專利名稱：促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種集成電路(IC)裝備，特別是一種促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構，特別涉及采用PECVD法制備各種微電子和光電子領域薄膜類材料的設備。
背景技術：
薄膜制備是集成電路(IC)芯片生產中主要工藝過程之一。等離子增強化學氣相沉積(PECVD)設備被廣泛應用于生長鈍化與多層布線等半導體工藝中，具有沉積溫度低、薄膜成分與厚度易控、膜厚與沉積時間成正比、均勻性與重復性好、臺階覆蓋優良、操作簡便等眾多優點，是IC制造工藝中制備鈍化層與多層布線介質層(以Si3N4與Si02薄膜為主) 最理想的設備。在PECVD工藝中需要不斷往反應腔室內通入反應氣體以生成所需薄膜，反應氣體的均勻性是影響薄膜質量的重要因素，現有PECVD設備主要通過在腔室進氣前設置勻氣盤結構來提高反應氣體的均勻性，現有的勻氣盤結構還未完全解決反應氣體的均勻性的問題。因此，需要對現有勻氣盤結構進行改進，從而提高反應氣體的均勻性，保證沉積的薄膜的質量。
發明內容本實用新型要解決的技術問題是提供改進的促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構，能夠實現PECVD設備氣流流入更均勻，從而保證沉積的薄膜的質量。為了解決上述技術問題，本實用新型的促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構，包括勻氣罐，所述勻氣罐為圓盤形開口的空腔結構，所述勻氣罐上端中心位置設有進氣口，勻氣罐的空腔內設有上勻氣盤，所述勻氣罐的下端開口安裝有下勻氣盤，所述上勻氣盤為弧形結構，其中凹弧面與進氣口相對，所述下勻氣盤上均勻分布有小孔，小孔按所在軸向位置不同而直徑不同。作為上述技術方案的改進，所述上勻氣盤通過兩個以上、可調整勻氣盤位置的螺栓連接于勻氣罐。作為上述技術方案的改進，所述上勻氣盤上均勻分布有2 5圈孔徑漸變的氣孔。 所述下勻氣盤通過螺釘連接于勻氣罐的下端。所述小孔兩端為相對的錐形孔，兩個錐形孔頂端相連通。本實用新型的有益效果是這種促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構采用兩級勻氣方式，上勻氣盤保證進氣的氣流初步均勻化，下勻氣盤進一步均勻化氣流，使得氣流更均勻的分布在反應室中。上勻氣盤采用弧形結構，凹弧面與進氣口相對。因為對于采用中間勻氣的方式時，中間的氣流沖擊速度和氣流密度要遠大于四周的氣流密度，所以為了使得氣流能在更大范圍內保證均勻性，采用漸變孔來補償氣流的值；進氣口和上勻氣盤之間的距離要可以調節，當沉積不同種類薄膜的時候，氣流速度的要求往往不同，為了保證薄膜的均勻性，氣體出口和勻氣盤之間的距離要可以調節，下勻氣盤上均布小孔，該均布的小孔按所在軸向位置改變直徑，使得氣流流量均勻性誤差進一步弱化，實現氣流的均勻性分布， 保證了所沉積薄膜的質量。
以下結合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細的說明。
圖1是本實用新型的結構示意圖；圖2是圖1中A處結構放大圖。
具體實施方式
參照圖1、圖2，本實用新型的促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構，包括勻氣罐1，所述勻氣罐1為圓盤形開口的空腔結構，所述勻氣罐1上端中心位置設有進氣口 6， 勻氣罐1的空腔內設有上勻氣盤2，所述勻氣罐1的下端開口安裝有下勻氣盤3，所述上勻氣盤2為弧形結構，其中凹弧面與進氣口 6相對，所述下勻氣盤3上均勻分布有小孔7，小孔 7按所在軸向位置不同而直徑不同。這種促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構采用兩級勻氣方式，上勻氣盤保證進氣的氣流初步均勻化，下勻氣盤進一步均勻化氣流，使得氣流更均勻的分布在反應室中。上勻氣盤采用弧形結構，凹弧面與進氣口相對，下勻氣盤上均布小孔，該均布的小孔按所在軸向位置改變直徑，使得氣流流量均勻性誤差進一步弱化，實現氣流的均勻性分布，保證了所沉積薄膜的質量。進氣口和上勻氣盤之間的距離要可以調節，當沉積不同種類薄膜的時候，氣流速度的要求往往不同，為了保證薄膜的均勻性，氣體出口和勻氣盤之間的距離要可以調節，這在結構上也很好實現。在本實施例中，所述上勻氣盤2通過兩個以上、可調整上勻氣盤2位置的螺栓4連接于勻氣罐1。所述上勻氣盤2上均勻分布有2 5圈孔徑漸變的氣孔8，因為對于采用中間勻氣的方式時，中間的氣流沖擊速度和氣流密度要遠大于四周的氣流密度，所以為了使得氣流能在更大范圍內保證均勻性，采用漸變孔來補償氣流的值。為了使氣流得到進一步緩沖，所述下勻氣盤3通過螺釘5連接于勻氣罐1的下端， 便于結構的組裝。所述小孔7兩端為相對的錐形孔，兩個錐形孔頂端相連通。以上所述僅為本實用新型的優先實施方式，只要以基本相同手段實現本實用新型目的的技術方案都屬于本實用新型的保護范圍之內。
權利要求1.促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構，包括勻氣罐(1)，其特征在于所述勻氣罐(1)為圓盤形開口的空腔結構，所述勻氣罐(1)上端中心位置設有進氣口(6)，勻氣罐(1) 的空腔內設有上勻氣盤(2)，所述勻氣罐(1)的下端開口安裝有下勻氣盤(3)，所述上勻氣盤(2)為弧形結構，其中凹弧面與進氣口(6)相對，所述下勻氣盤(3)上均勻分布有小孔 (7)，小孔(7)按所在軸向位置不同而直徑不同。
2.根據權利要求1所述的促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構，其特征在于所述上勻氣盤(2)通過兩個以上、可調整勻氣盤(2)位置的螺栓(4)連接于勻氣罐(1)。
3.根據權利要求1或2所述的促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構，其特征在于所述上勻氣盤(2)上均勻分布有2 5圈孔徑漸變的氣孔(8)。
4.根據權利要求1所述的促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構，其特征在于所述下勻氣盤(3)通過螺釘(5)連接于勻氣罐(1)的下端。
5.根據權利要求1所述的促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構，其特征在于所述小孔(7)兩端為相對的錐形孔，兩個錐形孔頂端相連通。
專利摘要本實用新型公開了一種促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構，包括勻氣罐，勻氣罐為圓盤形開口的空腔結構，勻氣罐上端中心位置設有進氣口，勻氣罐的空腔內設有上勻氣盤，勻氣罐的下端開口安裝有下勻氣盤，上勻氣盤為弧形結構，其中凹弧面與進氣口相對，下勻氣盤上均勻分布有小孔，小孔按所在軸向位置不同而直徑不同，實現氣流的均勻性分布，保證了所沉積薄膜的質量。
文檔編號H01L21/00GK202167465SQ20112027294
公開日2012年3月14日 申請日期2011年7月29日 優先權日2011年7月29日
發明者侯曙光, 張祈莉, 李昌明, 李鶴喜, 楊鐵牛, 黃尊地, 黃輝 申請人:五邑大學