專利名稱：一種廣角發光二極管的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及ー種半導體發光器件，特別是ー種廣角發光二極管。
背景技術：
目前，在日常生活應用中，大量地使用發光二極管(light emitting diode，LED)。一般的發光二極管的原理是在連有發光二極管晶片的兩個電極端子之間施加電壓，晶片中PN結的空穴與電子轉移結合產生能量并發光。發光二極管具有發光效率高、體積小、壽命長、污染低等特性，于照明、背光以及顯示燈領域 具有廣闊的應用前景。通常發光二極管的主要結構為芯片、連接在芯片上的正負極管腳以及密封包覆晶片的封裝，負極管腳的上端為長條形柱，其上端為ー倒梯形的負極片，負極片的上端有ー凹槽，發光二級的芯片安裝在凹槽內，正極腳管為ー較短的長條形柱，其上端與負極片保持適當距離，發光二極管的芯片用ー導線與正極片連接，封裝為透明環氧樹脂將正負極腳管上的正負極片連通位與凹槽內的晶片封裝為ー個整體從而成為發光二極管成品。發光二極管的發光體為晶片，為常規意義上的電光源，采用發光二極管為光源通常會存在ー個最亮的發光點，使得近距離的光照區域內的均勻性不強，局部過亮，從而影響作為背光光源的使用和發光效果。
發明內容為解決上述問題，本實用新型公開了ー種發光二極管，通過在封裝的導光柱內加入擴散粒子，利用擴散粒子與導光柱的折射率不同所導致的反射、折射等實現了光照強度的均勻分布。本實用新型公開的廣角發光二極管，包括芯片、電極和封裝，封裝為沿中軸開設有倒錐臺形凹槽的柱體，封裝的底面上有凸臺，凸臺的面積小于封裝的柱體面積，芯片安裝在凹槽的底部，連接在芯片上的電極伸出封裝的柱體外表面，并沿外壁彎折向底部的凸臺，廣角發光二極管還包括摻有擴散粒子的導光柱，導光柱設置在凹槽內，將芯片密封在封裝內。通過本實用新型公開的廣角發光二極管，采用在導光柱內參入擴散粒子方法，利用擴散例的漫反射以及擴散粒子與導光柱的材料因而折射率不同所帯來的折射和全反射，增強了ニ極管晶片發出光在導光柱內的擴散和分散能力，使得ニ極管發射的光線的均勻性增加，視角變大，進而提高背光效果。本實用新型公開的廣角發光二極管的一種改進，擴散粒子是直徑為5微米的小球。本改進通過采用5微米尺寸的擴散粒子，在有效地提高光照均勻性的同時，還避免出現由于擴散粒子尺寸過小所帯來的霧化效果和擴散粒子尺寸過大所導致的光強直線衰減。本實用新型公開的廣角發光二極管的又一種改進，凸臺與封裝同軸設置。本改進將凸臺與封裝同軸設置有效地降低了ニ極管的封裝和加工難度，提高產品的成品率保證ニ極管的規格的同一性和穩定性，降低生產成本。本實用新型公開的廣角發光二極管的又一種改進，封裝上至少設置有I個導熱孔。本改進通過在封裝上設置導熱孔，有效地提高了 ニ極管在使用過程中的散熱性能，從而避免因溫度過高而對ニ極管的發光效率產生影響，從而提高了發光二極管對能源的利用和
轉化率。本實用新型公開的廣角發光二極管的又一種改進，導熱孔內填充有導熱膠。本改進通過在導熱孔內填充導熱膠，很大地提高了發光二極管封裝的散熱和導熱能力，提高發光二極管的散熱性能，降低了ニ極管發熱對晶片發光效率的影響。本實用新型公開的廣角發光二極管采用在導光柱內摻入5微米擴散粒子與填充導熱膠的導熱孔的結構以及將凸臺和封裝同軸設置的結構，利用擴散例的漫反射以及擴散粒子與導光柱的材料因而折射率不同所帯來的折射和散射，增強了ニ極管芯片發出的光在導光柱內的擴散和分散能力，使得ニ極管發射的光線均勻性増加，進而提高背光效果的同時利用填充在導熱管內的導熱膠提高了發光二極管的散熱性能，從而避免因溫度過高而對 ニ極管的發光效率產生影響，從而提高了發光二極管對能源的利用和轉化率。
圖I、本實用新型公開的ー種廣角發光二極管。附圖標明列表I、芯片；2、電極；3、封裝；4、凸臺；5、擴散粒子；6、導光柱；7、導熱孔；8、導熱膠；9、凹槽
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施方式
