專利名稱：一種tft陣列基板的制造方法
技術領域：
本發明屬于平板顯示器制造技術領域，具體涉及ー種TFT陣列基板的制造方法。
背景技術：
隨著科學技術的發展，平板顯示器已取代笨重的CRT顯示器日益深入人們的日常生活中。目前，常用的平板顯示器包括LCD (Liquid Crystal Display :液晶顯示器)和OLED (Organic Light-Emitting Diode :有機發光二極管)顯示器。尤其是IXD平板顯示器，由于其具有體積小、重量輕、厚度薄、功耗低、無輻射等特點，近年來得到了迅速地發展，在當前的平板顯示器市場中占據了主導地位，在各種大中小尺寸的產品上得到了廣泛的應用，幾乎涵蓋了當今信息社會的主要電子產品，如液晶電視、電腦、手機、PDA、GPS、車載顯 示、投影顯示、攝像機、數碼相機、電子手表、計算器、電子儀器、儀表、公共顯示和虛幻顯示等多個領域。在成像過程中，IXD平板顯示器中每ー液晶像素點都由集成在TFT陣列基板中的薄膜晶體管(Thin Film Transistor :簡稱TFT)來驅動，再配合外圍驅動電路，實現圖像顯不；有源矩陣驅動式 OLED (Active Matrix Organic Light Emission Display,簡稱AM0LED)顯示器中由TFT基板中的TFT驅動OLED面板中對應的OLED像素，再配合外圍驅動電路，實現圖像顯示。在上述顯示器中，TFT是控制發光的開關，是實現液晶顯示器和OLED顯示器大尺寸的關鍵，直接關系到高性能平板顯示器的發展方向。在現有平板顯示器生產技術中，已實現產業化的TFT主要有非晶硅TFT、多晶硅TFT、單晶硅TFT等，用于制備平板顯示器中陣列基板使用最多的是非晶硅TFT。目前，隨著技術的發展，出現了金屬氧化物TFT，金屬氧化物TFT具有載流子遷移率高的優點，使得TFT可以做的很小，而使平板顯示器的分辨率越高，顯示效果越好；同時金屬氧化物TFT還具有特性不均現象少、材料和エ藝成本降低、エ藝溫度低、可利用涂布エ藝、透明率高、帶隙大等優點，備受業界關注。目前，制作金屬氧化物TFT—般米用六次光刻エ藝制成，由于在刻蝕源漏金屬電極時會腐蝕掉金屬氧化物半導體層，因此一般需要在金屬氧化物半導體層上面増加一次光刻エ藝以形成刻蝕阻擋層，以便在刻蝕源漏金屬電極的過程中保護金屬氧化物半導體層，使金屬氧化物半導體層不被源漏金屬的刻蝕液腐蝕。一般來說，在制作金屬氧化物TFT過程中，所用掩模板的數量越少，即光刻エ藝的使用次數越少，則生產效率越高，成本越低。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中采用六次光刻エ藝來制作金屬氧化物TFT的不足，提供一種能夠減少光刻エ藝次數的TFT陣列基板的制造方法，該制造方法能夠簡化制作エ藝，提高生產效率，降低生產成本，且提高了良品率。解決本發明技術問題所采用的技術方案是該TFT陣列基板的制造方法，包括以下步驟通過構圖エ藝在基板上分別形成包括柵電極、柵極掃描線、柵極絕緣層、金屬氧化物半導體層、透明像素電極、源電極、漏電極、刻蝕阻擋層、數據線、保護層以及接觸過孔的圖形，所述金屬氧化物半導體層、源電極、漏電極通過一次構圖エ藝形成。其中，所述金屬氧化物半導體層的形成是在形成源電極和漏電極的構圖エ藝中，利用源電極、漏電極和刻蝕阻擋層對金屬氧化物半導體膜的遮擋，將源電極、漏電極和刻蝕阻擋層的圖形作為形成金屬氧化物半導體層的掩模板，在形成源電極、漏電極的同一次構圖エ藝中同時形成金屬氧化物半導體層。其中，該制造方法具體包括如下步驟步驟SI):通過一次構圖エ藝在基板上形成包括柵電極和柵極掃描線的圖形；步驟S2):在完成步驟SI)的基板上形成柵極絕緣層，接著在柵極絕緣層上沉積金屬氧化物半導體膜，通過一次構圖エ藝在金屬氧化物半導體膜上形成刻蝕阻擋層；
