專利名稱：畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指一種可提升畫素開口率的畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
隨著液晶顯示技術(shù)不斷的提升，液晶顯示面板已廣泛地被應(yīng)用在平面電視、筆記型計(jì)算機(jī)、手機(jī)與各類型的消費(fèi)型電子產(chǎn)品上。一般的液晶顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)包括了畫素電極、薄膜晶體管以及交錯(cuò)排列的閘極線與資料線。薄膜晶體管則包括閘極電極、半導(dǎo)體層、源極電極與汲極電極。由于一般的源極電極與汲極電極是由與資料線相同的非透明金屬材料所形成，故在薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)考量例如通道寬長比(channel width over length)與線寬制程限制之下，薄膜晶體管在畫素結(jié)構(gòu)中的大小與設(shè)置位置都直接影響到畫素結(jié)構(gòu)中的可透光區(qū)域的大小。換句話說，畫素結(jié)構(gòu)的開口率(aperture ratio)會因?yàn)榉峭该鹘饘俨牧纤纬傻脑礃O電極與汲極電極的影響與限制而無法提升。因此，為了提升畫素結(jié)構(gòu)的開口率，以改善液晶面板的顯示質(zhì)量與降低背光源的耗電量，必須對畫素結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)進(jìn)行改良。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的之一在于提供一種畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法，利用歐姆接觸層于閘極線的兩相對的邊緣上分別形成非金屬源極圖案與汲極圖案，借以減少非透明電極圖案所占的區(qū)域，進(jìn)而達(dá)到提升畫素結(jié)構(gòu)的開口率的目的。為達(dá)上述目的，本發(fā)明的一較佳實(shí)施例提供一種畫素結(jié)構(gòu)，包括一基板、一閘極線、一資料線、一半導(dǎo)體圖案、一非金屬源極圖案、一非金屬汲極圖案以及一畫素電極。閘極線與資料線是設(shè)置于基板上。半導(dǎo)體圖案是設(shè)置于閘極在線，且半導(dǎo)體圖案是于一垂直投影方向上與閘極線的兩相對的邊緣重疊。非金屬源極圖案與非金屬汲極圖案是設(shè)置于半導(dǎo)體圖案上，且非金屬源極圖案與非金屬汲極圖案是分別設(shè)置于閘極線的兩相對的邊緣上。 非金屬源極圖案是部分設(shè)置于資料線與閘極線之間以與資料線電性連結(jié)。畫素電極是設(shè)置于基板上，且畫素電極是與非金屬汲極圖案電性連結(jié)。為達(dá)上述目的，本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例提供一種畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，包括下列步驟提供一基板；在基板上形成一間極線，并在間極在線形成一間極介電層；在間極介電層上依序形成一半導(dǎo)體層以及一歐姆接觸層，并對半導(dǎo)體層進(jìn)行一圖案化制程，以形成一半導(dǎo)體圖案；半導(dǎo)體圖案是于一垂直投影方向上與閘極線的兩相對的邊緣重疊；在歐姆接觸層與閘極介電層上形成一資料線，且資料線是與閘極線于垂直投影方向上部分重疊； 對歐姆接觸層進(jìn)行一蝕刻制程，以于間極線的兩相對的邊緣上分別形成一非金屬源極圖案與一非金屬汲極圖案；在基板上形成一畫素電極，且畫素電極是與非金屬汲極圖案電性連結(jié)。
圖1至圖4繪示了本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。圖5至圖8繪示了本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。圖9與圖10繪示了本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。圖中100畫素結(jié)構(gòu)，110基板，120閘極線，120A上表面，130閘極介電層，140半導(dǎo)體層，141半導(dǎo)體圖案，150歐姆接觸層150D非金屬汲極圖案，150S非金屬源極圖案，161資料線，162導(dǎo)電圖案，170保護(hù)層，170V接觸開口，180畫素電極，200畫素結(jié)構(gòu)，240半導(dǎo)體層，241半導(dǎo)體圖案，250歐姆接觸層，250D非金屬汲極圖案，250S非金屬源極圖案，300畫素結(jié)構(gòu)，370保護(hù)層，370V接觸開口，380畫素電極，S邊緣，Z垂直投影方向。
