專利名稱：分立半導體貼片超薄整流器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及橋式整流器，具體涉及的是一種含有共N型及共P型的雙二極體晶粒的分立半導體貼片超薄整流器。
背景技術：
半導體橋式整流器是利用二極管的單向導通性進行整流的最常用的電子元器件， 常用來將交流電轉變為直流電；半波整流利用二極管單向導通特性，在輸入為標準正弦波的情況下，輸出獲得正弦波的正半部分，負半部分則損失掉。橋式整流器利用四個二極管， 兩兩對接，輸入正弦波的正半部分是兩只管導通，得到正的輸出；輸入正弦波的負半部分時，另兩只管導通，由于這兩只管是反接的，所以輸出還是得到正弦波的正半部分；而橋式整流是對二極管半波整流的一種改進，橋式整流器對輸入正弦波的利用效率比半波整流高一倍。隨著國內市場對半導體整流器的大量需求，客戶對其封裝尺寸要求也越來越小， 如何使得半導體封裝更顯縮小，并且應用將朝高頻、高速、大功率、大電流、低功耗、低成本、 高可靠及微型化等方面快速發展，還有待進一步開發研究。
發明內容本實用新型的目的在于提供一種全新結構的分立半導體貼片超薄整流器，其電路簡單且外型尺寸具有極小化，特別是該整流器厚度超薄。本實用新型的技術方案是為了使得半導體整流器更薄更小，必須要對其內部的電路進行改進；分立半導體貼片超薄整流器，包括一共N型的雙二極體晶粒及一共P型的雙二極體晶粒，其特征在于該共N型晶粒的P型區與共P型晶粒的相對應的N型區連接到第一組導線架的一端子電極上；共N型晶粒的另一 P型區則與共P型晶粒的另一 N型區連接到所述第一組導線架的另一端子電極上；并且共N型晶粒的N型區與共P型晶粒的P型區則分別連接到第二組導線架的兩端子電極上，從而構成了一分立半導體貼片超薄整流器。本實用新型的有益效果在于通過本實用新型內部電路合理的設計，其電路簡單， 外型尺寸極小，厚度超薄的全新結構；并且與現有技術的整流器相比，其性能更加穩定的特點ο
以下結合附圖對本實用新型進行詳細的說明；
圖1及圖2為本實用新型的超薄整流器的電路示意圖；圖3為本實用新型的超薄整流器的結構圖；圖4為本實用新型的超薄整流器的封裝示意具體實施方式
[0012]如圖1至圖4所示，分立半導體貼片超薄整流器，包括一共N型的雙二極體晶粒3 及一共P型的雙二極體晶粒4，所述該共N型的雙二極體晶粒3的P型區與共P型的雙二極體晶粒4的相對應的N型區連接到第一組導線架2的一端子電極21上；共N型的雙二極體晶粒3的另一 P型區則與共P型的雙二極體晶粒4的另一 N型區連接到所述第一組導線架 2的另一端子電極22上；并且共N型的雙二極體晶粒3的N型區與共P型的雙二極體晶粒4的P型區則分別連接到第二組導線架1的兩端子電極(11、12)上，從而構成了一分立半導體貼片超薄整流器。在目前市場上用的同類整流器中，其0. 5 0. 8A/NBS厚度為2. 5mm士0. 2mm ;1 1. 5A/DB/DBS 厚度為3. 3mm+0. lmm/-0. 15mm ；1 1. 5A/DF/DFS 厚度為2. 5mm士0. 2mm ；而本實用新型貼片整流器的UBS/UBA厚度為1. 4mm+0/-0. 2mm ；其貼片焊點高度為1. 2mm士0. 1mm，并且引線切斷腳后短茬為0. 5 0. 2A mm。本實用新型可直接貼片于PCB板表面，其外形尺寸較小，并不占用更多的PCB板布線空間，通過該整流器內部電路圖的優化設計，從而使得本實用新型整流器在厚度設計較薄的同時，其性能更加穩定。
權利要求1.分立半導體貼片超薄整流器，包括一共N型的雙二極體晶粒及一共P型的雙二極體晶粒，其特征在于該共N型晶粒的P型區與共P型晶粒的相對應的N型區連接到第一組導線架的一端子電極上；共N型晶粒的另一 P型區則與共P型晶粒的另一 N型區連接到所述第一組導線架的另一端子電極上；并且共N型晶粒的N型區與共P型晶粒的P型區則分別連接到第二組導線架的兩端子電極上，從而構成了一分立半導體貼片超薄整流器。
專利摘要分立半導體貼片超薄整流器，包括一共N型的雙二極體晶粒及一共P型的雙二極體晶粒，該共N型晶粒的P型區與共P型晶粒的相對應的N型區連接到第一組導線架的一端子電極上；共N型晶粒的另一P型區則與共P型晶粒的另一N型區連接到所述第一組導線架的另一端子電極上；并且共N型晶粒的N型區與共P型晶粒的P型區則分別連接到第二組導線架的兩端子電極上，從而構成了一分立半導體貼片超薄整流器；通過本實用新型內部電路合理的設計，其電路簡單，外型尺寸極小，厚度超薄的全新結構；并且與現有技術的整流器相比，具有性能更加穩定的特點。
文檔編號H01L23/31GK202003991SQ20112000602
公開日2011年10月5日 申請日期2011年1月6日 優先權日2011年1月6日
發明者陳榮紅 申請人:陳榮紅