碳納米管的形成方法和碳納米管成膜裝置的制作方法

專利名稱：碳納米管的形成方法和碳納米管成膜裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及在具有開口部的被處理體的該開口部內進行碳納米管埋入的碳納米管的形成方法和碳納米管成膜裝置。
背景技術：
因為碳納米管具有優異的電氣特性，所以研究著在半導體設備的配線等用途中的應用。作為碳納米管膜的成膜方法，例如，在日本特開2007-252970號公報中提出了如下方案在基板上形成由Ni、Fe、Co等過渡金屬微粒構成的催化劑層，在其上由使用烴氣體和氫 氣的等離子體CVD形成碳納米管膜的方法。在該專利文獻中記載了在將催化劑金屬微粒化時，以防止微粒表面氧化、催化劑活性下降為目的，使自由基作用于催化劑金屬的表面而使其活化。

發明內容
為了將碳納米管作為導通配線使用，必須減少碳納米管的缺陷，提高每單位面積的密度。當開口部內填充的碳納米管密度低時，產生如下問題。首先，有在開口部內形成間隙、導通配線的導電性下降的問題。另外，在開口部內進行碳納米管的埋入后，例如實施由CMP (化學機械研磨)的平坦化時，還有在開口部內所填充的碳納米管脫落的問題。另外，在埋入碳納米管后，在開口部存在間隙時，因為必須以例如二氧化硅膜等埋入間隙，所以工序數增加，不能實現工業規模上有效的工藝。在上述日本特開2007-252970號公報中，只考慮了在平坦表面上的碳納米管的成膜，僅將催化劑金屬活化，是難以向導通孔等的開口部內高密度地埋入碳納米管的。本發明的課題在于解決上述現有技術的問題，提供能夠在被處理體上的導通孔或配線用槽等的開口部中高密度地埋入碳納米管的碳納米管的形成方法。本發明的碳納米管的形成方法，包括如下工序準備在表面上具有一個或多個開口部、在該開口部的底部形成有催化劑金屬層的被處理體的工序；對上述催化劑金屬層實施氧等離子體處理的工序；對實施了上述氧等離子體處理后的上述催化劑金屬層實施氫等離子體處理，將上述催化劑金屬層的表面活化的工序；和在成膜裝置的處理容器內、被處理體的上方配置具有多個貫通開口的電極構件，邊對該電極構件施加直流電壓，邊使在該電極構件的上方空間生成的等離子體中的活性種通過上述貫通開口向下方的被處理體擴散，在上述被活化的催化劑金屬層上，由等離子體CVD法使碳納米管生長，在被處理體的開口部內埋入碳納米管的工序。本發明的碳納米管的形成方法，可以在上述電極構件上施加-300V以上、OV以下范圍內的直流電壓。另外，本發明的碳納米管的形成方法，上述電極構件的上述貫通開口的直徑可以在O. 5mm以上、2mm以下的范圍內。另外，本發明的碳納米管的形成方法，在進行上述碳納米管的生長時，可以將被處理體加熱到350°C以上、550°C以下的范圍內。另外，在本發明的碳納米管的形成方法中，上述成膜裝置分別設置有向上述處理容器內導入等離子體生成氣體的第一氣體導入部和向上述處理容器內導入上述碳納米管的原料氣體的第二氣體導入部，該成膜裝置可以以如下方式構成在由上述等離子體生成氣體生成的等離子體中，混合從上述第二氣體導入部所導入的上述碳納米管的原料氣體后，該等離子體中的活性種通過上述電極構件的貫通開口。另外，在本發明的碳納米管的形成方法中，在上述氧等離子體處理、上述氫等離子體處理和上述使碳納米管生長的處理中利用的等離子體可以為微波等離子體。 另外，本發明的碳納米管的形成方法，上述微波等離子體可以為通過由具有多個微波發射孔的平面天線導入上述處理容器內的微波所激發的等離子體。另外，本發明的碳納米管的形成方法，被處理體的開口部可以為導通孔或配線用槽。另外，本發明的碳納米管的形成方法，上述開口部的寬度可以在IOnm以上、300nm以下的范圍內。另外，本發明的碳納米管的形成方法，可以是在同一處理容器內連續進行上述氧等離子體處理、上述氫等離子體處理和上述進行碳納米管生長的處理的方法。另外，本發明的碳納米管成膜裝置，具備形成對被處理體進行等離子體處理的處理空間的處理容器、在上述處理容器內載置被處理體的載置臺、向上述處理容器內導入等離子體生成氣體的第一氣體導入部、向上述處理容器內導入碳納米管的原料氣體的第二氣體導入部、
在上述處理容器內、配置在上述載置臺的上方的具有多個貫通開口的電極構件、對上述電極構件施加直流電壓的電源、和將上述處理容器內減壓排氣的排氣裝置；上述碳納米管成膜裝置以如下方式構成邊對上述電極構件施加直流電壓，邊使在該電極構件上方的空間生成的等離子體中的活性種通過上述貫通口向下方的被處理體擴散，由此在被處理體上由等離子體CVD法使碳納米管生長。本發明的碳納米管成膜裝置，以使在由上述等離子體生成氣體生成的等離子體中混合上述碳納米管的原料氣體的方式，配置有上述第一氣體導入部和上述第二氣體導入部，上述電極構件介于向上述等離子體中混合上述碳納米管的原料氣體的部位與上述載置臺之間配置。本發明的碳納米管成膜裝置，還具備配置在上述處理容器的上部、堵住上述處理空間的電介質構件、和設置在上述電介質構件的上方的、經過該電介質構件向上述處理空間導入微波的平面天線；上述第一氣體導入部以向上述電介質構件的正下方的空間導入氣體的方式配置，
上述第二氣體導入部在比上述第一氣體導入部靠近上述載置臺的位置，介于上述電介質構件與上述載置臺之間配置，上述電極構件介于上述第二氣體導入部與上述載置臺之間配置。另外，本發明的碳納米管成膜裝置，上述電極構件的上述貫通開口的直徑可以在O. 5mm以上、2mm以下的范圍內。另外，本發明的碳納米管成膜裝置，上述第一氣體導入部與含氧氣體供給源連接，上述含氧氣體供給源用于對被處理體進行氧等離子體處理，作為由上述等離子體CVD法進行碳納米管的生長之前的前處理，·所述第二氣體導入部與含氫氣體供給源連接，所述含氫氣體供給源用于對被處理體進行氫等離子體處理，作為由所述等離子體CVD法進行碳納米管的生長之前的前處理。根據本發明的碳納米管形成方法和碳納米管成膜裝置，就能夠在被處理體中形成的開口部內高密度地填充碳納米管。


