專利名稱：Led芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體照明技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種LED芯片封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前，大功率的藍(lán)光發(fā)光二極管，因其節(jié)能環(huán)保效果顯著，用途越來越廣泛，正在從原來的公共照明領(lǐng)域向家用照明領(lǐng)域發(fā)展?，F(xiàn)有的藍(lán)光芯片，大部分為橫向結(jié)構(gòu)，P電極和N電極設(shè)置在芯片的一側(cè)，需要焊線機(jī)分別在P電極和N電極上打線，再涂覆熒光粉，蓋上透鏡，完成芯片封裝。制作電極工藝復(fù)雜，焊線機(jī)焊線焊盤擋光嚴(yán)重，降低了光效，影響芯片壽命。因此使用常規(guī)芯片封裝結(jié)構(gòu)做成的器件光輸出效率低、可靠性差。如何加大電流、提高光輸出效率、提高其可靠性成為當(dāng)前最為關(guān)心的問題。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種光輸出效率高、可靠性高，能夠?qū)崿F(xiàn)批量生產(chǎn)的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括基板， 所述基板設(shè)有正電極區(qū)和負(fù)電極區(qū)；LED垂直結(jié)構(gòu)芯片，所述LED垂直結(jié)構(gòu)芯片的P面焊接于所述基板的正電極區(qū)；導(dǎo)電基材，所述導(dǎo)電基材焊接于所述基板的負(fù)電極區(qū)；涂布型透明導(dǎo)電材料層，所述涂布型透明導(dǎo)電材料層連接于所述LED垂直結(jié)構(gòu)芯片的N面與導(dǎo)電基材的頂部；熒光層，所述熒光層設(shè)置在涂布型透明導(dǎo)電材料層的上面；模頂透鏡，所述模頂透鏡設(shè)置在基板上方，并包覆所述LED垂直結(jié)構(gòu)芯片、導(dǎo)電基材、涂布型透明導(dǎo)電材料層和熒光層。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述導(dǎo)電基材的厚度與所述LED垂直結(jié)構(gòu)芯片的厚度相同。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述基板是陶瓷基板、銅合金基板或鋁合金基板。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述基板的厚度為0. 5mm 2mm。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述導(dǎo)電基材為銅基材，鋁基材，銅合金基材或者鋁合金基材中的一種。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述涂布型透明導(dǎo)電材料層的厚度為Ium lOum。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述熒光層為熒光晶體或者含熒光粉的硅膠，所述熒光層的厚度為0. 2 mm 2mm。由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是由于本實(shí)用新型的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)包括基板，基板設(shè)有正電極區(qū)和負(fù)電極區(qū)；LED垂直結(jié)構(gòu)芯片的P面焊接于基板的正電極區(qū)；導(dǎo)電基材焊接于基板的負(fù)電極區(qū)；涂布型透明導(dǎo)電材料層連接于LED垂直結(jié)構(gòu)芯片的N面與導(dǎo)電基材的頂部；熒光層設(shè)置在涂布型透明導(dǎo)電材料層的上面；模頂透鏡設(shè)置在基板上方，并包覆LED垂直結(jié)構(gòu)芯片、導(dǎo)電基材、涂布型透明導(dǎo)電材料層和熒光層。本實(shí)用新型的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)取消了現(xiàn)有技術(shù)中LED芯片N面的電極，以涂布型透明導(dǎo)電材料層結(jié)合熒光層形成無金線的封裝結(jié)構(gòu)，使LED芯片結(jié)構(gòu)得到優(yōu)化，芯片N面無需制作電極，無需電流擴(kuò)散，無需焊盤，減少遮光，無電極制作，減化工藝。具有三維封裝優(yōu)勢 芯片N面的電流注入與P面基本相似，形成等電位電流，可以注入大電流；電極形式優(yōu)于梳狀電極，可以加大芯片尺寸，提高光效，增加光通量，降低成本；無金線封裝可增加器件穩(wěn)定性，便于模塊化生產(chǎn)。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)LED芯片的仰視示意圖；圖3是圖1的仰視示意圖；圖中1-基板；IA-正電極區(qū)；IB-負(fù)電極區(qū)；2- LED垂直結(jié)構(gòu)芯片；3_導(dǎo)電基材； 4-涂布型透明導(dǎo)電材料層；5-熒光層；6-模頂透鏡；7-電極。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括基板1，所述基板1設(shè)有正電極區(qū)IA和負(fù)電極區(qū)IB ；LED垂直結(jié)構(gòu)芯片2，所述LED垂直結(jié)構(gòu)芯片2的P面焊接于所述基板1的正電極區(qū)IA ；導(dǎo)電基材3，所述導(dǎo)電基材3焊接于所述基板1的負(fù)電極區(qū)IB ；涂布型透明導(dǎo)電材料層4，所述涂布型透明導(dǎo)電材料層4連接于所述LED垂直結(jié)構(gòu)芯片2的N面與導(dǎo)電基材3的頂部；熒光層5，所述熒光層5設(shè)置在涂布型透明導(dǎo)電材料層4的上面；模頂透鏡6，所述模頂透鏡6設(shè)置在基板1的上方，并包覆所述LED垂直結(jié)構(gòu)芯片2、導(dǎo)電基材3、涂布型透明導(dǎo)電材料層4和熒光層5。本實(shí)用新型的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法如下先制作基板1，基板1可以選用陶瓷基板、銅基板、銅合金基板、鋁基板或者鋁合金基板，最好選用陶瓷基板，基板1的厚度為0. 