專利名稱：大功率氮化鋁陶瓷基板100瓦30dB衰減片的制作方法
技術領域：
本實用新型涉一種大功率氮化鋁陶瓷基板衰減片，特別涉及一種大功率氮化鋁陶瓷基板100瓦30dB的衰減片。
背景技術：
目前大多數通訊基站都是應用大功率陶瓷負載片來吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無法對基站的工作狀況做實時的監控，當基站工作發生故障時無法及時地作出判斷，對設備沒有有保護作用。而衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號，對基站進行實時監控，從而對設備形成有效保護。衰減片作為一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說其應與兩端電路都是匹配的。目前國內100W-30dB的氮化鋁陶瓷衰減片，其衰減精度不僅大多只能做到 IG頻率以內，少數能做到2G，且衰減精度和設備配備的VSWR較難控制，輸出端得到的信號不符合實際要求。特別是在衰減片使用頻段高于2G時，其衰減精度往往達不到要求，回波損耗變大，滿足不了 2G以上的頻段應用要求。
實用新型內容針對上述現有技術的不足，本實用新型要解決的技術問題是提供一種阻抗滿足 50士 1.5 Ω，在3G頻段以內衰減精度為30士 ldB，駐波要求在3G頻段輸入端為1.2以內，輸出端為1. 25以內，能夠滿足目前3G網絡的應用要求且能夠承受100瓦的功率的大功率氮化鋁陶瓷基板衰減片。為解決上述技術問題，本實用新型采用如下技術方案一種大功率氮化鋁陶瓷基板100瓦30dB衰減片，其包括一 8. 9*5. 7*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導線及電阻，所述導線連接所述電阻形成衰減電路，所述電阻上印刷有玻璃保護膜，所述玻璃保護膜及導線上印刷有第一黑色保護膜，所述第一黑色保護膜上印刷有一介質層。優選的，所述介質層上印刷有第二黑色保護膜。優選的，所述背導層、導線由導電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。上述技術方案具有如下有益效果該衰減片以8. 9*5. 7*1MM的氮化鋁基板作為基準，在第一黑色保護膜上加印了一層介質層，這樣能夠有效的改善衰減片的衰減精度，使得該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規格下可到達阻抗50士 1. 5 Ω，在3G頻段以內衰減精度為30士 ldB，駐波要求在3G頻段輸入端為1.2以內，輸出端為1.25以內，能夠滿足目前3G 網絡的應用要求且能夠承受100瓦的功率的技術要求，打破了原來衰減片只能應用于低頻的局面，使得衰減片能應用于2G-3G的網絡，填補了國內不能生產100瓦30dB衰減片的空白。上述說明僅是本實用新型技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本實用新型的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本實用新型的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本實用新型的具體實施方式
由以下實施例及其附圖詳細給出。
圖1為本實用新型實施例的結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型的優選實施例進行詳細介紹。如圖1所示，該大功率氮化鋁陶瓷基板100瓦30dB衰減片包括一 8. 9*5. 7*1MM的氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有背導層，氮化鋁基板1的正面印刷有導線2及電阻Rl、R2、R3、R4及R5，導線2連接上述電阻Rl、R2、R3、R4、R5形成衰減電路，衰減電路的接地端通過銀漿與背導層電連接，從而使衰減電路導通。背導層、導線由導電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。在電阻上R1、R2、R3、R4、R5印刷有玻璃保護膜3，玻璃保護膜3及導線2上印刷有第一黑色保護膜4，第一黑色保護膜4上印刷有一介質層5。介質層5上印刷有第二黑色保護膜，第二黑色保護膜上可印刷品牌和型號。第一黑色保護膜、第二黑色保護膜可對衰減電路起到雙重保護的作用。該衰減片輸入端和接地的阻抗為50士1.5Ω，輸出端和接地端的阻抗為 50士 1. 5Ω。信號從輸入端進入衰減片，從輸出端經過1 1、1 2、1 5、1 3、1 4對功率的逐步吸收， 從輸出端輸出實際所需要的信號。該衰減片以8. 9*5. 7*1MM的氮化鋁基板作為基準，在第一黑色保護膜上加印了一層介質層，這樣能夠有效的改善衰減片的衰減精度，同時采用該結構可增大電阻R3，R4的電阻面積，使其抗高低溫沖擊性能增加，進而避免了在輸出端焊接引線時高溫對電阻的淬傷而壞掉的風險。使得該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規格下可到達阻抗50 士 1. 5 Ω，在 3G頻段以內衰減精度為30 士 ldB，駐波要求在3G頻段輸入端為1.2以內，輸出端為1.25以內，能夠滿足目前3G網絡的應用要求且能夠承受100瓦的功率的技術要求，打破了原來衰減片只能應用于低頻的局面，使得衰減片能應用于2G-3G的網絡，填補了國內不能生產100 瓦30dB衰減片的空白。以上對本實用新型實施例所提供的一種大功率氮化鋁陶瓷基板100瓦30dB衰減片進行了詳細介紹，對于本領域的一般技術人員，依據本實用新型實施例的思想，在具體實施方式
及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本實用新型的限制，凡依本實用新型設計思想所做的任何改變都在本實用新型的保護范圍之內。
權利要求1.一種大功率氮化鋁陶瓷基板100瓦30dB衰減片，其特征在于其包括一 8. 9*5. 7*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導線及電阻，所述導線連接所述電阻形成衰減電路，所述電阻上印刷有玻璃保護膜， 所述玻璃保護膜及導線上印刷有第一黑色保護膜，所述第一黑色保護膜上印刷有一介質層。
2.根據權利要求1所述的大功率氮化鋁陶瓷基板100瓦30dB衰減片，其特征在于所述介質層上印刷有第二黑色保護膜。
3.根據權利要求1所述的大功率氮化鋁陶瓷基板100瓦30dB衰減片，其特征在于所述背導層、導線由導電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。
專利摘要本實用新型公開了一種大功率氮化鋁陶瓷基板100瓦30dB衰減片，其包括一8.9*5.7*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導線及電阻，所述導線連接所述電阻形成衰減電路，所述電阻上印刷有玻璃保護膜，所述玻璃保護膜及導線上印刷有第一黑色保護膜，所述第一黑色保護膜上印刷有一介質層。該衰減片在第一黑色保護膜上加印了一層介質層，這樣能夠有效的改善衰減片的衰減精度，使得該衰減片能夠滿足目前3G網絡的應用要求且能夠承受100瓦的功率的技術要求。
文檔編號H01P1/22GK202121044SQ20112025986
公開日2012年1月18日 申請日期2011年7月22日 優先權日2011年7月22日
發明者郝敏 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司