圖I是示意地表示本發明的一個實施方式涉及的碳納米管成膜裝置的構成例的首1J視圖。圖2是說明圖I的成膜裝置的控制部構成例的圖。圖3是表示本發明的一個實施方式涉及的碳納米管的形成方法的流程圖。圖4是表示作為處理對象的在凹部的底面具有催化劑金屬層的晶片結構的示意圖。圖5是示意地說明在凹部中填充了碳納米管狀態的圖。圖6A是表示不對柵極電極施加電壓時的處理容器內的空間電位的圖。圖6B是表示對柵極電極施加電壓時的處理容器內的空間電位的圖。圖7是表示圖I的成膜裝置的變形例的主要部分剖視圖。圖8是表示圖I的成膜裝置的另一個變形例的圖。圖9是表示在實施例中使用的晶片的結構的示意圖。圖IOA是表示在實施例I中以400°C形成碳納米管的實驗結果的基板剖面的掃描型電子顯微鏡(SEM)照片。圖IOB是表示在實施例I中以420°C形成碳納米管的實驗結果的基板剖面的SEM照片。圖IOC是表示在實施例I中以380°C形成碳納米管的實驗結果的基板剖面的SEM照片。圖IOD是表示在實施例I中以440°C形成碳納米管的實驗結果的基板剖面的SEM照片。圖IlA是表示在實施例2中形成碳納米管的實驗中，對柵極電極施加-100V電壓時的基板剖面的SEM照片。圖IlB是表示在實施例2中形成碳納米管的實驗中，對柵極電極施加-300V電壓時的基板剖面的SEM照片。圖12是表示在實施例3中形成碳納米管的實驗中，對柵極電極施加-100V電壓時的基板剖面的SEM照片。
具體實施例方式以下，邊參照適當附圖邊說明本發明的實施方式。圖I是示意地表示能夠在本發明的一個實施方式涉及的碳納米管的形成方法中使用的成膜裝置的一個例子的剖視圖。圖I所示的成膜裝置100，可以作為使微波從平面天線的多個微波發射孔發射、能夠在處理容器內形成均勻的微波等離子體的RLSA (徑向線縫隙天線，Radial Line Slot Antenna)方式的微波等離子體處理裝置構成。因為微波等離子體是以自由基為主體的低電子溫度等離子體，所以適合于碳納米管的形成處理及作為其前處理的氧等離子體處理和活化處理。作為主要構成，該成膜裝置100具有大致圓筒狀的處理容器I ;載置臺3，載置設置在處理容器I內的作為被處理體的半導體晶片(以下，簡單記為“晶片”)W;微波導入部5，在處理容器I內導入微波；氣體供給部7，在處理容器I內導入氣體；帶電粒子控制部9，控制在處理容器I內所形成的等離子體中的帶電粒子；排氣部11，將處理容器I內排氣；和控制 部13，控制成膜裝置100的各構成部。處理容器I是接地的大致圓筒狀的容器，具有底壁Ia和側壁lb。處理容器I例如由鋁等材質形成。在處理容器I的底壁Ia的大致中央部形成有圓形的開口部15，在底壁Ia設置有與該開口部15連通、向下方突出的排氣室17。另外，在處理容器I的側壁Ib設置有用于將晶片W搬入搬出的搬入搬出口 19、和開關該搬入搬出口 19的閘閥21。載置臺3例如由AlN等的陶瓷構成。載置臺3由從排氣室17的底部中央向上方延伸的圓筒狀陶瓷制的支撐構件23支撐。在載置臺3的外緣部設置有用于引導晶片W的導向環25。另外，在載置臺3以相對于載置臺3的上表面能夠突沒的方式設置有用于將晶片W升降的升降銷(未圖示)。另外，在載置臺3的內部埋設有電阻加熱型的加熱器27。通過從加熱器電源29給該加熱器27供電，能夠經過載置臺3，加熱其上的晶片W。另外，在載置臺3中插入有熱電偶(未圖示)，能夠將晶片W的加熱溫度控制在200 650°C的范圍。在載置臺3內的加熱器27的上方，還埋設有與晶片W同等程度的電極31。該電極31被接地。微波導入部5具有平面天線33，設置在處理容器I的上部、形成有多個微波發射孔33a ;使微波發生的微波發生部35 ;由電介質構成的透射板39 ;在處理容器I的上部設置的框狀構件41 ；由調節微波波長的電介質構成的慢波板43 ;和覆蓋平面天線33和慢波板43的覆蓋構件45。另外，微波導入部5具有在平面天線33中導入由微波發生部35發生的微波的波導管47及同軸波導管49、和在波導管47與同軸波導管49之間設置的模式轉換器51。使微波透射的透射板39，由電介質構成，例如由石英或A1203、A1N等陶瓷等材質構成。透射板39由框狀構件41支撐。透射板39和框狀構件41之間由O圈等密封構件(未圖示)氣密性地密封。因此，處理容器I內保持氣密性。平面天線33例如制成為圓板狀，表面由鍍金或鍍銀的銅板、鋁板、鎳板和它們的合金等的導電性構件構成。平面天線33在透射板39的上方(處理容器I的外側)，與載置臺3的上表面(載置晶片W的面)大致平行地設置。平面天線33被卡止在框狀構件41的階梯部。平面天線33具有發射微波的多個長方形(狹縫狀)的微波發射孔33a。微波發射孔33a以規定圖案貫通平面天線33而形成。典型地，相鄰連接的微波發射孔33a以規定形狀(例如T字狀)組合成對，其再作為整體配置為同心圓狀、螺旋狀、放射狀等。微波發射孔33a的長度和排列間隔根據微波的波長(λ g)確定。在平面天線33之上設置有具有大于真空的介電常數的慢波板43。因為在真空中微波的波長變長，所以該慢波板43具有縮短微波的波長、調整等離子體的功能。作為慢波板43的材質，例如可以使用石英、聚四氟乙烯樹脂、聚酰亞胺樹脂等。以覆蓋這些平面天線33和慢波板43的方式設置有覆蓋構件45。覆蓋構件45例如以鋁或不銹鋼等金屬材料形成。在覆蓋構件45的上壁(頂部)的中央連接有同軸波導管
