專利名稱：Oled器件的半透明陽極及oled器件的制作方法
技術領域：
本發明涉及OLED顯示技術領域，特別是涉及一種OLED器件的半透明陽極及OLED器件。
背景技術：
OLED (有機發光二級管)顯示技術由于其優良的發光性能及其廣泛的應用前景而得到重視。OLED顯示器件按照驅動方式可分為被動式和主動式兩種，被動式OLED顯示器件主要用于小尺寸、低分辨率顯示屏幕，而主動式OLED顯示器件為每一個像素配有TFT (薄膜場效應管)開關，可實現中、大尺寸的高清顯示，已成為當前OLED顯示技術發展的主流。根據OLED器件的光的出射方向的不同，分為底發射型OLED器件和頂發射型OLED器件。如果從器件基板方向出射發射光，稱為底發射型OLED器件；如果從器件背向基板的方向出射反射光，稱為頂發射型OLED器件。倒置型OLED器件與一般的OLED器件的制備流程相反，是在基板上首先制備陰極，然后制備有機功能層，最后制備陽極。傳統的倒置型頂發射OLED器件主要是用ITO (氧化銦錫)或Ag (銀)作為制備陽極的材料。采用ITO作為制備材料具有很好的透光性(>90%)，但是其導電性較差，濺射工藝對有機材料的損傷會很大程度影響OLED器件的發光性能。采用蒸發的方式制備20納米左右的金屬Ag(銀)作為半透明陽極，具有較好的導電性能，但是金屬Ag的功函數較低，空穴注入效果差，因此必須要加上I 3納米左右的空穴注入層進行電極的表面修飾，才能達到較好的空穴注入效果，而I 3納米的空穴注入層在工業生產中很難保證其均勻性和重復性，這就給其工業上的大 規模應用帶來一定的困難。另外，20納米左右金屬Ag薄膜的透光性較差(30%左右)，如果進一步降低其厚度雖然可以進一步提高其透光性，但也將導致Ag薄膜導電性的下降，降低OLED器件的性能。
發明內容基于此，有必要提供一種導電性能和空穴注入效果好的OLED器件的半透明陽極。一種OLED器件的半透明陽極，所述半透明陽極由摻雜高功函數無機半導體材料的高導電金屬制成，所述高功函數無極半導體材料選自氧化鑰、氧化鎢、五氧化二釩中的一種或多種，所述高導電金屬選自銀、鋁、銅中的一種或多種。在優選的實施例中，所述高功函數無極半導體材料的摻雜質量濃度大于O且小于10%。在優選的實施例中，所述半透明陽極采用真空熱蒸發共摻雜工藝進行制作，厚度為10 25納米。此外，還提供了一種OLED器件。一種OLED器件，包括半透明陽極，所述半透明陽極由摻雜高功函數無機半導體材料的高導電金屬制成，所述高功函數無極半導體材料選自氧化鑰、氧化鎢、五氧化二釩中的一種或多種，所述高導電金屬選自銀、鋁、銅中的一種或多種。
在優選的實施例中，所述高導電金屬中高功函數無極半導體材料的摻雜質量濃度大于O且小于10%。在優選的實施例中，所述半透明陽極采用真空熱蒸發共摻雜工藝進行制作，厚度為10 25納米。在優選的實施例中，還包括反射陰極、電子傳輸層、空穴阻擋層、發光層、電子阻擋層和空穴傳輸層，所述反射陰極、電子傳輸層、空穴阻擋層、發光層、電子阻擋層和空穴傳輸層自反射陰極依次疊加排布，所述半透明陽極疊加在所述空穴傳輸層上。在優選的實施例中，所述空穴傳輸層由摻雜所述高功函數無極半導體材料的空穴傳輸材料制成，所述電子阻擋層由空穴傳輸材料制成，所述空穴阻擋層由電子傳輸材料制成，所述電子傳輸層由所述電子傳輸材料或由摻雜的電子傳輸材料制成。在優選的實施例中，所述空穴傳輸材料選自NPB、TPD、m-MTDATA、2T-NATA、MeO-Tro中的一種或多種，所述電子傳輸材料選自Alq3、Liq、TPBi > Bphen> BAlq中的一種或多種。在優選的實施例中，所述反射陰極采用鎂和銀合金材料。上述OLED器件的半透明陽極及OLED器件，高導電金屬中摻雜高功函數半導體材料既可以保證陽極的導電性又可以提高陽極的功函數，功函數的提高使半透明陽極具有較好的空穴注入效果。另外，高導電金屬的含量相應減少，提高了半透明陽極的透光率。
圖1為較佳實施例的OLED器件的結構示意圖。
