專利名稱：可調電感器的制作方法
可調電感器技術領域
本發明有關于電感電容槽(LC Tank)振蕩器諸如壓控振蕩器或數位控制振蕩器 (Digitally Controlled Oscillator，以下簡稱為「DCO」)之頻率覆蓋范圍(Frequency Coverage)，尤指一種可調電感器。
背景技術：
當一行動電話被設計成運作在分別對應于不同電信規格之多個模式中時，可能分別需要多個DCO以供用于這些模式。依據相關技術，該些DCO可整合成通過利用電容的調整所實施之單一 DC0，以節省晶片面積；然而，相關技術中往往會出現某些問題。首先，通過利用電容的調整所實施之傳統DCO的頻率覆蓋范圍會依開關之寄生電容而定，其針對特定制程而言受限于最大容許訊號擺動(Signal Swing)。其次，每當需要很大的調整范圍時，通過利用電容的調整所實施之傳統DCO可能得面臨妥協的效能，這是因為大多數的電容是供可調整目的之用且通常會造成較非可調整電容更多的能量損失。如此，需要一種可調電感器來實現帶有大調整范圍之單一 DC0。發明內容
為了解決上述技術問題，本發明提供一種有效的可調電感器，以解決上述問題。
本發明提供一種可調電感器，該可調電感器包含一主要線路與至少一調整模組。 該主要線路是用于定義該可調電感器之一電感區，尤其是被安排成環繞該電感區。另外， 該至少一調整模組包含至少一輔助線路，位于該電感區內，耦接于該主要線路之兩節點之間；以及一第一開關，配置于該至少一輔助線路上，用來選擇性地將該主要線路之該兩節點互相耦接。
本發明還提供一種可調電感器，該可調電感器包含一主要線路、至少一調整模組與一樣態化接地面(Patterned Ground Plane)。該主要線路是用于定義該可調電感器之一電感區，尤其是被安排成環繞該電感區。另外，該至少一調整模組是用于選擇性地耦接該主要線路之關聯節點。此外，該樣態化接地面是用于減少該可調電感器之能量損耗，其中該樣態化接地面包含多個第一導電段(Conductive Section)，而該多個第一導電段中之一部份第一導電段被安排構成一個像W的形狀(W-like Siape)。
相較于現有技術，本發明的可調電感器可提升面積效率。
圖IA為依據本發明一第一實施例之一種可調電感器。
圖IB為圖IA所示之可調電感器于一實施例中的等效電路。
圖2為依據本發明一第二實施例之一種可調電感器。
圖3A為依據本發明一第三實施例之一種可調電感器。
圖;3B為圖3A所示之可調電感器于一實施例中的品質因數曲線⑴Curve,以下簡稱為「Q曲線」)，尤其是在圖3A所示之電阻器的電阻接近/達到零的狀況下之Q曲線。
圖3C為圖3A所示之可調電感器于另一實施例中的Q曲線。
圖4A為圖IA所示之可調電感器于一第四實施例中的樣態化接地面。
圖4B為于一實施例當中，圖4A所示之樣態化接地面相對于圖IA所示可調電感器之相對位置。
圖5A為圖2所示之可調電感器于一第五實施例中的樣態化接地面。
圖5B為于一實施例當中，圖5A所示之樣態化接地面相對于圖2所示可調電感器之相對位置。
圖6為依據本發明一第六實施例之一種可調電感器，其主要線路之兩端分別電氣連接至兩電壓源。
圖7為依據本發明一第七實施例之一種可調電感器，其主要線路之兩端分別電氣連接至兩電流源。
圖8A為依據本發明一第八實施例之一種可調電感器，其主要線路之兩端中之一者系電氣連接至一電壓源，其中該可調電感器包含多個開關。
圖8B為圖8A所示之可調電感器于一實施例中的訊號電流，其中關聯的渦電流 (Eddy Current)被封鎖。
圖8C為圖8A所示之可調電感器于另一實施例中的訊號電流，其中關聯的渦電流被封鎖。
具體實施方式
