專利名稱：電連接器組件的制作方法
技術領域：
本文的主題總體上涉及電連接器組件，更具體地說，涉及用于高速光纖和銅纖通信的例如為收發器模塊的可插接電子模塊的連接器系統。
背景技術：
已知提供了一種具有多個端口的金屬罩，由此收發器模塊可插接在其中。希望增加與網絡連接，例如開關盒，電纜接線板，布線室以及計算機1/0，有關的端口密度。已經引入了若干可插接模塊設計和標準，其中，可插接模塊插入到電子連接于主電路板的插座中。 在產業中已經被流傳并被接受的一個這樣的標準被稱為小型可插接(SFP)標準，該標準規定了殼體高度9. 8mm,寬度13. 5mm以及最少20個電氣輸入/輸出連接。這樣的可插接模塊或收發器提供了在計算機和數據通信網絡，例如以太網，InfiniBand，光纖信道或串行連接 SCSI，之間的接口。還希望增加網絡連接的工作頻率。例如，應用快速進入到了數千兆比特領域。以增加的工作速度使用的電連接器系統出現了許多設計問題，尤其是在數據傳送速率高，例如高于IOGbps (千兆比特/秒)的范圍的應用中。特別關心的是降低電磁干擾(EMI)的發射。由于政府規定，不僅需要降低模塊的EMI發射，而且需要包含安裝模塊的主系統的EMI 發射，而不管模塊是否插入插座中。在傳統設計中，通過采用包圍插座的屏蔽金屬罩來實現EMI屏蔽。然而，隨著網絡連接速度的增加，傳統罩提供的EMI屏蔽被證明是不夠的。因此，待解決的問題是一種連接系統設計，其符合SFP標準同時最小化EMI發射，包括降低來自SFP型連接器以外的電連接器的EMI發射。
發明內容
解決方案是通過一種帶有屏蔽罩構件的電連接器組件來提供的，其中該屏蔽罩構件具有配置成將可插接模塊接收在其中的上端口和下端口。罩構件具有前配合面，其具有接收可插接模塊的開口。罩構件具有沿著上和下端口的側部的側壁，以及在上和下端口之間的側壁之間延伸的分隔構件。分隔構件具有其間有通道的上板和下板。RF吸收器(RF absorber (射頻吸收器))位于通道中，以降低從通道發射的EMI量。
下面將參考附圖通過例子來描述本發明，在附圖中圖1是根據示例性實施例形成的電連接器組件的正面透視圖，其示出了罩構件和插座連接器；圖2是圖1中所示的插座連接器的正面透視圖；圖3是電連接器組件的側視圖；圖4是從替代的電連接器組件的下側看到的正面透視圖，其示出了罩構件和多個插座連接器圖5是用于圖1和/或圖4中所示的罩構件的分隔構件的透視圖；圖6是除去插座連接器的圖4中所示的罩構件的正面透視圖；圖7是用于接收在罩構件內以及用于與插座連接器互連的可插接模塊的透視圖。
具體實施例方式在一個實施例中，電連接器組件設置有屏蔽罩構件，該屏蔽罩構件具有配置成將可插接模塊接收在其中的上端口和下端口。罩構件具有前配合面，其具有接收可插接模塊的開口。罩構件具有沿著上和下端口的側面的側壁，以及在上和下端口之間的側壁之間延伸的分隔構件。分隔構件具有其間有通道的上板和下板。RF吸收器位于通道中，以降低從通道發射的EMI量。在另一實施例中，電連接器組件被設置成包括屏蔽罩構件，該屏蔽罩構件具有配置成將可插接模塊接收在其中的上端口和下端口。罩構件具有前配合面和與前配合面相對的后面。罩構件具有在前配合面和后面之間延伸的側壁。插座連接器接收在靠近后面的端口中。插座連接器配置成電連接到可插接模塊，其中EMI從插座連接器在朝向前配合面的方向傳播。RF吸收器安裝在罩構件中，其具有平行于EMI穿過通道傳播的方向取向的吸收面。RF吸收器減少從罩構件發射的EMI量。在又一實施例中，電連接器組件被設置為包括配置成將可插接模塊接收在其中的屏蔽罩構件。罩構件具有限定罩構件的多個壁。插座連接器接收在罩構件中。插座連接器配置成電連接到可插接模塊。RF吸收器應用于罩構件的一個或多個壁，以降低從罩構件發射的EMI量。圖1是根據示例性實施例形成的電連接器組件100的正面透視圖。電連接器組件 100包括罩構件102和接收在罩構件102中的插座連接器104。可插接模塊106 (圖7中所示)配置成裝載入罩構件102中用于配合插座連接器104。插座連接器104打算放置在電路板上，例如母板上，并且布置在罩構件102中用于與可插接模塊106配合接合。罩構件102是屏蔽的，沖壓成形的罩構件，其包括限定用于接收可插接模塊106的多個端口 110，112的多個屏蔽壁108。