專利名稱：半導體芯片的封裝結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體器件的封裝技術領域，特別是涉及一種半導體芯片的封裝結構。
背景技術：
隨著電子產品向小型化方向發展，在手提電腦、CPU電路、微型移動通信電路(手機等)、數字音視頻電路、通信整機、數碼相機等消費類電子領域的大規模IC和VLSI (超大規模IC)應用電路中，要求半導體芯片的外形做得更小更薄。現有技術中，參考圖1，其顯示了現有技術的半導體芯片封裝結構的示意圖。如圖1所示，所述半導體芯片封裝結構采用超薄無引腳小封裝(Super ThinSmall Leadless Package, STSLP)以及引腳上芯片工藝(Chip On Lead, COL)技術，具體包括芯片11、粘合材料層12、引線13、導線框架14、焊盤和封裝體16，焊盤至少包括管腳焊點17。其中，芯片11 是由晶圓經過減薄和切割而成的，芯片11通過粘合材料層12固定于導線框架14的上方； 管腳焊點17位于導線框架14的下方，一般，管腳焊點17可以與導線框架14 一體成型或與導線框架14通過焊料焊連；引線13連接芯片11和導線框架14，一般，引線13可以是金線； 封裝體16，一般由環氧樹脂制成，用于將芯片11、粘合材料層12、引線13、導線框架14和管腳焊點17封裝在一起，且管腳焊點17的接線部位暴露在封裝體16外。請再參閱圖2，圖2為圖1的內部俯視結構示意圖。由圖可見，芯片11的引腳110 通過引線13與導線框架14連接。各導線框架14用以共同承載所述芯片11。可見，現有技術的半導體芯片封裝結構，受限于各導線框架14皆用以承載所述芯片11。因此，其對應的芯片11相對來說尺寸較大。同時，由于相鄰的導線框架14間有間隙，因此芯片11在被支撐的時候，對應該間隙的部分會產生懸空部15。由于各導線框架14皆用以承載所述芯片11，因此所產生的懸空部15較多，芯片11在封裝過程中所受支撐不好。有鑒于此，實有必要提供一種半導體芯片的封裝結構，以解決上述問題。
實用新型內容本實用新型的目的在于提供一種半導體芯片的封裝結構，解決封裝體大小確定時芯片不能更小、芯片在封裝過程中所受支撐不好的問題。為解決上述問題，本實用新型提供一種半導體芯片的封裝結構，包括芯片、粘合材料層、引線、導線框架和封裝體；所述引線連接所述芯片和所述導線框架；所述封裝體將所述芯片、粘合材料層、引線、導線框架封合在一起；其中，所述芯片通過所述粘合材料層固定于部分所述導線框架的上方。可選的，所述半導體芯片封裝結構中，所述芯片固定于兩個或兩個以上的導線框架上方。可選的，所述半導體芯片封裝結構中，用于固定所述芯片的若干個導線框架中，包括延伸向所述封裝體中心且超過所述芯片中心的導線框架。可選的，所述半導體芯片封裝結構中，所述芯片通過非導電環氧樹脂或非導電芯片粘接薄膜固定于所述導線框架的上方。可選的，所述半導體芯片封裝結構中，所述芯片固定于一個導線框架上方。可選的，所述半導體芯片封裝結構中，用于固定所述芯片的導線框架延伸向且超過所述封裝體中心。可選的，所述半導體芯片封裝結構中，所述用于固定所述芯片的導線框架包括延伸部，所述延伸部延伸向且不接觸未固定所述芯片的導線框架。可選的，所述半導體芯片封裝結構中，所述芯片通過導電環氧樹脂(Conductive Epoxy)固定于所述導線框架的上方。可選的，所述半導體芯片封裝結構中，所述導線框架遠離所述芯片的面上設有焊盤，所述焊盤包括管腳焊點。可選的，所述半導體芯片封裝結構中，所述管腳焊點的表面具有助焊鍍層。可選的，所述半導體芯片封裝結構中，所述助焊鍍層為錫鍍層。可選的，所述半導體芯片封裝結構中，所述錫鍍層的厚度為0. 01毫米至0. 1毫米。可選的，所述半導體芯片封裝結構中，所述管腳焊點至少為九個，所述管腳焊點構成的布局形式包括三橫三縱、三橫四縱、四橫三縱或四橫四縱。與現有技術相比，本實用新型的用于倒裝芯片的封裝結構具有以下優點1.由于所述芯片通過所述粘合材料層固定于所述導線框架的上方；所述封裝體將所述芯片、粘合材料層、引線、導線框架封合在一起；而本實用新型的用于倒裝芯片的封裝結構中，所述芯片固定于部分導線框架上方而非全部導線框架上方。