專利名稱：標記切割管芯取向的機制的制作方法
技術領域：
本發明大體上涉及標記半導體管芯取向的機制。
背景技術：
現代集成電路通常確實是由數百萬個有源器件比如二極管和電容器組成。這些器件最初彼此隔離，但是后來互相連接在一起形成功能電路。典型的互連結構包括橫向互連(比如金屬線(布線))和縱向互連(比如通孔 和接觸件)。互連對于現代集成電路的性能極限和密度的影響越來越大。在互連結構的頂部，形成接合焊盤，并使其暴露在相應芯片的頂表面上。通過接合焊盤進行電連接以將芯片連接至封裝襯底或另一管芯。接合焊盤可以用于引線接合或者倒裝芯片接合。倒裝芯片封裝運用凸塊來建立芯片的輸入/輸出(I/O)焊盤和封裝件的襯底或者引線框架之間的電接觸。在結構上，凸塊實際上包含凸塊自身和位于凸塊和輸入/輸出(I/O)焊盤之間的凸塊下金屬化(UBM)層。經常通過封裝表面上的標記(marking)指定倒裝芯片封裝件的取向。在封裝工藝結束時在封裝表面上放置標記。在放置標記之前確定芯片(或者管芯)的取向是一種挑戰。
發明內容
為了解決現有技術中存在的問題，根據本發明的一個方面，提供了一種用于識別切割管芯的取向的結構，包括切割管芯的角落，所述角落具有金屬層的第一圖案，所述金屬層的第一圖案不同于位于切割管芯其他角落的所述金屬層的第二圖案，其中，所述第一圖案和第二圖案位于所述切割管芯的角落應力消除(CSR)區中，其中在所述CSR區中不設置器件、互連結構或者凸塊。在該結構中，通過使用具有40X放大能力的高倍放大器，具有所述第一圖案的所述角落以明顯可檢測的方式不同于所述其他三個角落。在該結構中，所述金屬層是再分配層(RDL)，所述再分配層能夠使凸塊連接至器件的互連結構。在該結構中，所述金屬層是再分配層(RDL)，所述再分配層能夠使凸塊連接至器件的互連結構，并且其中所述RDL由鋁制成。在該結構中，所述金屬層是器件的互連結構的頂部導電層，并且其中，從所述切割管芯的上面可觀察到所述角落中的所述頂部導電層的所述第一圖案。在該結構中，所述CSR區是等腰直角三角形，并且其中，每個等腰直角三角形的短邊長度處于約20 μ m至約200 μ m的范圍內。在該結構中，所述金屬層的所述第二圖案基本上覆蓋了位于所述其他三個角落的所述CSR區，并且其中，所述角落的所述金屬層的所述第一圖案基本上覆蓋了位于所述其他三個角落之一處的所述CSR區之一的約1/3的面積或者小于約1/3的面積。在該結構中，所述CSR區是等腰直角三角形，并且其中，每個等腰直角三角形的短邊長度處于約20 μ m至約200 μ m的范圍內，并且其中所述金屬層的所述第二圖案基本上覆蓋了位于所述其他三個角落的所述CSR區的所述等腰直角三角形，并且其中，所述金屬層的所述第一圖案基本上覆蓋等腰直角三角形，所述等腰直角三角形的短邊長度等于或者小于所述CSR區的所述等腰直角三角形之一的所述短邊長度的約一半。在該結構中，所述CSR區是等腰直角三角形，并且其中，每個等腰直角三角形的短邊長度處于約20 μ m至約200 μ m的范圍內，并且其中所述金屬層的所述第一圖案基本上覆蓋了位于所述角落的所述CSR區的所述等腰直角三角形之一，并且其中，所述金屬層的所述第二圖案基本上覆蓋了三個等腰直角三角形，所述三個等腰直角三角形的每一個的短邊長度等于或者小于所述CSR區的所述直角等腰三角形的所述短邊長度的約一半。在該結構中，其中所述第一圖案至少包括字母符號、數字或者方向符號。在該結構中，所述CSR區被密封環結構封閉，并且其中，所述密封環結構包括多層互連層，所述互連層保護所述器件區免受濕氣退化、離子污染以及來自管芯切割的應力。
