專利名稱：一種硅雙向觸發(fā)二極管的制作方法
技術領域：
一種硅雙向觸發(fā)二極管技術領域[0001]本實用新型涉及一種半導體器件，尤其是一種硅雙向觸發(fā)二極管。
技術背景[0002]硅雙向觸發(fā)二極管屬三層結構，具有對稱性的二端半導體器件，可等效于基極開路、發(fā)射極與集電極對稱的NPN型晶體管。常用來觸發(fā)雙向可控硅，在電路中作過壓保護等用途。硅雙向觸發(fā)二極管的正、反向伏安特性幾乎完全對稱。當器件兩端所加電壓U低于正向轉折電壓V(BO)時，器件呈高阻態(tài)。當U>V(B0)時，管子擊穿導通進入負阻區(qū)。同樣當U大于反向轉折電壓V(BR)時，管子同樣能進入負阻區(qū)。一般使用硅雙向觸發(fā)二極管前， 都需要對其進行測量，得出轉折電壓。實用新型內容[0003]本實用新型要解決的技術問題是基于上述問題，提供一種可以清楚顯示出轉折電壓和工作參數的硅雙向觸發(fā)二極管。[0004]本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是一種硅雙向觸發(fā)二極管，包括二極管本體，所述的二極管本體由N-P-N三層半導體材料制成，具有對稱性的二端，對稱性的二端對外引出兩個電極，所述的二極管本體塑封在環(huán)氧樹脂管內，環(huán)氧樹脂管外涂覆有一層可以清楚顯示出二極管本體轉折電壓和工作參數的涂層。[0005]所述的涂層的原料為紫外光固化油墨，可經過氟利昂、酒精、異丙醇及類似溶劑清洗，涂層也不會剝落。[0006]本實用新型的有益效果是本實用新型結構簡單，二極管本體塑封在環(huán)氧樹脂管內確保其電氣特性不受影響，環(huán)氧樹脂管外涂覆有一層可以清楚顯示出二極管本體轉折電壓和工作參數的涂層，方便正確使用。
[0007]
以下結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。[0008]圖1是本實用新型的結構示意圖。[0009]圖2是圖1的剖視結構示意圖。[0010]圖中1. 二極管本體，2.電極，3.環(huán)氧樹脂管，4.涂層。
具體實施方式
[0011]現在結合附圖對本實用新型作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖， 僅以示意方式說明本實用新型的基本結構，因此其僅顯示與本實用新型有關的構成。[0012]如圖1 2所示的一種硅雙向觸發(fā)二極管，包括二極管本體1，二極管本體1由 N-P-N三層半導體材料制成，具有對稱性的二端，對稱性的二端對外引出兩個電極2，二極管本體1塑封在環(huán)氧樹脂管3內，環(huán)氧樹脂管3外涂覆有一層可以清楚顯示出二極管本體1轉折電壓和工作參數的涂層4。[0013]涂層4的原料為紫外光固化油墨，可經過氟利昂、酒精、異丙醇及類似溶劑清洗， 涂層也不會剝落。[0014]硅雙向觸發(fā)二極管的檢測一般用萬用表來測量其正反向的電阻值，用萬用表 RX Ik或RX IOk檔，測量硅雙向觸發(fā)二極管正、反向電阻值。正常時其正、反向電阻值均應為無窮大。若測得正、反向電阻值均很小或為0，則說明該二極管已擊穿損壞。[0015]以上述依據本實用新型的理想實施例為啟示，通過上述的說明內容，相關工作人員完全可以在不偏離本項實用新型技術思想的范圍內，進行多樣的變更以及修改。本項實用新型的技術性范圍并不局限于說明書上的內容，必須要根據權利要求范圍來確定其技術性范圍。
權利要求1.一種硅雙向觸發(fā)二極管，包括二極管本體(1)，其特征在于所述的二極管本體(1) 由N-P-N三層半導體材料制成，具有對稱性的二端，對稱性的二端對外引出兩個電極0)， 所述的二極管本體(1)塑封在環(huán)氧樹脂管(3)內，環(huán)氧樹脂管C3)外涂覆有一層可以清楚顯示出二極管本體(1)轉折電壓和工作參數的涂層G)。
2.根據權利要求1所述的一種硅雙向觸發(fā)二極管，其特征在于所述的涂層的原料為紫外光固化油墨。
專利摘要本實用新型涉及一種半導體器件，尤其是一種硅雙向觸發(fā)二極管。一種硅雙向觸發(fā)二極管，包括二極管本體，所述的二極管本體由N-P-N三層半導體材料制成，具有對稱性的二端，對稱性的二端對外引出兩個電極，所述的二極管本體塑封在環(huán)氧樹脂管內，環(huán)氧樹脂管外涂覆有一層可以清楚顯示出二極管本體轉折電壓和工作參數的涂層。本實用新型結構簡單，二極管本體塑封在環(huán)氧樹脂管內確保其電氣特性不受影響，環(huán)氧樹脂管外涂覆有一層可以清楚顯示出二極管本體轉折電壓和工作參數的涂層，方便正確使用。
文檔編號H01L23/28GK202259315SQ20112037698
公開日2012年5月30日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權日2011年9月30日
發(fā)明者孔明 申請人:常州福達電子有限公司