具體實(shí)施例方式在本說明書及后續(xù)的申請專利范圍當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定的元件。所屬領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)可理解，制作商可能會用不同的名詞來稱呼同樣的元件。本說明書及后續(xù)的申請專利范圍并不以名稱的差異來作為區(qū)別元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區(qū)別的基準(zhǔn)。在通篇說明書及后續(xù)的請求項(xiàng)當(dāng)中所提及的「包括」為一開放式的用語，故應(yīng)解釋成「包括但不限定于」。再者，為使熟習(xí)本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的一般技藝者能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，詳細(xì)說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容。需注意的是圖式僅以說明為目的，并未依照原尺寸作圖。此外，在文中使用例如”第一”與”第二”等敘述，僅用以區(qū)別不同的元件，并不對其產(chǎn)生順序的限制。請參考圖1至圖4。圖1至圖4繪示了本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。其中圖1與圖3為上視圖，圖2為沿圖1中剖線A-A’以及剖線B-B’所繪示的剖面示意圖，而圖4為沿圖3中剖線A-A’以及剖線B-B’所繪示的剖面示意圖。為了方便說明，本發(fā)明的各圖式僅為示意以更容易了解本發(fā)明，其詳細(xì)的比例可依照設(shè)計(jì)的需求進(jìn)行調(diào)整。本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法包括下列步驟。首先，如圖1與圖2所示，提供一基板110。于基板110上形成一閘極線120，且閘極線120具有兩相對的邊緣S以及一上表面120A。在本實(shí)施例中，閘極線120的兩相對的邊緣S分別為一斜坡，但本發(fā)明并不以此為限而可透過對形成閘極線120的制程步驟調(diào)整來控制邊緣S的狀況，舉例來說，在本發(fā)明的其他較佳實(shí)施例中亦可視需要使邊緣S垂直于基板110，但并不以此為限。接著，于閘極線120上形成一閘極介電層130。然后，于閘極介電層130上依序形成一半導(dǎo)體層140以及一歐姆接觸層150，并對半導(dǎo)體層140與歐姆接觸層150進(jìn)行一圖案化制程，以形成一半導(dǎo)體圖案141。本實(shí)施例的半導(dǎo)體層140可包括一非晶硅半導(dǎo)體層(amorphous silicon semiconductor layer)、一多晶娃半導(dǎo)體層(poly silicon semiconductor layer)、一氧化物半導(dǎo)體層(oxide semiconductor layer)或其他適合的半導(dǎo)體材料層，而歐姆接觸層150可包括一非金屬導(dǎo)電層例如一半導(dǎo)體摻雜層。舉例來說， 本實(shí)施例的半導(dǎo)體層140較佳可為一非晶硅半導(dǎo)體層，而歐姆接觸層150較佳可為一重?fù)诫s(heavily doped)的非晶硅層例如N型摻雜(η-type doped, N+)的非晶硅層，以與半導(dǎo)體層140互相搭配，但并不以此為限。此外，半導(dǎo)體圖案141是于一垂直投影方向Z上與閘極線120的兩相對的邊緣S重疊。垂直投影方向Z較佳是垂直于基板110，但并不以此為限。
然后，于歐姆接觸層150與閘極介電層130上形成一資料線161，且資料線161 是與閘極線120于垂直投影方向Z上部分重疊。資料線161較佳可包括金屬材料例如鋁 (aluminum, Al)、銅(copper, Cu)、銀(silver, Ag)、絡(luò)(chromium, Cr)、鐵(Titanium, Ti)、鉬(molybdenum，Mo)之其中至少一者、上述材料的復(fù)合層或上述材料的合金，但并不以此為限而可使用其他具有導(dǎo)電性質(zhì)的材料。此外，本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法更包括于歐姆接觸層150上形成一導(dǎo)電圖案162，且導(dǎo)電圖案162較佳是部分覆蓋閘極線120的一邊緣S上的歐姆接觸層150。值得說明的是，本實(shí)施例的資料線161與導(dǎo)電圖案162較佳由同一導(dǎo)電材料于同一制程步驟所形成，但并不以此為限而亦可以不同的導(dǎo)電材料與不同的制程步驟分別形成資料線161與導(dǎo)電圖案162。