在說明書及權利要求當中使用了某些詞匯來指稱特定元件。所屬領域中技術人員應可理解，制造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及權利要求并不以名稱的差異來作為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及權利要求當中所提及的“包括”和“包含”為開放式的用語，因此應解釋成“包含但不限定于”。以外，“耦接”一詞在此包含任何直接及間接的電氣連接手段。間接的電氣連接手段包括通過其它裝置進行連接
請參考圖1A，圖IA為依據本發明一第一實施例之一種可調電感器100，其中可調電感器100可用來實施帶有多模式頻率覆蓋范圍(Frequency Coverage)之單一數位控制振蕩器(Digitally Controlled Oscillator，以下簡稱為「DCO」)。可調電感器100包含一主要線路110以及至少一調整模組諸如調整模組120，其中主要線路110是用于定義可調電感器100之一電感區(即在暫時忽略上述之至少一調整模組的狀況下之主要線路110以內的區域)，尤其是被安排成環繞該電感區。請注意，在本實施例及其某些變化例中，不論主要線路110是封閉的樣式或是螺旋的樣式，且不論主要線路110的圈數是否大于一，主要線路110可視為環繞可調電感器100之該電感區之線路。依據本實施例，上述之至少一調整模組中之每一調整模組諸如圖IA所示之調整模組120包含一第一開關122，位于該電感區內；以及至少一輔助線路諸如輔助線路124A與124B。實作上，上述之至少一輔助線路位于該電感區內，且耦接于主要線路110之兩節點之間；而第一開關122系配置于上述之至少一輔助線路上，且是用于選擇性地將主要線路110之該兩節點互相耦接。
如圖IA所示，第一開關122以及上述之至少一輔助線路諸如輔助線路124A與124B將上述之電感區之至少一部份(例如一部份或全部)區分成兩個分區(Partial Area)，其中本實施例中上述電感區之該至少一部份包含該電感區之全部。若暫時忽略上述之至少一調整模組(例如調整模組120)而不予考慮，則主要線路110構成一電流路徑以供在某些狀況中使用。由于實施了調整模組120，通過第一開關122、上述之至少一輔助線路諸如輔助線路124A與1MB、以及主要線路110的一部份(于本實施例即圖IA當中位于主要線路110下半部的部份線路(Partial Wiring))之一新的電流路徑(尤其是，開始于接口 P1、通過調整模組120且結束于接口 P2之電流路徑)環繞該兩個分區中之一者。
上述之至少一調整模組(例如調整模組120)用來選擇性地耦接(尤其是電氣連接)主要線路Iio之關聯節點。依據本實施例，當第一開關122被開啟時，調整模組120耦接(尤其是電氣連接)主要線路110之兩節點，諸如位于輔助線路124A與主要線路110之間的接面中央之第一節點以及位于輔助線路124B與主要線路110之間的接面中央之第二節點，以改變(尤其是減少)可調電感器100之有效直徑，因此可調電感器100之有效電感被改變(尤其是減少)。更明確而言，輔助線路124A與124B是用于第一開關122被開啟時耦接該兩節點(例如該第一節點與第二節點)。
例如在第一開關122被開啟的狀況下，主要線路110上之大部份電流會通過接口 P1、輔助線路124A、第一開關122、輔助線路124B與接口 P2而流動，而非通過主要線路110 之任一中間節點antermediate Node)而流動，其中該中間節點位于上述之兩節點之間。請注意，本實施例之中間節點可位于沿著主要線路110之中央點，諸如接口 P3所處位置之一中央節點。相反地，在第一開關122被關閉的狀況下，主要線路110上之大部份電流會通過接口 Pl、接口 P3與接口 P2而流動，而非通過輔助線路124A、第一開關122與輔助線路124B 而流動。