在該結構中，所述CSR區設置在所述密封環結構和所述切割管芯中的器件區之間。在該結構中，其中所述第一圖案和所述第二圖案被透明的鈍化層覆蓋。在該結構中，其中所述第一圖案至少包括字母符號、數字或者方向符號，并且其中所述第一圖案至少包括寬度處于約20 μ m至約80 μ m的范圍內的字母符號、數字或者方向符號。根據本發明的另一方面，還提供了一種用于識別切割管芯的取向的結構，包括切割管芯的角落，所述角落具有在所述切割管芯的角落應力消除(CSR)區中的金屬層的第一圖案，其中在所述CSR區中不設置器件、互連結構或者凸塊。在該結構中，所述金屬層是再分配層(RDL)，所述再分配層能夠使凸塊連接至器件的互連結構或者器件的互連結構的頂部導電層，并且其中，采用放大器從所述切割管芯上方可觀察到所述角落中的所述第一圖案。在該結構中，其中，所述第一圖案包括字母符號、數字或者方向符號。在該結構中，其中，所述CSR區被密封環結構封閉，并且其中，所述密封環結構包括多層互連層，所述互連層用于保護所述器件區免受濕氣退化、離子污染和來自管芯切割的應力。在該結構中，其中，所述CSR區被密封環結構封閉，并且其中，所述密封環結構包括多層互連層，所述互連層用于保護所述器件區免受濕氣退化、離子污染和來自管芯切割的應力，并且其中在所述密封環結構和所述切割管芯中的器件區之間設置所述CSR區。根據本發明的又一方面，還提供了一種用于識別切割管芯的取向的結構，包括切割管芯的角落，所述角落具有金屬層的第一圖案，所述金屬層的第一圖案不同于位于所述切割管芯的其他角落的所述金屬層的第二圖案，其中所述第一圖案和所述第二圖案位于所述切割管芯的角落應力消除(CSR)區中，其中在所述CSR區中不設置器件、互連結構或者凸塊，其中所述CSR區是等腰直角三角形，并且其中每個等腰直角三角形的短邊長度處于約20 μ m至約100 μ m的范圍內。
圖IA示出了根據一些實施例的在封裝襯底上具有集成電路(IC)芯片的倒裝芯片封裝件的示意圖。圖IB不出了根據一些實施例的具有若干管芯的娃襯底。圖IC示出了根據一些實施例的切割管芯。圖ID示出了根據一些實施例的沿著A-A線切割的圖IC中的管芯的一部分的剖面圖。圖IE示出了根據一些實施例的半導體管芯的角落應力消除(CSR)區。圖2A至圖2F示出 了根據一些實施例的采用各種取向標記機制的半導體管芯的俯視圖。
具體實施例方式一般而言，本發明涉及在襯底上形成半導體器件。然而，應當理解為了實施本發明的不同部件，以下公開內容提供了許多不同的實施例或實例。在下面描述元件和布置的具體實例以簡化本發明。當然這些僅僅是實例并不打算限定。此外，本發明可在各個實例中重復附圖編號和/或字母。該重復是為了簡明和清楚，而且其本身沒有規定各個實施例和/或所討論的結構之間的關系。而且，隨后的說明書中第一部件在第二部件上的形成可以包括其中第一部件和第二部件以直接接觸形成的實施例，并且也可以包括其中額外的部件可能插入第一部件和第二部件之間形成，使得第一部件和第二部件可能不直接接觸的實施例。例如，在襯底上形成的部件可以包括在襯底上、襯底上方和/或襯底內形成的部件。如上面所提及的，倒裝芯片封裝運用凸塊建立芯片的I/O焊盤和封裝件的襯底或者引線框架之間的電接觸。圖IA示出了根據一些實施例的在封裝襯底110上具有集成電路(IC)芯片100的倒裝芯片封裝件150的示意圖。通過在IC芯片100的正面上形成凸塊105，采用倒裝芯片封裝封裝IC芯片100。凸塊105電接觸以及可能物理接觸IC芯片100的I/O焊盤。將具有凸塊105的IC芯片100翻過來以設置在封裝襯底110上，封裝襯底110可以連接至球柵陣列(BGA)球115。圖IA中所示出的實施例僅僅是實例。可以在其它類型的襯底，比如應用電路板和具有嵌入式無源和/或有源器件的襯底上應用具有凸塊105的IC芯片100。可以用底部填充材料106填充IC芯片100、凸塊105和襯底110之間以及周圍的間隔。在IC芯片100的背面上形成塑料封蓋塑模120以保護IC芯片100。