接著，如圖3與圖4所示，對歐姆接觸層150進(jìn)行一蝕刻制程，以于閘極線120的兩相對的邊緣S上分別形成一非金屬源極圖案150S與一非金屬汲極圖案150D。換句話說， 在本實(shí)施例中，對歐姆接觸層150進(jìn)行的蝕刻制程是在資料線161形成之后進(jìn)行，以形成非金屬源極圖案150S與非金屬汲極圖案150D。值得說明的是，上述的蝕刻制程較佳是為一非等向性蝕刻制程(anisotropic etching process)例如干式蝕刻制程(dry etching process)，以使得可在不需額外的光罩以及其對應(yīng)的黃光制程下，單純地藉由對歐姆接觸層150進(jìn)行一非等向性蝕刻制程即可于間極線120的兩相對的邊緣S上分別形成非金屬源極圖案150S與非金屬汲極圖案150D。更明確地說，由于閘極線120的厚度因素，造成其邊緣S具有高低起伏的落差，故于后續(xù)的歐姆接觸層150形成時(shí)，會造成歐姆接觸層150于閘極線120的邊緣S上方的垂直厚度較厚的現(xiàn)象。因此，利用非等向性蝕刻制程來蝕刻歐姆接觸層150時(shí)，易于閘極線120的邊緣S上方形成歐姆接觸層150的殘留，而藉由此現(xiàn)象即可單純地藉由對歐姆接觸層150進(jìn)行一非等向性蝕刻制程，于間極線120的兩相對的邊緣 S上分別形成非金屬源極圖案150S與非金屬汲極圖案150D。換句話說，本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法可在不額外增加制程步驟的狀況下，以歐姆接觸層150來形成非金屬源極圖案150S與非金屬汲極圖案150D。此外，本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法更包括形成一保護(hù)層170，以覆蓋閘極介電層130、半導(dǎo)體圖案141、非金屬源極圖案150S、非金屬汲極圖案150D、導(dǎo)電圖案162以及資料線161。保護(hù)層170具有一接觸開口 170V以部分暴露導(dǎo)電圖案162。此外，本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法更包括于基板110上形成一畫素電極180，且畫素電極180是透過接觸開口 170V與導(dǎo)電圖案162以及非金屬汲極圖案150D形成電性連結(jié)。換句話說，本實(shí)施例的非金屬汲極圖案150D是透過導(dǎo)電圖案162與畫素電極180電性連結(jié)。藉由上述步驟，即可完成如圖3所示的畫素結(jié)構(gòu)100。值得說明的是，本實(shí)施例可藉由導(dǎo)電圖案162的設(shè)置來改善非金屬汲極圖案150D與畫素電極180的電性連結(jié)狀況。此外，藉由導(dǎo)電圖案162與非金屬汲極圖案150D重疊區(qū)域大小的調(diào)整，可達(dá)到改善畫素結(jié)構(gòu)100電性表現(xiàn)的效果。在本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)100中，由于非金屬源極圖案150S與非金屬汲極圖案150D是以對歐姆接觸層150進(jìn)行蝕刻而形成于閘極線120的兩相對的邊緣S上，故除了可減小習(xí)知技術(shù)中源極電極與汲極電極對開口率的影響之外，亦可經(jīng)由縮小閘極線120的線寬達(dá)到縮小通道寬度(channel width)以進(jìn)一步提升開口率的效果，以及降低雜散電容的影響而使得相關(guān)問題得以獲得改善。請?jiān)賲⒖紙D3與圖4。如圖3與圖4所示，本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例提供一種畫素結(jié)構(gòu)100包括一基板110、一閘極線120、一閘極介電層130、一半導(dǎo)體圖案141、一非金屬源極圖案150S、一非金屬汲極圖案150D、一資料線161、一導(dǎo)電圖案162、一保護(hù)層170以及一畫素電極180。閘極線120與資料線161是設(shè)置于基板110上。半導(dǎo)體圖案141是設(shè)置于閘極線120上，且半導(dǎo)體圖案141是在垂直投影方向Z上與閘極線120的兩相對的邊緣S重疊。非金屬源極圖案150S與非金屬汲極圖案150D是設(shè)置于半導(dǎo)體圖案141上，且非金屬源極圖案150S與非金屬汲極圖案150D是分別設(shè)置于閘極線120的兩相對的邊緣S上。此夕卜，非金屬源極圖案150S是部分設(shè)置于資料線161與閘極線120之間以與資料線161形成電性連結(jié)。導(dǎo)電圖案162是設(shè)置于非金屬汲極圖案150D之上。