端口 110限定位于端口 112之上的上端口且在下文中稱為上端口 110。端口 112限定位于端口 110之下的下端口且在下文中稱為下端口 112。 在替代實施例中，可設置任意數目的端口。在示出的實施例中，罩構件102包括布置為單列的端口 110，112，但是，在替代實施例中，罩構件102可包括多列端口 110，112。罩構件102包括頂壁114，下壁116，后壁117和側壁118，120，其共同限定用于罩構件102的殼體。罩構件102被中間分隔構件122再分，以限定上和下端口 110，112。分隔構件122在側壁118，120之間延伸。分隔構件122具有帶有上板126(圖3中所示)的前壁124和從前壁124向后延伸的下板128。分隔構件122通過翼片130保持就位，翼片130 從上和下板126，128的側邊緣132，134延伸，并且延伸穿過側壁118，120。罩構件120具有允許罩構件102接地到母板和/或更遠的面板的多個特征。下壁 116和側壁118，120包括從其中延伸的壓配合插腳138，其配置成接收在母板的電鍍接地通孔中，以將罩構件102電氣接地到母板的接地平面。壓配合插腳138的輪廓既將罩構件102 機械保持到母板，又將罩構件102接地到其中。下壁116可包括類似的壓配合插腳或其它特征，以供罩構件102接地到母板。圍繞罩構件102的朝向其前邊緣的周邊，罩構件102可包括多個彈性翼片，其輪廓接合罩構件102通過其插入的開口的邊緣，例如面板或底板中的開口。分隔構件122包括靠近其前邊緣的閂鎖144，用于將可插接模塊106固定到罩構件 102。閂鎖144具有鎖口 146，用于與可插接模塊106鎖定接合。閂鎖144是可彎曲的且從上和下板126，128沖壓成。下壁116包括穿過其的開口 150。插座連接器104接收在開口 150中。插座連接器104可通過下端口 112和上端口 110進入。分隔構件122沒有延伸到后壁117，而是未到后壁117就停止，以提供用于插座連接器104的裝載入上端口 110的空間。圖2是插座連接器104的正面透視圖。插座連接器104包括由具有側壁164，166 的豎立體部分162限定的殼體160，配置成安裝到母板的下面168，以及配合面170。上和下延伸部172，174從主體部分 162延伸以限定配合面170。凹入面176限定在主體部分162 的前面處的上和下延伸部172，174之間。電路卡接收槽180，182從各個上和下延伸部172，174的每個的配合面170向內延伸，并且向內延伸到殼體主體160。電路卡接收槽180，182配置成接收可插接模塊106 (圖 7中所示)的卡邊緣。多個接觸件184由殼體160保持且暴露在電路卡接收槽180中用于與相應的可插接模塊106配合。接觸件184從下面168延伸，且端接到母板。例如，接觸件 184的末端可構成裝載入母板的電鍍通孔中的插腳。可替代的，接觸件184可以另外的方式端接到母板，例如通過表面安裝到母板。多個接觸件186由殼體160保持，且暴露在電路卡接收槽182中用于與相應的可插接模塊106配合。接觸件186從下面168延伸，且端接到母板。圖3是電連接器組件100的側視圖。插座連接器104示出裝載入罩構件102。上和下延伸部172，174對準上和下端口 110，112。分隔構件122對準凹入面176。當接觸件 184，186用能量激勵時，例如在信號傳送期間，接觸件184，186作為天線且發射出能量。這種能量穿過罩構件102，包括穿過分隔構件122，輻射。分隔構件122包括在上和下板126，128之間限定的通道190。通道190是細長的， 且大致從插座連接器104沿著縱向軸192延伸到前壁124。通道190在分隔構件122的后端是開放的。通道190延伸到前壁124。當可插接模塊106(圖7中所示)裝載入端口 110， 112時，閂鎖144可至少部分地彎曲進入通道190。當可插接模塊106裝載入端口 110，112 時，可插接模塊106的部分可至少部分地接收在通道190中。通道190限定了允許閂鎖144 和/或可插接模塊106的部分在使用期間延伸進入的空間。上和下板126，128間隔開以容納閂鎖144和/或可插接模塊106的部分。在示例性實施例中，電連接器組件100包括包含一個或多個光管的光管(LP)結構 196。光管結構196穿過通道190通往前壁124。光管結構190傳送可來源于靠近插座連接器104安裝的母板上的發光二極管(LED)的光。通過光管結構196將光從LED傳送至操作者可看見或可檢測的遠程位置。光指示在可插接模塊106 (圖7中所示)和插座連接器104 之間的電和/或光連接的情況。該情況可與可插接模塊106(圖7中所示)和插座連接器 104之間的傳送質量相關。例如，狀態指示可以是有色光(例如，綠色對應于高質量傳送，紅色對應于質量差的傳送或指示斷開)。狀態指示也可以是以預定頻率閃光或閃爍的光。