5mm 2mm，按常規(guī)工藝，做上正電極區(qū)IA和負(fù)電極區(qū)IB0 加工導(dǎo)電基材3，導(dǎo)電基材3可以選用銅基材，鋁基材，銅合金基材或者鋁合金基材，導(dǎo)電基材3的厚度和LED芯片的厚度相同，例如芯片高lOOum，那么導(dǎo)電基材3的厚度也為 IOOum0如圖1所示，將LED垂直結(jié)構(gòu)芯片2的P面與基板1的正電極區(qū)IA焊接，將導(dǎo)電基材3與基板1的負(fù)電極區(qū)IB焊接。涂覆涂布型透明導(dǎo)電材料。將ITO導(dǎo)電顆粒高分子導(dǎo)電材料納米銀導(dǎo)電顆粒 Ag絲墨，按5:4:3:1的比例，混合均勻，形成涂布型透明導(dǎo)電材料，將涂布型透明導(dǎo)電材料均勻涂覆在LED垂直結(jié)構(gòu)芯片2和導(dǎo)電基材3的上方，形成涂布型透明導(dǎo)電材料層4。其中 ITOShdium Tin Oxides的縮寫，即納米銦錫金屬氧化物。所述涂布型透明導(dǎo)電材料層4 的厚度為Ium IOum0然后，將熒光粉和硅膠，例如道康寧硅膠6550，混合均勻，涂在涂布型透明導(dǎo)電材料層4的上面，送入150°C的烘箱中烘干，形成熒光層5。也可以直接在涂布型透明導(dǎo)電材料層4的上面放上熒光晶體作為熒光層5。所述熒光層5的厚度為0. 2 mm 2mm。最后，用模頂機(jī)(又稱molding機(jī))，安裝一次成型的模頂透鏡6，模頂透鏡又稱模鼎透鏡，是molding透鏡的翻譯名稱，模頂透鏡6的主要成分是硅膠，即制得本實(shí)用新型的 LED芯片封裝結(jié)構(gòu)。如圖2、圖3比較所示，本實(shí)用新型的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)取消了現(xiàn)有技術(shù)中LED芯片N面的電極7，以涂布型透明導(dǎo)電材料層結(jié)合熒光層形成無金線的封裝結(jié)構(gòu)。使LED芯片結(jié)構(gòu)得到優(yōu)化，芯片N面無需制作電極，無需電流擴(kuò)散，無需焊盤，減少遮光，無電極制作， 減化工藝。具有三維封裝優(yōu)勢芯片N面的電流注入與P面基本相似，形成等電位電流，可以注入大電流；電極形式優(yōu)于梳狀電極，可以加大芯片尺寸，提高光效，增加光通量，降低成本；無金線封裝可增加器件穩(wěn)定性，便于模塊化批量生產(chǎn)。雖然本實(shí)用新型已經(jīng)通過具體實(shí)施方式
對(duì)其進(jìn)行了詳細(xì)闡述，但是，本專業(yè)普通技術(shù)人員應(yīng)該明白，在此基礎(chǔ)上所做出的未超出權(quán)利要求保護(hù)范圍的任何形式和細(xì)節(jié)的變化，均屬于本實(shí)用新型所要保護(hù)的范圍。
權(quán)利要求1.LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包括基板，所述基板設(shè)有正電極區(qū)和負(fù)電極區(qū)；LED垂直結(jié)構(gòu)芯片，所述LED垂直結(jié)構(gòu)芯片的P面焊接于所述基板的正電極區(qū)； 導(dǎo)電基材，所述導(dǎo)電基材焊接于所述基板的負(fù)電極區(qū)；涂布型透明導(dǎo)電材料層，所述涂布型透明導(dǎo)電材料層連接于所述LED垂直結(jié)構(gòu)芯片的 N面與導(dǎo)電基材的頂部；熒光層，所述熒光層設(shè)置在涂布型透明導(dǎo)電材料層的上面；模頂透鏡，所述模頂透鏡設(shè)置在所述基板上方，并包覆所述LED垂直結(jié)構(gòu)芯片、導(dǎo)電基材、涂布型透明導(dǎo)電材料層和熒光層。
2.如權(quán)利要求1所述的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述導(dǎo)電基材的厚度與所述 LED垂直結(jié)構(gòu)芯片的厚度相同。
3.如權(quán)利要求1所述的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基板是陶瓷基板、銅合金基板或鋁合金基板。
4.如權(quán)利要求3所述的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基板的厚度為0.5mm 2mm ο
5.如權(quán)利要求1所述的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述導(dǎo)電基材為銅基材，鋁基材，銅合金基材或者鋁合金基材中的一種。
6.如權(quán)利要求1所述的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述涂布型透明導(dǎo)電材料層的厚度為Ium IOum0
7.如權(quán)利要求1所述的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述熒光層的厚度為0.2 mm 2mm ο
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括設(shè)有正電極區(qū)和負(fù)電極區(qū)的基板；LED垂直結(jié)構(gòu)芯片，其P面焊接于基板的正電極區(qū)；導(dǎo)電基材，焊接于基板的負(fù)電極區(qū)；涂布型透明導(dǎo)電材料層，連接于LED垂直結(jié)構(gòu)芯片的N面與導(dǎo)電基材的頂部；熒光層，設(shè)置在涂布型透明導(dǎo)電材料層的上面；模頂透鏡，設(shè)置在基板上方的，并包覆LED垂直結(jié)構(gòu)芯片、導(dǎo)電基材、涂布型透明導(dǎo)電材料層和熒光層。本實(shí)用新型的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)光輸出效率高、可靠性高，能夠?qū)崿F(xiàn)批量生產(chǎn)。
文檔編號(hào)H01L33/48GK202134574SQ20112027847
公開日2012年2月1日 申請(qǐng)日期2011年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月2日
發(fā)明者吉慕璇, 吉愛華, 吉愛國, 吉磊, 張志偉 申請(qǐng)人:吉愛華