圖IB為圖IA所示之可調電感器100于一實施例中的等效電路。例如第一開關 122可利用一金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,以下簡稱為「M0SFET」)來實施，且可稱為一 MOSFET開關Msw，其中一控制訊號 VCl是用于開啟或關閉該MOSFET開關Msw。為了便于理解，主要線路110可表示為接口 Pl 與P3之間之一第一部份電感器(Partial Inductor)以及接口 P3與P2之間之一第二部份電感器。基于圖IA所示之架構，上述之第一部份電感器與該第二部份電感器可繪示成為同一個電感器符號，其類似彈簧的形狀開始自接口 Pl且一直延續到接口 P2。另外，輔助線路 124A可表示為該第一部份電感器與該MOSFET開關Msw之間之一第三部份電感器(即以接口 Pl作為其一端者)，且輔助線路124B可表示為該MOSFET開關Msw與該第二部份電感器之間之一第四部份電感器(即以接口 P2作為其一端者)。基于圖IA所示之架構，該第三部份電感器與該第四部份電感器中之每一者可繪示成一個電感器符號，其類似彈簧的形狀開始自一端且一直延續到另一端。
請注意，于本實施例中，主要線路110的圈數等于一。這只是為了說明的目的而已，并非對本發明之限制。依據本實施例之某些變化例，主要線路110的圈數可大于一。例如主要線路110可被安排成為位于同一平面上之一螺旋狀路徑。又例如主要線路110可被安排成為其范圍由一平面跨到另一平面之一個類似彈簧的形狀之路徑，而非位于同一平面上之螺旋狀路徑。
另外，依據圖IA所示之實施例，可調電感器100中之調整模組的數量等于一。這只是為了說明的目的而已，并非對本發明之限制。依據圖IA所示之實施例之某些變化例， 可調電感器100中之調整模組的數量可大于一。例如在這些變化例中，可調電感器100可包含安排于該電感區中之多個調整模組120-1、120-2、...與120-M，其中調整模組120-1、 120-2、...與120-M中之每一調整模組可為圖IA所示之調整模組120之復制品。
圖2為依據本發明一第二實施例之一種可調電感器100-1。于本實施例中，上述之主要線路Iio的形狀可予以變化。例如主要線路110可形成一個「8」字形諸如圖2所示者，因此，上述之電感區可擴展且包含對應于該8字形的上半部之一上面部份以及對應于該8字形的下半部之一下面部份。如此，第一開關122以及上述之至少一輔助線路諸如輔助線路124A與124B將本實施例之電感區之上面部份區分成兩個分區。如圖2所示，通過利用某些金屬連接結構114A與114B(其于某些狀況下可稱為穿孔(Via)，較為簡明)，主要線路110分布的范圍可擴及多個平面。另外，主要線路110中之非陰影部份以及輔助線路 124A與124B被安排于同一平面，而主要線路110中之陰影部份被安排于另一平面，其中主要線路110中之陰影部份代表位于金屬連接結構114A與114B之間的同一輔助線路112。 為了簡明起見，本實施例與前述實施例/變化例相仿之處不再重復。
圖3A為依據本發明一第三實施例之一種可調電感器。為了便于理解，圖IA所示實施例之某些標號可用來描述本實施例之可調電感器。依據本實施例，可調電感器100另包含一電阻器，而該電阻器系電氣連接至上述主要線路110中之中間節點，尤其是圖IA(或圖1B)所示之接口 P3所處位置之中央節點。這個電阻器是用于提高(Elevate)在該中間節點之直流位準，且因此可提高主要線路110之兩端中之任一者的直流位準。例如設置圖 3A所示之電阻器可將在該中間節點之直流位準提高至0. 3V的電壓位準，而容許施加于可調電感器100之電壓擺動(Voltage Swing)的范圍由-Vpk分布至Vpk且不會明顯地減少可調電感器100之品質因數的數值⑴value，以下簡稱為「Q值」)之大小，其中電壓擺動的范圍于圖3A中系標示為「2Vpk」。
圖;3B為圖3A所示之可調電感器于一實施例中的品質因數曲線⑴Curve,以下簡稱為「Q曲線」)，尤其是在圖3A所示之電阻器的電阻接近/達到零的狀況下之Q曲線，其中橫軸代表峰值電壓Vpk，而縱軸代表Q值。如圖:3B所示，Q值隨著峰值電壓Vpk的增加而明顯地降低；這是肇因于在施加于可調電感器100之電壓擺動夠低的狀況下，該MOSFET開關Msw部份地被開啟。