具體實施方式為了解決傳統的OLED器件的陽極導電性和空穴注入效果不可兼顧的問題，提出了一種OLED器件的半透明陽極及OLED器件。如圖1所示，較佳實施例的OLED器件的半透明陽極，該半透明陽極170由摻雜高功函數無機半導體材料的高導電金屬制成。高功函數無極半導體材料選自氧化鑰、氧化鶴、五氧化二釩中的一種或多種。高導電金屬選自銀、鋁、銅中的一種或多種。上述OLED器件的半透明陽極，高導電金屬中摻雜高功函數半導體材料既可以保證陽極的導電性又可以提高陽極的功函數，功函數的提高使半透明陽極170具有較好的空穴注入效果。另外，高導電金屬的含量相應減少，提高了半透明陽極的透光率。半透明陽極的透光率提高，可減小OLED器件的微腔效應以及OLED器件發光光譜的角度變化情況，改善半透明陽極在OLED器件中的顯示效果，提高半透明陽極在透明器件中的應用能力。在本實施例中，高功函數無極半導體材料的摻雜質量濃度大于O且小于10%。由于高功函數半導體材料的摻雜質量濃度較低，不會顯著影響陽極的導電性。在本實施例中，半透明陽極170采用真空熱蒸發共摻雜工藝進行制作，厚度為10 25納米。蒸發源采用耐高溫的坩堝或舟，可與有機材料的工藝匹配。半透明陽極170的厚度較低，透光率較好。較佳實施例的OLED器件，包括半透明陽極170。半透明陽極170由摻雜高功函數無機半導體材料的高導電金屬制成。高功函數無極半導體材料選自氧化鑰、氧化鶴、五氧化二釩中的一種或多種。高導電金屬選自銀、鋁、銅中的一種或多種。
在本實施例中，高導電金屬中高功函數無極半導體材料的摻雜質量濃度大于O且小于10%。在本實施例中，半透明陽極170采用真空熱蒸發共摻雜工藝進行制作，厚度為10 25納米。蒸發源采用耐高溫的坩堝或舟，可與有機材料的工藝匹配。半透明陽極170的厚度較低，透光率較好。在本實施例中，OLED器件還包括反射陰極110、電子傳輸層120、空穴阻擋層130、發光層140、電子阻擋層150、空穴傳輸層160。反射陰極110、電子傳輸層120、空穴阻擋層130、發光層140、電子阻擋層150、空穴傳輸層160自反射陰極110依次疊加排布，半透明陽極170疊加在空穴傳輸層150上。高功函數半導體材料的摻雜可相應提高高導電金屬陽極的功函數，功函數的提高使半透明陽極160具有較好的空穴注入效果，因此不再需要采用空穴注入層的工藝即可達到很好的空穴注入效果，提高了其大規模工業應用的能力。在本實施例中，空穴傳輸層160由摻雜高功函數無極半導體的空穴傳輸材料制成，電子阻擋層由空穴傳輸材料制成，空穴阻擋層由電子傳輸材料制成，電子傳輸層由電子傳輸材料或由摻雜的電子傳輸材料制成。摻雜的電子傳輸材料中的摻雜成分為碳酸銫。在本實施例中，空穴傳輸材料選自NPB (N, N ' Bis (naphthalene-l-yl)-N,N 1 -bis (phenyl)-benzidine)> TPD (N, N 1 Bis (3-methylphenyl)-N,N' -bis (phenyl)-benzidine)、m-MTDATA(4,4' ,4" -tris (N-3-methylpheny 1-N-pheny1-amino)triphenylamine)、2T-NATA(4,4' ,4" -tris(N-(naphthalene-2-yl)-N-phenyl-amino) triphenylamine)、MeO-TPD (N，N，N'，N' -Tetrakis (4-methoxyphenyl) benzidine)中的一種或多種，電子傳輸材料選自 Alq3 (Tris (8-hydroxy-quinolinato) aluminium)、Liq(8-Hydroxyquinolinolato-lithium)、TPBi(2,21 ,2" -(1，3，5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-l-H-benzimidazole))、Bphen (4，7-Dipheny 1-1,10-phenanthroline)、BAlq (Bis(2-methyl-8-quino lino late) ~4~ (pheny lpheno lato) aluminium)中的一種或多種。