步驟S3):在完成步驟S2)的基板上沉積源漏金屬膜，通過一次構圖エ藝形成包括源電極、漏電極、數據線以及金屬氧化物半導體層的圖形，在此次構圖エ藝中，利用源電極、漏電極和刻蝕阻擋層作為形成金屬氧化物半導體層的掩模板，在形成包括源電極、漏電極和數據線的圖形的同時形成金屬氧化物半導體層的圖形；步驟S4):在完成步驟S3)的基板上形成保護層，通過一次構圖エ藝形成包括接觸過孔的圖形；步驟S5):在完成步驟S4)的基板上通過一次構圖エ藝形成透明像素電極。優選地，所述步驟S2)具體為在完成步驟SI)的基板上通過沉積形成柵極絕緣層，然后依次沉積金屬氧化物半導體膜和刻蝕阻擋膜，利用普通掩模板通過一次光刻エ藝在金屬氧化物半導體膜上形成刻蝕阻擋層。優選地，在步驟S2)中，沉積柵極絕緣層是采用PECVD方法，所述柵極絕緣層采用氧化物或氮化物或氧氮化合物制成，所述柵極絕緣層的厚度范圍為2000 ~ 8000 A;在柵極絕緣層上沉積金屬氧化物半導體膜是采用濺射或熱蒸發的方法，所述金屬氧化物半導體膜米用非晶 IGZ0、HIZ0、IZ0、a-InZn0、a_InZn0、Zn0:F、In203 :Sn> In2tl3:Mo、Cd2SnO4、ZnO:Al、Ti02:Nb、或Cd-Sn-O制成，所述金屬氧化物半導體膜的厚度范圍為100 ~ 2000 A;在金屬氧化物半導體膜上沉積刻蝕阻擋膜是采用PECVD方法，所述刻蝕阻擋膜采用硅氧化物或氮化物或氧氮化合物制成。優選地，所述刻蝕阻擋層采用一層或雙層結構，當刻蝕阻擋層采用ー層結構時，該刻蝕阻擋層采用SiOx或Al2O3制成；當刻蝕阻擋層采用雙層結構時，所述與金屬氧化物半導體層相鄰的ー層采用硅氧化物制成；所述刻蝕阻擋層的厚度范圍為5 00 ~ 4000 A。其中，所述步驟SI)具體為先在基板上沉積柵金屬膜，采用普通掩摸板通過一次光刻エ藝形成包括柵電極和柵極掃描線的圖形；其中，在基板上沉積柵金屬膜是采用濺射或熱蒸發的方法進行沉積，所述柵金屬膜采用Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo制成或采用上述金屬中部分金屬的合金制成，所述柵金屬膜的厚度范圍為2000 ~ 10000A。其中，在步驟S3)中，通過一次光刻エ藝形成包括源電極、漏電極、數據線以及金屬氧化物半導體層的圖形，在刻蝕阻擋層上沉積源漏金屬膜是采用濺射或熱蒸發的沉積方法，所述源漏金屬膜采用Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo制成或采用上述金屬中部分金屬的合金制成，所述源漏金屬膜的厚度范圍為2000 ~ 100OOA。其中，在步驟S4)中，是在完成步驟S3)的基板上通過沉積形成保護層，通過一次光刻エ藝形成包括接觸過孔的圖形；其中，在源電極、漏電極及數據線上沉積形成保護層是采用PECVD方法，所述保護層采用氧化物或氮化物或氧氮化合物制成，所述保護層的厚度范圍為2000 ~ 8000 A0其中，在步驟S5)中，是在完成步驟S4)的基板上沉積透明導電膜，通過一次光刻エ藝形成透明像素電極；其中，在保護層上沉積透明導電膜是采用濺射或熱蒸發的沉積方法，所述透明導電膜采用ITO制成，所述透明導電膜的厚度范圍為300 ~ 1500 A。本發明的有益效果是本發明通過巧妙地利用源電極、漏電極和刻蝕阻擋層作為金屬氧化物半導體層的掩模板來形成所述金屬氧化物半導體層，與現有技術中TFT陣列基板采用六次構圖エ藝相比，減少了一次構圖エ藝，從而簡化了制作エ藝，提高了生產效率，降低了生廣成本，提聞了良品率。
