專利名稱：晶圓處理裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種晶圓處理裝置。
背景技術：
晶圓生產過程中，晶圓表面會形成盲孔。晶圓表面的盲孔內易儲存氣泡。氣泡的存在會影響電鍍質量。因為存在氣泡，電鍍液難以到達盲孔內，由于電鍍液無法到達盲孔內，因此盲孔內表面無法達到電鍍要求。因此，為提高電鍍質量，需要處理晶圓以去除盲孔內的氣泡。并且需要在電鍍之前使用潤濕液潤濕晶圓。但現有技術中，去除晶圓盲孔內氣泡的方法復雜，去除氣泡效果不夠理想。在去除盲孔內氣泡的處理過程中及潤濕過程中，需要固定晶圓，以免損壞晶圓。晶圓大規模生產過程中，需要每一步操作都能快速、節省時間。晶圓由于厚度薄，因此在大部分處理過程中需要夾具固定。但現有技術中的夾具結構復雜，使用不便，裝夾及拆卸不方便，操作時間長、工序多、效率低。
實用新型內容本實用新型的目的是為了克服現有技術中的不足，提供一種結構簡單、能夠將晶圓固定于容腔內的晶圓處理裝置。為實現以上目的，本實用新型通過以下技術方案實現晶圓處理裝置，其特征在于，包括槽體，所述槽體設置有容腔；所述容腔內設置有支架。優選地是，所述支架具有一弧形邊，所述弧形邊的中部設置有沿支架高度方向延伸的第一定位槽；所述第一定位槽一側或兩側設置有第二定位槽；所述第二定位槽設置于弧形邊上且沿支架高度方向延伸；所述第一定位槽高度大于第二定位槽高度。優選地是，所述支架數目為兩個，兩個支架間隔設置。優選地是，所述槽體設置有可打開的密封槽蓋，所述密封槽蓋密封容腔。優選地是，所述槽體設置有抽真空管，所述抽真空管與容腔連通。優選地是，所述的槽體上安裝有用于檢測容腔內真空度的檢測儀。優選地是，所述槽體還安裝有進液管和出液管，所述進液管與出液管均與容腔連通。優選地是，還包括晶圓夾具，所述晶圓夾具包括基板，所述基板中部設置有第一通孔；基板正面設置有兩個以上的第一定位柱，兩個以上的第一定位柱沿圓周方向分布；所述第一定位柱端部設置有用于壓住晶圓的第一端頭；所述第一端頭與基板正面具有與晶圓厚度相適應的距離；還包括至少一個可運動的第二定位柱；所述第二定位柱具有可壓住晶圓的第二端頭；所述第二端頭與基板正面具有與晶圓厚度相適應的距離；所述第二定位柱可運動地設置在基板上；所述第二定位柱在第二端頭可壓住晶圓的位置與第二端頭不壓住晶圓的位置之間移動。優選地是，所述第二定位柱可沿轉軸轉動地設置在基板上，所述轉軸安裝于基板上。優選地是，所述的基板設置有導向槽，所述第二定位柱設置于導向槽內并可在導向槽內移動。優選地是，所述轉軸與第二定位柱通過連桿連接。優選地是，還包括定位銷，所述定位銷設置于基板上并位于轉軸與第二定位柱之間；所述定位銷與所述連桿可拆卸連接。優選地是，所述連桿設置在基板背面；所述基板設置有第二通孔，第二通孔位于轉軸與導向槽之間；所述定位銷穿過第二通孔與連桿可拆卸連接。優選地是，所述的定位銷與連桿螺紋連接。優選地是，兩個以上的第一定位柱形成的圓周弧度小于180度；所述第二定位柱·移動至壓住晶圓的位置處時，第二定位柱與兩個以上的第一端頭沿圓周方向分布；且第二定位柱與兩個以上的第一定位柱形成的圓周弧度大于180度。優選地是，所述基板至少一個側面間隔設置兩個第三定位柱；兩個第三定位柱中的一個位于第一定位槽內，另一個位于第二定位槽內。優選地是，所述基板相對的兩側面對稱設置有四個第三定位柱，每一側設置有兩個第三定位柱。優選地是，位于同一側的兩個第三定位柱之間的距離，小于等于第一定位槽槽底與第二定位槽槽底的距離。優選地是，所述基板設置有第三通孔。優選地是，所述的基板正面設置有導流槽，所述導流槽延伸至第一通孔。優選地是，所述第一端頭與基板正面之間具有第一卡槽；所述第二端頭與基板正面之間具有第二卡槽。本實用新型中的晶圓處理裝置，結構簡單，使用方便。利用抽真空去除晶圓盲孔內的氣泡，去除率高。去除氣泡后，利用容器內真空度低可自動將潤濕液吸入容腔內，無需泵送裝置輸送潤濕液，操作簡便。本實用新型中使用的晶圓夾具，結構簡單，裝夾及拆卸晶圓時間短，工序少，節省時間。基板設置有第一通孔，可對晶圓正面及背面進行處理，基板不影響對晶圓背面的處理。利用第三定位柱與第一定位槽、第二定位槽配合，晶圓夾具可穩固地設置在支架上，可降低損壞晶圓的風險。