可以在塑料封蓋塑模120的表面121上形成標記(未示出)，以識別產品和取向。在標記中可以包括產品信息，比如公司名稱、產品類型等等。通過標記的取向可以識別IC芯片100的取向。正常情況下在封裝工藝結束時在表面121上設置標記。如上面所提及的，在倒裝芯片封裝件150上不設置標記，直到封裝工藝完成或者幾乎完成了。在設置標記之前，可能很難確定IC芯片100的取向。圖IB示出了根據一些實施例的具有若干管芯165的娃襯底160。通過晶圓級取向標記161識別管芯165的取向，該晶圓級取向標記161可以是位于晶圓邊緣的激光刻痕(laser scribe)、小開口或者其他類型標記。當晶圓級處理完成之后，切割管芯165并將管芯165彼此分開以及與襯底160的剩余部分分開。一旦管芯165被切割并與襯底160分開，確定它們的取向的唯一的方式是通過管芯165上的圖案。對于遇到多個產品的使用者，通過管芯165上的圖案確定取向可能是困難的、混亂的且耗時的。進一步地，對于倒裝-芯片技術，在管芯165被切割并彼此分開之前，管芯165可能已經進行了凸塊比如圖IA的凸塊105的形成。根據一些實施例，每個管芯165上的圖案是凸塊105的圖案，如圖IC中所示出的。凸塊圖案對于不同的產品可以是相似的，這使得難以識別被切割管芯165的取向。在進行切割之前通常對襯底160上的管芯165進行電性測試。管芯165的電性測試結果將它們分成不同的組(或者箱(bin))，這些組可以包括合格、不合格以及不同級別(或者類別)的故障。“合格”組中的管芯由裝置從襯底160物理撿起以進行進一步的封裝工藝。“不合格”組中的管芯被舍棄，并可能被拋擲在一邊或者用于故障分析。不同故障級別的組中的管芯(或者有問題的管芯)可能被定為低等級產品，對其進行電性修復或者進行進一步測試以證實結果，或者有問題的管芯可能被舍棄。有時完全良好的管芯(或者被分類為“合格”管芯的管芯)也可能離開處理線進行分析和/或測試。當分析和/或測試之后，良好的管芯能夠重返產品線以完成封裝工藝，并作為產品售出。因為一些有問題的管芯重返生產線，當這些管芯不再位于襯底160上并且尚未進 行標記工藝時，可能難以測定這些管芯的取向。對于將要重返生產線的管芯的取向的了解對于確保正確的產品標記和這些管芯在封裝襯底比如圖IA的襯底110或者個人電腦(PC)板上的正確放置是重要的。如果切割管芯的取向未被正確識別，則管芯可能被錯放在倒裝芯片封裝件中，并導致封裝件或者最終產品的故障。這種錯誤的代價可能是非常高的。因此，需要開發一種有助于識別切割管芯的取向的機制。如圖IC中所示，標記管芯的取向的一種方式是使諸如管芯165上的區域167的特定區域沒有凸塊(即，在區域167中不設計凸塊IOS1和/或105π)。在區域167中缺少的凸塊可以被用作取向標記。然而，對于電路設計來說，限制某個區域不含有凸塊可能太麻煩了。對于取向標記來說，不限制電路設計將會更好。圖IC示出了根據一些實施例，將管芯165的凸塊105和集成電路(1C，未示出)封閉在密封環201內。密封環在工業中已用于保護密封環內部的IC免受濕氣退化、離子污染和來自切割(或者劃片)工藝的應力。圖IC中的密封環的實例具有一個單密封環。在一些實施例中，可能有一個以上的密封環，比如兩個或者多個同心密封環。此外，圖IC中示出的密封環201的示例性角落是直角。密封環角落的其他形狀，比如凹形或者圓形，也是可能的。示例性密封環結構的更多詳細的描述可以在美國專利第6，861，764號、于2010年10月29日提交的標題為“半導體器件中的接地密封環結構(Grounded Seal Ring Structurein Semiconductor Devices) ”的美國專利申請第12/915，170號、以及于2010年11月2日提交的標題為“多層密封環結構(Multiple Seal Ring Structure) ”的美國專利申請第12/938，272號中找到。