專利名稱：低導通壓降可控硅芯片的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體芯片，特別涉及一種低導通壓降可控硅芯片。
背景技術：
應用傳統鈦鎳銀金屬化工藝制作的可控硅芯片是由硅片、鈦層、鎳層、銀層構成。 由于金屬鈦與硅的接觸電阻較大，導通壓降較高，使其正常工作條件下發熱量較高，影響產品的可靠性和使用壽命。
發明內容本實用新型要解決的技術問題是提供一種導通壓降小、發熱量低、可靠性好、使用壽命長的低導通壓降可控硅芯片。本實用新型涉及的低導通壓降可控硅芯片，包括硅片，依次設在硅片背面的鈦層、 鎳層、銀層，其特殊之處是在硅片背面位于硅片和鈦層之間設有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為1 1.5 μ m。本實用新型的優點是通過在在硅片和鈦層之間設有高純鋁層，使芯片背面呈鋁、 鈦、鎳、銀四層金屬復合結構，鈦、鎳作為緩沖層能夠降低應力，鋁硅合金化工藝控制容易， 能夠形成良好的歐姆接觸，使接觸電阻小，從而減小導通壓降，進而降低通態功耗，使可控硅芯片發熱量低，可靠性好，使用壽命長。
圖1是芯片剖面結構示意圖；圖中硅片1、高純鋁層2、鈦層3、鎳層4、銀層5。
具體實施方式
如圖所示，在硅片1的背面蒸鍍一層1 1. 5 μ m厚的高純鋁層2，高純鋁層的厚度為1 1. 5 μ m ；在高純鋁層2上依次蒸鍍鈦層3、鎳層4、銀層5。
權利要求1. 一種低導通壓降可控硅芯片，包括硅片，依次設在硅片背面的鈦層、鎳層、銀層，其特征是在硅片背面位于硅片和鈦層之間設有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為1 L 5 μ m0
專利摘要本實用新型公開了一種低導通壓降可控硅芯片，包括硅片，依次設在硅片背面的鈦層、鎳層、銀層，其特殊之處是在硅片背面位于硅片和鈦層之間設有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為1～1.5μm。優點是通過在硅片背面設高純鋁層，使芯片背面呈鋁、鈦、鎳、銀四層金屬復合結構，鈦、鎳作為緩沖層能夠降低應力，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導通壓降，進而降低通態功耗，使可控硅芯片發熱量低，可靠性好，使用壽命長。
文檔編號H01L29/74GK202009002SQ20112011555
公開日2011年10月12日 申請日期2011年4月19日 優先權日2011年4月19日
發明者劉鑫, 劉鐵銘, 婁達, 孫國偉, 王立偉, 趙秀麗 申請人:錦州遼晶電子科技有限公司