圖I為采用本發明TFT陣列基板的制造方法所制成的TFT的平面示意圖；圖2為本發明制造方法中經第一次構圖エ藝后TFT陣列基板的截面示意圖；圖3為本發明制造方法中經第二次構圖エ藝后TFT陣列基板的截面示意圖；圖4為本發明制造方法中經第三次構圖エ藝后TFT陣列基板的截面示意圖；圖5為本發明制造方法中經第四次構圖エ藝后TFT陣列基板的截面示意圖；圖6為本發明制造方法中經第五次構圖エ藝后TFT陣列基板的截面示意圖；圖7為本發明TFT陣列基板的制造方法的流程圖。圖中1_基板；2_柵電極；3_柵極絕緣層；4_金屬氧化物半導體層；5_刻蝕阻擋層；6_源電極；7_漏電極；8_保護層；9_接觸過孔；10_透明像素電極；11_數據線；12_柵極掃描線。
具體實施例方式為使本領域技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖和具體實施方式
對本發明TFT陣列基板的制造方法、陣列基板以及平板顯示器作進ー步詳細描述。本發明中，光刻エ藝，是指包括曝光、顯影、刻蝕等エ藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等進行刻蝕形成圖形的工藝；構圖エ藝，包括光刻エ藝，還包括打印、噴墨等其他用于形成預定圖形的エ藝。本發明實施例提供ー種TFT陣列基板的制造方法，包括以下步驟通過構圖エ藝在基板上分別形成包括柵電極、柵極掃描線、柵極絕緣層、金屬氧化物半導體層、透明像素電極、源電極、漏電極、刻蝕阻擋層、數據線、保護層以及接觸過孔的圖形，所述金屬氧化物半導體層、源電極、漏電極通過一次構圖エ藝形成。所述金屬氧化物半導體層的形成是在形成源電極和漏電極的構圖エ藝中，利用源電極、漏電極和刻蝕阻擋層對金屬氧化物半導體膜的遮擋，將源電極、漏電極和刻蝕阻擋層的圖形作為形成金屬氧化物半導體層的掩模板，在形成源電極、漏電極的同一次構圖エ藝中同時形成金屬氧化物半導體層。實施例I : 如圖I所示為本實施例制造方法制作形成的TFT的平面圖。下面結合圖2-圖6以及圖7對本實施例中TFT陣列基板的制造方法進行詳細介紹。本實施例中，該TFT陣列基板制造方法包括以下步驟步驟SI):通過一次構圖エ藝在基板I上形成包括柵電極2和柵極掃描線12的圖形。具體地，是在基板I上沉積柵金屬膜，利用普通掩模板通過一次光刻エ藝形成包括柵電極2和柵極掃描線12(圖2中未示出)的圖形。在該步驟中，在基板上采用濺射或熱蒸發的方法沉積厚度為2000 ~ 10000A的柵金屬膜。其中，柵金屬膜可以采用Cr、W、Cu、Ti、Ta、M0中的任ー種所形成的單層膜制成，或者采用以上任一金屬的合金制成，或者采用以上金屬的組合所形成的多層膜制成，通過一次光刻エ藝形成柵電極2和柵極掃描線12，如圖2所示。 步驟S2):在完成步驟SI)的基板上形成柵極絕緣層3，接著在柵極絕緣層上沉積金屬氧化物半導體膜，通過一次構圖エ藝在金屬氧化物半導體膜上形成刻蝕阻擋層5。具體地，如圖3所示，在完成步驟SI)的基板上沉積柵極絕緣層3，接著沉積金屬氧化物半導體膜，然后沉積刻蝕阻擋膜，利用普通掩模板通過一次光刻エ藝制作形成刻蝕阻擋層5。在該步驟中，在完成步驟SI)的基板上通過PECVD(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition,等離子體增強化學氣象沉積)方法連續沉積厚度為2000 ~ 8000 A的柵極絕緣層3，柵極絕緣層3可以采用氧化物或氮化物或氧氮化合物形成，PECVD方法中形成氧化物或氮化物或氧氮化合物對應的反應氣體分別為SiH4、NH3> N2或SiH2C12, NH3> N2。然后，在其上通過濺射或熱蒸發的方法沉積厚度為100 ~ 4OOOA的金屬氧化物半導體膜，金屬氧化物半導體膜采用非晶IGZO、HIZO、IZO、a-InZnO、a-InZnO、ZnO:F、In2O3: Sn、In2O3:Mo、Cd2SnO4, ZnO:Al、TiO2:Nb、Cd-Sn-O 或其他系列的金屬氧化物制成。