因此，在封裝體的尺寸確定的情況下，采用的芯片的尺寸可以為較小。2.由于相鄰的導線框架間有間隙，因此芯片在被支撐的時候，對應該間隙的部分會產生懸空部。由于是部分導線框架而非全部導線框架承載所述芯片，因此所產生的懸空部較少，芯片所受支撐較好。3.在本實用新型的一個實施例中，所述芯片固定于一個導線框架上方，其對應采用的粘合材料層的材料為導電環氧樹脂，而非芯片固定于多個導線框架上方時所采用的非導電環氧樹脂或非導電芯片粘接薄膜。采用導電環氧樹脂使得芯片粘合力和散熱性能更強，成本更低。4.在本實用新型的一個實施例中，所述芯片固定于一個導線框架上方，所述用于固定所述芯片的導線框架包括延伸部，所述延伸部延伸向且不接觸未固定所述芯片的導線框架。從而充分利用空間，使得芯片在封裝過程中得到更好的支撐，封裝合格率更高。5.由于管腳焊點的表面具有助焊鍍層，在焊接作業中利用所述助焊鍍層可以增加管腳焊點與焊料之間的接合牢度，提高了焊接質量和良率。
圖1為現有技術的半導體芯片封裝結構的示意圖；圖2為圖1的內部俯視結構示意圖；圖3為本實用新型半導體芯片封裝結構第一實施例的內部俯視結構示意圖；[0031]圖4為本實用新型半導體芯片封裝結構沿圖3中A-A方向的剖視結構示意圖；圖5為本實用新型半導體芯片封裝結構第二實施例的內部俯視結構示意圖；圖6為本實用新型半導體芯片封裝結構沿圖5中B-B方向的剖視結構示意圖。
具體實施方式
正如背景技術所述，采用現有技術的半導體的封裝結構，會產生封裝體大小確定時芯片尺寸較大、芯片所受支撐力不好、粘合材料層粘合能力不強、粘合材料層成本較高的問題。本實用新型提供一種半導體芯片的封裝結構，包括芯片、粘合材料層、引線、導線框架和封裝體；所述引線連接所述芯片和所述導線框架；所述封裝體將所述芯片、粘合材料層、引線、導線框架封合在一起；其中，所述芯片通過所述粘合材料層固定于部分所述導線框架的上方。為使本實用新型的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，
以下結合附圖對本實用新型的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本實用新型，但是本實用新型還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，因此本實用新型不受下面公開的具體實施例的限制。
以下結合附圖對本實用新型的具體實施方式
做詳細的說明。第一實施例請共同參閱圖3、圖4，圖3為本實用新型半導體芯片封裝結構第一實施例的內部俯視結構示意圖、圖4為本實用新型半導體芯片封裝結構沿圖3中A-A方向的剖視結構示意圖。于該第一實施例，所述半導體芯片的封裝結構，包括芯片21、粘合材料層22、引線 23、八個導線框架M和封裝體沈；所述引線23連接所述芯片21和所述導線框架24(具體為所述芯片21包括對應的八個引腳210，而所述引線23連接所述引腳210和所述導線框架24)；所述封裝體沈將所述芯片21、粘合材料層22、引線23、導線框架M封合在一起；其中，所述芯片21通過所述粘合材料層22固定于其中五個所述導線框架M的上方。可見，由于所述芯片21通過所述粘合材料層22固定于五個所述導線框架M的上方，而非如現有技術將所述芯片21固定于全部(八個)導線框架M的上方。因此，與現有技術相比，所述芯片21的尺寸相應地可以為較小。從而，本實用新型的半導體芯片的封裝結構，在封裝體沈的尺寸確定的情況下，采用的芯片21的尺寸可以為較小。另外，相鄰的導線框架M間有間隙，因此芯片21在被支撐的時候，對應該間隙的部分會產生懸空部25。由于是部分導線框架24，而非現有技術的全部導線框架M承載所述芯片21，因此所產生的懸空部25較少，芯片21在封裝過程中所受支撐較好。當然，所述導線框架M的個數不以八個為限，而所述用于固定所述芯片21的導線框架M亦不以五個為限，只要滿足用于固定所述芯片21的導線框架M為所有導線框架M 中的部分即可。此處，所述用于固定所述芯片21的五個導線框架M中，包括延伸向所述封裝體沈中心且超過所述芯片21中心的導線框架Ml。