插座連接器104產生穿過罩構件102傳播的電場。電場大致在通道190的縱向軸線192的大體方向上傳播。能量沿縱向軸線192沿著通道190往下向前壁IM傳播。接觸件184，186是沿著通道190向外和向下輻射的電場的一個來源。罩構件102的壁是金屬的， 用于阻止自罩構件102的大多數EMI泄漏。然而，存在部分的罩構件102對EMI泄漏敏感。 例如，EMI泄漏可發生在光管開口延伸穿過前壁124的前壁IM處，和/或在圍繞閂鎖144 的開口處和/或在分隔構件122和罩構件102之間的接縫處。EMI沿縱向軸線192沿著通道109向下傳播，并且通過這些區域泄漏。在示例性實施例中，電連接器組件100包括位于通道190內的RF吸收器200，以降低或甚至消除來自通道190的EMI泄漏。RF吸收器200由EMI吸收材料制造，并降低通過罩構件102，特別是通過通道190 和限定通道190的壁傳送的能量。RF吸收器200降低，例如通過前壁124和/或通過圍繞在上和下板126，128的前邊緣處的閂鎖144的開口，從通道190發射的EMI量。在示例性實施例中，RF吸收器200基本上消除了來自通道190的全部EMI泄漏。RF吸收器200由具有高相對磁導率的材料制造，以吸收EMI和限制來自通道190的全部輻射功率。RF吸收器 200有效地增大了通道190地阻抗，在能量一進入通道190時就反射一些能量，且吸收穿過通道190的能量。RF吸收器200降低了由上和下板126，128限定的導電接地面的能量反射。RF吸收器200的效率可取決于RF吸收器200的形成和應用(厚度，相對磁導率，大小， 位置以及類似的)。在示例性實施例中，RF吸收器200包括薄的磁加載彈性片。RF吸收器200可由多種材料制造，例如橡膠，腈，硅，氟化橡膠，氯丁(二烯)橡膠，氯磺酰化聚乙烯合成橡膠 (hypolan)，聚氨酯或其它彈性材料。RF吸收器200可具有包含在彈性材料內的磁性填料， 例如羰基鐵粉，鐵硅化物或其它磁性填料。RF吸收器200內的材料類型可針對不同頻率的 EMI進行選擇。在示例性實施例中，RF吸收器200可為從Laird "Technologies商業上可獲取的Q-Zorbtm材料。可選擇RF吸收器200的厚度以控制EMI降低的量。例如，RF吸收器200的不同厚度可用于針對不同頻率的能量。在示例性實施例中，RF吸收器200相對薄，以使得RF吸收器200不占用通道190太多的空間，例如保持用于光管結構190和/或穿過通道190的空氣流路徑的空間。在所示的實施例中，RF吸收器200大約1.0mm厚。在替代實施例中，也可以為其它厚度。在示例性實施例中，RF吸收器200占用不到一半的通道190的總容積。 可選擇的，RF吸收器可占用小于10%的通道190的容積。可替代的，當不考慮空氣流時，RF 吸收器200可占用通道190的全部容積。可選擇RF吸收器200在通道190的位置以控制EMI的降低量。在示例性實施例中，RF吸收器200非常靠近為電場源的插座連接器104。例如，RF吸收器200位于分隔構件122的后端。在所示實施例中，RF吸收器200位于沿著上和下板126，128的內面(例如面對通道190的面)。RF吸收器200沿大致平行于縱向軸線192和從插座連接器104的電場傳播的方向延伸。這樣，RF吸收器200沿大致平行于穿過通道190傳播的能量的方向延伸。這樣，RF吸收器200構成表面波吸收器，其平行于EMI傳播的方向取向。可選擇的，RF吸收器200可具有允許RF吸收器200應用到上和下板126，128的內表面的粘合底部。在替代實施例中，替代的固定方式可將RF吸收器200固定到上和下板 126，128。在替代的實施例中，RF吸收器200可位于不同的位置。