49。同軸波導管49具有從平面天線33的中心向上方延伸的內導體49a和在其周圍設置的外導體4%。在同軸波導管49的另一端側設置有模式轉換器51，該模式轉換器51由波導管47與微波發生部35連接。波導管47是在水平方向延伸的矩形波導管，模式轉換器51具有將以TE模式在波導管47內傳播的微波轉換為TEM模式的功能。氣體供給部7具有作為沿著處理容器I的內壁以環狀設置的第一氣體導入部的噴淋環57 ;和作為在該噴淋環57的下方、以將處理容器I內的空間上下隔開的方式設置的第二氣體導入部的噴淋板59。噴淋環57 :具有向處理容器I內空間導入氣體的氣體排出孔57a、和與該氣體排出孔57a連通的氣體流路57b，該氣體流路57b經過氣體供給配管71與第一氣體供給部7A連接。第一氣體供給部7A具有從氣體供給配管71分支的3根分支管71a、71b、71c。分支管71a連接于供給等離子體生成氣體(例如Ar氣)的等離子體生成氣體供給源73。分支管71b連接于供給氧等離子體處理中使用的含氧氣體(例如O2氣)的含氧氣體供給源75。分支管71c連接于供給不活潑氣體(例如N2氣)的不活潑氣體供給源77。另外，在分支管71a、71b、71c中，設置有未圖示的流量控制裝置和閥門。作為等離子體生成氣體，例如可以使用稀有氣體等。作為稀有氣體，例如可以使用Ar、Kr、Xe、He等。其中，特別優選使用能夠穩定地生成等尚子體的Ar。作為含氧氣體，例如可以使用02、H20、03、N2O等。作為不活潑氣體，例如可以使用N2等。來自不活潑氣體供給源77的不活潑氣體，例如用于吹掃氣體、壓力調整用氣體等的用途。噴淋板59具有例如由鋁等材質構成的俯視形成為格子狀的氣體分配構件61。該氣體分配構件61具有在該格子狀的主體部分的內部所形成的氣體流路63、和從該氣體流路63以與載置臺3相對向的方式開口的多個氣體排出孔65。另外，格子狀的氣體分配構件61具有多個貫通開口 67。在噴淋板59的氣體流路63連接有到達處理容器I的壁的氣體供給通路69，該氣體供給通路69經過氣體供給配管79與第二氣體供給部7B連接。第二氣體供給部7B具有從氣體供給配管79分支的3根分支管79a、79b、79c。分支管79a連接于供給在氫等離子體處理和碳納米管的形成中使用的含氫氣體(例如H2氣)的含氫氣體供給源81。分支管79b連接于供給作為碳納米管原料的烴氣體(例如乙烯氣體=C2H4)的烴氣體供給源83。分支管79c連接于供給不活潑氣體(例如N2氣)的不活潑氣體供給源85。另外，在分支管79a、79b、79c中，設置有未圖示的流量控制裝置和閥門。作為含氫氣體，例如可以使用H2、NH3等。作為烴氣體，例如可以使用乙烯(C2H4)、甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)、丙烷(C3H8)、丙烯(C3H6)、乙炔(C2H2)等。作為不活潑氣體，例如可以使用N2等不活潑氣體。來 自不活潑氣體供給源85的不活潑氣體，例如用于吹掃氣體、載體氣體等的用途。
帶電粒子控制部9具有作為電極構件的柵極電極87、支撐柵極電極87的支撐構件89、經過支撐構件89對柵極電極87施加直流電壓的可變直流電源91、和對可變直流電源91給予脈沖信號的脈沖發生器93。柵極電極87例如以不銹鋼、鈦、鑰等導電性材質構成，在噴淋板59下方，以覆蓋載置臺3上的晶片W的方式設置。柵極電極87具有多個貫通開口 87a。此時，為了提高開口率，例如，可以設置多個圓形的貫通開口，在各貫通開口之間再設置小的貫通開口。另外，柵極電極87的貫通開口 87a不限于圓形，也可以形成為格子狀或網狀。柵極電極87的外周到達處理容器I的內壁附近。在柵極電極87和處理容器I的內壁之間設置具有絕緣性的絕緣構件95。該絕緣構件95具有防止等離子體從柵極電極87和處理容器I的壁面的間隙泄漏的作用。但是，在能夠防止等離子體泄漏的情況下，在柵極電極87和處理容器I的內壁之間可以有間隙，也可以不設置絕緣構件95。柵極電極87妨礙可能會給晶片W表面帶來損害的電子或離子等帶電粒子通過，使自由基優勢地通過，抑制帶電粒子到達晶片W。從這樣的觀點出發，柵極電極87優選配置在晶片W的上方距離晶片W50 IlOmm左右的位置。另外，通過從可變直流電源91對柵極電 極87施加直流電壓，排斥或吸引通過柵極電極87的貫通開口 87a的電子或離子等帶電粒子，妨礙它們的直線前進，能夠更加有效地抑制帶電粒子到達晶片W。例如，通過對柵極電極87施加負的直流電壓，主要排斥電子和負離子，能夠抑制電子到達晶片W。此時，通過從脈沖發生器93施加規定的脈沖，能夠將向柵極電極87的施加電壓設定為脈沖狀。當然，也能夠不發生脈沖而施加通常的直流電壓。脈沖發生器93被用于將對柵極電極87施加的電壓設定為脈沖狀的目的。通過將脈沖狀的電壓施加于柵極電極87，能夠使晶片W的表面不帶電地進行處理。另外，如果對柵極電極87連續施加負電壓，正離子就過于加速，可能會對生長的碳納米管帶來損傷，因此出于避免該現象的目的，優選邊由脈沖發生器93控制占空比邊施加電壓。排氣部11具有排氣室17、在該排氣室17的側面設置的排氣管97和與該排氣管97連接的排氣裝置99。排氣裝置99省略圖示，但例如具有真空泵和壓力控制閥等。控制部13控制成膜裝置100的各構成部。控制部13，典型地為計算機，如圖2所示，具備具有CPU的控制器101、與該控制器101連接的用戶接口 103和存儲部105。在成膜裝置100中，控制器101是統一控制與例如溫度、壓力、氣體流量、微波功率、對柵極電極87的施加電壓等工藝條件相關的各構成部(例如，加熱器電源29、第一氣體供給部7A、第二氣體供給部7B、微波發生部35、可變直流電源91、脈沖發生器93、排氣裝置99等)的控制設備。用戶接口 103具有用于工序管理者管理成膜裝置100的進行指令輸入操作等的鍵盤或觸摸面板、可視化表示成膜裝置100的運轉狀況的顯示器等。另外，在存儲部105中保存有記錄著用于在控制器101的控制下實現由成膜裝置100所實行的各種處理的控制程序(軟件)或處理條件數據等的菜單等。然后，根據需要，按照來自用戶接口 103的指示等從存儲部105調出任意的菜單，使其在控制器101實行，從而由控制器101的控制在成膜裝置100的處理容器I內進行所希望的處理。另外，上述控制程序和處理條件數據等的菜單，可以利用被收藏在計算機能夠讀取的記錄介質107中的狀態的菜單。作為這樣的記錄介質107，例如，可以使用⑶-ROM、硬盤、軟盤、閃存等。還能夠將上述菜單從其他裝置例如通過專用線路使其傳送而利用。
