專利名稱：一種大電流晶體管封裝結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種大電流晶體管封裝結構。
背景技術：
現有的大電流大功率晶體管均采用T0-220封裝，一般是在引線框架的芯片部放置芯片，芯片與引線框架的管腳鍵合，用塑封料將其封裝。采用T0-220封裝可以裝載大尺寸的芯片，但是芯片在通電后由于大電流而產生高熱量容易導致晶體管溫度不斷上升，從而導致晶體管的漏電、下降時間等參數發生改變使得晶體管溫度更高，當晶體管溫度升到150度時其基本失效且無法恢復。故有必要發明一種能夠降低晶體管溫度的封裝結構。
發明內容鑒于現有技術的不足，本實用新型的目的在于提供一種能降低晶體管溫度的大電流晶體管封裝結構。為了實現上述目的，本實用新型的技術方案是一種大電流晶體管封裝結構，其特征在于，包括一引線框架，該引線框架由大散熱片制作而成，該引線框架具有一散熱固定部、一芯片部、一中間管腳以及兩側管腳，該散熱固定部、芯片部和中間管腳連為一體，該芯片部呈等腰梯形狀；一芯片，該芯片設置于引線框架的芯片部正面中間，該芯片分別經金屬焊絲與兩側管腳電性連接；一膠體，該膠體包覆引線框架的芯片部、中間管腳的根部、兩側管腳的根部、金屬焊絲以及芯片。進一步地，該散熱固定部與芯片部上底的連接頸部正面開設有一第一橫槽；該第一橫槽為兩層槽，上層槽為條形槽，下層槽為燕尾槽。進一步地，該芯片部的兩面均沿下底和兩腰開設有一 U型槽，該些U型槽的橫截面
呈V字形。進一步地，該芯片部下底和兩腰的邊緣均呈凹凸狀，該些邊緣的中間呈尖狀凸起。進一步地，該中間管腳和兩側管腳的根部正面開設有兩第二橫槽，根部背面開設有一第二橫槽，該些第二橫槽的橫截面均呈V字形。進一步地，該金屬焊絲為鋁線。與現有技術相比較，本實用新型具有以下優點該封裝結構具有高熱傳導功能，可大大提升產品工作效率以及延長使用壽命。晶體管的溫度降低對積層電路效率有正面的影響(I) 75N75是N溝道改進模式電流電力場效應；(2)穩定的斷路狀態的特征的場效應晶體管；(3)快速的交換速度；(4)低熱變電路。可在電信和計算機應用領域推廣使用。
圖I為本實用新型實施例的主視示意圖。圖2為本實用新型實施例的右視示意圖。圖3為圖2中A-A處的剖視示意圖。、[0014]圖4為本實用新型引線框架的主視示意圖。圖5為圖4中B處的放大示意圖。圖6為圖4中C-C處的剖視示意圖。圖7為本實用新型引線框架的左視示意圖。圖8為圖7中D處的放大示意圖。圖9為圖7中E處的放大示意圖。圖中1-引線框架，1-1-散熱固定部，1-2-芯片部，1-3-中間管腳，1_4_側管腳，1-5-連接頸部，2-75N75芯片，3-金屬焊絲，4-膠體，5-第一橫槽，6-U型槽，7-第二橫槽。
具體實施方式
以下結合附圖和實施例對本實用新型做進一步的闡述。參考圖廣3，以場效應管75N75芯片的封裝為例一種大電流晶體管封裝結構，包括一引線框架1，該引線框架I由大散熱片制作而成，該引線框架I具有一散熱固定部1-1、一芯片部1-2、一中間管腳1-3以及兩側管腳1-4，該散熱固定部1-1、芯片部1-2和中間管腳1-3連為一體，該芯片部1-2呈等腰梯形狀；一 75N75芯片2，該75N75芯片2設置于引線框架I的芯片部1-2正面中間，該75N75芯片2分別經金屬焊絲3與兩側管腳1_4電性連接；一膠體4，該膠體4包覆引線框架I的芯片部1-2、中間管腳1-3的根部、兩側管腳1-4的根部、金屬焊絲3以及75N75芯片。在本實施例中，由于引線框架I是由大散熱片制作而成，故該引線框架I具有高熱傳導功能，能及時傳導75N75芯片由于大電流而產生的高熱，以提升晶體管的工作效率并延長使用壽命。75N75芯片的電性功率特性80A、75V，溫度降低對積層電路效率有正面的影響(I) 75N75是N溝道改進模式電流電力場效應；(2)穩定的斷路狀態的特征的場效應晶體管；(3)快速的交換速度；(4)低熱變電路。75N75芯片封裝結構具有以下特點RDS(ON) =9. 5πιΩ，VGS=IOV,極端低扎充電(典型的117Nc)，快速的開關能力，低反向調整電容(CRSS=TYPICAL 240PF)，墜落能量被改進的dv/dt能力，高耐用性。參考圖Γ9，該散熱固定部1-1與芯片部1-2上底的連接頸部1-5正面開設有一第一橫槽5 ;該第一橫槽5為兩層槽,上層槽為條形槽,下層槽為燕尾槽。該芯片部1-2的兩面均沿下底和兩腰開設有一 U型槽6，該些U型槽6的橫截面呈V字形。該芯片部1-2下底和兩腰的邊緣均呈凹凸狀，該些邊緣的中間呈尖狀凸起。該中間管腳1-3和兩側管腳1-4的根部正面開設有兩第二橫槽7以及根部背面開設有一第二橫槽7，該些第二橫槽7的橫截面均呈V字形。這些溝槽和凹凸結構可增強膠體4與引線框架I的結合強度和密封性，從而抗機械沖擊、耐熱疲勞以及避免濕氣、腐蝕性氣體對芯片的侵蝕。在本實施例中，該散熱固定部1-1和芯片部1-2的厚度為I. 27_左右，該散熱固定部1-1和芯片部1-2的長度和為14. 93mm左右，該芯片部1_2的長度為7. 85mm左右，該鏈接頸部寬度為O. 787mm左右，該些管腳的厚度為O. 5mm左右，該些管腳位于散熱固定部