例如，RF吸收器200可位于通道190內沿著側壁118，120(圖1中所示)的內面。RF吸收器200可位于前壁124處和/或覆蓋圍繞閂鎖144的開口。在替代實施例中，RF吸收器200不是薄板，而是厚一些的，以及位于通道190內大致或完全填滿通道190的區域，例如標記為202的區域，從而起到插頭的作用。在替代實施例中，區域202可位于沿著通道190的不同位置。在替代實施例中，區域202可長些或短些， 填充更大或更小的通道190的容積。在RF吸收器200用作插頭的情況中，將不使用光管結構196或不在罩構件102內改道光管結構196，以允許RF吸收器200位于這樣的區域202 內。可替代的，RF吸收器200可圍繞光管結構196模制，并且填充通道190的區域，但仍允許光管結構196穿過其中。圖4是從替代電連接器組件300的下側看到的正面透視圖，示出了罩構件302和多個插座連接器104。可插接模塊106 (圖7中所示)配置成裝載入罩構件302用于配合插座連接 器104。罩構件302是屏蔽的，沖壓成形的罩構件，其包括限定罩構件302的多個外屏蔽壁 304和多個內屏蔽壁306。罩構件302與罩構件102(圖1中所示)的區別在于罩構件302 包含更多的端口。罩構件302包含多個上端口 310和多個下端口 312。盡管示出了四列端口 310，312，應意識到，在替代實施例中，可設置任意數目列的端口。外屏蔽壁304包括頂壁314，下壁316，后壁317和側壁318，320，其共同限定了罩構件302的大致殼體。內屏蔽壁306包括在端口 310，312行之間的分隔構件322以及在端口 310，312列之間的間隔壁324。分隔構件322在一個側壁318，320和一個間隔壁324之間或者相鄰的間隔壁324之間延伸。圖5是一個分隔構件322的透視圖，其和分隔構件122(圖1中所示)相同。分隔構件322從金屬片沖壓成形為U形結構。分隔構件322具有前壁325，其中上板326和下板 328從前壁325向后延伸。分隔構件322包括從此延伸的翼片330，其接合相應的側壁318， 320或間隔壁324(圖4中所示)。分隔構件322包括靠近其前邊緣的閂鎖344，用于將可插接模塊106(圖7中所示) 固定到罩構件302。閂鎖344具有鎖口 346，用于與可插接模塊106鎖定接合。閂鎖344是可彎曲的，且從上和下板326，328沖壓出。分隔構件322包括在上和下板326，328之間限定的通道390。通道390是細長的， 且沿著縱向軸392在開放的后端和前壁325之間延伸。當可插接模塊106裝載入端口 310， 312(圖4中所示)中時，閂鎖344可至少部分地彎曲進入通道。當可插接模塊106裝載入端口 310，312中時，部分的可插接模塊106可至少部分地接收在通道390中。通道390限定允許閂鎖344和/或部分的可插接模塊106在使用期間延伸進入的空間。上和下板326， 328間隔開以容納閂鎖344和/或部分的可插接模塊106。在示例性實施例中，電連接器組件300包括RF吸收器400，其位于通道390內來降低甚至消除來自通道390的EMI泄漏。RF吸收器400位于分隔構件322的后端處。在所示實施例中，RF吸收器400沿著上和下板326，328的內面(例如，面對通道390的表面)定位。RF吸收器400大致平行于縱向軸線392延伸。可選的，RF吸收器400可具有允許RF吸收器400應用到上和下板326，328的內表面的粘合底部。在替代實施例中，替代的固定裝置可用來將RF吸收器400固定到上和下板326，328。在替代的實施例中，RF吸收器400可位于不同的位置。圖6是除去插座連接器104(圖4中所示)的罩構件302的正面透視圖。分隔構件322連接到相應的壁318，320，324。分隔構件322電連接到其它的壁304，306，以 提供上和下端口 310，312之間的屏蔽。光管結構196(圖3中所示)可保持在通道390內。RF吸收器400通過吸收沿著通道390傳播的能量來降低來自分隔構件322的EMI泄漏。圖7示出了用于電連接器組件100，300(圖1和4中所示)的可插接模塊106。在所示實施例中，可插接模塊106構成小型可插接(SFP)模塊，該小型可插接模塊在其配合端 403具有電路卡402，用于互連入槽180，182 (圖2中所示)以及在其中與接觸件184或186 互連。可插接模塊106可進一步包括在模塊內電互連到末端404的接口，例如以模塊插座的方式的銅接口，或者電互連到用于進一步連接的光纖連接器。可插接模塊106還可包括接地翼片406，408以及凸起410。凸起410可鎖入閂鎖144(圖1中所示)或閂鎖344(圖 5中所示)的三角形開口中。由于閂鎖144，344從相應的罩構件102或302(圖4中所示) 是可進入的，因此這允許可插接模塊106的簡便的抽出。在替代實施例中，可使用其他類型的可插接模塊或收發器。
