl02.在完成步驟SlOl的基板上通過第二次構圖工藝依次形成柵絕緣層2、有源層3、像素電極4、源電極5a、漏電極5b以及數據線8的圖形。本步驟中，所述柵絕緣層2、有源層3、像素電極4、源電極5a、漏電極5b以及數據線8的圖形是采用多步刻蝕工藝(狹縫光刻工藝的核心工藝之一)在一次構圖工藝中形成的。具體的，所述步驟sl02包括如下步驟S102-1.如圖3(a)所示，在完成步驟slOl的基板上依次沉積柵絕緣薄膜及有源層薄膜。其中，所述柵絕緣薄膜的厚度范圍為300nm-400nm，其采用等離子增強化學氣相沉 積法(PECVD, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)并米用 SiNx 或 SiOx 制成，或者采用磁控濺射法并采用Al2O3或AlN(氨化鋁)制成；所述有源層薄膜的厚度范圍為1000A-1500A,其采用磁控濺射法并采用ZnO制成。s 102-2.如圖3(b)所示，在完成步驟sl02_l的基板上形成透明導電薄膜。其中，所述透明導電薄膜的厚度范圍為400A-600A,優選為500A。所述透明導電薄膜的形成方法為采用離子注入的方法對步驟S102-1形成的有源層薄膜進行表面處理，使所述有源層薄膜表面形成透明導電薄膜，且所述透明導電薄膜全覆蓋并均勻地形成在有源層薄膜的表面上。優選所述離子注入的方法具體為在ZnO制成的有源層薄膜表面摻雜In、Sn、Al、B 或 Ga。S102-3.如圖3(c)所示，在完成步驟sl02_2的基板上沉積源漏金屬薄膜。所述源漏金屬薄膜的厚度范圍為200nm-300nm，其采用磁控濺射法并采用Cu、Mo、Al、AlNd合金或Ti的單層膜制成。s 102-4.在完成步驟s 102-3的基板上涂敷一層光刻膠7。S102-5.如圖3(d)所示，采用半色調掩模板或灰色調掩模板對所述光刻膠進行曝光、顯影，所述半色調掩模板或灰色調掩模板上設有非透射區域、部分透射區域以及透射區域，若所述光刻膠7為正性膠，則上述三個區域在所述光刻膠上分別對應形成光刻膠完全保留區域NP、光刻膠部分保留區域HP以及光刻膠完全去除區域WP ;若所述光刻膠7為負性膠，則上述區域在所述光刻膠上分別對應形成光刻膠完全去除區域WP、光刻膠部分保留區域HP以及光刻膠完全保留區域NP ;所述光刻膠完全保留區域NP的光刻膠被全部保留，其對應于形成漏電極5b的圖形，所述光刻膠部分保留區域HP的光刻膠的厚度比光刻膠完全保留區域NP的光刻膠的厚度薄，其對應于形成像素電極4的圖形，所述光刻膠完全去除區域WP的光刻膠被全部去除，其對應于形成柵絕緣層2、有源層3、源電極5a、數據線8以及TFT溝道的圖形。其中，形成光刻膠部分保留區域HP的原理是由于曝光的分別是半色調或灰色調掩模板上帶有狹縫的部分透射區域，不論所述光刻膠7為正性膠或是負性膠，所述狹縫的衍射效應與干涉效應使得曝光在該部分透射區域的光強度比曝光在透射區域的光強度弱，因此所述部分透射區域的光刻膠不如透射區域的光刻膠曝光嚴重，使得光刻膠部分保留區域HP的光刻膠的厚度比光刻膠完全保留區域NP的光刻膠的厚度薄。S102-6.如圖3(e)所示，對完成步驟sl02_5的基板進行刻蝕，形成柵絕緣層2、有源層3、源電極5a、數據線8、TFT溝道以及像素電極4的圖形。這里，由于源漏電極與像素電極采用的材料不同，為了獲得更好的刻蝕效果，優選對完成步驟S102-5的基板進行兩次刻蝕以形成上述圖形，其中，通過第一次刻蝕形成柵絕緣層2、有源層3、源電極5a、數據線8以及TFT溝道的圖形，通過第二次刻蝕形成像素電極4的圖形。S102-8.如圖3 (f)所示，對完成步驟sl02_7的基板進行灰化處理，灰化掉所述光刻膠部分保留區域HP的光刻膠。S102-9.如圖3(g)所示，對完成步驟sl02_8的基板進行刻蝕，形成漏電極5b的圖形。S102-10.如圖3 (h)所示，通過光刻膠剝離工藝將剩余的光刻膠(光刻膠完全保留區域NP的光刻膠)剝離。