在成膜裝置100中，構成為在處理容器I內，在導入微波的透射板39與噴淋板59之間的空間SI中，從噴淋環57導入等離子體生成氣體。因此，空間SI是主要進行等離子體生成的等離子體生成空間。另外，在處理容器I內，噴淋板59與柵極電極87之間的空間S2，是混合由噴淋板59所導入的氫氣或烴氣體、和在空間SI生成并通過噴淋板59的貫通開口 67下降而來的等離子體的混合空間。另外，在處理容器I內，在柵極電極87與載置臺3之間的空間S3，是使通過柵極電極87的貫通開口 87a的等離子體中的活性種、向載置臺3上的晶片W擴散的擴散空間。接著，說明在成膜裝置100中進行的碳納米管的形成方法。圖3是用于說明本發明的一個實施方式涉及的碳納米管形成方法的流程圖。其中，包含作為在碳納米管形成中必須的前處理的氧等離子體處理和氫等離子體處理。另外，在例子中列舉使用作為等離子 體生成氣體的Ar氣、作為含氧氣體的O2氣、作為含氫氣體的H2氣、作為不活潑氣體(吹掃氣體)的N2氣、作為烴氣體的C2H4的情況。首先，在步驟I中，準備在開口部底面具有催化劑金屬層的晶片W，打開閘閥21，將該晶片W搬入處理容器I內。作為此時的晶片W，如圖4所示，可以使用例如在表層附近疊層有絕緣層201和絕緣層203，在絕緣層203中形成有作為開口部的凹部205的晶片。在該絕緣層201中設置有下層配線207，形成凹部205的底壁。在該凹部205的底部的下層配線207中，疊層有底層209和催化劑金屬層211。作為凹部205，例如，包括導通孔或配線用槽等，但不限定于這些。凹部205的形成，可以由公知的光刻技術和蝕刻進行。底層209是發揮作為防止由催化劑金屬凝集造成的粗大化的膜的功能的層。作為底層209的材質，例如，可以列舉Al、Si、Ta、Ti、TaN、TiN, TiC、Al2O3' MgO等。作為形成該底層209的方法，例如，可以使用濺射法、蒸鍍法、CVD (化學氣相沉積)、鍍敷等公知的成膜技術。底層209的厚度，例如，優選為5 lOOnm。另外，在凹部209內設置阻擋金屬層時，也可以將阻擋金屬層作為底層209利用。作為構成催化劑金屬層211的金屬，例如，可以列舉Ni、Co、Fe、Ru等過渡金屬或包含這些過渡金屬的合金。作為形成該催化劑金屬層211的方法，例如，可以使用濺射法、蒸鍍法、CVD (化學氣相沉積)、鍍敷等公知的成膜技術。催化劑金屬層211的厚度，例如，優選設為O. I 2. Onm。在本實施方式中，作為埋入碳納米管的對象的凹部205的深度/寬度之比(縱橫比aspect ratio)沒有特別限定，例如，優選I以上、20以下，更優選I以上、10以下。另夕卜，凹部205的寬度，例如為IOnm以上、300nm以下，優選為20以上、300nm以下，更優選為50nm以上、300nm以下。其中，作為開口的凹部205的寬度，在凹部205為導通孔等的孔時是指直徑，在凹部205為配線槽時是指橫斷面寬度。接著，在步驟2中，在處理容器I內搬入具有圖4那樣結構的晶片W，載置在載置臺3上后，對于催化劑金屬層211實施氧等離子體處理。該處理是除去在催化劑金屬層211表面附著的有機物等制成清潔表面的處理。在步驟2中，從噴淋環57向處理容器I內導入Ar氣和O2氣，并且將在微波發生部35發生的微波經過波導管47和同軸波導管49以規定的模式導入平面天線33，經過平面天線33的微波發射孔33a、透射板39導入處理容器I內。由該微波將Ar氣和O2氣等離子體化，在晶片W表面的催化劑金屬層211的表面實施氧等離子體處理。由氧等離子體除去在金屬表面附著的有機物等的雜質，由此金屬原子變得易于運動，在催化劑金屬層211的表面發生由加熱產生的遷移，在構成催化劑金屬層211的金屬中發生適度的凝集，能夠使微粒化易于進行。即，在氧等離子體處理中，通過熱和等離子體，在催化劑金屬層211中，只賦予金屬表面的原子運動的能量，使金屬原子以一定程度聚集的島狀向附近的表面變化(將其稱為 “凝集”)。此時，最初的膜厚越薄，所形成的島的尺寸越小，例如，膜厚為Inm時,形成直徑為IOnm的微粒,膜厚為2nm時,形成直徑為20nm的微粒。從防止粒子體積增大的觀點出發，氧等離子體處理時的處理溫度，作為晶片W的溫度，例如優選設為室溫(約20°C，以下相同) 550°C，更優選室溫 350°C。從增加氧等離子體中自由基的生成的觀點出發，處理容器I內的壓力例如優選設為 66. 7 400Pa (O. 5 3Torr),更優選 133Pa 266. 6Pa (I 2Torr)。從抑制催化劑金屬層211的過度氧化的觀點出發，O2氣流量例如優選設為100 SOOmT,/min (sccm),更優選 100 200mL/min (seem)。另外，從提高等離子體中的活性種生成效率的觀點出發，Ar氣流量例如優選設為O 1000mL/min (sccm),更優選 O 200mL/min (sccm)。從在等離子體中使活性種高效生成的觀點出發，微波功率例如優選設為250W 2000W,更優選 500W 1000W。從將催化劑金屬層211的微粒化和活化設為最優的觀點出發，處理時間例如優選設為10秒 20分鐘，更優選5分鐘 10分鐘。在步驟2的氧等離子體處理時，柵極電極87作為抑制帶電粒子通過的帶電粒子通過抑制構件發揮作用。