圖3C為圖3A所示之可調電感器于另一實施例中的Q曲線，其中橫軸代表峰值電壓Vpk，而縱軸代表Q值。相較于圖:3B所示之實施例，圖3C所示實施例之Q值可于峰值電壓Vpk增加時仍舊維持在高點。
圖4A為圖IA所示之可調電感器100于一第四實施例中的樣態化接地面 (Patterned Ground Plane)，其中此處提及的樣態化接地面亦可稱為樣態化接地屏蔽 (Patterned Ground Shield，以下簡稱為「PGS」)。該樣態化接地面是用于減少可調電感器100之能量損耗，尤其是避免可調電感器100受到基板中能量損失之害。依據本實施例， 該樣態化接地面包含多個第一導電段(Conductive Section)諸如金屬線，且另包含多個第二導電段諸如多晶硅(Polycrystalline Silicon ；或 Polysilicon、Poly-Si 或簡稱為 ΓPolyJ)線，其中該多個第二導電段之導電率低于該多個第一導電段中之導電率。這只是為了說明的目的而已，并非對本發明之限制。依據本實施例之某些變化例，該多個第一導電段與該多個第二導電段均可為金屬線，這表示它們有相同的導電率。請注意，于圖4A所示之實施例中，該多個第一導電段系實體地連接至該多個第二導電段之全體。更明確而言，該多個第一導電段將交流接地(Alternating Current Ground，以下簡稱為「AC接地」)路徑提供予該多個第二導電段，其中該多個第一導電段系電氣連接至一接地參考位準(Ground Reference)，其可為任何靜態電壓位準，其中該接地參考位準例如AC接地。
如圖4A所示，在該樣態化接地面當中沒有任何封閉回路，因此可避免所謂的渦電流損失(Eddy Current Loss)。尤其是，在該樣態化接地面中沒有任何通過該多個第一導電段與該多個第二導電段的實體連接所構成之封閉回路。實作上，該多個第一導電段中之一部份第一導電段(例如位于最左部份附近之四條金屬線)被安排構成一個像W的形狀 (W-like Siape)，其包含兩個V字形；而該多個第一導電段中之另一部份第一導電段(例如位于最右部份附近之四條金屬線)被安排構成另一個像W的形狀，其亦包含兩個V字形。舉例而言，以上揭露之該些像W的形狀中之任一者的彼此不相連(亦即，這兩個V字形之間有間隙)。如此，依據本實施例，上述之該些像W的形狀之每一者由兩個分開的V字形所構成。 另外，該多個第二導電段中之某些第二導電段的走向系垂直于上述之至少一調整模組之至少一部份(尤其是調整模組120)所構成之關聯蹤跡的走向。此外，該多個第一導電段當中沿著垂直方向排列的部份是用來當作居間連接，而圖4A所示之安排可避免形成封閉回路。
請注意，在不同的實施例諸如本實施例之某些變化例中，以上揭露之該些像W的形狀可予以變化。例如分別形成一個像W的形狀中之四筆畫的那些第一導電段的位置及 /或走向可因應主要線路Iio及/或調整模組120中之某(些)輔助線路的架構變化而改變。又例如分別形成一個像W的形狀中之四筆畫的那些第一導電段可具有相同的長度。 又例如分別形成一個像W的形狀中之首、末兩筆畫的那些第一導電段中之至少一者的長度可能小于分別形成這個像W的形狀中之第二、第三筆畫的那些第一導電段中之至少一者的長度。
圖4B為于一實施例當中，圖4A所示之樣態化接地面相對于圖IA所示可調電感器100之相對位置。關于分別形成一個像W的形狀中之四筆畫的那些第一導電段中之每一部份第一導電段(例如位于最左部份附近之四條金屬線、或位于最右部份附近之四條金屬線)，該部份第一導電段的走向對應于主要線路110與上述之至少一調整模組諸如調整模組120所構成之關聯蹤跡。例如該多個第一導電段中之該部份第一導電段當中的一個第一導電段(諸如該像W的形狀中之首、末兩筆畫中任一者所對應之一金屬線)的走向垂直于主要線路110中的一部份線路所構成之關聯蹤跡的走向，尤其是垂直于主要線路110當中位于關聯角落(例如左上角、右上角、左下角或右下角)的部份線路(Partial Wiring) 所構成之關聯蹤跡。