權利要求
1.一種電連接器組件(100)，包括屏蔽罩構件(102)，該屏蔽罩構件具有配置成將可插接模塊接收在其中(106)的上端口(110)和下端口(112)，罩構件(102)具有前配合面，該前配合面具有接收可插接模塊 (106)的開口，罩構件(102)具有沿著上和下端口 (110,112)的側面的側壁(118，120)以及在上和下端口(110，112)之間的側壁(118，120)之間延伸的分隔構件(122)，分隔構件 (122)具有其間有通道(190)的上板(126)和下板(128)；以及射頻吸收器(200)，該射頻吸收器位于通道(190)中，射頻吸收器(200)降低從通道 (190)發射的電磁干擾量。
2.如權利要求1所述的電連接器組件(100)，其中射頻吸收器(200)包括應用到上板 (126)或下板(128)中的至少一個的薄板。
3.如權利要求1所述的電連接器組件(100)，其中射頻吸收器(200)構成表面波吸收器，該表面波吸收器布置成大致平行于電磁干擾穿過分隔構件(122)傳播的方向。
4.如權利要求1所述的電連接器組件(100)，其中射頻吸收器(200)由彈性材料制造。
5.如權利要求1所述的電連接器組件(100)，其中射頻吸收器(200)包括應用到上板 (126)的第一射頻吸收器(200)和應用到下板(128)的第二射頻吸收器(200)，間隙將第一和第二射頻吸收器(200)分隔開。
6.如權利要求1所述的電連接器組件(100)，其中罩構件(102)具有與所述前配合面相對的后面，通道(190)在所述前配合面和所述后面之間沿著縱向軸線伸長，射頻吸收器 (200)包括與所述縱向軸線平行的薄板。
7.如權利要求1所述的電連接器組件(100)，其中上板(126)包括在所述前配合端的用于與上端口(110)內的可插接模塊(106)鎖合的閂鎖(144)，下板(128)包括在所述前配合端的用于與下端口(112)內的可插接模塊(106)鎖合的閂鎖(144)，射頻吸收器(200) 沿著上板(126)或下板(128)中的至少一個在相應的閂鎖(144)的后面延伸。
8.如權利要求1所述的電連接器組件(100)，進一步包括接收在罩構件(102)中的插座連接器(104)，插座連接器(104)通過上端口(110)和下端口(112)是可進入的，可插接模塊(106)電連接到插座連接器(104)。
9.如權利要求1所述的電連接器組件(100)，進一步包括接收在通道(190)內的光管組件(196)。
10.如權利要求1所述的電連接器組件(100)，其中分隔構件(122)是U形的，前壁(124)在上板(126)和下板(128)之間，電連接器組件(100)進一步包括接收在罩構件(102)內位于分隔構件(122)后面的插座連接器(104)，插座連接器(104)產生在前壁 (124)的方向上通過通道(190)的能量場，射頻吸收器(200)平行于能量傳播的方向延伸。
全文摘要
一種電連接器組件(100)設置有屏蔽罩構件(102)，罩構件(102)具有配置成將可插接模塊接收在其中的上端口(110)和下端口(112)。罩構件(102)具有前配合面，該前配合面具有接收可插接模塊的開口。罩構件(102)具有沿著上和下端口(110，112)的側面的側壁(118，120)以及在上和下端口(110，112)之間的側壁(118，120)之間延伸的分隔構件(122)。分隔構件(122)具有其間有通道的上板和下板(128)。RF吸收器通道中，降低從通道發射的EMI量。
文檔編號H01R13/6581GK102447198SQ20111044522
公開日2012年5月9日 申請日期2011年10月8日 優先權日2010年10月1日
發明者M·W·福戈, R·J·朗, S·D·鄧伍迪 申請人:泰科電子公司