sl03.在完成步驟sl02的基板上通過第三次構圖工藝形成保護層6的圖形。具體的，如圖4(a)、4(b)所示，在完成步驟sl02的基板上沉積保護層薄膜，然后在其上涂敷一層光刻膠，采用掩模板對所述光刻膠進行曝光、顯影，所述光刻膠保留區域對應于形成保護層6的圖形的區域，再對暴露出來的保護層薄膜進行刻蝕，最后將所述光刻膠剝離，形成保護層6的圖形。本實施例中，所述保護層薄膜的厚度范圍為250nm-300nm，其采用等離子增強化學氣相沉積法并采用SiNx或SiOx制成，或者采用磁控濺射法并采用Al2O3或AIN制成。如圖4(a)、圖4(b)所示，本實施例同時提供一種采用上述制作方法制成的陣列基板，其包括基板、柵線9、數據線8、以及由柵線9與數據線8彼此交叉限定的像素區域，在所述交叉處形成有，所述包括形成在基板上的柵電極1，所述柵電極I與柵線9相連接；覆蓋在柵電極I上并延伸至所述基板的暴露區域上的柵絕緣層2 ;覆蓋在柵絕緣層2上的有源層3 ;形成在有源層3上的像素電極4 ;形成在像素電極4上的源電極5a與漏電極5b，所述源電極5a與漏電極5b之間設置有TFT溝道，所述源電極5a與像素電極4相連接，所述漏電極5b與數據線8相連接；覆蓋源電極5a與漏電極5b，并延伸至暴露出的像素電極4及有源層3上的保護層6。組成所述陣列基板結構的各層與上述陣列基板的制作方法中所形成的各層的材料、厚度均相同。本實施例同時還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述陣列基板。實施例2 本實施例所述陣列基板的制作方法與實施例I所述的制作方法的區別在于I)所述有源層薄膜采用In2O3制成；所述透明導電薄膜采用在In2O3制成的有源層薄膜表面摻雜Zn或Sn的等離子注入方式形成于有源層薄膜的表面。2)所述源漏電極與像素電極采用的材料相同，即采用離子注入的方法對有源層薄膜進行表面處理，使所述有源層薄膜表面依次形成透明導電薄膜與源漏金屬薄膜。且由于源漏電極與像素電極采用的材料相同，在刻蝕形成柵絕緣層2、有源層3、源電極5a、數據線8、TFT溝道以及像素電極4的圖形時，只采用一次刻蝕即可。本實施例同時提供一種采用上述制作方法制成的陣列基板。本實施例同時還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述陣列基板。組成本實施例陣列基板結構的各層以及本實施例陣列基板的制作方法中所形成的各層的材質、厚度均與實施例I相同，不再贅述。本發明所述陣列基板的制作方法以及采用該方法制成的陣列基板只需采用三次構圖工藝即可完成，與現有技術相比進一步減少了構圖工藝次數、簡化了陣列基板的制作工藝；本發明創新地采用離子注入的方法對有源層薄膜進行表面處理，在所述有源層薄膜的表面形成性能更優越的透明導電薄膜，因而省去了透明導電薄膜沉積工藝，進一步縮短了陣列基板的制造時間和生產成本；源、漏電極的圖形和像素電極的圖形采用同一次構圖工藝形成，像素電極和漏電極的連接無需過孔，連接性好，電學性能好。本發明所述陣列基板的制作方法以及采用該方法制成的陣列基板既可應用于顯示裝置中，包括液晶顯示器、有機發光顯示器等等，例如TFT-IXD，AM-OLED(ActiveMatrix-Organic Light Emitting Diode,有源矩陣型有機發光二極管顯示器)。可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發明并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護范圍。
權利要求
1.一種陣列基板的制作方法，包括以下步驟通過構圖工藝分別形成柵電極(I)、有源層(3)、源電極(5a)、漏電極(5b)以及像素電極⑷的圖形，其特征在于，所述源電極(5a)、漏電極(5b)的圖形和像素電極(4)的圖形通過一次構圖工藝形成。
2.根據權利要求I所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括有形成柵絕緣層(2)、保護層(6)、數據線(8)以及柵線(9)的步驟； 所述制作方法具體為 1)在基板上形成柵電極⑴與柵線(9)的圖形； 2)完成步驟I)的基板上依次形成柵絕緣層(2)、有源層(3)、像素電極(4)、源電極(5a)、漏電極(5b)以及數據線⑶的圖形； 3)在完成步驟2)的基板上形成保護層￠)的圖形。