上文提到的專利和專利申請以其全文結合于此作為參考。圖ID示出了根據一些實施例的沿著圖IC的A-A線切割的管芯165的一部分的剖面圖。半導體管芯165可以包括半導體襯底160，比如硅襯底，以及密封環區201和圍繞器件區202的組件隔離區204。組件隔離區204將器件區202與密封環區201分隔開。在一些實施例中，組件隔離區204的寬度處于約I微米(μ m)至約10微米(μ m)的范圍內。在密封環區201外邊是切割道區203。在實施例中，在器件區202周圍形成密封環區201，并且密封環區201用于在其上形成密封環結構，以及器件區202用于在其中形成至少一個晶體管器件(未示出)。襯底160可以可選地包括硅鍺、砷化鎵、或者其他適當的半導體材料。襯底160可以進一步包括摻雜區。襯底160還可以進一步包括其他部件比如掩埋層、和/或外延層。而且，襯底160可以是絕緣體上半導體比如絕緣體上硅(SOI)。在其他實施例中，半導體襯底160可以包括摻雜外延層、梯度半導體層，和/或可以進一步包括在另一不同類型的半導體層上方的半導體層，比如硅鍺層上硅層。在其他實例中，化合物半導體襯底可以包括多層硅結構，或者硅襯底可以包括多層化合物半導體結構。電路區可以包括器件，比如NMOS器件(例如，nFET)、PM0S器件(例如，pFET)等。半導體襯底160可以進一步包括在先前的工藝步驟期間形成的或者可以在隨后的工藝步驟期間形成的下面的層、器件、結和其他部件(未示出)。管芯165可以進一步包括在襯底160中形成的用于隔離襯底的有源區和其他區的隔離結構(未示出)，比如淺溝槽隔離(STI)部件，或者硅的局部氧化(LOCOS)部件。管芯165可以進行各種處理以形成器件(或者器件結構)。當器件形成之后，管芯165可以進一步包括在襯底160上方沉積的層間介電 (ILDO)層306。在一個實例中，可以通過高縱橫比工藝(HARP)和/或高密度等離子體(HDP)化學汽相沉積(CVD)工藝沉積ILDO層306。在一個實例中，ILDO層306是氧化物，并能夠用摻雜劑比如磷摻雜。可能將柵極結構(未示出)鑲嵌在ILDO層306中，并且可能在襯底160中形成晶體管摻雜區(未示出)。在ILDO層306內可以形成接觸件312。接觸件312是互連結構的部分，并可以電連接和物理連接有源區。密封環結構210可以由各個金屬層212和穿過介電層216設置的通孔層214組成。各個金屬層212和通孔層214是互連結構的部分。在一些實施例中，密封環區201的寬度(W)處于約5微米(μπι)至約30微米(μπι)的范圍內。金屬層212、通孔層214和介電層216的數量可以隨著產品而不同。在一些實施例中，可以有6、7或者8層金屬層。然而，金屬層和對應的通孔層和介電層可以更多或者更少。圖ID示出了器件區202中的示例性金屬凸塊224。在凸塊下金屬化(UBM)層225上方設置金屬凸塊224。根據一些實施例，UBM層225通過再分配層(RDL) 222與各個金屬層212、通孔層214、接觸件312和有源器件區(未示出)電連接。鈍化層226覆蓋RDL 222，并隔離RDL 222和未與RDL 222相接觸的UBM層225的部分。鈍化層226可以由聚合物，比如聚酰亞胺制成。在一些實施例中，存在一層以上的鈍化層并且這些鈍化層中的一層是由化學汽相沉積(CVD)電介質比如氮化硅和/或氧化硅制成。根據一些實施例，RDL 222可以穿過組件隔離區204延伸至密封環區201內。根據一些實施例，RDL 222可以由一種導電材料和一個單層組成。在其他一些實施例中，RDL 222可以由各種導電材料和/或多個導電層組成。