1-1的正面上方I. 93mm左右，該膠體4的厚度為4. 57mm左右以及長度為11. 03mm左右，該75N75芯片的尺寸為4. 2X5. 2mm2。該些U型槽6和第二橫槽7的V字形橫截面的夾角為60° 90°，可選取 60°、80° 或 90°。參考圖f 3，一種大電流晶體管封裝結構的制作方法，包括提供一引線框架1，該、引線框架I由大散熱片制作而成，該引線框架I具有一散熱固定部1-1、一芯片部1-2、一中間管腳1-3以及兩側管腳1-4，該散熱固定部1-1、芯片部1-2和中間管腳1-3連為一體，該芯片部1-2呈等腰梯形狀；提供一 75N75芯片2，采用焊錫材料將75N75芯片2的背部焊接于引線框架I的芯片部1-2正面中間，該75N75芯片2的背材為背銀，采用鋁線將75N75芯片2的源極與一側管腳1-4電性連接以及將75N75芯片2的漏極與另一側管腳1_4電性連接；形成一膠體4，以包覆引線框架I的芯片部1-2、中間管腳1-3的根部、兩側管腳1-4的根部、金屬焊絲3以及75N75芯片2。參考圖Γ9，在散熱固定部1-1與芯片部1-2上底的連接頸部1-5正面開設一第 一橫槽5,該第一橫槽5為兩層槽,上層槽為條形槽,下層槽為燕尾槽；在芯片部1-2的兩面沿下底和兩腰分別開設一 U型槽6，該些U型槽6的橫截面呈V字形；該芯片部1-2下底和兩腰的邊緣均呈凹凸狀，該些邊緣的中間呈尖狀凸起；在中間管腳1-3和兩側管腳1-4的根部正面開設兩第二橫槽7以及根部背面開設一第二橫槽7，該些第二橫槽7的橫截面均呈V字形。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，凡依本實用新型申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應屬本實用新型的涵蓋范圍。
權利要求1.一種大電流晶體管封裝結構，其特征在于，包括 一引線框架，該引線框架由大散熱片制作而成，該引線框架具有ー散熱固定部、ー芯片部、一中間管腳以及兩側管腳，該散熱固定部、芯片部和中間管腳連為一體，該芯片部呈等腰梯形狀； ー芯片，該芯片設置于引線框架的芯片部正面中間，該芯片分別經金屬焊絲與兩側管腳電性連接； ー膠體，該膠體包覆引線框架的芯片部、中間管腳的根部、兩側管腳的根部、金屬焊絲以及芯片。
2.根據權利要求I所述的大電流晶體管封裝結構，其特征在于該散熱固定部與芯片部上底的連接頸部正面開設有一第一橫槽。
3.根據權利要求2所述的大電流晶體管封裝結構，其特征在于該第一橫槽為兩層槽，上層槽為條形槽，下層槽為燕尾槽。
4.根據權利要求I或2所述的大電流晶體管封裝結構，其特征在于該芯片部的兩面均沿下底和兩腰開設有ー U型槽。
5.根據權利要求4所述的大電流晶體管封裝結構，其特征在于該些U型槽的橫截面呈V字形。
6.根據權利要求4所述的大電流晶體管封裝結構，其特征在于該芯片部下底和兩腰的邊緣均呈凹凸狀，該些邊緣的中間呈尖狀凸起。
7.根據權利要求I所述的大電流晶體管封裝結構，其特征在于該中間管腳和兩側管腳的根部正面開設有兩第二橫槽，根部背面開設有一第二橫槽。
8.根據權利要求7所述的大電流晶體管封裝結構，其特征在于該些第二橫槽的橫截面均呈V字形。
9.根據權利要求I所述的大電流晶體管封裝結構，其特征在于該金屬焊絲為鋁線。
專利摘要本實用新型涉及一種大電流晶體管封裝結構，其特征在于，包括一引線框架，該引線框架由大散熱片制作而成，該引線框架具有一散熱固定部、一芯片部、一中間管腳以及兩側管腳，該散熱固定部、芯片部和中間管腳連為一體，該芯片部呈等腰梯形狀；一芯片，該芯片設置于引線框架的芯片部正面中間，該芯片分別經金屬焊絲與兩側管腳電性連接；一膠體，該膠體包覆引線框架的芯片部、中間管腳的根部、兩側管腳的根部、金屬焊絲以及芯片。本實用新型具有高熱傳導功能，可大大提升產品工作效率以及延長使用壽命。
文檔編號H01L23/367GK202384322SQ201120538379
公開日2012年8月15日 申請日期2011年12月21日 優先權日2011年12月21日
發明者呂德祥 申請人:福建福順半導體制造有限公司