專利名稱：高頻倍壓整流模塊的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種用于高壓電源的高頻倍壓整流模塊。
背景技術：
現有的高壓倍壓整流模塊，多采用單層平面結構，單層線路板排布。整流二極管在工作時的散熱問題是制約倍壓整流電路在大功率應用的主要瓶頸。降低封裝在整流模塊內二極管與外界空氣之間的熱阻，是提高整流模塊輸出功率和電流的重要因素。
發明內容
本發明的目的是提供一種用于高壓電源的高頻倍壓整流模塊，該結構散熱效果好，耐壓性高。為實現上述目的，本發明通過以下技術方案實現高頻倍壓整流模塊，包括電容、硅堆，其特征在于，在豎直方向上，所述的電容、硅堆設計成分層結構，硅堆設置于上層和下層，電容設置于中間層；在水平方向上，由線路板將上層硅堆、中間層電容、下層硅堆劃分為多級，每級結構由兩側線路板所劃分的空間內的上層硅堆、中間層電容、下層硅堆構成，每級中的硅堆、電容通過兩側的線路板安裝，除端部的線路板外，中間的線路板為雙面連接結構；硅堆和電容采用環氧樹脂澆注成型。在每級整流結構中，2倍壓為一級，4倍壓為二級，6倍壓為三級，以此類推，12倍壓為6級。與現有技術相比，本發明的有益效果是I)散熱效果好，將發熱量大的硅堆放在外層，溫升小于20°C，可連續工作；2)耐壓效果好，分層立體結構有效增加了耐壓距離，降低了損耗。
圖I是高頻倍壓整流模塊的結構俯視圖。圖2是高頻倍壓整流模塊的結構立體圖。圖3是高頻倍壓整流模塊的內部結構俯視圖。圖4是高頻倍壓整流模塊的內部結構立體圖。圖中1_上層硅堆 2-電容 3-下層硅堆 4-環氧樹脂澆筑后的外層結構 5-線路板
具體實施例方式下面結合附圖對本發明的具體實施方式
進一步說明高頻倍壓整流模塊，電容、硅堆設計成分層結構，在豎直方向上，硅堆設置于上層和下層，電容2設置于中間層，如圖2-圖4所示的上層硅堆I、中間層電容2、下層硅堆3。在水平方向上，由線路板5將上層硅堆I、中間層電容2、下層硅堆3劃分為多級，每級結構由兩側線路板所劃分的空間內的上層硅堆、中間層電容、下層硅堆構成，每級中的硅堆、電容2 通過兩側的線路板5安裝，除端部的線路板外，中間的線路板為雙面連接結構；硅堆和電容采用環氧樹脂澆注成方形結構。在每級整流結構中，2倍壓為一級，4倍壓為二級，6倍壓為三級，以此類推，12倍壓為6級。所述高頻倍壓整流模塊的制作方法是
I.按照電路原理，設計線路中各器件參數，根據器件選取或設計需要的線路板
2.先線路將電容、線路板組裝成一個整體結構，然后焊接上下兩面的二極管；
3.在低壓中檢驗裝配完畢的模塊半成品；
4.將測試合格的模塊內部線路裝入磨具中，按規定溫度放入烘箱預熱；
5.使用配制好的環氧灌封料澆注；
6.恒溫固化；
7.環氧灌封料固化后，脫模、修邊、除脫模劑、測試，打印。
權利要求
1.高頻倍壓整流模塊，包括電容、硅堆，其特征在于，在豎直方向上，所述的電容、硅堆設計成分層結構，硅堆設置于上層和下層，電容設置于中間層；在水平方向上，由線路板將上層硅堆、中間層電容、下層硅堆劃分為多級，每級結構由兩側線路板所劃分的空間內的上層硅堆、中間層電容、下層硅堆構成，每級中的硅堆、電容通過兩側的線路板安裝，除端部的線路板外，中間的線路板為雙面連接結構；硅堆和電容采用環氧樹脂澆注成型。
全文摘要
本發明涉及一種高頻倍壓整流模塊，包括電容、硅堆，其特征在于，在豎直方向上，所述的電容、硅堆設計成分層結構，硅堆設置于上層和下層，電容設置于中間層；在水平方向上，由線路板將上層硅堆、中間層電容、下層硅堆劃分為多級，每級結構由兩側線路板所劃分的空間內的上層硅堆、中間層電容、下層硅堆構成，每級中的硅堆、電容通過兩側的線路板安裝，除端部的線路板外，中間的線路板為雙面連接結構；硅堆和電容采用環氧樹脂澆注成型。與現有技術相比，本發明的有益效果是散熱效果好，將發熱量大的硅堆放在外層，溫升小于20℃，可連續工作；耐壓效果好，分層立體結構有效增加了耐壓距離，降低了損耗。
文檔編號H01L23/367GK102593112SQ20121006799
公開日2012年7月18日 申請日期2012年3月15日 優先權日2012年3月15日
發明者張裕, 董春紅, 陳崗 申請人:鞍山雷盛電子有限公司