即，柵極電極87以抑制等離子體中的電子和離子到達晶片W表面的催化劑金屬層211的方式作用，主要使自由基到達。因此，能夠不給催化劑金屬層211造成由電子或離子產生的損害，而使催化劑金屬層211的金屬適度凝集。另外，通過對柵極電極87施加電壓，妨礙電子和離子等帶電粒子的直線前進，能夠更有效地抑制帶電粒子到達晶片W，因此能夠進一步提高使催化劑金屬層211的金屬適度凝集的效果。從有效抑制電子到達晶片W的觀點出發，進行步驟2的氧等離子體處理時的柵極電極87的貫通開口 87a的直徑例如優選O. 5mm以上、2mm以下的范圍內，更優選O. 5mm以上、Imm以下的范圍內。另外，從使來自等離子體的活性種的到達更有效的觀點出發，其開口率例如優選40 85%。其中，開口率是以多個貫通開口 87a的各開口部分的面積合計值相對于將柵極電極87假定為無開口的平板時的面積的百分率表示的。另外，對柵極電極87施加的電壓優選-300 300V的范圍內，但從有效地抑制電子到達晶片W的觀點出發，以負電壓為好，優選在-300 OV的范圍內。另外，作為進行該氧等離子體處理時的氣體，在O2氣以外，還可以使用H20、03、N2O
坐寸ο接著，在步驟3中進行氫等離子體處理。氫等離子體處理是接著步驟2進行的處理，其目的在于由氫等離子體還原由步驟2的氧等離子體處理氧化的催化劑金屬層211的表面，進行催化劑金屬的活化。在步驟3中，在步驟2的氧等離子體處理結束后，停止微波的供給，并且停止O2氣的供給。然后，在流動Ar氣的狀態下，將微波從微波發生部35經過波導管47和同軸波導管49導入平面天線33，經過透射板39導入處理容器I內。由該微波將Ar氣等離子體化，在等離子體被點火的時刻經過噴淋板59的氣體排出孔65將H2氣導入處理容器I內，由通過噴淋板59的貫通開口 67下降而來的Ar等離子體將H2氣等離子體化。由這樣形成的微波等離子體，在催化劑金屬層211的表面實施氫等離子體處理。通過這樣進行氫等離子體處理，能夠使催化劑金屬層211的表面活化，并且將構成催化劑金屬層211的金屬微粒化且高密度化。從防止粒子體積增大的觀點出發，該氫等離子體處理的處理溫度，作為晶片W的溫度，例如優選設為室溫 550°C，更優選室溫 350°C。該氫等離子體處理時的溫度可以與氧等離子體處理不同，但由于能夠提高生產率而優選在相同溫度進行。從增加氫等離子體中的自由基生成的觀點出發，處理容器I 內的壓力例如優選設為 66. 7 400Pa (O. 5 3Torr)，更優選 66. 7Pa 133Pa。從有效生成等離子體中的活性種的觀點出發，H2氣流量例如優選設為100 2000mL/min (sccm),更優選 300 1200mL/min (sccm)。另外，從提高等離子體中的活性種生成效率的觀點出發，Ar氣流量例如優選設為O 1000mL/min (sccm),更優選 O 200mL/min (sccm)。從在等離子體中高效生成活性種的觀點出發，微波功率例如優選設為250W 2000W,更優選 500W 1000W。從將催化劑金屬層211的微粒化和活化設為最優的觀點出發，處理時間例如優選設為10秒 20分鐘，更優選5分鐘 10分鐘。在步驟3的氫等離子體處理時，柵極電極87也作為帶電粒子通過抑制構件發揮作用。即，柵極電極87以抑制等離子體中的電子和離子到達晶片W表面的催化劑金屬層211的方式作用，主要使自由基到達。因此，能夠不給催化劑金屬層211造成由電子或離子產生的損害，主要由自由基的作用使催化劑金屬層211的表面活化，將構成催化劑金屬層211的金屬微粒化且高密度化。另外，通過對柵極電極87施加電壓，妨礙電子和離子等帶電粒子直線前進，能夠更有效地抑制帶電粒子到達晶片W，能夠進一步提高使催化劑金屬層211的表面活化、將構成催化劑金屬層211的金屬微粒化且高密度化的效果。從有效控制電子到達晶片W的觀點出發，步驟3的氫等離子體處理時的柵極電極87的貫通開口 87a的直徑，例如，優選在O. 5mm以上、2mm以下的范圍內，更優選在O. 5mm以上、Imm以下的范圍內。另外，從使來自等離子體的活性種的到達有效的觀點出發，其開口率例如優選40 85%。另外，對柵極電極87施加的電壓優選在-300 300V的范圍內，但從有效抑制電子到達的觀點出發，以負電壓為好，優選在-300 OV的范圍內。另外，作為進行該氫等離子體處理時的氣體，可以取代H2氣，使用NH3氣等的含氫氣體。接著，在步驟4中，將處理容器I內進行吹掃。即，在步驟3的氫等離子體處理之后，停止微波和H2氣，由排氣裝置99暫時將處理容器I內迅速排氣后，流動Ar氣和N2氣。步驟4的吹掃處理，例如將處理容器內的壓力設定在66. 7 400Pa(0. 5 3Torr)的條件，將N2氣流量設定在50 300mL/min (sccm)的條件,將Ar氣流量設定在300 600mL/min(sccm)的條件,將溫度作為晶片W的溫度設定在300 600°C的條件下,優選進行I 2分鐘。由吹掃處理，能夠以不活潑氣體置換處理容器I內的氣氛(在前處理中的氧、氫)，并且能夠縮短向工藝壓力的調壓時間。另外，作為吹掃氣體的N2氣，從不活潑氣體供給源77經過噴淋環57導入。接著，在步驟5中進行碳納米管的形成。在該碳納米管的形成中，步驟4的吹掃后，停止N2氣，在以規定流量流動Ar氣的狀態下，將微波從微波發生部35經過波導管47和同軸波導管49導入平面天線33，經過透射板39導入處理容器I內。由該微波將Ar氣等離子體化，在等離子體被點火的時刻經過噴淋板59的氣體排出孔65向處理容器I內導入C2H4氣和H2氣，由通過噴淋板59的貫通開口 67下降而來的Ar等離子體將C2H4氣和H2氣等離子體化。然后，邊對柵極電極87施加規定的電壓，邊由微波等離子體在催化劑金屬層211 上形成碳納米管。