，進ー步闡明本實用新型，應理解下述具體實施方式
僅用于說明本實用新型而不用于限制本實用新型的范圍。如圖I所示，本實用新型公開的廣角發光二極管，包括芯片I、電極2和封裝3，封裝3為沿中軸開設有倒錐臺形凹槽9的柱體，封裝3的底面上有凸臺4，凸臺4的面積小于封裝3的柱體面積，芯片I安裝在凹槽9的底部，連接在芯片I上的電極2伸出封裝3的柱體外表面，并沿外壁彎折向底部的凸臺4，廣角發光二極管還包括摻有擴散粒子5的導光柱6，導光柱6設置在凹槽9內，將芯片I密封在封裝3內。通過本實用新型公開的廣角發光ニ極管，采用在導光柱內參入擴散粒子方法，利用擴散例的漫反射以及擴散粒子與導光柱的材料因而折射率不同所帯來的折射和全反射，增強了ニ極管晶片發出光在導光柱內的擴散和分散能力，使得ニ極管發射的光線的均勻性增加，進而提高背光效果。作為ー種優選，擴散粒子5是直徑為5微米的小球。通過采用5微米尺寸的擴散粒子，在有效地提高光照均勻性的同時，還避免出現由于擴散粒子尺寸過小所帯來的霧化效果和擴散粒子尺寸過大所導致的光強直線衰減。作為ー種優選，凸臺4與封裝3同軸設置。通過將凸臺與封裝同軸設置有效地降低了ニ極管的封裝和加工難度，提高產品的成品率保證ニ極管的規格的同一性和穩定性，降低生產成本。作為ー種優選，封裝3上至少設置有I個導熱孔7。通過在封裝上設置導熱孔，有效地提高了ニ極管在使用過程中的散熱性能，從而避免因溫度過高而對ニ極管的發光效率產生影響，從而提高了發光二極管對能源的利用和轉化率。[0020]作為ー種優選，導熱孔7內填充有導熱膠8。通過在導熱孔內填充導熱膠，很大地提高了發光二極管封裝的散熱和導熱能力，提高發光二極管的散熱性能，降低了ニ極管發熱對晶片發光效率的影響。本發明方案所公開的技術手段不僅限于上述技術手段所公開的技術手段，還包括由以上技術特征任意組合所組成的技術方案。本實用新型公開的廣角發光二極管采用在導光柱內摻入5微米擴散粒子與填充導熱膠的導熱孔的結構以及將凸臺和封裝同軸設置的結構，利用擴散例的漫反射以及擴散 粒子與導光柱的材料因而折射率不同所帯來的折射和全反射，增強了ニ極管晶片發出光在導光柱內的擴散和分散能力，使得ニ極管發射的光線的均勻性增加，進而提高背光效果的同時利用填充在導熱管內的導熱膠提高了發光二極管的散熱性能，從而避免因溫度過高而對ニ極管的發光效率產生影響，從而提高了發光二極管對能源的利用和轉化率。
權利要求1.ー種廣角發光二極管，包括芯片、電極和封裝，所述封裝為沿中軸開設有倒錐臺形凹槽的柱體，封裝的底面上有凸臺，凸臺的面積小于封裝的柱體面積，芯片安裝在凹槽的底部，連接在芯片上的電極伸出封裝的柱體外表面，并沿外壁彎折向底部的凸臺，其特征在干所述的廣角發光二極管還包括摻有擴散粒子的導光柱，導光柱設置在凹槽內，將芯片密封在封裝內。
2.根據權利要求I所述的廣角發光二極管，其特征在于所述的擴散粒子是直徑為5微米的小球。
3.根據權利要求I所述的廣角發光二極管，其特征在于所述的凸臺與封裝同軸設置。
4.根據權利要求I所述的廣角發光二極管，其特征在于所述的封裝上至少設置有I個導熱孔。
5.根據權利要求4所述的廣角發光二極管，其特征在于所述的導熱孔內填充有導熱膠。
專利摘要本實用新型公開了一種廣角發光二極管，包括芯片、電極和封裝，封裝為沿中軸開設有倒錐臺形凹槽的柱體，封裝的底面上有凸臺，凸臺的面積小于封裝的柱體面積，芯片安裝在凹槽的底部，連接在芯片上的電極伸出封裝的柱體外表面，并沿外壁彎折向底部的凸臺，廣角發光二極管還包括摻有擴散粒子的導光柱，導光柱設置在凹槽內，將芯片密封在封裝內。本實用新型解決的技術問題在與發光二級光中心光點所造成的背光照射不均勻。通過本實用新型公開的發光二級光有效地避免了發光二極管中心光點的出現，提高了發光二極管的發光均勻度。
文檔編號H01L33/58GK202395032SQ20112051157
公開日2012年8月22日 申請日期2011年12月9日 優先權日2011年12月9日
發明者丁川, 于振波, 朱長進 申請人:南京燦華光電設備有限公司