專利名稱：大功率晶閘管芯片的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及大功率晶閘管，具體地，涉及一種大功率晶閘管芯片，屬半導體器件領域。
背景技術：
晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、中功率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常大功率晶閘管芯片鋁反刻后，表面無任何保護，這就需要在后道封裝工序中加一個與放大門極圖形對應的金屬緩沖片，從而會引起兩個問題一是金屬緩沖片制作成本高，且需要想辦法固定，不能讓金屬緩沖片在陰極面上滑移；二是如果有顆粒落在放大門極上可能會引起陰極和放大門極短路，造成晶間管永久失效。鑒于現有技術的上述缺陷，需要設計一種新型的大功率晶閘管芯片結構。
實用新型內容本實用新型的目的是提供一種新型的大功率晶閘管芯片，以克服現有技術的上述缺陷，該大功率晶閘管芯片能夠實現放大門極表面有效的絕緣保護，從而具有可靠的產品性能。上述目的通過如下技術方案實現大功率晶閘管芯片，該大功率晶閘管芯片的放大門極表面上依次覆蓋并固化兩層有機絕緣膜，該兩層有機絕緣膜分別為聚酰亞胺涂層和涂敷該聚酰亞胺涂層上的正性光刻膠涂層。優選地，所述聚酰亞胺涂層的厚度為3-8微米。優選地，所述正性光刻膠涂層的厚度為5-10微米。本實用新型的大功率晶閘管芯片，其放大門極和陰極間的絕緣電壓可達到1000V， 簡化了后封裝工藝，提高了封裝合格率。此外，本實用新型的晶間管擴散成本低廉，便于大規模生產，生產效率高，光刻工藝操作簡便，材料成本低，適于大批量生產。
圖1為本實用新型具體實施方式
的大功率晶閘管芯片的剖視結構示意圖。圖中1放大門極；2陰極；3陽極；4鋁層；5聚酰亞胺涂層；6臺面鈍化保護膜；7 正性光刻膠涂層。
具體實施方式
以下結合附圖描述本實用新型大功率晶閘管的具體實施方式
。參見圖1所示，本實用新型的大功率晶閘管與典型的晶閘管結構基本類似，該大功率晶閘管具有放大門極1、陰極2、陽極3、鋁層4、臺面鈍化保護膜6等。與現有技術不同的是，本實用新型的大功率晶閘管芯片的放大門極1表面上依次覆蓋并固化有兩層有機絕緣膜，該兩層有機絕緣膜為聚酰亞胺涂層5和涂敷該聚酰亞胺涂層上的正性光刻膠涂層7。優選地，所述聚酰亞胺涂層的厚度為3-8微米。優選地，所述正性光刻膠涂層的厚度為5-10微米。上述兩層有機絕緣膜可以在氮氣烘箱內固化，烘烤溫度為250-280°C。本實用新型的大功率晶閘管芯片可以通過如下方法制作首先在芯片硅片的表面涂覆一層聚酰亞胺，然后再涂敷一層正性光刻膠，再通過光刻顯影的方法刻出所需要的圖形；達到保護放大門極和與陰極絕緣的目地。本實用新型的大功率晶閘管芯片，其放大門極和陰極間的絕緣電壓可達到1000V， 簡化了后封裝工藝，提高了封裝合格率。此外，本實用新型的晶間管擴散成本低廉，便于大規模生產，生產效率高，光刻工藝操作簡便，材料成本低，適于大批量生產。在上述具體實施方式
中所描述的各個具體技術特征，可以通過任何合適的方式進行任意組合，其同樣落入本實用新型所公開的范圍之內。同時，本實用新型的各種不同的實施方式之間也可以進行任意組合，只要其不違背本實用新型的思想，其同樣應當視為本實用新型所公開的內容。此外，本實用新型并不限于上述實施方式中的具體細節，在本實用新型的技術構思范圍內，可以對本實用新型的技術方案進行多種簡單變型，這些簡單變型均屬于本實用新型的保護范圍。本實用新型的保護范圍由權利要求限定。
權利要求1.大功率晶閘管芯片，其特征是，該大功率晶閘管芯片的放大門極(1)表面上依次覆蓋并固化兩層有機絕緣膜，該兩層有機絕緣膜分別為聚酰亞胺涂層(5)和涂敷該聚酰亞胺涂層上的正性光刻膠涂層(7)。
2.根據權利要求1所述的大功率晶閘管芯片，其特征是，所述聚酰亞胺涂層(5)的厚度為3-8微米。
3.根據權利要求1所述的大功率晶閘管芯片，其特征是，所述正性光刻膠涂層(7)的厚度為5-10微米。
專利摘要大功率晶閘管芯片，該大功率晶閘管芯片的放大門極(1)表面上依次覆蓋并固化有兩層有機絕緣膜，該兩層有機絕緣膜分別為聚酰亞胺涂層(5)和涂敷該聚酰亞胺涂層上的正性光刻膠涂層(7)。本實用新型的大功率晶閘管芯片，其放大門極和陰極間的絕緣電壓可達到1000V，簡化了后封裝工藝，提高了封裝合格率。此外，本實用新型的晶閘管擴散成本低廉，便于大規模生產，生產效率高，光刻工藝操作簡便，材料成本低，適于大批量生產。
文檔編號H01L29/74GK202120919SQ20112015115
公開日2012年1月18日 申請日期2011年5月13日 優先權日2011年5月13日
發明者徐愛民, 顧標琴, 高占成 申請人:潤奧電子(揚州)制造有限公司