由此，如圖5所示，能夠在凹部205內高密度地填充碳納米管213。在步驟5的碳納米管213的形成中，能夠使碳納米管213在被活化的催化劑金屬層211的表面生長。此時，碳納米管213在保持著催化劑金屬層211的性狀的狀態下生長。因此，由步驟3的氫等離子體處理，在凹部205內被活化且被微粒化和高密度化的催化劑金屬層211上，能夠形成高密度的碳納米管213。另外，柵極電極87作為帶電粒子通過抑制構件發揮作用，能夠抑制等離子體中的電子和離子到達晶片W表面的催化劑金屬層211，而主要使自由基到達。因此，能夠不給催化劑金屬層211造成由電子或離子產生的損害，抑制結晶缺陷和雜質的導入，形成雜質少、結晶性良好的碳納米管膜。另外，通過對柵極電極87施加電壓，妨礙電子和離子等帶電粒子直線前進，能夠更有效地抑制帶電粒子到達晶片W，能夠形成雜質更少、結晶性更加良好的碳納米管膜。從實現低溫工藝的觀點出發，該碳納米管213生長處理時的處理溫度，作為晶片W的溫度例如優選設為350°C 550°C，更優選設為350°C 530°C，更加優選設為350°C 450°C。另外，該碳納米管213生長處理時的溫度，可以不同于氧等離子體處理(步驟2)和氫等離子體處理(步驟3 )，但由于能夠提高生產率而優選在相同溫度進行。更優選將碳納米管213生長處理時的溫度設為400°C 420°C，由此能夠提高在開口部內所填充的碳納米管213的密度。從增加等離子體中的自由基的生成的觀點出發，處理容器I內的壓力例如優選設為 66. 7 400Pa (O. 5 3Torr)，更優選設為 266Pa 400Pa。從在等離子體中使活性種有效生成的觀點出發，C2H4氣流量例如優選設為5 200mL/min (sccm),更優選設為 6 30mL/min (sccm)。從在等離子體中使活性種有效生成的觀點出發，H2氣流量例如優選設為100 2000mL/min (sccm),更優選設為 300 1200mL/min (sccm)。另外，從在等離子體中使活性種有效生成的觀點出發，Ar氣流量例如優選設為O 10OOmT,/min (sccm),更優選設為 O 200mL/min (sccm)。從在等離子體中使活性種有效生成的觀點出發，微波功率例如優選設為250W 2000W,更優選設為500W 1000W。從防止催化劑活性下降的觀點出發，處理時間例如優選設為I分鐘 60分鐘，更優選設為I分鐘 30分鐘。另外，在步驟5的碳納米管213的生長處理中，從有效抑制電子到達晶片W的觀點出發，柵極電極87的貫通開口 87a的直徑例如優選O. 5mm以上、2mm以下，更優選為O. 5mm以上、Imm以下的范圍內。另外，從使來自等離子體的活性種到達有效的觀點出發，該開口率例如優選40 85%。另外，對柵極電極87施加的電壓優選-300V 300V的范圍內，但從有效抑制電子到達晶片W的觀點出發，以負電壓為好，優選-300 OV的范圍內。另外，通過將柵極電極87的負電壓例如設在-300 -100V的范圍內，能夠促進碳納米管213向凹部205內的填充。另外，在碳納米管213的生長處理中，不限于乙烯(C2H4)氣體，還可以使用甲烷(CH4)氣體、乙烷(C2H6)氣體、丙烷(C3H8)氣體、丙烯(C3H6)氣體、乙炔(C2H2)氣體等其它的烴氣體。另外，作為還原氣體，不限于4氣體，還可以使用氨(NH3)等其它氣體。還可以將N2氣等不活潑氣體作為載氣或調壓氣體使用。接著，在步驟6中，在碳納米管213形成后，停止微波和氣體的供給，在調整處理容器I內的壓力后，開放閘閥21，搬出晶片W。其中，參照圖6A和圖6B說明對柵極電極87施加電壓時的作用機理。圖6A表示不對柵極電極87施加電壓時的處理容器I內的空間電位。圖6B表不對柵極電極87施··加-100V電壓時的處理容器I內的空間電位。如圖6A所示，不對柵極電極87施加電壓時，從噴淋板59至晶片W之間沒有電位差，不對電子和離子那樣的帶電粒子產生電作用。另一方面，如圖6B所示，對柵極電極87施加-100V時，柵極電極87因為相對于接地的噴淋板59和晶片W (載置臺3)具有負電位，所以電子和負離子等帶負電的帶電粒子變得難以到達晶片W。另外，在圖I中表示在帶電粒子控制部9中配備有一個柵極電極87的狀態，但也可以配備多個柵極電極87。例如，如圖7所示，可以將2個柵極電極87A、87B上下重疊配備。各柵極電極87A、87B的構成與圖I的情況相同。另外，與圖I同樣，能夠在柵極電極87A、87B與處理容器I的內壁之間分別設置絕緣構件95但這也不是必須的。這樣，通過使用2個以上柵極電極87，能夠更加提高選擇性地使電子、離子等帶電粒子通過的效果。另外，在圖7所示的構成例中，柵極電極87A、87B分別與可變直流電源91A、9IB和脈沖發生器93A、93B連接。對柵極電極87A、87B中的一個或兩個施加電壓，能夠更有效地防止電子、離子等帶電粒子到達晶片W。在碳納米管的形成中，相比于設置一個柵極電極87的情況，通過設置兩個以上柵極電極87，能夠形成雜質更少、結晶性更良好的碳納米管。另夕卜，在氧等離子體處理和氫等離子體處理中，通過設置兩個以上柵極電極87，能夠更加提高使催化劑金屬層211的金屬適度凝集的效果和使催化劑金屬層211的表面活化、將構成催化劑金屬層211的金屬微粒化且高密度化的效果。另外，作為控制電子、離子等帶電粒子到達晶片W表面的帶電粒子控制部的另一個構成例，例如，如圖8所示，可以使載置臺3連接可變直流電源109和脈沖發生器111。此時，例如通過對載置臺3施加負的直流電壓，晶片W具有負電壓，排斥電子和負離子，能夠控制得使其難以到達晶片W的表面。接著，列舉實施例，更詳細地說明本發明，但本發明不受這些制約。