如圖4B所示，該多個第二導電段之至少一部份的走向分別垂直于主要線路110之關聯蹤跡的走向與上述之至少一調整模組諸如調整模組120所構成之關聯蹤跡的走向。例如圖4B當中最左區域與最右區域中之任一者內沿著水平方向排列之大部份第二導電段的走向垂直于主要線路110當中位于關聯的一側(例如左側或右側)且沿著垂直方向排列之部份線路所構成之關聯蹤跡的走向。又例如圖4B當中最上區域與最下區域中之任一者內沿著垂直方向排列之大部份第二導電段的走向垂直于主要線路110當中位于關聯的一側(例如上側或下側)且沿著水平方向排列之部份線路所構成之關聯蹤跡的走向。又例如圖4B當中之中央區域內沿著垂直方向排列之大部份第二導電段的走向垂直于輔助線路124A與124B所構成之關聯蹤跡的走向。
圖5A為圖2所示之可調電感器100-1于一第五實施例中的樣態化接地面(或 PGS)。圖5A為圖2所示之可調電感器于一第五實施例中的樣態化接地面。如第二實施例所揭露，主要線路110可形成該8字形，并且上述之電感區可擴展且包含對應于該8字形的上半部之該上面部份以及對應于該8字形的下半部之該下面部份。如此，如圖5A所示，上述之樣態化接地面可因應該電感區之擴展而變化。為了簡明起見，本實施例與前述實施例 /變化例相仿之處不再重復。
圖5B為于一實施例當中，圖5A所示之樣態化接地面相對于圖2所示可調電感器 100-1之相對位置。為了簡明起見，本實施例與前述實施例/變化例相仿之處不再重復。
圖6為依據本發明一第六實施例之一種可調電感器，其主要線路之兩端分別電氣連接至兩電壓源(均標示為「VBias」)。為了便于理解，圖IA所示實施例之某些標號可用來描述本實施例之可調電感器。依據本實施例，上述之中央節點的電壓提高可通過利用至少一電壓偏壓(Voltage Bias)來實現。尤其是，可調電感器100是一電壓偏壓(Voltage Biased)電感器，而該電壓偏壓電感器是用于在至少一電壓源施加于主要線路110之至少一端的狀況下運作。例如該兩電壓源(均標示為「VBias」)分別施加于接口 Pl與P2。為了簡明起見，本實施例與前述實施例/變化例相仿之處不再重復。
圖7為依據本發明一第七實施例之一種可調電感器，其主要線路之兩端分別電氣連接至兩電流源(均標示為「IBias」)。為了便于理解，圖IA所示實施例之某些標號可用來描述本實施例之可調電感器。依據本實施例，上述之中央節點的電壓提高可在采用一電阻器諸如圖3A所示者的狀況下通過利用至少一電流偏壓(Current Bias)來實現。尤其是， 可調電感器100是一電流偏壓(Current Biased)電感器，而該電流偏壓電感器是用于在至少一電流源施加于主要線路110之至少一端的狀況下運作。例如該兩電流源(均標示為 ΓIBiasJ )分別施加于接口 Pl與Ρ2。為了簡明起見，本實施例與前述實施例/變化例相仿之處不再重復。
圖8Α為依據本發明一第八實施例之一種可調電感器，其主要線路之兩端中之一者電氣連接至一電壓源(標示為「VBias」)，其中該可調電感器包含多個開關。為了便于理解，圖IA所示實施例之某些標號可用來描述本實施例之可調電感器。依據本實施例，上述之中央節點的電壓提高可通過利用至少一電壓偏壓來實現。尤其是，可調電感器100是一電壓偏壓電感器，而該電壓偏壓電感器是用于在至少一電壓源施加于主要線路110之至少一端的狀況下運作。例如該電壓源(標示為「VBias」)施加于接口 Pl與P2。
如圖8A所示，可調電感器100另包含一第二開關122’ (于本實施例中尤其是控制訊號VC2所控制之開關)，而第二開關122’配置于主要線路110之一中間節點，尤其是上述之中央節點。第二開關122’在被關閉時是用于電氣封鎖/阻塞(Electrically Block)主要線路110。由于設置了第二開關122’，在第一開關122被開啟且第二開關122’被關閉的狀況下，關聯的渦電流可被封鎖且Q值可被增加。實作上，第二開關122’亦可為一 MOSFET 開關。