例如，RDL 222可以由鋁、銀、鉛、錫、銅、其他金屬、或其合金組成。金屬凸塊224可以由銀焊料、鉛錫、銅或者其他材料組成。金屬凸塊224還可以由各種橫截面形狀，比如圓形、八邊形或者六邊形等組成。對于金屬凸塊比如金屬凸塊224，和UBM層比如UBM層225的示例性材料和制造方法的更多詳細的描述可以在于2011年I月25日提交的標題為“測量凸塊結構電阻系數的機制(Mechanismsfor Resistivity Measurement of Bump Structures) ” 的美國專利申請第 13/012，916 號中找到。半導體管芯的角落通常承受高應力，該高應力可以導致金屬層和/或介電層處的界面剝離。結果，一些半導體制造商規定半導體管芯的角落區不得有器件、互連結構和金屬凸塊(或者設計件)以防止或者減少界面剝離的影響。沒有設計件的這些角落區被稱為角落應力消除(CSR)區。圖IE示出了根據一些實施例的半導體管芯165的CSR區180。圖IE的CSR區180的形狀為等腰直角三角形，其短邊長度為“S”。然而，CSR區可以是其他形狀。根據一些實施例，CSR區180被密封環201封閉。在一些實施例中，長度“S”處于約20 μ m至約200 μ m的范圍內。然而，CSR區180不需要呈等腰直角三角形的形狀。其他形狀也是可能的。因為CSR區180沒有器件、互連結構和金屬凸塊，可以將標記設置在該區中以識別管芯165的取向。圖2A示出了根據一些實施例的具有4個角落A、B、C和D的半導體管芯165’的俯視圖。角落A、B和C全都具有用金屬層比如RDL 222或者頂部附近的互連金屬層，比如圖ID的金屬層212_覆蓋的CSR區180。不同數量的角落可以適用于具有不同形狀的管芯。當從管芯165’的頂部觀察時，RDL 222是可見的，因為RDL 222上方的鈍化層226是透明的。
相反，覆蓋角落A、B和C的CSR區180的金屬層僅部分地覆蓋了管芯165’的角落D的CSR區180。位于角落D的金屬覆蓋區181顯著小于角落A、B和C的被完全覆蓋的CSR區180，從而在放大鏡的幫助下是明顯可見的。例如，如果角落A、B和C的CSR區180的長度“S”為約70μπι。位于角落D的區181的長度“S*”可以處于其它3個角落的長度“S”的約1/10 (7 μ m)至約1/2 (35 μ m)的范圍內。通過使用高倍放大鏡，比如采用40X放大倍數，使用者比如技術員或者操作者將能夠觀察到角落區并識別具有最小角落金屬覆蓋區的角落D不同于其它三個角落。只要角落D的長度S*明顯小于其它角落的長度S，就可以使用位于角落的標記來告知管芯165’的取向。在一些實施例中，角落D中的金屬覆蓋范圍等于或者小于CSR區之一的約1/3面積。圖2B示出了根據一些實施例的具有4個角落A、B、C和D的半導體管芯165”的俯視圖。圖2B示出了位于角落D的CSR區的金屬覆蓋范圍高于角落A、B和C。借助金屬覆蓋范圍明顯更大或者更小(如圖2A中)的一個角落，使用者能夠識別不同的角落。結果，可以識別管芯165’或者管芯165”的取向。上面的實例使用角落D作為不同的角落。然而，可以使用其他角落比如角落A、B或者C作為不同的角落。此外，角落標記也不必呈CSR區的形狀。圖2C示出了根據一些實施例的具有4個角落A、B、C和D的半導體管芯165*的俯視圖。角落D具有不同于其他三個角落的角落覆蓋圖案。例如，角落A、B和C具有全部用金屬層覆蓋的CSR區180 (三角形區)。位于角落D的金屬覆蓋區181’可以具有由曲線182界定的凹形、由曲線183界定的凸形或者由波浪線(Wiggly curve) 184界定的不規則形狀。角落D的獨特邊界可以幫助區分角落D與其他三個角落。此外，角落D具有幫助區分角落D與其他三個角落的其他圖案。