專(zhuān)利名稱(chēng)：一種高效晶體硅太陽(yáng)電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及的是一種太陽(yáng)電池，尤其是一種高效晶體硅電池太陽(yáng)電池。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，公知的技術(shù)是現(xiàn)有的太陽(yáng)電池下表面大多沒(méi)有鈍化層，晶硅太陽(yáng)電池正面鍍氮化硅減反射起到有效地鈍化作用，但是背面復(fù)合嚴(yán)重，缺陷眾多，增加了少子復(fù)合，降低了太陽(yáng)電池對(duì)長(zhǎng)波的響應(yīng)，這是現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足之處。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的，就是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足，而提供一種高效晶體硅電池太陽(yáng)電池的技術(shù)方案，該方案的太陽(yáng)電池具有良好的金屬歐姆接觸，金屬化區(qū)域濃擴(kuò)散區(qū)結(jié)深大，反向漏電流小，載流子復(fù)合低，提高對(duì)短波響應(yīng)，并且能減少了少子的復(fù)合，增加了太陽(yáng)電池對(duì)長(zhǎng)波的響應(yīng)。本方案是通過(guò)如下技術(shù)措施來(lái)實(shí)現(xiàn)的一種高效晶體硅太陽(yáng)電池，包括有P型晶體娃襯底，在P型晶體娃襯底上表面設(shè)置有金屬柵電極和減反射膜，在P型晶體娃襯底下表面設(shè)置有背電極和背電場(chǎng)，本方案特點(diǎn)是在所述減反射膜和P型晶體硅襯底之間設(shè)置有N型選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)層，所述的N型選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)層包括低濃度擴(kuò)散區(qū)和高濃度擴(kuò)散區(qū)，所述的低濃度擴(kuò)散區(qū)設(shè)置在減反射膜和P型晶體硅襯底之間，所述的高濃度擴(kuò)散區(qū)設(shè)置在金屬柵電極和P型晶體硅襯底之間，所述的背電場(chǎng)和P型晶體硅襯底之間設(shè)置有鈍化層，所述的減反射膜是SiNx、Si02/SiNx或Si02/Si02/SiNx，所述的鈍化層是SiNx、AI203、SiO2, Si02/SiNx、SiC/SiNx、a_Si/Si02 或 a-Si/SiC。本方案的有益效果可根據(jù)對(duì)上述方案的敘述得知，由于在該方案中在所述減反射膜和P型晶體硅襯底之間設(shè)置有N型選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)層，N型選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)具有良好的金屬歐姆接觸，金屬化區(qū)域濃擴(kuò)散區(qū)結(jié)深大，燒結(jié)過(guò)程中金屬等雜質(zhì)不易進(jìn)入耗盡區(qū) 形成深能級(jí)，反向漏電流小，并聯(lián)電阻高，并且載流子復(fù)合低；光照區(qū)域摻雜濃度低，提高對(duì)太陽(yáng)電池對(duì)短波響應(yīng)；所述的背電場(chǎng)和P型晶體硅襯底之間設(shè)置有鈍化層，減低了少子的復(fù)合，增加了太陽(yáng)電池對(duì)長(zhǎng)波的響應(yīng)。由此可見(jiàn)，本實(shí)用新型的太陽(yáng)電池可以有效地提高短波和長(zhǎng)波的光譜響應(yīng)，進(jìn)而提高短路電流密度，實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換效率的提高，與現(xiàn)有技術(shù)相t匕，具有實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和進(jìn)步，其實(shí)施的有益效果也是顯而易見(jiàn)的。
圖I為本實(shí)用新型具體實(shí)施方式
的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，I為P型晶體硅襯底，2為金屬柵電極，3為減反射膜，4為背電極，5為背電場(chǎng)，6為低濃度擴(kuò)散區(qū)，7為高濃度擴(kuò)散區(qū)，8為鈍化層。
具體實(shí)施方式
[0008]為能清楚說(shuō)明本方案的技術(shù)特點(diǎn)，下面通過(guò)一個(gè)具體實(shí)施方式
，并結(jié)合其附圖，對(duì)本方案進(jìn)行闡述。通過(guò)附圖可以看出，本方案的高效晶體硅太陽(yáng)電池，包括有P型晶體硅襯底1，在P型晶體硅襯底I上表面設(shè)置有金屬柵電極2和減反射膜3，在本實(shí)施例中，減反射膜3為SiNx膜，在P型晶體硅襯底I下表面設(shè)置有背電極4和背電場(chǎng)5，在所述減反射膜3和P型晶體硅襯底I之間設(shè)置有N型選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)層，所述的N型選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)層包括低濃度擴(kuò)散區(qū)6和高濃度擴(kuò)散區(qū)7，所述的低濃度擴(kuò)散區(qū)6設(shè)置在減反射膜3和P型晶體 硅襯底I之間，所述的高濃度擴(kuò)散區(qū)7設(shè)置在金屬柵電極2和P型晶體硅襯底I之間，所述的背電場(chǎng)5和P型晶體硅襯底I之間設(shè)置有鈍化層8，本實(shí)施例中所述的鈍化層8是SiNx層。
權(quán)利要求1.一種聞效晶體娃太陽(yáng)電池，包括有P型晶體娃襯底，在P型晶體娃襯底上表面設(shè)置有金屬柵電極和減反射膜，在P型晶體硅襯底下表面設(shè)置有背電極和背電場(chǎng)，其特征是在所述減反射膜和P型晶體硅襯底之間設(shè)置有N型選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)層，所述的N型選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)層包括低濃度擴(kuò)散區(qū)和高濃度擴(kuò)散區(qū)，所述的低濃度擴(kuò)散區(qū)設(shè)置在減反射膜和P型晶體硅襯底之間，所述的高濃度擴(kuò)散區(qū)設(shè)置在金屬柵電極和P型晶體硅襯底之間，所述的背電場(chǎng)和P型晶體硅襯底之間設(shè)置有鈍化層。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供了一種高效晶體硅太陽(yáng)電池的技術(shù)方案，該方案的太陽(yáng)電池，包括有P型晶體硅襯底，在P型晶體硅襯底上表面設(shè)置有的金屬柵電極和減反射膜，在P型晶體硅襯底下表面設(shè)置有背電極和背電場(chǎng)，在所述減反射膜和P型晶體硅襯底之間設(shè)置有N型選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)層，所述的N型選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)層包括低濃度擴(kuò)散區(qū)和高濃度擴(kuò)散區(qū)，所述的低濃度擴(kuò)散區(qū)設(shè)置在減反射膜和P型晶體硅襯底之間，所述的高濃度擴(kuò)散區(qū)設(shè)置在金屬柵電極和P型晶體硅襯底之間，所述的背電場(chǎng)和P型晶體硅襯底之間設(shè)置有鈍化層，本方案的太陽(yáng)電池可以有效地提高短波和長(zhǎng)波的光譜響應(yīng)，進(jìn)而提高短路電流密度，實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換效率的提高。
文檔編號(hào)H01L31/068GK202405278SQ20112049621
公開(kāi)日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2011年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月4日
發(fā)明者任現(xiàn)坤, 劉鵬, 姜言森, 張麗麗, 張春艷, 張黎明, 徐振華, 李玉花, 王兆光, 程亮, 賈河順 申請(qǐng)人:山東力諾太陽(yáng)能電力股份有限公司