畫素電極180是設(shè)置于基板110上，且畫素電極180是透過保護(hù)層170的一接觸開口 170V與導(dǎo)電圖案162以及非金屬汲極圖案150D電性連結(jié)。換句話說，非金屬汲極圖案150D是透過導(dǎo)電圖案162與畫素電極180電性連結(jié)。在本實(shí)施例中，非金屬源極圖案150S與非金屬汲極圖案150D較佳是僅由一非金屬導(dǎo)電層例如一半導(dǎo)體摻雜層所構(gòu)成。換句話說，本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)100較佳是僅利用非金屬源極圖案150S與非金屬汲極圖案150D分別當(dāng)作畫素結(jié)構(gòu)100中的源極電極與汲極電極，故可減小習(xí)知技術(shù)中使用非透光金屬材料的源極電極與汲極電極對開口率的影響。本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)100中各部件的材料特性已于上述的制作方法中說明，在此并不再贅述。值得說明的是，由于非金屬源極圖案150S與非金屬汲極圖案150D是設(shè)置于閘極線120的兩相對的邊緣S上，故除了可減小習(xí)知技術(shù)中使用非透光金屬材料的源極電極與汲極電極對開口率的影響之外，亦可經(jīng)由縮小閘極線120的線寬達(dá)到縮小通道寬度以進(jìn)一步提升開口率的效果，以及降低雜散電容的影響而使得相關(guān)問題得以獲得改善。此夕卜，由于非金屬源極圖案150S與非金屬汲極圖案150D是設(shè)置在閘極線120的兩相對的邊緣S上，故可在不影響開口率的狀況下增加非金屬源極圖案150S、非金屬汲極圖案150D以及半導(dǎo)體圖案141的長度而使得通道長度(channel length)得以增加，進(jìn)而改善畫素結(jié)構(gòu) 100的電性表現(xiàn)。下文將針對本發(fā)明的畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法的不同實(shí)施例進(jìn)行說明，且為簡化說明，以下說明主要針對各實(shí)施例不同的處進(jìn)行詳述，而不再對相同的處作重覆贅述。此外， 本發(fā)明的各實(shí)施例中相同的元件是以相同的標(biāo)號進(jìn)行標(biāo)示，以利于各實(shí)施例間互相對照。請參考圖5至圖8。圖5至圖8繪示了本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。其中圖5與圖7為上視圖，圖6為沿圖5中剖線C-C’以及剖線D-D’所繪示的剖面示意圖，而圖8為沿圖7中剖線C-C’以及剖線D-D’所繪示的剖面示意圖。本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法與上述第一較佳實(shí)施例不同的地方在于，如圖5與圖6所示，本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法是在閘極介電層130上依序形成一半導(dǎo)體層MO 以及一歐姆接觸層250，并對半導(dǎo)體層240與歐姆接觸層250進(jìn)行一圖案化制程，以形成一半導(dǎo)體圖案對1。半導(dǎo)體圖案241是在垂直投影方向Z上與閘極線120的兩相對的邊緣S 重疊。然后，于半導(dǎo)體圖案241形成之后，對歐姆接觸層250進(jìn)行一蝕刻制程，以于閘極線 120的兩相對的邊緣S上分別形成一非金屬源極圖案250S與一非金屬汲極圖案250D。值得說明的是，對歐姆接觸層250進(jìn)行的蝕刻制程較佳是為一非等向性蝕刻制程例如干式蝕刻制程，以使得可在不需額外的光罩以及其對應(yīng)的黃光制程下，單純地藉由對歐姆接觸層250 進(jìn)行一非等向性蝕刻制程即可于間極線120的兩相對的邊緣S上分別形成非金屬源極圖案 250S與非金屬汲極圖案250D。此外，上述的蝕刻程較佳是用以使非金屬源極圖案250S與非金屬汲極圖案250D于垂直投影方向Z上與閘極線120的一上表面120A不互相重疊，但并不以此為限。換句話說，對歐姆接觸層250所進(jìn)行的蝕刻制程較佳是僅于閘極線120的兩相對的邊緣S上殘留歐姆接觸層250以形成對應(yīng)的非金屬源極圖案250S與非金屬汲極圖案250D，進(jìn)而避免不需要的歐姆接觸層250的殘留而影響后續(xù)的電性狀況。