實施例I :如圖9所示，使用在Si基板301上疊層形成的SiO2層303A、303B的上側的SiO2層303B中，作為開口部形成有作為直徑約200nm的圓形孔的凹部305的晶片W。在SiO2層303A.303B之間以70nm的厚度形成有由TiN構成的底層307，在凹部305的底面，在底層307上以2nm的厚度形成有Ni催化劑層309。另外，在SiO2層303B的表面形成有SiCN層311。將該晶片W搬入與圖I的成膜裝置100具有同樣構成的成膜裝置的處理容器內，以下述條件依次進行氧等離子體處理、氫等離子體處理后，將處理容器內進行吹掃，然后使碳納米管在凹部305內生長。另外，在實驗中使用的柵極電極使用的是不銹鋼材質的、貫通開口直徑2mm、貫通開口高度(柵極電極的厚度)O. Imm的電極。<氧等離子體處理的條件>處理溫度400 °C處理壓力267Pa(2Torr)處理氣體
O2 氣10OmT,/mi η (sccm)Ar 氣450mL/miη (sccm)微波功率IkW向柵極電極的施加電壓OV處理時間10分鐘<氫等離子體處理的條件>處理溫度400 O處理壓力66.7Pa (O. 5Torr)處理氣體H2 氣462mL/min (sccm)Ar 氣450mL/miη (sccm)微波功率IkW向柵極電極的施加電壓OV處理時間30秒鐘<吹掃處理的條件>處理溫度400°C處理壓力400Pa(3Torr)處理氣體N2 氣200mL/min (sccm)Ar 氣450mL/min (sccm)向柵極電極的施加電壓OV處理時間2分鐘<碳納米管生長處理的條件>處理溫度380V、400 V、420 V、440 V處理壓力400Pa(3Torr)處理氣體C2H4 氣6. 3mL/min (sccm)H2 氣370mL/min (sccm)Ar 氣450mL/miη (sccm)微波功率0. 5kW向柵極電極的施加電壓-100V
處理時間30分鐘在圖IOA 圖IOD中表不以掃描型電子顯微鏡(SEM)將這樣操作使其生長的碳納米管的剖面照相的結果。圖IOA和圖IOB是碳納米管生長處理中的處理溫度分別為400°C和420°C的情況。如這些圖所示可知，在處理溫度400 420°C的條件下，碳納米管被高密度填充在開口部(凹部)內。另一方面，圖IOC和圖IOD是碳納米管生長處理中的處理溫度分別為380°C和440°C的情況。可知相比于圖IOA和圖IOB的情況，在這些條件下，碳納米管的生長速度慢。實施例2:接著，研究對柵極電極施加電壓的影響。使用與實施例I同樣的裝置和方法，使對柵極電極施加的電壓變化，使碳納米管生長。在本實施例中，在碳納米管生長處理中將處理溫度設為470°C，對柵極電極施加-100V或-300V的電壓。其它條件設為與實施例I中 表不的條件相同。圖IlA是以掃描型電子顯微鏡(SEM)將對柵極電極施加的電壓為-100V時的碳納米管剖面照相的照片，圖IlB是以掃描型電子顯微鏡(SEM)將對柵極電極施加電壓-300V時的碳納米管剖面照相的照片。由這些結果可知，通過提高柵極電極的負電壓，能夠提高碳納米管的填充密度。實施例3:接著，使用與實施例I同樣的裝置和方法，研究被處理體的開口部形成為直線(橫長的槽)的情況。在本實施例中，使用形成有開口部的寬度為IOOnm的槽的基板,在碳納米管生長處理中將處理溫度設為420°C，除此以外，以與實施例I中表示的條件相同的條件，將對柵極電極施加的電壓設為-100V，使碳納米管生長。其結果，如圖12所示，能夠以高填充率在槽內埋入碳納米管。這樣，可知不僅能夠使碳納米管填充在導通孔用的開口部，而且也能夠填充在溝槽用的開口部中。從以上的實驗結果，確認了使用微波等離子體成膜裝置100，在形成有催化劑金屬層的晶片的開口部進行氧等離子體處理和氫等離子體處理(活化處理)后，再調整向柵極電極87的施加電壓等的條件，進行等離子體CVD，由此能夠在開口部內高密度地形成碳納米管。如上，通過對于在開口部的底部具有催化劑金屬層的晶片W進行氧等離子體處理、氧等離子體處理(活化處理)后，進行等離子體CVD，能夠在開口部內使高密度的碳納米管生長。即，在氧等離子體處理中，將形成在開口部底部的催化劑金屬層的表面清潔化，預先使由加熱產生的遷移易于發生。接著，由氫等離子體處理(活化處理)，預先使催化劑金屬層的表面活化，將構成催化劑金屬層的金屬微粒化且高密度化。這樣，通過使碳納米管在微粒化和高密度化的催化劑金屬層上生長，能夠在開口部內高密度地填充碳納米管。另外，在圖I的成膜裝置中，因為在噴淋板59與晶片W之間設置有柵極電極87，所以主要使自由基作用于催化劑金屬層，能夠抑制由電子和離子等產生的結晶缺陷和雜質導入。因此，能夠形成雜質少、結晶性良好的碳納米管。另外，通過對柵極電極87施加電壓，能夠進一步提聞該效果。在本實施方式中，為了由微波等離子體進行處理，能夠進行以本質上高密度、低電子溫度的自由基為主體的等離子體處理，能夠有效地利用上述特長。特別通過使用能夠生成在微波等離子體中也是高密度且低電子溫度等離子體的RLSA微波等離子體方式的成膜裝置100，能夠以低損害進行碳納米管的生長。以上，以例示的目的詳細說明了本發明的實施方式，但本發明不受上述實施方式制約。本領域技術人員能夠在不脫離本發明思想和范圍作出多種改變，這些也包含在本發明的范圍內。例如，在上述實施方式中，例示了以RLSA微波等離子體方式的等離子體處理裝置進行氧等離子體處理、活化處理、碳納米管形成處理的例子，但也可以使用其它的微波等離子體方式，不限于微波等離子體，例如，也可以使用誘導耦合等離子體、電容耦合等離子體等其它方式的等離子體。另外，在上述實施方式中，使用了能夠在一個處理容器內連續有效地進行氧等離子體處理、氫等離子體處理(活化處理)、碳納米管形成處理的成膜裝置100，但也可以在各個處理容器內分別進行氧等離子體處理、氫等離子體處理和碳納米管的形成。此時，可以使用能夠在各工序中使用的處理容器內，在真空條件下依次搬入、搬出連續處理I片晶片W的多室成膜裝置(組合裝置)。