圖I為本實用新型正視圖。圖2為圖I的A-A剖視圖。圖3為本實用新型中使用的晶圓夾具正視圖。圖4為本實用新型中使用的晶圓夾具使用狀態立體圖。圖5為本實用新型中使用的晶圓夾具使用狀態正視圖。圖6為本實用新型中使用的晶圓夾具使用狀態側視圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型進行詳細的描述[0034]如圖I、圖2及圖3所示，晶圓處理裝置20，包括密封槽蓋21及槽體22。槽體22設置有容腔23。密封槽蓋21可打開地安裝在槽體22上端。密封槽蓋21關閉時，使容腔23成為密閉空間。槽體22設置有抽真空管24，抽真空管24與槽體20內部的容腔23連通。槽體22上安裝有用于檢測容腔23內真空度的檢測儀27。槽體22上還安裝有進液管25和出液管26。進液管25與出液管26均與容腔23連通。容腔23內設置有兩個支架15 (圖中示出一個)。兩個支架15結構相同，間隔設置。支架15具有一弧形邊151。弧形邊151的中部設置有沿支架15高度方向延伸的第一定位槽16。第一定位槽16兩側分別設置有兩個第二定位槽17(圖中示出了三個)。第二定位槽17設置于弧形邊151上且沿支架15高度方向延伸。第一定位槽43高度H大于第二定位槽17高度h。晶圓夾具50兩側分別固定在兩個支架15上。晶圓夾具50上固定有晶圓10。如圖3、圖4、圖5及圖6所示，晶圓夾具50，包括基板I。所述基板I中部設置有第一通孔2。基板I正面設置有四個第一定位柱3，四個第一定位柱3沿圓周方向分布；第一定位柱3端部設置有用于壓住晶圓10的第一端頭31。第一端頭31與基板I正面11具有與晶圓10厚度相適應的距離，形成卡槽32。第二定位柱4具有可壓住晶圓10的第二端頭41。第二端頭41與基板I正面11具有與晶圓10厚度相適應的距離，形成卡槽42。基板I上安裝有轉軸5。基板I背面設置有連桿6，連桿6 —端與轉軸5連接，另一端與第二定位柱4連接。基板I設置有貫穿的導向槽7。第二定位柱4設置于導向槽7內并可在導向槽7內運動。隨著第二定位柱4移動，第二端頭41既可以移動至壓住晶圓10的位置，也可以移動至不壓住晶圓10的位置。基板I設置有第二通孔8，第二通孔8位于轉軸5與導向槽7之間。定位銷9穿過第二通孔8與連桿6螺紋連接。基板I正面11設置有導流槽14。基板I相對的兩側面對稱設置有四個第三定位柱12，每一側面設置兩個。基板I還設置有第三通孔13。使用時，首先將晶圓10固定在晶圓夾具50上。如圖4、圖5所示，晶圓10放置在基板I正面。由于四個第一定位柱3形成的弧度小于180度，因此，晶圓10邊緣可插入四個第一端頭31與基板I正面11之間，即插入四個第一卡槽32內。四個第一端頭31可壓住晶圓10邊緣，可限制晶圓10朝與基板I的正面11垂直的方向移動，但無法限制晶圓10沿與正面11平行的方向移動。使連桿6繞轉軸5轉動，帶動第二定位柱4移動至第二端頭41壓住晶圓10的邊緣的位置。使用定位銷9與連桿6螺紋連接，使連桿6無法轉動，則第二定位柱4位置固定。由于第二端頭41與四個第一端頭31形成的弧度大于180度，因此，第二端頭41與四個第一端頭31可完全將晶圓10限制在基板I的正面11上而無法移動。晶圓10固定在基板I上后，可用手或者機械裝置穿過第三通孔13，移動基板I至使用位置。對晶圓10處理工藝完成后，反向操作可將晶圓10拆下。在清洗晶圓10或電鍍晶圓10的過程中，清洗液或電鍍液處于流動狀態，為防止流動的清洗液或電鍍液對晶圓10的背面沖擊力過大，設置導流槽14。沖向晶圓10背面的清洗液或電鍍液可以從導流槽14分流，避免了清洗液或電鍍液無法分流而對晶圓10背面沖擊力過大損壞晶圓的風險。設置第三定位柱12，有助于定位基板I。晶圓10固定在基板I上后，再將基板I放入容腔23內，使左右兩側的下方的第三定位柱23分別位于兩個支架15的第一定位槽16內。基板I兩側的上方的兩個第三定位柱23分別位于兩個支架15的第二定位槽17內。調整基板I兩側的上方的兩個第三定位柱23，使其分別位于沿圓周方向的不同第二定位槽17內，可以調節夾具I和晶圓10的傾斜角度，這樣可以獲得不同的處理效果。本實用新型中的實施例僅用于對本實 用新型進行說明，并不構成對權利要求范圍的限制，本領域內技術人員可以想到的其他實質上等同的替代，均在本實用新型保護范圍內。
權利要求1.晶圓處理裝置，其特征在于，包括槽體，所述槽體設置有容腔；所述容腔內設置有支架。
2.根據權利要求I所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述支架具有一弧形邊，所述弧形邊的中部設置有沿支架高度方向延伸的第一定位槽；所述第一定位槽一側或兩側設置有第二定位槽；所述第二定位槽設置于弧形邊上且沿支架高度方向延伸；所述第一定位槽高度大于第二定位槽高度。
3.根據權利要求2所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述支架數目為兩個，兩個支架間隔設置。
4.根據權利要求I所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述槽體設置有可打開的密封槽蓋，所述密封槽蓋密封容腔。
5.根據權利要求I所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述槽體設置有抽真空管，所述抽真空管與容腔連通。