此外，如圖7與圖8所示，本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法系于是在屬源極圖案 250S與非金屬汲極圖案250D形成的后形成一資料線161，以部分覆蓋閘極介電層130、半導(dǎo)體圖案Ml以及非金屬源極圖案250S。換句話說，在本實(shí)施例中，對歐姆接觸層250進(jìn)行的蝕刻制程是于資料線161形成之前進(jìn)行，以于資料線161形成之前先形成非金屬源極圖案 250S與非金屬汲極圖案250D。此外，本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法更包括于非金屬汲極圖案250D上形成一導(dǎo)電圖案162。本實(shí)施例的資料線161與導(dǎo)電圖案162較佳由同一導(dǎo)電材料于同一制程步驟所形成，但并不以此為限而亦可以不同的導(dǎo)電材料與不同的制程步驟分別形成資料線161與導(dǎo)電圖案162。本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法除了對歐姆接觸層 250進(jìn)行的蝕刻制程的步驟順序以及非金屬源極圖案250S與非金屬汲極圖案250D之外，其余各制程步驟以及各部件的材料特性與上述第一較佳實(shí)施例相似，在此并不再贅述。
請?jiān)賲⒖紙D7與圖8。如圖7與圖8所示，本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例提供一種畫素結(jié)構(gòu)200，畫素結(jié)構(gòu)200與上述第一較佳實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)100不同的地方在于，非金屬源極圖案250S與非金屬汲極圖案250D較佳是與閘極線120的一上表面120A于垂直投影方向Z上不互相重疊，但并不以此為限。換句話說，本實(shí)施例的非金屬源極圖案250S與非金屬汲極圖案250D較佳僅分別與閘極線120的兩相對的邊緣S對應(yīng)設(shè)置，以降低對畫素結(jié)構(gòu)200電性的不良影響。本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)200除了非金屬源極圖案250S與非金屬汲極圖案250D之外，其余各部件的材料特性以及設(shè)置位置與上述第一較佳實(shí)施例相似，在此并不再贅述。
請參考圖9與圖10。圖9與圖10繪示了本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。其中圖9為上視圖，而圖10為沿圖9中剖線E-E’所繪示的剖面示意圖。如圖9與圖 10所示，本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例提供一種畫素結(jié)構(gòu)300包括一基板110、一閘極線120、一閘極介電層130、一半導(dǎo)體圖案Ml、一非金屬源極圖案250S、一非金屬汲極圖案250D、一資料線161、一保護(hù)層370以及一畫素電極380。本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)300與上述第二較佳實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)200不同的地方在于，畫素結(jié)構(gòu)300并不包括導(dǎo)電圖案，且保護(hù)層370具有一接觸開口 370V，以暴露非金屬汲極圖案250D。畫素電極380是透過接觸開口 370V與非金屬汲極圖案250D電性連結(jié)。換句話說，畫素電極380是直接與非金屬汲極圖案250D相連以形成電性連結(jié)。本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)300除了接觸開口 370V的位置、畫素電極380的圖形以及不具有導(dǎo)電圖案之外，其余各部件的材料特性、設(shè)置位置以及制作方式與上述第二較佳實(shí)施例相似，在此并不再贅述。值得說明的是，由于本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)300并不包括導(dǎo)電圖案，故可更進(jìn)一步達(dá)到提升畫素結(jié)構(gòu)300的開口率的效果。
綜合以上所述，本發(fā)明的畫素結(jié)構(gòu)是利用歐姆接觸層于蝕刻時(shí)易于閘極線邊緣的上方殘留的特性，使得可在不需額外的光罩以及其對應(yīng)的黃光制程下，單純地藉由對歐姆接觸層進(jìn)行一非等向性蝕刻制程即可于間極線的兩相對的邊緣上分別形成非金屬源極圖案與非金屬汲極圖案。藉由本發(fā)明的非金屬源極圖案與非金屬汲極圖案的設(shè)置方式，故除了可減小習(xí)知技術(shù)中源極電極與汲極電極對開口率的影響之外，亦可藉此縮小閘極線的線寬，而進(jìn)一步提升開口率并達(dá)到改善電性的效果。