例如，根據一些實施例，如圖2D中所示，襯底165@的角落D可以在一個或者多個CSR區180中具有一個或多個字母符號，比如單個字母字符“C”。在上面所述的實例中，CSR區被金屬覆蓋。然而，CSR區180也可以保持空白，并且僅有一個具有被完全或者部分覆蓋的標記的角落標記金屬層。除了在一個或者多個CSR區中設置一個或者多個字母符號外，還可以使用其他符號。例如，可以在一個或者多個CSR區中設置一個或者多個數字或者一個或者多個方向符號，比如箭頭或者三角形。圖2E示出了根據一些實施例，在每個CSR區中設置方向箭頭。圖2F示出了根據一些實施例，在CSR區中放置(金屬填充的)定向三角形。圖2F中的定向三角形是長邊長度位于底部的4個完全相同的等腰三角形。可選地，可以在一個、兩個或者三個CSR區中設置定向三角形。角落中的符號需要足夠大從而被高倍放大器比如40X放大器看到。在一些實施例中，一個角落中的符號的寬度和長度中的每一個都處于約20 μ m至約100 μ m的范圍內。上面所述的實施例提供了用于識別切割管芯的取向的機制。通過在管芯的不同于其他三個角落的一個角落中的角落應力消除區形成金屬圖案，使用者可以很容易地識別管芯的取向。因為在CSR區沒有器件、互連或者凸塊，金屬圖案在這些區域中的設置對電路設計沒有影響。在一些實施例中，提供了用于識別切割管芯的取向的結構。該結構包括具有金屬層的第一圖案的切割管芯的一個角落，該金屬層的第一圖案不同于位于切割管芯的其他三個角落的金屬層的第二圖案。第一圖案和第二圖案位于切割管 芯的角落應力消除(CSR)區中。在CSR區中不設置器件、互連結構或者凸塊。在一些實施例中，提供了一種用于識別切割管芯的取向的結構。該結構包括在切割管芯的角落應力消除(CSR)區中具有金屬層的第一圖案的切割管芯的一個角落。在CSR區中不設置器件、互連結構或者凸塊。在又一些實施例中，提供了一種用于識別切割管芯的取向的結構。該結構包括具有金屬層的第一圖案的切割管芯的角落，該金屬層的第一圖案不同于位于切割管芯的其他三個角落的金屬層的第二圖案。第一圖案和第二圖案位于切割管芯的角落應力消除(CSR)區中，并且在CSR區中不設置器件、互連結構或者凸塊。CSR區是等腰直角三角形，并且每個等腰直角三角形的短邊長度位于約20 μ m至約100 μ m的范圍內。因此，本發明提供了標記切割管芯的取向的機制。雖然前面的描述示出并描述了一個或者多個實施例，本領域的技術人員應當理解在本文中可以在形式和細節上可以做各種改變，而不脫離本發明的精神和范圍。因此，應該以廣泛的方式解釋權利要求，與本發明一致。
權利要求
1.一種用于識別切割管芯的取向的結構，包括 切割管芯的角落，所述角落具有金屬層的第一圖案，所述金屬層的第一圖案不同于位于切割管芯其他角落的所述金屬層的第二圖案，其中，所述第一圖案和第二圖案位于所述切割管芯的角落應力消除(CSR)區中，其中在所述CSR區中不設置器件、互連結構或者凸塊。
2.根據權利要求I所述的結構，其中，通過使用具有40X放大能力的高倍放大器，具有所述第一圖案的所述角落以明顯可檢測的方式不同于所述其他三個角落。
3.根據權利要求I所述的結構，其中，所述金屬層是再分配層(RDL)，所述再分配層能夠使凸塊連接至器件的互連結構；或者 所述金屬層是再分配層(RDL)，所述再分配層能夠使凸塊連接至器件的互連結構并且其中，所述RDL由招制成；或者 其中，所述金屬層是器件的互連結構的頂部導電層，并且其中，從所述切割管芯的上面可觀察到所述角落中的所述頂部導電層的所述第一圖案；或者 其中，所述CSR區是等腰直角三角形，并且其中，每個等腰直角三角形的短邊長度處于約20 μ m至約200 μ m的范圍內；或者 其中，所述金屬層的所述第二圖案基本上覆蓋了位于所述其他三個角落的所述CSR區，并且其中，所述角落的所述金屬層的所述第一圖案基本上覆蓋了位于所述其他三個角落之一處的所述CSR區之一的約1/3的面積或者小于約1/3的面積；或者 