專利名稱：太陽能級多晶硅片的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及太陽能硅片領域，尤其涉及一種太陽能級多晶硅片。
背景技術：
目前在太陽能硅片加工行業，切割硅錠時采用的是鋼線切割方法，通過鋼線與硅錠的高速摩擦切開硅錠以獲取相應厚度的硅片。由于國內硅晶材料緊缺，價格昂貴，所以節省原料，提高硅片的成品率成為必須。傳統的太陽能硅片為方形薄片，四角倒圓角，厚度都在200 μ m以上。此類截面狀的硅片在加工時存在一定的問題一是在滾磨圓角時會產生粉末狀廢屑，此廢屑會飄揚在空氣中污染環境且不能回收再利用；二是在滾磨加工時容易產生棱角崩邊和爆裂等質量問題，嚴重影響產品的合格率。現有技術中，太陽能硅片的四角為 45 °倒角，其減少了硅片的可用面積，降低了發電效率。
實用新型內容發明目的本實用新型的目的是為了解決現有技術的不足，提供一種成本低、良品率高、發電效率高的太陽能級多晶硅片。技術方案為了實現以上目的，本實用新型所述的一種太陽能級多晶硅片，其本體為上、下兩平行平面組成的方形薄片，該方形薄片的四個角的倒角與棱邊成60°角。所述本體的厚度優選為170 士 10 μ m。所述本體的厚度進一步優選為170 μ m。有益效果本實用新型提供的太陽能級多晶硅片與現有技術相比具有以下優點1、由精密機床加工而成，其工藝簡單、精度高，切割的余料可繼續回收利用，很有效的節約了成本；2、避免了滾磨加工工序，防止了棱角崩邊和爆裂的發生，提高了良品率；3、倒角與棱邊成60°角，與現45°倒角相比增大了硅片的可用面積，提高了發電效率；4、硅片厚度為170士 10 μ m，與傳統200 μ m硅片相比，厚度大幅減小，大大提高了
硅片的出產率。
圖1為本實用新型的俯視圖；圖2為本實用新型的左視圖。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施例，進一步闡明本實用新型。如圖1、圖2所示的太陽能級多晶硅片，其本體1為上、下兩平行平面組成的方形薄片，該方形薄片的四個角的倒角與棱邊成60°角，即角度(a)為60°。該本體1的厚度(d)為170 μ m(在160 180范圍內均可)。本體1的翹曲度彡75 μ m，本體1表面光滑、平整、
無瑕疵。本實用新型加工方法是先將硅片切割成厚度為170μπι的超薄太陽能級多晶硅片，再采用倒角機，將切割后硅片的4個邊緣角磨削呈梯形，對硅片邊緣進行倒角處理，直接將硅錠切割成四個倒角與棱邊成60°角，如圖1中角(a)為60°，邊長為156*157mm，對角距離為219. 5mm的八角方形柱體。本實用新型的厚度比現有普通太陽能級硅片薄，將太陽能級硅片的厚度由原來的 200降低到170，出片率增加至55片/千克，提高了 9%的出片率，減少了硅料損耗8%，與原始出片率50片/千克，每千克多產5片，每噸多產5000片，若每片為15元，可增加收入 75000元。由于切割成60°倒角，切割后的硅錠余料成塊狀，可回爐再次利用，節省生產成本，每噸可節約材料20公斤，若每噸的價格為3000元，每噸可節約人民幣6萬元。上述實施例只為說明本實用新型的技術構思及特點，其目的是讓熟悉該技術領域的技術人員能夠了解本實用新型的內容并據以實施，并不能以此來限制本實用新型的保護范圍。凡根據本實用新型精神實質所作出的等同變換或修飾，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。
權利要求1.一種太陽能級多晶硅片，其本體(1)為上、下兩平行平面組成的方形薄片，其特征在于所述的方形薄片的四個角的倒角與棱邊成60°角。
2.根據權利要求1所述的太陽能級多晶硅片，其特征在于所述本體(1)的厚度為 170 士 ΙΟμπι。
3.根據權利要求1的太陽能級多晶硅片，其特征在于所述本體(1)的厚度為170μπι。
專利摘要本實用新型公開了一種太陽能級多晶硅片，其本體為上、下兩平行平面組成的方形薄片，該方形薄片的四個角的倒角與棱邊成60°角。本實用新型提供的太陽能級多晶硅片與現有技術相比具有以下優點由精密機床加工而成，其工藝簡單、精度高，切割的余料可繼續回收利用，很有效的節約了成本；避免了滾磨加工工序，防止了棱角崩邊和爆裂的發生，提高了良品率；倒角與棱邊成60°角，與現45°倒角相比增大了硅片的可用面積，提高了發電效率；硅片厚度為170±10μm，與傳統200μm硅片相比，厚度大幅減小，大大提高了硅片的出產率。
文檔編號H01L31/04GK202205764SQ20112033287
公開日2012年4月25日 申請日期2011年9月6日 優先權日2011年9月6日
發明者劉坤, 張順怡, 甘大源, 黃志明 申請人:太倉協鑫光伏科技有限公司