依據本實施例，可調電感器100另包含一切換提升模組，而該切換提升模組是用于提升第二開關122’之切換特性。由于設置了該切換提升模組，本實施例之第二開關122’的源極電壓與漏極電壓可不受該電壓源(標示為「VBias」)的支配。例如本實施例之切換提升模組可包含一反向器、兩電容器與兩電阻器。如此，當控制訊號VC2關閉第二開關122’ 時，第二開關122’的源極電壓與漏極電壓被拉至高位準，且因此避免Q值降低。相反地，當控制訊號VC2開啟第二開關122’，第二開關122’的源極電壓與漏極電壓被拉至接地位準。 為了簡明起見，本實施例與前述實施例/變化例相仿之處不再重復。
請注意，圖8A所示之切換提升模組可包含該反向器、該兩電容器與該兩電阻器。 這只是為了說明的目的而已，并非對本發明之限制。依據本實施例之某些變化例，該切換提升模組可包含至少一反向器、多個電容器及/或多個電阻器。例如該些變化例中之某一變化例之切換提升模組包含該兩電容器與該兩電阻器，而不采用該反向器，其中該兩電阻器之間的節點(即原本用來接收該反向器的輸出之同一節點)現在被安排來接收本變化例中之控制訊號VCl。
圖8B為圖8A所示之可調電感器于一實施例中的訊號電流。為了便于理解，圖IA 所示實施例之某些標號可用來描述本實施例之可調電感器。依據本實施例，上述之兩電容器可予以忽略。
例如在控制訊號VCl處于一高位準且控制訊號VC2處于一低位準的狀況下，控制訊號VCl所控制之第一開關122被開啟(標示為「開啟」；代表開啟狀態)且控制訊號VC2 所控制之第二開關122’被關閉(標示為「關閉」；代表關閉狀態)。于是，該可調電感器之訊號電流通過接口 P1、輔助線路124A、第一開關122、輔助線路124B以及接口 P2而流動， 而非通過主要線路110上之第二開關122’而流動。由于關閉第二開關122’，關聯的渦電流(Eddy Current)被封鎖。依據本實施例，直流位準等同于該電壓源(于圖8A中系標示為「VBias」)之輸出電壓位準。
圖8C為圖8A所示之可調電感器于另一實施例中的訊號電流。為了便于理解，圖 IA所示實施例之某些標號可用來描述本實施例之可調電感器。相仿地，上述之兩電容器于實施例中可予以忽略。
例如在控制訊號VCl處于一低位準且控制訊號VC2處于一高位準的狀況下，控制訊號VCl所控制之第一開關122被關閉(標示為「關閉」；代表關閉狀態)且控制訊號VC2 所控制之第二開關122’被開啟(標示為「開啟」；代表開啟狀態)。于是，該可調電感器之訊號電流通過接口 Pl、主要線路110上之第二開關122’以及接口 P2而流動，而非通過輔助線路124A、第一開關122與輔助線路124B而流動。由于關閉第一開關122，關聯的渦電流被封鎖。依據本實施例，直流位準等同于該電壓源(于圖8A中系標示為「VBias」)之輸出電壓位準。
本發明的好處之一是，以上揭露的各個實施例/變化例中之任一者當中的可調電感器可提升面積效率。另外，通過利用以上揭露的各個實施例/變化例中之任一者當中的可調電感器，實施帶有多模式頻率覆蓋范圍之單一 DCO的目的可輕易達成。于是，相關技術的問題，諸如傳統DCO的可靠度限制及其妥協的效能等問題，均不再造成困擾了。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利范圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋范圍。
權利要求
1.一種可調電感器，包含有一主要線路，用來定義該可調電感器之一電感區；以及至少一調整模組，該至少一調整模組包含至少一輔助線路，位于該電感區內，耦接于該主要線路之兩節點之間；以及一第一開關，配置于該至少一輔助線路上，用來選擇性地將該主要線路之該兩節點互相耦接。