其中，所述CSR區是等腰直角三角形，并且其中，每個等腰直角三角形的短邊長度處于約20 μ m至約200 μ m的范圍內，并且其中，所述金屬層的所述第二圖案基本上覆蓋了位于所述其他三個角落的所述CSR區的所述等腰直角三角形，并且其中，所述金屬層的所述第一圖案基本上覆蓋等腰直角三角形，所述等腰直角三角形的短邊長度等于或者小于所述CSR區的所述等腰直角三角形之一的所述短邊長度的約一半；或者 其中，所述CSR區是等腰直角三角形，并且其中，每個等腰直角三角形的短邊長度處于約20 μ m至約200 μ m的范圍內，并且其中，所述金屬層的所述第一圖案基本上覆蓋了位于所述角落的所述CSR區的所述等腰直角三角形之一，并且其中，所述金屬層的所述第二圖案基本上覆蓋了三個等腰直角三角形，所述三個等腰直角三角形的每一個的短邊長度等于或者小于所述CSR區的所述直角等腰三角形的所述短邊長度的約一半；或者其中所述第一圖案至少包括字母符號、數字或者方向符號；或者其中所述第一圖案至少包括字母符號、數字或者方向符號，并且其中所述第一圖案至少包括寬度處于約20 μ m至約80 μ m的范圍內的字母符號、數字或者方向符號。
4.根據權利要求I所述的結構，其中，所述CSR區被密封環結構封閉，并且其中，所述密封環結構包括多層互連層，所述互連層保護所述器件區免受濕氣退化、離子污染以及來自管芯切割的應力。
5.根據權利要求4所述的結構，其中，所述CSR區設置在所述密封環結構和所述切割管芯中的器件區之間。
6.根據權利要求I所述的結構，其中所述第一圖案和所述第二圖案被透明的鈍化層覆至JHL ο
7.一種用于識別切割管芯的取向的結構，包括切割管芯的角落，所述角落具有在所述切割管芯的角落應力消除(CSR)區中的金屬層的第一圖案，其中在所述CSR區中不設置器件、互連結構或者凸塊。
8.根據權利要求7所述的結構，其中，所述金屬層是再分配層(RDL)，所述再分配層能夠使凸塊連接至器件的互連結構或者器件的互連結構的頂部導電層，并且其中，采用放大器從所述切割管芯上方可觀察到所述角落中的所述第一圖案；或者 其中，所述第一圖案包括字母符號、數字或者方向符號。
9.根據權利要求7所述的結構，其中，所述CSR區被密封環結構封閉，并且其中，所述密封環結構包括多層互連層，所述互連層用于保護所述器件區免受濕氣退化、離子污染和來自管芯切割的應力；或者 其中，所述CSR區被密封環結構封閉，并且其中，所述密封環結構包括多層互連層，所述互連層用于保護所述器件區免受濕氣退化、離子污染和來自管芯切割的應力，并且其中在所述密封環結構和所述切割管芯中的器件區之間設置所述CSR區。
10.一種用于識別切割管芯的取向的結構，包括 切割管芯的角落，所述角落具有金屬層的第一圖案，所述金屬層的第一圖案不同于位于所述切割管芯的其他角落的所述金屬層的第二圖案，其中所述第一圖案和所述第二圖案位于所述切割管芯的角落應力消除(CSR)區中，其中在所述CSR區中不設置器件、互連結構或者凸塊，其中所述CSR區是等腰直角三角形，并且其中每個等腰直角三角形的短邊長度處于約20 μ m至約100 μ m的范圍內。
全文摘要
提供了用于識別切割管芯的取向的機制。通過在管芯的不同于其他角落的一個角落中的角落應力消除區中形成金屬圖案，使用者可以很容易地識別管芯的取向。本發明還提供了標記切割管芯取向的機制。
文檔編號H01L23/544GK102881678SQ20111036882
公開日2013年1月16日 申請日期2011年11月17日 優先權日2011年7月11日
發明者陳憲偉 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司