由于存在這樣的導線框架對1，從而使得所述芯片21可以更好地被支撐。此處，所述導線框架M遠離所述芯片21的面上設有焊盤，所述焊盤包括九個管腳焊點27。所述管腳焊點27構成的布局形式為三橫三縱。當所述管腳焊點27的個數改變時， 所述管腳焊點27構成的布局形式還可以包括三橫四縱、四橫三縱或四橫四縱或者其他。當然，所述管腳焊點27的表面可以具有助焊鍍層，所述助焊鍍層為錫鍍層，所述錫鍍層的厚度為0. 01毫米至0. 1毫米。由于管腳焊點27的表面具有助焊鍍層，在焊接作業中利用所述助焊鍍層可以增加管腳焊點27與焊料之間的接合牢度，提高了焊接質量和良率。此處，所述粘合材料層22的材料可以為非導電環氧樹脂或非導電芯片粘接薄膜， 當然也不以此為限。第二實施例請共同參閱圖5、圖6，圖5為本實用新型半導體芯片封裝結構第二實施例的內部俯視結構示意圖、圖6為本實用新型半導體芯片封裝結構沿圖5中B-B方向的剖視結構示意圖。于該第二實施例，所述半導體芯片的封裝結構，包括芯片31、粘合材料層32、引線 33、七個導線框架34、一個導線框架341和封裝體36 ；所述引線33連接所述芯片31和所述導線框架34、導線框架341 (具體為所述芯片31包括對應的八個引腳310，而所述引線33 連接所述引腳310和所述導線框架34及導線框架341)；所述封裝體36將所述芯片31、粘合材料層32、引線33、導線框架34、導線框架341封合在一起；其中，所述芯片31通過所述粘合材料層32固定于所述導線框架341的上方。當然，所述導線框架34的個數不以八個為限。可見，由于所述芯片31通過所述粘合材料層32固定于所述導線框架341的上方， 而非如現有技術將所述芯片31固定于全部(八個)導線框架34的上方。因此，與現有技術相比，所述芯片31的尺寸相應地可以極大地縮小。從而，本實用新型的半導體芯片的封裝結構，在封裝體36的尺寸確定的情況下，采用的芯片31的尺寸可以極大地縮小。另外，現有技術在芯片31在被支撐的時候，由于導線框架34及導線框架341間存在較大間隙，芯片31對應該間隙的部分會產生較大懸空部，存在芯片31所受支撐不好的問題。此處由于只是采用一個導線框架341承載所述芯片31，不存在上述懸空部，芯片31在封裝過程中所受支撐更好。此處，所述導線框架341延伸向且超過所述封裝體36的中心。由于存在這樣的導線框架341，從而使得封裝體36內的空間被更好地利用。請再參閱圖1，如背景技術中所描述的現有技術的半導體芯片封裝結構，由多個導線框架14支撐芯片11的結構來說，受限于所述結構，粘合材料層12—般采用非導電環氧樹脂或非導電芯片粘接薄膜，粘合力不夠強，且成本較高。此處，發明人經過反復試驗得知，當所述芯片31通過所述粘合材料層32固定于一個所述導線框架341的上方時，所述粘合材料層32的材料可以為導電環氧樹脂，采用導電環氧樹脂使得芯片粘合度和散熱性能更強，成本更低，封裝合格率更高。當然，所述粘合材料層32的材料仍然可以為非導電環氧樹脂或非導電芯片粘接薄膜，或者為其他材料。此處，所述用于固定所述芯片的導線框架341包括延伸部342，所述延伸部342延伸向且不接觸未固定所述芯片的導線框架34。從而充分利用空間，使得芯片31得到更好的支撐。此處，所述導線框架遠離所述芯片31的面上設有焊盤，所述焊盤上設有九個管腳焊點37。所述管腳焊點37構成的布局形式為三橫三縱。當所述管腳焊點37的個數改變時， 所述管腳焊點37構成的布局形式還可以包括三橫四縱、四橫三縱或四橫四縱或者其他。當然，所述管腳焊點37的表面可以具有助焊鍍層，所述助焊鍍層為錫鍍層，所述錫鍍層的厚度為0. 01毫米至0. 1毫米。由于管腳焊點37的表面具有助焊鍍層，在焊接作業中利用所述助焊鍍層可以增加管腳焊點37與焊料之間的接合牢度，提高了焊接質量和良率。本實用新型雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本實用新型，任何本領域技術人員在不脫離本實用新型的精神和范圍內，都可以利用上述揭示的技術內容對本實用新型的技術方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本實用新型技術方案的內容，依據本實用新型的技術實質對以上實施例所作的任簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本實用新型技術方案的保護范圍。