另外，就晶片W的結構而言，開口部和配線的形狀也不限于圖4中所例示的形狀。另外，作為被處理體的基板，也不限于半導體晶片，例如，也可以使用平板顯示器用基板和太陽能電池用基板等。本國際申請是主張基于2010年4月30日申請的日本特許出愿(專利申請)2010-105456號的優先權的國際申請，在這里引用該申請的全部內容。
權利要求
1.一種碳納米管的形成方法，其特征在于，包括 準備在表面具有一個或多個開口部、在該開口部的底部形成有催化劑金屬層的被處理體的工序； 對所述催化劑金屬層實施氧等離子體處理的工序； 對實施了所述氧等離子體處理后的所述催化劑金屬層實施氫等離子體處理，將所述催化劑金屬層的表面活化的工序；和 在成膜裝置的處理容器內、在被處理體的上方配置具有多個貫通開口的電極構件，邊對該電極構件施加直流電壓，邊使在該電極構件的上方空間生成的等離子體中的活性種通過所述貫通開口向下方的被處理體擴散，在所述被活化的催化劑金屬層上，由等離子體CVD法使碳納米管生長，由此在被處理體的開口部內埋入碳納米管的工序。
2.如權利要求I所述的碳納米管的形成方法，其特征在于 對所述電極構件施加-300V以上、OV以下范圍內的直流電壓。
3.如權利要求I所述的碳納米管的形成方法，其特征在于 所述電極構件的所述貫通開口的直徑在0. 5mm以上、2mm以下的范圍內。
4.如權利要求I所述的碳納米管的形成方法，其特征在于 在進行所述碳納米管的生長時，將被處理體加熱到350°C以上、550°C以下的范圍內。
5.如權利要求I所述的碳納米管的形成方法，其特征在于 所述成膜裝置分別設置有向所述處理容器內導入等離子體生成氣體的第一氣體導入部、和向所述處理容器內導入所述碳納米管的原料氣體的第二氣體導入部，所述成膜裝置以如下方式構成，在由所述等離子體生成氣體生成的等離子體中，混合從所述第二氣體導入部所導入的所述碳納米管的原料氣體之后，該等離子體中的活性種通過所述電極構件的貫通開口。
6.如權利要求I所述的碳納米管的形成方法，其特征在于 在所述氧等離子體處理、所述氫等離子體處理和所述使碳納米管生長的處理中利用的等離子體為微波等離子體。
7.如權利要求6所述的碳納米管的形成方法，其特征在于 所述微波等離子體為通過由具有多個微波發射孔的平面天線導入所述處理容器內的微波所激發的等離子體。
8.如權利要求I所述的碳納米管的形成方法，其特征在于 被處理體的開口部為導通孔或配線用槽。
9.如權利要求I所述的碳納米管的形成方法，其特征在于 所述開口部的寬度在IOnm以上、300nm以下的范圍內。
10.如權利要求I所述的碳納米管的形成方法，其特征在于 在同一處理容器內連續進行所述氧等離子體處理、所述氫等離子體處理和所述進行碳納米管的生長的處理。
11.一種碳納米管成膜裝置，其特征在于 其具備形成對被處理體進行等離子體處理的處理空間的處理容器、 在所述處理容器內載置被處理體的載置臺、 向所述處理容器內導入等離子體生成氣體的第一氣體導入部、向所述處理容器內導入碳納米管的原料氣體的第二氣體導入部、 在所述處理容器內、配置在所述載置臺的上方的具有多個貫通開口的電極構件、 對所述電極構件施加直流電壓的電源、和 將所述處理容器內減壓排氣的排氣裝置； 所述碳納米管成膜裝置以如下方式構成邊對所述電極構件施加直流電壓，邊使在該電極構件上方的空間生成的等離子體中的活性種通過所述貫通口向下方的被處理體擴散，由此在被處理體上由等離子體CVD法使碳納米管生長。
12.如權利要求11所述的碳納米管成膜裝置，其特征在于 以使在由所述等離子體生成氣體生成的等離子體中混合所述碳納米管的原料氣體的方式，配置有所述第一氣體導入部和所述第二氣體導入部， 所述電極構件介于向所述等離子體中混合所述碳納米管的原料氣體的部位與所述載置臺之間配置。
13.如權利要求11所述的碳納米管成膜裝置，其特征在于 其還具備配置在所述處理容器的上部、堵住所述處理空間的電介質構件、和 設置在所述電介質構件的上方、經過該電介質構件向所述處理空間導入微波的平面天線. 所述第一氣體導入部以向所述電介質構件的正下方的空間導入氣體的方式配置，所述第二氣體導入部在比所述第一氣體導入部靠近所述載置臺的位置，介于所述電介質構件與所述載置臺之間配置， 所述電極構件介于所述第二氣體導入部與所述載置臺之間配置。
14.如權利要求11所述的碳納米管成膜裝置，其特征在于 所述電極構件的所述貫通開口的直徑在0. 5mm以上、2mm以下的范圍內。
15.如權利要求11所述的碳納米管成膜裝置，其特征在于 所述第一氣體導入部與含氧氣體供給源連接，所述含氧氣體供給源用于對被處理體進行氧等離子體處理，作為由所述等離子體CVD法進行碳納米管的生長之前的前處理， 所述第二氣體導入部與含氫氣體供給源連接，所述含氫氣體供給源用于對被處理體進行氫等離子體處理，作為由所述等離子體CVD法進行碳納米管的生長之前的前處理。
全文摘要
準備在表面具有一個或多個開口部、在該開口部底面形成有催化劑金屬層的被處理體(步驟1)。對催化劑金屬層實施氧等離子體處理(步驟2)，再對催化劑金屬層實施氫等離子體處理，將催化劑金屬層的表面活化(步驟3)。然后，根據需要進行吹掃處理(步驟4)之后，在催化劑金屬層上由等離子體CVD使碳納米管生長，以碳納米管將被處理體的開口部內填充(步驟5)。
文檔編號H01L23/52GK102712477SQ201180005724
公開日2012年10月3日 申請日期2011年4月28日 優先權日2010年4月30日
發明者小泉建次郎, 杉浦正仁, 松本貴士, 柏木勇作 申請人:東京毅力科創株式會社