2.如權利要求1所述的可調電感器，其特征在于，當該第一開關被開啟時，該調整模組耦接該主要線路之該兩節點，以改變該可調電感器之有效直徑。
3.如權利要求1所述的可調電感器，其特征在于，該第一開關與該至少一輔助線路將該電感區之至少一部份區分成兩個分區。
4.如權利要求3所述的可調電感器，其特征在于，通過該第一開關、該至少一輔助線路以及該主要線路的一部份之一電流路徑環繞該兩個分區中之一者。
5.如權利要求1所述的可調電感器，其特征在于，其另包含有一電阻器，電氣連接至該主要線路之一中間節點，其中該中間節點位于該兩節點之間， 且該電阻器用來提高在該中間節點之直流位準。
6.如權利要求1所述的可調電感器，其特征在于，該可調電感器是一電壓偏壓電感器， 而該電壓偏壓電感器是用于在至少一電壓源施加于該主要線路之至少一端的狀況下運作。
7.如權利要求1所述的可調電感器，其特征在于，該可調電感器是一電流偏壓電感器， 而該電流偏壓電感器是用于在至少一電流源施加于該主要線路之至少一端的狀況下運作。
8.如權利要求1所述的可調電感器，其特征在于，其另包含有一第二開關，配置于該主要線路之一中間節點，其中該中間節點位于該兩節點之間，且該第二開關在被關閉時是用于電氣封鎖/阻塞該主要線路。
9.如權利要求8所述的可調電感器，其特征在于，其另包含有一切換提升模組，用來提升該第二開關之切換特性。
10.一種可調電感器，該可調電感器包含有一主要線路，用來定義該可調電感器之一電感區；至少一調整模組，用來選擇性地耦接該主要線路之關聯節點；以及一樣態化接地面，用來減少該可調電感器之能量損耗，其中該樣態化接地面包含多個第一導電段，而該多個第一導電段中之一部份第一導電段被安排構成一個像W的形狀。
11.如權利要求10所述的可調電感器，其特征在于，該樣態化接地面另包含多個第二導電段；以及該多個第二導電段之導電率低于該多個第一導電段中之導電率。
12.如權利要求11所述的可調電感器，其特征在于，該多個第二導電段之至少一部份第二導電段的走向分別垂直于該主要線路所構成之關聯蹤跡的走向與該至少一調整模組所構成之關聯蹤跡的走向。
13.如權利要求10所述的可調電感器，其特征在于，該多個第一導電段中之該部份第一導電段當中的兩個第一導電段的走向系垂直于該主要線路的關聯部份線路所構成之關聯蹤跡。
14.如權利要求10所述的可調電感器，其特征在于，該多個第一導電段中之另一部份第一導電段被安排構成另一個像W的形狀。
15.如權利要求10所述的可調電感器，其特征在于，該樣態化接地面另包含多個第二導電段；以及在該樣態化接地面中沒有任何通過該多個第一導電段與該多個第二導電段的實體連接所構成之封閉回路。
16.如權利要求10所述的可調電感器，其特征在于，該多個第一導電段系以金屬線制造，而該多個第二導電段以多晶硅或金屬線制造。
17.如權利要求10所述的可調電感器，其特征在于，該多個第一導電段系電氣連接至一接地參考位準。
18.如權利要求10所述的可調電感器，其特征在于，該至少一調整模組包含 至少一輔助線路，位于該電感區內，耦接于該主要線路之兩節點之間；以及一第一開關，配置于該至少一輔助線路上，用來選擇性地將該主要線路之該兩節點互相耦接。
全文摘要
本發明提供一種可調電感器，該可調電感器包含一主要線路與至少一調整模組。該主要線路是用于定義該可調電感器之一電感區，尤其是被安排成環繞該電感區。另外，該至少一調整模組包含至少一輔助線路，位于該電感區內，耦接于該主要線路之兩節點之間；以及一第一開關，配置于該至少一輔助線路上，用來選擇性地將該主要線路之該兩節點互相耦接。本發明提供的可調電感器具有較高的有效性。
文檔編號H01F21/00GK102543361SQ20111042782
公開日2012年7月4日 申請日期2011年12月19日 優先權日2010年12月20日
發明者奧古斯托·馬奎斯, 李文昶, 陳彥宏 申請人:聯發科技(新加坡)私人有限公司