接著，再通過PECVD方法沉積厚度為5 00 ~ 4000 A的刻蝕阻擋膜，刻蝕阻擋膜可以采用硅氧化物或氮化物或氧氮化合物，PECVD方法中對應的反應氣體的采用遵循以下原則硅氧化物對應的反應氣體可以為SiH4、N2O ;氮化物或氧氮化合物對應的反應氣體是SiH4、NH3> N2 或 SiH2Cl2' NH3> N2 ；然后，通過一次普通的光刻エ藝形成刻蝕阻擋層5，如圖3所示。步驟S3):在完成步驟S2)的基板上沉積源漏金屬膜，通過一次光刻エ藝形成包括源電極6、漏電極7、數據線11以及金屬氧化物半導體層的圖形，在此次構圖エ藝中，利用源電極6、漏電極7和刻蝕阻擋層5作為形成金屬氧化物半導體層的掩模板，在形成源電極6、漏電極7和數據線11的同時形成金屬氧化物半導體層4。在該步驟中，在完成步驟S2)的基板上采用濺射或熱蒸發的方法沉積厚度為2000 ~ 10000A的源漏金屬膜，源漏金屬膜可以采用Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo中的任一種所形成的單層膜制成，或者采用以上任一金屬的合金制成，或者采用以上金屬的任一組合所形成的多層膜制成，通過一次普通的光刻エ藝形成源電極6、漏電極7及數據線11(圖4中未示出)，并利用源電極6、漏電極7和刻蝕阻擋層5的圖形作為掩模板，在形成源電極6、漏電極7和刻蝕阻擋層5的光刻エ藝中同時形成金屬氧化物半導體層的圖形，如圖4所示。在該步驟中，利用一次光刻エ藝即可同時形成源電極6、漏電極7、數據線以及金屬氧化物半導體層的圖形。在該過程中，主要是利用源漏金屬電極和刻蝕阻擋層5對步驟S2)中形成的金屬氧化物半導體膜在光照方向上的遮擋作用(即作為掩模板)來形成金屬氧化物半導體層4的圖形，從而直接省去了現有技術中對金屬氧化物半導體層單獨采用的一次光刻エ藝。對比圖3與圖4，可以很清楚地理解源漏金屬電極和刻蝕阻擋層作為掩模板的作用。步驟S4):在完成步驟S3)的基板上形成保護層8，通過一次構圖エ藝形成接觸過孔9。 具體地，如圖5所示，在完成步驟S3)的基板上沉積保護層8，通過一次光刻エ藝形成接觸過孔9。在該步驟中，在完成步驟S3)的基板上通過PECVD方法連續沉積厚度為2000 ~ 8000 A的保護層8，保護層8可以采用氧化物或氮化物或氧氮化合物制成，在 PECVD方法中形成氧化物或氮化物或氧氮化合物對應的反應氣體可以為SiH4、NH3> N2或SiH2Cl2、NH3> N2，通過一次光刻エ藝形成接觸過孔9，如圖5所示。步驟S5):在完成步驟S4)的基板上通過一次構圖エ藝形成透明像素電極10。具體地，如圖6所示，在完成步驟S4)的基板上沉積透明導電膜，通過一次普通的光刻エ藝形成透明像素電極10。在該步驟中，在完成步驟S4)的基板上通過濺射或熱蒸發的方法沉積厚度為300 ~ 1500 A的透明導電膜，透明導電膜一般采用ITO或其他的金屬及金屬氧化物制成，并通過一次光刻エ藝形成透明像素電極10，如圖6所示。一種采用本實施例中TFT陣列基板的制造方法制成的TFT陣列基板。一種采用本實施例中TFT陣列基板的平板顯示器。實施例2 本實施例與實施例I的區別在于，在步驟S2)中，柵極絕緣層3和刻蝕阻擋層5均采用疊層結構，本實施例中，柵極絕緣層3和刻蝕阻擋層5均采用雙層結構。在柵極絕緣層中，與金屬氧化物半導體層4接觸的ー層為保護層，其采用SiOx制成，所述保護層采用低速沉積方式形成；未與金屬氧化物半導體層4接觸的一層為絕緣層，其采用SiNx制成，所述絕緣層采用高速沉積方式形成。在所述柵極絕緣層的沉積過程中，先采用高速沉積方式沉積絕緣層，再采用低速沉積方式沉積保護層。