在本實施例中，反射陰極采用鎂和銀合金材料。反射陰極還可以采用摻雜碳酸銫的高導電金屬制成。上述OLED器件的半透明陽極及OLED器件，半透明陽極170中高功函數半導體材料的摻雜可相應提高高導電金屬陽極的功函數，功函數的提高使半透明陽極160具有較好的空穴注入效果，因此不再需要采用空穴注入層的工藝即可達到很好的空穴注入效果。當采用摻雜高功函數無極半導體的空穴傳輸材料作為空穴傳輸層160時，可達到近似歐姆接觸的空穴注入效果。電子阻擋層150以及空穴阻擋層130提高了器件的載流子平衡。器件中不含有傳統OLED器件的電子注入層和空穴注入層結構，制作工藝較簡單，有助于該OLED器件在工業中的大規模應用。以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發明的保護范圍。因此，本發明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
權利要求
1.一種OLED器件的半透明陽極，其特征在于，所述半透明陽極由摻雜高功函數無機半導體材料的高導電金屬制成，所述高功函數無極半導體材料選自氧化鑰、氧化鎢、五氧化二釩中的一種或多種，所述高導電金屬選自銀、鋁、銅中的一種或多種。
2.根據權利要求1所述的OLED器件的半透明陽極，其特征在于，所述高功函數無極半導體材料的摻雜質量濃度大于O且小于10%。
3.根據權利要求1所述的OLED器件的半透明陽極，其特征在于，所述半透明陽極采用真空熱蒸發共摻雜工藝進行制作，厚度為10 25納米。
4.一種OLED器件，包括半透明陽極，其特征在于，所述半透明陽極由摻雜高功函數無機半導體材料的高導電金屬制成，所述高功函數無極半導體材料選自氧化鑰、氧化鎢、五氧化二釩中的一種或多種，所述高導電金屬選自銀、鋁、銅中的一種或多種。
5.根據權利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述高導電金屬中高功函數無極半導體材料的摻雜質量濃度大于O且小于10%。
6.根據權利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述半透明陽極采用真空熱蒸發共摻雜工藝進行制作，厚度為10 25納米。
7.根據權利要求4所述的OLED器件，其特征在于，還包括反射陰極、電子傳輸層、空穴阻擋層、發光層、電子阻擋層和空穴傳輸層，所述反射陰極、電子傳輸層、空穴阻擋層、發光層、電子阻擋層和空穴傳輸層自反射陰極依次疊加排布，所述半透明陽極疊加在所述空穴傳輸層上。
8.根據權利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述空穴傳輸層由摻雜所述高功函數無極半導體材料的空穴傳輸材料制成，所述電子阻擋層由所述空穴傳輸材料制成，所述空穴阻擋層由電子傳輸材料制成，所述電子傳輸層由所述電子傳輸材料或由摻雜的電子傳輸材料制成。
9.根據權利要求8所述的OLED器件，其特征在于，所述空穴傳輸材料選自NPB、TPD、m-MTDATA、2T_NATA、MeO-TTO中的一種或多種，所述電子傳輸材料選自Alq3、Liq、TPBi,Bphen> BAlq中的一種或多種。
10.根據權利要求7至9中任意一項所述的OLED器件，其特征在于，所述反射陰極采用鎂和銀合金材料。
全文摘要
一種OLED器件的半透明陽極，該半透明陽極由摻雜高功函數無機半導體材料的高導電金屬制成，高功函數無極半導體材料選自氧化鉬、氧化鎢、五氧化二釩中的一種或多種，高導電金屬選自銀、鋁、銅中的一種或多種。上述OLED器件的半透明陽極，提高了陽極的導電性和空穴注入效果，適于OLED器件的大規模工業應用。此外，還提供了一種OLED器件。
文檔編號H01L51/52GK103165822SQ20111041344
公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月13日 優先權日2011年12月13日
發明者曹進, 王立, 榮佳玲, 張建華 申請人:上海大學