3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述步驟2)具體為 21)在所述基板上依次形成柵絕緣薄膜及有源層薄膜； 22)在完成步驟21)的基板上依次形成透明導電薄膜及源漏金屬薄膜； 23)在完成步驟22)的基板上形成一層光刻膠，采用半色調掩模板或灰色調掩模板對所述光刻膠進行曝光、顯影后，所述基板上形成光刻膠完全保留區域、光刻膠部分保留區域以及光刻膠完全去除區域，所述光刻膠完全保留區域對應于形成漏電極(5b)的圖形，所述光刻膠部分保留區域對應于形成像素電極(4)的圖形，所述光刻膠完全去除區域對應于形成柵絕緣層(2)、有源層(3)、源電極(5a)、數據線(8)以及TFT溝道的圖形； 24)對完成步驟23)的基板進行刻蝕，形成柵絕緣層(2)、有源層(3)、源電極(5a)、數據線⑶、TFT溝道以及像素電極⑷的圖形； 25)對完成步驟24)的基板進行灰化處理，灰化掉所述光刻膠部分保留區域的光刻膠，然后對所述基板再次進行刻蝕，形成漏電極(5b)的圖形。
4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述步驟22)包括 所述透明導電薄膜與源漏金屬薄膜采用相同的材料制成，其形成方法包括采用離子注入的方法對步驟21)形成的有源層薄膜進行表面處理，使所述有源層薄膜表面形成透明導電薄膜及源漏金屬薄膜； 或者，所述透明導電薄膜與源漏金屬薄膜采用不同的材料制成，其形成方法為采用離子注入的方法對步驟21)形成的有源層薄膜進行表面處理，使所述有源層薄膜表面形成透明導電薄膜，在所述透明導電薄膜上形成源漏金屬薄膜。
5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述有源層薄膜采用ZnO或In2O3制成；所述離子注入包括在ZnO制成的有源層薄膜表面摻雜In、Sn、Al、B或Ga，或者在In2O3制成的有源層薄膜表面摻雜Zn或Sn。
6.根據權利要求3-5之一所述的制作方法，其特征在于，所述有源層薄膜的厚度范圍為1000人-1500A;所述透明導電薄膜的厚度范圍為400A-600A ;所述源漏金屬薄膜的厚度范圍為200nm-300nm。
7.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述步驟I)包括在基板上形成柵極薄膜，然后在其上形成一層光刻膠，采用掩模板對所述光刻膠進行曝光、顯影，所述光刻膠保留區域對應于形成柵電極(I)與柵線(9)的圖形的區域，再對暴露出來的柵極薄膜進行刻蝕，最后將所述光刻膠剝離，形成柵電極⑴與柵線(9)的圖形。
8.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述步驟3)包括在完成步驟2)的基板上形成保護層薄膜，然后在其上形成一層光刻膠，采用掩模板對所述光刻膠進行曝光、顯影，所述光刻膠保留區域對應于形成保護層(6)的圖形的區域，再對暴露出來的保護層薄膜進行刻蝕，最后將所述光刻膠剝離，形成保護層(6)的圖形；所述保護層薄膜的厚度范圍為250nm-300nm，其采用等離子增強化學氣相沉積法并采用SiNx或SiOx制成，或者采用磁控濺射法并采用Al2O3或AIN制成。
9.一種采用權利要求1-8任一所述的制作方法制成的陣列基板。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求9所述的陣列基板。
全文摘要
本發明提供一種陣列基板的制作方法，包括以下步驟通過構圖工藝分別形成柵電極(1)、有源層(3)、源電極(5a)、漏電極(5b)以及像素電極(4)的圖形，其中，所述源電極(5a)、漏電極(5b)的圖形和像素電極(4)的圖形通過一次構圖工藝形成。相應地，提供一種采用上述方法制備的陣列基板及包括所述陣列基板的顯示裝置。本發明所述陣列基板的制作方法以及采用該方法制成的陣列基板與現有技術相比，能夠進一步減少構圖工藝次數，即只需采用三次構圖工藝，而且還省去了用于制作像素電極的透明導電薄膜的沉積工藝，因而提高了生產效率，降低了生產成本。
文檔編號H01L27/02GK102651343SQ20121007182
公開日2012年8月29日 申請日期2012年3月16日 優先權日2012年3月16日
發明者劉翔, 寧策 申請人:京東方科技集團股份有限公司