專利名稱：一種單面放電管集成芯片的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及放電管技術領域，特別是涉及一種單面放電管集成芯片。
背景技術：
放電管由一只封閉的管子及置于其中的兩個電極和氣體或半導體構成，一般用來檢驗設備上的帶電狀況、泄漏設備上不應帶的電荷，尤其是用來泄放通信設備上不應帶的電荷。現有的半導體管制造工藝一般分為三個步驟(1)將兩導體極焊于半導體片兩面；( 將焊上電極的半導體置于注塑模內；(3)注塑料冷卻后即得半導體放電管。具體點，放電管的制造流程一般包括芯片制造(襯底制造和管芯制造)和芯片封裝過程。襯底制造過程包括三重擴散(N+予擴，N+主擴，N+氧化)和磨拋(磨片，拋光)。 管芯制造過程包括基區制造(硼預擴，硼氧化，硼主擴)_發射區制造(磷預擴，磷主擴)_終端保護(臺面腐蝕，玻璃電泳)_引線孔制造(基區引線孔，發射區引線孔)_正面電極制備 (正面蒸鋁，光刻鋁、鋁合金)_背面電極制備(背面蒸金)_中測-裂片。芯片封裝包括粘片、鍵合、塑封、電鍍、切筋以及測試。目前市場上出現的放電管全部都是雙面放電管芯片(如圖1、圖2所示)，雙面放電管芯片的正面和背面均形成有放電管，雙面放電管芯片在制造工藝過程中，都需要經過雙面拋光、雙面磨片、雙面氧化以及雙面擴散等步驟，成本較高，而且雙面放電管封裝過程也較為復雜，在一定程度上也增加了封裝成本。
實用新型內容本實用新型的目的是提供一種單面放電管集成芯片，以解決現有技術中雙面放電管制造工藝復雜、成本較高等缺點。本實用新型的技術方案一種單面放電管集成芯片，包括N型襯底與形成在該N型襯底正面或背面的P擴散區和N+擴散區，所述N+擴散區設于P擴散區內。本實用新型中，所述P擴散區為對稱設置。本實用新型具有的有益效果采用本實用新型所述單面放電管集成芯片，克服了現有技術雙面放電管芯片制造工藝復雜、成本較高(一般每個0.5元左右)等缺點，將兩個放電管封裝并集成到芯片的一個表面上，制造工藝簡單(只需要單面拋光、單面磨片、單面氧化、單面擴散，也就是只需對硅片的擴散面進行操作即可)，節約了大量人力物力，降低了碎片、廢片的幾率，并具有芯片成本低(一般每個0. 4元左右)、封裝簡便等優點，同時也降低了封裝成本，而且成品率達到98 %以上。
圖1是現有技術雙面放電管芯片的平面圖；圖2是現有技術雙面放電管芯片的剖面圖；[0012]圖3是本實用新型所述單面放電管集成芯片的平面圖；圖4是本實用新型所述單面放電管集成芯片的剖面圖。
具體實施方式
為使對本實用新型的結構特征及所達成的功效有更進一步的了解與認識，用以較佳的實施例及附圖配合詳細的說明，說明如下圖3是本實用新型所述單面放電管集成芯片的平面圖，如圖所示。本實施例中的一種單面放電管集成芯片，包括N型襯底與形成在該N型襯底正面或背面的P擴散區和N+ 擴散區，所述N+擴散區設于P擴散區內。在本實用新型的優選實施例中，將芯片中的放電管做成單面結構，也就是說該放電管形成于該N型襯底的同一表面(如圖4所示)。上述中，P擴散區可以為對稱設置，但是也可以是非對稱設置，但是P擴散區必須是在N型襯底的同一表面。由此可知，采用本實用新型所述單面放電管集成芯片，克服了現有技術雙面放電管芯片制造工藝復雜、成本較高(一般每個0.5元左右)等缺點，將兩個放電管封裝并集成到芯片的一個表面上，制造工藝簡單(只需要單面拋光、單面磨片、單面氧化、單面擴散，也就是只需對硅片的擴散面進行操作即可)，節約了大量人力物力，降低了碎片、廢片幾率，并具有芯片成本低(一般每個0. 4元左右)、封裝簡便等優點，同時也降低了封裝成本，而且成品率達到98%以上。綜上所述，僅為本實用新型的較佳實施例而已，并非用來限定本實用新型實施的范圍，凡依本實用新型權利要求范圍所述的形狀、構造、特征及精神所為的均等變化與修飾，均應包括于本實用新型的權利要求范圍內。
權利要求1.一種單面放電管集成芯片，其特征在于，包括N型襯底與形成在該N型襯底正面或背面的P擴散區和N+擴散區，所述N+擴散區設于P擴散區內。
2.根據權利要求1所述的單面放電管集成芯片，其特征在于，所述P擴散區為對稱設置。
專利摘要本實用新型涉及一種單面放電管集成芯片，包括N型襯底與形成在該N型襯底正面或背面的P擴散區和N+擴散區，所述N+擴散區設于P擴散區內。采用本實用新型所述單面放電管集成芯片，克服了現有技術雙面放電管芯片制造工藝復雜、成本較高等缺點，將兩個放電管封裝并集成到芯片的一個表面上，制造工藝簡單(只需要單面拋光、單面磨片、單面氧化、單面擴散，也就是只需對硅片的擴散面進行操作即可)，節約了大量人力物力，降低了碎片、廢片的幾率，并具有芯片成本低、封裝簡便等優點，同時也降低了封裝成本，而且成品率達到98％以上。
文檔編號H01L29/06GK201985101SQ20112002972
公開日2011年9月21日 申請日期2011年1月28日 優先權日2011年1月28日
發明者孫志斌, 楊利君, 歐新華 申請人:上海芯導電子科技有限公司