6.根據權利要求5所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述的槽體上安裝有用于檢測容腔內真空度的檢測儀。
7.根據權利要求5所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述槽體還安裝有進液管和出液管，所述進液管與出液管均與容腔連通。
8.根據權利要求I所述的晶圓處理裝置，其特征在于，還包括晶圓夾具，所述晶圓夾具包括基板，所述基板中部設置有第一通孔；基板正面設置有兩個以上的第一定位柱，兩個以上的第一定位柱沿圓周方向分布；所述第一定位柱端部設置有用于壓住晶圓的第一端頭；所述第一端頭與基板正面具有與晶圓厚度相適應的距離；還包括至少一個可運動的第二定位柱；所述第二定位柱具有可壓住晶圓的第二端頭；所述第二端頭與基板正面具有與晶圓厚度相適應的距離；所述第二定位柱可運動地設置在基板上；所述第二定位柱在第二端頭可壓住晶圓的位置與第二端頭不壓住晶圓的位置之間移動。
9.根據權利要求8所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述第二定位柱可沿轉軸轉動地設置在基板上，所述轉軸安裝于基板上。
10.根據權利要求9所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述的基板設置有導向槽，所述第二定位柱設置于導向槽內并可在導向槽內移動。
11.根據權利要求10所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述轉軸與第二定位柱通過連桿連接。
12.根據權利要求11所述的晶圓處理裝置，其特征在于，還包括定位銷，所述定位銷設置于基板上并位于轉軸與第二定位柱之間；所述定位銷與所述連桿可拆卸連接。
13.根據權利要求12所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述連桿設置在基板背面；所述基板設置有第二通孔，第二通孔位于轉軸與導向槽之間；所述定位銷穿過第二通孔與連桿可拆卸連接。
14.根據權利要求13所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述的定位銷與連桿螺紋連接。
15.根據權利要求8所述的晶圓處理裝置，其特征在于，兩個以上的第一定位柱形成的圓周弧度小于180度；所述第二定位柱移動至壓住晶圓的位置處時，第二定位柱與兩個以上的第一端頭沿圓周方向分布；且第二定位柱與兩個以上的第一定位柱形成的圓周弧度大于180度。
16.根據權利要求8所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述基板至少一個側面間隔設置兩個第三定位柱；兩個第三定位柱中的一個位于第一定位槽內，另一個位于第二定位槽內。
17.根據權利要求16所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述基板相對的兩側面對稱設置有四個第三定位柱，每一側設置有兩個第三定位柱。
18.根據權利要求16所述的晶圓處理裝置，其特征在于，位于同一側的兩個第三定位柱之間的距離，小于等于第一定位槽槽底與第二定位槽槽底的距離。
19.根據權利要求8所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述基板設置有第三通孔。
20.根據權利要求8所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述的基板正面設置有導流槽，所述導流槽延伸至第一通孔。
21.根據權利要求8所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述第一端頭與基板正面之間具有第一卡槽；所述第二端頭與基板正面之間具有第二卡槽。
專利摘要本實用新型公開了一種晶圓處理裝置，其特征在于，包括槽體，所述槽體設置有容腔；所述容腔內設置有支架。本實用新型中的晶圓處理裝置，結構簡單，使用方便。利用抽真空去除晶圓盲孔內的氣泡，去除率高。去除氣泡后，利用容器內真空度低可自動將潤濕液吸入容腔內，無需泵送裝置輸送潤濕液，操作簡便。本實用新型中使用的晶圓夾具，結構簡單，裝夾及拆卸晶圓時間短，工序少，節省時間。基板設置有第一通孔，可對晶圓正面及背面進行處理，基板不影響對晶圓背面的處理。利用第三定位柱與第一定位槽、第二定位槽配合，晶圓夾具可穩固地設置在支架上，可降低損壞晶圓的風險。
文檔編號H01L21/67GK202487545SQ201120573868
公開日2012年10月10日 申請日期2011年12月31日 優先權日2011年12月31日
發明者劉紅兵, 王振榮, 陳概禮 申請人:上海新陽半導體材料股份有限公司