權利要求1.一種半導體芯片的封裝結構，包括芯片、粘合材料層、引線、導線框架和封裝體；所述芯片通過所述粘合材料層固定于所述導線框架的上方；所述引線連接所述芯片和所述導線框架；所述封裝體將所述芯片、粘合材料層、引線、導線框架封合在一起；其特征在于，所述芯片固定于部分導線框架上方。
2.如權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述芯片固定于兩個或兩個以上的導線框架上方。
3.如權利要求2所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，用于固定所述芯片的若干個導線框架中，包括延伸向所述封裝體中心且超過所述芯片中心的導線框架。
4.如權利要求2或3所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述芯片通過非導電環氧樹脂或非導電芯片粘接薄膜固定于所述導線框架的上方。
5.如權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述芯片固定于一個導線框架上方。
6.如權利要求5所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，用于固定所述芯片的導線框架延伸向且超過所述封裝體中心。
7.如權利要求6所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述用于固定所述芯片的導線框架包括延伸部，所述延伸部延伸向且不接觸未固定所述芯片的導線框架。
8.如權利要求5-7中任一項所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述芯片通過導電環氧樹脂固定于所述導線框架的上方。
9.如權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述導線框架遠離所述芯片的面上設有焊盤，所述焊盤包括管腳焊點。
10.如權利要求9所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述管腳焊點的表面具有助焊鍍層。
11.如權利要求10所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述助焊鍍層為錫鍍層。
12.如權利要求11所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述錫鍍層的厚度為 0. 01毫米至0. 1毫米。
13.如權利要求9所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述管腳焊點至少為九個，所述管腳焊點構成的布局形式包括三橫三縱、三橫四縱、四橫三縱或四橫四縱。
專利摘要本實用新型揭示一種半導體芯片的封裝結構，包括芯片、粘合材料層、引線、導線框架和封裝體；所述引線連接所述芯片和所述導線框架；所述封裝體將所述芯片、粘合材料層、引線、導線框架封合在一起；其中，所述芯片通過所述粘合材料層固定于部分所述導線框架的上方。從而，在封裝體的尺寸確定的情況下，采用的芯片的尺寸可以為較小；由于是部分導線框架而非全部導線框架承載所述芯片，因此所產生的懸空部較少，芯片在封裝過程中所受支撐較好，封裝合格率更高。特別是所述芯片固定于一個導線框架上方，其對應采用的粘合材料層的材料為導電環氧樹脂，使得芯片粘合力和散熱性能更強，成本更低。
文檔編號H01L23/373GK201966197SQ201120039120
公開日2011年9月7日 申請日期2011年2月15日 優先權日2011年2月15日
發明者管來東, 袁鵬, 顧彬 申請人:上海艾為電子技術有限公司