在刻蝕阻擋層中，與金屬氧化物半導體層4接觸的ー層為保護層，其采用SiOx制成，所述保護層采用低速沉積方式形成；未與金屬氧化物半導體層4接觸的一層為阻擋層，其采用SiNx制成，所述阻擋層采用高速沉積方式形成。在所述刻蝕阻擋層的沉積過程中，先采用低速沉積方式沉積保護層，再采用高速沉積方式沉積阻擋層。這樣，由于與金屬氧化物半導體層4接觸的柵極絕緣層中的保護層和刻蝕阻擋層保護層均分別采用低速沉積方式形成，所形成的沉積層較致密，因此能與金屬氧化物半導體層4形成很好的交界面，有利于提高TFT的穩定性性能；而遠離金屬氧化物半導體層4的柵極絕緣層中的絕緣層和刻蝕阻擋層中的阻擋層均分別采用高速沉積方式形成，沉積速度較快，因此能有效提高其生產效率。一種采用本實施例TFT陣列基板的制造方法制成的TFT陣列基板。一種采用本實施例TFT陣列基板的平板顯示器。本發明本實施例中提供的底柵型金屬氧化物TFT的制造方法，巧妙地利用源漏金屬層和刻蝕阻擋層作為金屬氧化物半導體層的掩模板來形成金屬氧化物半導體層的圖形，與現有技術中TFT陣列基板采用六次光刻エ藝相比，減少了一次光刻エ藝，簡化了制作エ藝，提聞了生廣效率，提聞了良品率，降低了生廣成本；尤其適合于大尺寸、聞分辨率的TFT-IXD平板顯示器以及有源矩陣驅動式OLED平板顯示器制造時采用。 可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發明并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護范圍。
權利要求
1.ー種TFT陣列基板的制造方法，包括以下步驟通過構圖エ藝在基板上分別形成包括柵電極、柵極掃描線、柵極絕緣層、金屬氧化物半導體層、透明像素電極、源電極、漏電極、刻蝕阻擋層、數據線、保護層以及接觸過孔的圖形，其特征在于，所述金屬氧化物半導體層、源電極、漏電極通過一次構圖エ藝形成。
2.根據權利要求I所述的制造方法，其特征在于，所述金屬氧化物半導體層的形成是在形成源電極和漏電極的構圖エ藝中，利用源電極、漏電極和刻蝕阻擋層對金屬氧化物半導體膜的遮擋，將源電極、漏電極和刻蝕阻擋層的圖形作為形成金屬氧化物半導體層的掩模板，在形成源電極、漏電極的同一次構圖エ藝中同時形成金屬氧化物半導體層。
3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，該制造方法具體包括如下步驟 步驟SI):通過一次構圖エ藝在基板上形成包括柵電極和柵極掃描線的圖形； 步驟S2):在完成步驟SI)的基板上形成柵極絕緣層，接著在柵極絕緣層上沉積金屬氧 化物半導體膜，通過一次構圖エ藝在金屬氧化物半導體膜上形成刻蝕阻擋層； 步驟S3):在完成步驟S2)的基板上沉積源漏金屬膜，通過一次構圖エ藝形成包括源電極、漏電極、數據線以及金屬氧化物半導體層的圖形，在此次構圖エ藝中，利用源電極、漏電極和刻蝕阻擋層作為形成金屬氧化物半導體層的掩模板，在形成包括源電極、漏電極和數據線的圖形的同時形成金屬氧化物半導體層的圖形； 步驟S4):在完成步驟S3)的基板上形成保護層，通過一次構圖エ藝形成包括接觸過孔的圖形； 步驟S5):在完成步驟S4)的基板上通過一次構圖エ藝形成透明像素電極。
4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述步驟S2)具體為在完成步驟SI)的基板上通過沉積形成柵極絕緣層，然后依次沉積金屬氧化物半導體膜和刻蝕阻擋膜，利用普通掩模板通過一次光刻エ藝在金屬氧化物半導體膜上形成刻蝕阻擋層。