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 一基板；一閘極線，設(shè)置于該基板上； 一資料線，設(shè)置于該基板上；一半導(dǎo)體圖案，設(shè)置于該閘極在線，且該半導(dǎo)體圖案是于一垂直投影方向上與該閘極線的兩相對的邊緣重疊；一非金屬源極圖案與一非金屬汲極圖案，設(shè)置于該半導(dǎo)體圖案上，其中該非金屬源極圖案與該非金屬汲極圖案是分別設(shè)置于該間極線的兩相對的該等邊緣上，且該非金屬源極圖案是部分設(shè)置于該資料線與該閘極線之間以與該資料線電性連結(jié)；以及一畫素電極，設(shè)置于該基板上，且該畫素電極是與該非金屬汲極圖案電性連結(jié)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于該非金屬源極圖案與該非金屬汲極圖案是為一半導(dǎo)體摻雜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括一導(dǎo)電圖案設(shè)置于該非金屬汲極圖案之上，其中該非金屬汲極圖案是透過該導(dǎo)電圖案與該畫素電極電性連結(jié)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于該非金屬源極圖案與該閘極線的一上表面于該垂直投影方向上不互相重疊，且該非金屬汲極圖案與該間極線的該上表面于該垂直投影方向上不互相重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于該畫素電極是直接與該非金屬汲極圖案相連以形成電性連結(jié)。
6.一種畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括 提供一基板；在該基板上形成一間極線； 在該間極在線形成一間極介電層；在該間極介電層上依序形成一半導(dǎo)體層以及一歐姆接觸層；對該半導(dǎo)體層進(jìn)行一圖案化制程，以形成一半導(dǎo)體圖案，其中該半導(dǎo)體圖案是于一垂直投影方向上與該閘極線的兩相對的邊緣重疊；在該歐姆接觸層與該閘極介電層上形成一資料線，其中該資料線是與該閘極線于該垂直投影方向上部分重疊；對該歐姆接觸層進(jìn)行一蝕刻制程，以在該間極線的兩相對的該等邊緣上分別形成一非金屬源極圖案與一非金屬汲極圖案；以及在該基板上形成一畫素電極，其中該畫素電極是與該非金屬汲極圖案電性連結(jié)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該歐姆接觸層是為一非金屬導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于對該歐姆接觸層進(jìn)行的該蝕刻制程是在該資料線形成之后進(jìn)行，以形成該非金屬源極圖案與該非金屬汲極圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于對該歐姆接觸層進(jìn)行的該蝕刻制程是在該資料線形成之前進(jìn)行，以在該資料線形成之前先形成該非金屬源極圖案與該非金屬汲極圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于更包括在該非金屬汲極圖案上形成一導(dǎo)電圖案，其中該非金屬汲極圖案是透過該導(dǎo)電圖案與該畫素電極電性連結(jié)。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于對該歐姆接觸層進(jìn)行的該蝕刻制程是用以使該非金屬源極圖案與該非金屬汲極圖案于該垂直投影方向上與該閘極線的一上表面不互相重疊。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該畫素電極是直接與該非金屬汲極圖案相連以形成電性連結(jié)。
全文摘要
一種畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法，其中畫素結(jié)構(gòu)包括基板、閘極線、資料線、半導(dǎo)體圖案、非金屬源極圖案、非金屬汲極圖案以及畫素電極。閘極線與資料線設(shè)置于基板上。半導(dǎo)體圖案設(shè)置于閘極在線，且半導(dǎo)體圖案在垂直投影方向上與閘極線的兩相對的邊緣重疊。非金屬源極圖案與非金屬汲極圖案設(shè)置在半導(dǎo)體圖案上。非金屬源極圖案與非金屬汲極圖案分別設(shè)置于閘極線的兩相對的邊緣上，且非金屬源極圖案部分設(shè)置于資料線與閘極線之間。畫素電極與非金屬汲極圖案電性連結(jié)。另外，還提供了畫素結(jié)構(gòu)制作方法，該方法利用歐姆接觸層于閘極線的兩相對的邊緣上分別形成非金屬源極圖案與汲極圖案，借以減少非透明電極圖案所占的區(qū)域，進(jìn)而達(dá)到提升畫素結(jié)構(gòu)的開口率的目的。
文檔編號H01L29/786GK102543996SQ20121002963
公開日2012年7月4日 申請日期2012年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月10日
發(fā)明者吳國偉, 高金字 申請人:中華映管股份有限公司, 福建華映顯示科技有限公司