專利名稱：一種單晶硅片清潔方法
技術領域：
本發明涉及硅片制造技術領域，特別涉及一種單晶硅片清潔方法。
背景技術：
硅片是光伏行業中至關重要的組成部件，主要用于對光能進行轉化，通過光輻射產生電能。為了增加硅片的吸光能力，一般會對硅片采取制絨工藝，通過化學腐蝕或者激光刻蝕等工藝將硅片進行非平面處理。如對單晶硅片進行制絨:首先，對需要進行制絨的單晶硅片清洗，將單晶硅片放置于清洗液中，然后采用超聲波進行清洗；然后，將清洗干燥后的單晶硅片放置于堿液中進行腐蝕到達制絨效果。需要對制絨原理做出解釋，制絨原理為:單晶硅片中晶粒為各向異性，因此當單晶硅片放置于堿液中進行腐蝕時，晶粒不同方向上的腐蝕程度是不一樣的，因此，當采用堿液對單晶硅片表面進行腐蝕后，單晶硅片的表面會呈現出倒金字塔狀的形狀，這種非平面結構將增加硅片的受光面積，提高硅片對光能的轉化率。然而，現有技術中由于單晶硅片尺寸較小，為了方便工作人員對硅片進行操作，一般會采用貼紙方法將一定數量的硅片割開。貼紙將不可避免地帶來硅片污染，即使是硅片進行清洗，超聲波清洗也不能夠將全部的貼紙清除干凈。這些殘留的貼紙將阻止硅片在制絨過程中硅晶粒與堿溶液的反應，如此制備出的制絨單晶硅片表面會出現大量的未反應泛白區，導致單晶硅片的制絨失敗。綜上所述，如何提供一種單晶硅片清潔方法，使用該方法能夠有效地對單晶硅片表面進行處理，提高單晶硅片的制絨質量，成為了本領域技術人員亟待解決的問題。
發明內容
本發明要解決的技術問題為提供一種單晶硅片清潔方法，使用該方法能夠有效地對單晶娃片表面進行處理，提聞單晶娃片的制續質量。為解決上述技術問題，本發明提供了一種單晶硅片清潔方法，包括步驟:1)對硅片進行烘燒處理；2)將烘燒處理后的硅片進行超聲波清洗；3)對硅片進行去損傷處理。優選地，所述步驟1)中采用的是硅片絲網印刷工序中使用的燒結爐對硅片進行烘燒處理。在上述單晶硅片清潔方法中，首先對硅片進行烘燒處理，該步驟能夠通過高溫烘燒作用將單晶硅片表面上貼覆的貼紙或者有機物燃燒掉。由于單晶硅片的性質穩定，所以這種烘燒處理在不對硅片本身產生影響的情況下將硅片表面的貼紙或者有機物有效處理。然后對烘燒處理后的硅片進行超聲波清洗，在對硅片進行了烘燒處理后再采用超聲波清洗，能夠將硅片表面的小固體顆粒清除。最后對清洗潔凈的硅片進行去損傷處理，進一步提聞單晶娃片表面的平整程度，提聞娃片與喊液的反應質量。本發明提供的一種單晶娃片清潔方法結合烘燒與超聲波清洗共同對單晶硅片表面進行處理，能夠有效清除硅片表面的雜質，從而提聞了單晶娃片的制續質量。
圖1為本發明第一種實施例中單晶硅片清潔方法的流程圖。
具體實施例方式本發明的核心為提供一種單晶硅片清潔方法，使用該方法能夠有效地對單晶硅片表面進行處理，提高單晶硅片的制絨質量。為了使本領 域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖和具體實施例對本發明作進一步的詳細說明。請參考圖1，圖1為本發明第一種實施例中單晶硅片清潔方法的流程圖。本發明提供了一種單晶硅片清潔方法，包括步驟:SI)對硅片進行烘燒處理；S2)將烘燒處理后的硅片進行超聲波清洗；S3)對硅片進行去損傷處理。在上述單晶硅片清潔方法中，首先對硅片進行烘燒處理，該步驟能夠通過高溫烘燒作用將單晶硅片表面上貼覆的貼紙或者有機物燃燒掉。由于單晶硅片的性質穩定，所以這種烘燒處理在不對硅片本身產生影響的情況下將硅片表面的貼紙或者有機物有效處理。然后對烘燒處理后的硅片進行超聲波清洗，在對硅片進行了烘燒處理后再采用超聲波清洗，能夠將硅片表面的小固體顆粒清除。最后對清洗潔凈的硅片進行去損傷處理，進一步提聞單晶娃片表面的平整程度，提聞娃片與喊液的反應質量。本發明提供的一種單晶娃片清潔方法結合烘燒與超聲波清洗共同對單晶硅片表面進行處理，能夠有效清除硅片表面的雜質，從而提聞了單晶娃片的制續質量。具體地，步驟SI)中采用的是硅片絲網印刷工序中使用的燒結爐對硅片進行烘燒處理。如此設計能夠避免引進新設備對單晶硅片進行烘燒處理，降低硅片處理的運行成本，并且使用絲網印刷工序中使用的燒結爐進行對硅片的烘燒，能夠提高燒結爐的使用率，避免了燒結爐的閑置。一般情況下，對單晶硅片進行烘燒的設備還可以選用其他裝置，本領域技術人員可知，硅片本身的穩定性較高，并且其耐熱程度也較高，一般可達到1200°C，因此常規加熱設備都可用于對單晶硅片的烘燒。即使硅片由于高溫氧化，其氧化物Si02也能夠在制絨堿性溶液中與堿溶液發生反應，之后溶解于堿液中不對硅片表面的制絨反應產生任何影響。以上對本發明所提供的一種單晶硅片清潔方法進行了詳細介紹。本文中應用了具體個例對本發明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發明的方法及其核心思想。應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以對本發明進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本發明權利要求的保護范圍內。
權利要求
1.一種單晶硅片清潔方法，其特征在于，包括步驟: 1)對硅片進行烘燒處理； 2)將烘燒處理后的硅片進行超聲波清洗； 3)對硅片進行去損傷處理。
2.根據權利要求1所述單晶硅片清潔方法，其特征在于，所述步驟I)中采用的是硅片絲網印刷工序 中使用的燒結爐對硅片進行烘燒處理。
全文摘要
本發明公開了一種單晶硅片清潔方法，包括步驟1)對硅片進行烘燒處理；2)將烘燒處理后的硅片進行超聲波清洗；3)對硅片進行去損傷處理。在上述單晶硅片清潔方法中，首先對硅片進行烘燒處理，該步驟能夠通過高溫烘燒作用將單晶硅片表面上貼覆的貼紙或者有機物燃燒掉。然后對烘燒處理后的硅片進行超聲波清洗，在對硅片進行了烘燒處理后再采用超聲波清洗，能夠將硅片表面的小固體顆粒清除。最后對清洗潔凈的硅片進行去損傷處理，進一步提高單晶硅片表面的平整程度，提高硅片與堿液的反應質量。本發明提供的一種單晶硅片清潔方法結合烘燒與超聲波清洗共同對單晶硅片表面進行處理，能夠有效清除硅片表面的雜質，從而提高了單晶硅片的制絨質量。
文檔編號H01L31/18GK103147132SQ20111040386
公開日2013年6月12日 申請日期2011年12月7日 優先權日2011年12月7日
發明者王競爭 申請人:浚鑫科技股份有限公司