5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，在步驟S2)中，沉積柵極絕緣層是采用PECVD方法，所述柵極絕緣層采用氧化物或氮化物或氧氮化合物制成，所述柵極絕緣層的厚度范圍為2000 ~ 8000 A;在柵極絕緣層上沉積金屬氧化物半導體膜是采用濺射或熱蒸發的方法，所述金屬氧化物半導體膜采用非晶IGZO、HIZO、IZO、a-InZnO、a-InZnO、ZnO:F、In203 :Sn> In203 :Mo> Cd2SnO4> ZnO:Al> Ti02:Nb、或 Cd-Sn-O 制成,所述金屬氧化物半導體膜的厚度范圍為100 ~ 2000 A；在金屬氧化物半導體膜上沉積刻蝕阻擋膜是采用PECVD方法，所述刻蝕阻擋膜采用硅氧化物或氮化物或氧氮化合物制成。
6.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層采用ー層或雙層結構，當刻蝕阻擋層采用一層結構吋，該刻蝕阻擋層采用SiOx或Al2O3制成；當刻蝕阻擋層采用雙層結構時，所述與金屬氧化物半導體層相鄰的ー層采用硅氧化物制成；所述刻蝕阻擋層的厚度范圍為5 00 ~ 4000 A。
7.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述步驟SI)具體為先在基板上沉積柵金屬膜，采用普通掩摸板通過一次光刻エ藝形成包括柵電極和柵極掃描線的圖形；其中，在基板上沉積柵金屬膜是采用濺射或熱蒸發的方法進行沉積，所述柵金屬膜采用Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo制成或采用上述金屬中部分金屬的合金制成，所述柵金屬膜的厚度范圍為.2000 ~ IOOOOA0
8.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，在步驟S3)中，通過一次光刻エ藝形成包括源電極、漏電極、數據線以及金屬氧化物半導體層的圖形，在刻蝕阻擋層上沉積源漏金屬膜是采用濺射或熱蒸發的沉積方法，所述源漏金屬膜采用Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo制成或采用上述金屬中部分金屬的合金制成，所述源漏金屬膜的厚度范圍為2000 ~ 10000A。
9.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，在步驟S4)中，是在完成步驟S3)的基板上通過沉積形成保護層，通過一次光刻エ藝形成包括接觸過孔的圖形；其中，在源電極、漏電極及數據線上沉積形成保護層是采用PECVD方法，所述保護層采用氧化物或氮化物或氧氮化合物制成，所述保護層的厚度范圍為2000 ~ 8000 A。
10.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，在步驟S5)中，是在完成步驟S4)的 基板上沉積透明導電膜，通過一次光刻エ藝形成透明像素電極；其中，在保護層上沉積透明導電膜是采用濺射或熱蒸發的沉積方法，所述透明導電膜采用ITO制成，所述透明導電膜的厚度范圍為300 ~ 1500 A。
全文摘要
本發明提供一種TFT陣列基板的制造方法，其包括以下步驟通過構圖工藝在基板上分別形成包括柵電極、柵極掃描線、柵極絕緣層、金屬氧化物半導體層、透明像素電極、源電極、漏電極、刻蝕阻擋層、數據線、保護層以及接觸過孔的圖形，所述金屬氧化物半導體層、源電極、漏電極通過一次構圖工藝形成。該制造方法能夠簡化制作工藝，提高生產效率，降低生產成本，且提高了良品率。
文檔編號H01L21/77GK102651340SQ20111046054
公開日2012年8月29日 申請日期2011年12月31日 優先權日2011年12月31日
發明者劉翔, 薛建設 申請人:京東方科技集團股份有限公司