專利名稱：一種安規陶瓷電容器介質結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種陶瓷電容器介質結構，尤其涉及一種安規陶瓷電容器的介質結構。
背景技術：
安規陶瓷電容器又稱Y電容器，主要用于降低電氣、電子設備或其他干擾源所產生的電磁干擾。在陶瓷電容器的國家標準中，對安規陶瓷電容器的耐電壓要求明顯高于其他電容器。安規陶瓷電容器的耐電壓水平主要決定于陶瓷介質的質量，通常的安規陶瓷電容器呈圓板型，圓柱體結構，為保證耐壓性能，安規陶瓷電容器的厚度遠大于普通中低壓型陶瓷電容器。在安規陶瓷電容器電擊穿時，普遍存在著邊緣效應，即平行板電容器邊緣的場強遠大于中部，隨著電壓的提升，當電容器中心部的場強還遠遠低于擊穿電壓時，電容器邊緣的場強已經達到擊穿電壓，從而把電容器兩電極板之間的電介質擊穿。正常的圓板型安規陶瓷電容器電擊穿部位都在邊緣，擊穿點集中在電極的邊緣，因此保持電容器中部區域和邊緣的耐壓性能相同是不必要的，現有的圓板型安規陶瓷電容器介質結構存在耐壓性能浪費且體積較大。
實用新型內容本實用新型需解決的技術問題是提供一種可靠性和穩定性好、生產成本低的安規陶瓷電容器介質結構，可以有效的減少安規陶瓷電容器介質在耐電壓擊穿過程的性能浪費，縮小了產品體積，滿足了產品小型化趨勢，采用的技術方案如下本實用新型的安規陶瓷電容器介質結構，介質中心部分的厚度比邊緣薄，其特征在于，介質圓柱體結構的上下底面各有一個圓臺形的空缺，兩個空缺關于介質圓柱體中心對稱，空缺圓臺的軸與介質圓柱的軸重合，介質中心部分的圓面與周圍介質圓環之間有一個形如圓臺側面的斜面。也就是說，本介質結構類似于H的形狀。考慮到邊緣效應與介質外形的曲率相關，如采用圓柱形的空缺，將在圓柱的圓周面出現邊緣效應，因此采用圓臺形狀空缺，減小了介質中心圓面向邊緣圓環過渡的曲率，減弱了空缺造成的邊緣效應。為了節省材料的同時能保證耐壓性能，所述介質中心圓面的直徑范圍為介質外徑的60% 85%，所述介質中心部分的厚度范圍為介質最外側厚度的50% 90%，所述斜面與圓環面的夾角范圍為120 160度。本實用新型對照現有技術的有益效果是，介質中心厚度小于邊緣，相比安規類陶瓷電容器通用的圓柱體介質結構，在同等耐電壓水平下，本實用新型介質體積可減少5 % 30 %，用料更省，提高了材料利用率
圖1是本實用新型結構示意圖。[0009]圖2是本實用新型結構剖視圖。
具體實施方式
實施例1，參見附圖1、2所示，本實用新型包括兩個中心圓面1，兩個圓環面2，所述圓面和圓環面之間通過圓臺側邊3連接，外側圓周面4，分別和兩個圓環面3相連。整個介質結構呈H形，關于兩個中心圓面1的圓心連線軸對稱。中心圓面的邊101和圓環面的邊 201平行，圓臺側面3于中心圓面1夾角a為130度，所述夾角a指的是剖視圖中圓臺側面 3的邊301和中心圓面的邊101的夾角。中心圓面1到圓環面2的距離b為兩個圓環面間距c的15%，所述距離b指的是中心圓面圓心到圓環所在平面的垂直距離，距離c是指兩個圓環面的間距，中心圓面半徑為圓環外圈圓周半徑的80%。實施例2，本實施例中，安規陶瓷電容器介質結構于實施例1的區別在于所述圓臺側面與中心圓面的夾角為140度。中心圓面到圓環面的距離為兩個圓環面間距的10%， 中心圓面半徑為圓環外圈圓周半徑的75%。實施例3，本實施例中，安規陶瓷電容器介質結構于實施例1的區別在于所述圓臺側面與中心圓面的夾角為160度。中心圓面到圓環面的距離為兩個圓環面間距的10%， 中心圓面半徑為圓環外圈圓周半徑的65%。
權利要求1.一種安規陶瓷電容器介質結構，其特征在于，介質中心部分的厚度比邊緣薄，介質圓柱體結構的上下底面各有一個圓臺形的空缺，兩個空缺關于介質圓柱體中心對稱，空缺圓臺的軸與介質圓柱的軸重合，介質中心部分的圓面與周圍介質圓環之間有一個形如圓臺側面的斜面。
2.根據權利要求1所述的安規陶瓷電容器介質結構，其特征在于所述的形如圓臺側面的斜面與中心圓面的夾角范圍為120 160度。
3.根據權利要求1所述的安規陶瓷電容器介質結構，其特征在于所述的中心部分圓面的直徑為介質結構外徑的60% 85%。
4.根據權利要求1所述的安規陶瓷電容器介質結構，其特征在于所述介質中心部分厚度為介質最外側厚度的50% 90%。
專利摘要一種安規陶瓷電容器介質結構，其特征在于，介質中心部分的厚度比邊緣薄，介質圓柱體結構的上下底面各有一個圓臺形的空缺，兩個空缺關于介質圓柱體中心對稱，空缺圓臺的軸與介質圓柱的軸重合，介質中心部分的圓面與周圍介質圓環之間有一個形如圓臺側面的斜面。本實用新型對照現有技術的有益效果是，減少了電容器邊緣效應造成的耐壓性能浪費，同等容量下，將中心部分對耐壓水平沒有增益的材料轉移到邊緣，進一步提高了電容器的耐電壓水平。
文檔編號H01G4/12GK202268250SQ20112030684
公開日2012年6月6日 申請日期2011年8月17日 優先權日2011年8月17日
發明者李偉力, 李國正, 闕華昌 申請人:昆山市萬豐電子有限公司