專利名稱：提高染料調q薄膜片激光透過率的方法
技術領域：
本發明涉及激光染料調Q薄膜片技術，尤其涉及一種提高染料調Q薄膜片激光透過率的方法。
背景技術：
激光調Q技術包括轉鏡調Q技術、聲光調Q技術、電光調Q技術、染料調Q技術等，各種調Q技術具有不同的特點，應用在不同的場合。尤其是染料調Q器件，目前已做成了薄膜片，更加適應輕量化、小型化、集成化的應用場合，同時在降低成本、方便集成等方面具有較大的優勢。目前，市場上的染料調Q薄膜片產品基本上是采用獲得國家發明獎的E法成型工藝生產的(獲獎名稱RT-106染料片Q開關的E法成型工藝；獲獎編號06114 ;獲獎時間1983. I ;獲獎等級國家發明四等獎)。用這種工藝方法生產染料調Q薄膜片已多 年，在軍品和民品的實際應用中，發揮了巨大作用。E法成型工藝的流程主要包括配料、攪拌、過濾、成型、定型、檢測等工序，仍存在著一些缺陷和問題。因薄膜片成型過程是表面先固化，而基片內部的有機溶劑仍在揮發，所以內部極易形成一些微觀氣泡，影響激光的透過率；同時，這一工藝成型過程也容易使薄膜片的表面產生微觀凹凸不平的現象，因而增強了激光的反射與散射；其結果是激光透過率降低，損耗增大，對激光器調Q的效果產生不利影響。隨著社會的進步與科技的發展，染料調Q薄膜片的應用環境發生了巨大的變化，對調Q薄膜片的性能提出了更高的要求，如在高溫狀態、低溫狀態、高速移動、快速轉動等情況下，目標的跟蹤、定位、測距等工作，原先的調Q薄膜片已不適用。現實要求盡快改進調Q薄膜片的性能，尤其要保證許多特殊場合應用的可行性、可靠性與穩定性。而提高染料調Q薄膜片激光透過率是提升調Q薄膜片使用性能的有效方法，是一項基礎性工作，也是首先需要突破的創新點。
發明內容
本發明的目的是克服現有技術與方法的不足，提供一種新的工藝方法，達到提高染料調Q薄膜片激光透過率的目的，實現提升染料調Q薄膜片的使用性能的效果，使其適應更復雜的應用環境，滿足更苛刻的需求條件，在社會經濟發展的諸多領域中發揮更大的作用。為解決上述的技術問題，本發明是通過如下措施來達到的該技術方案的特征是在染料調Q薄膜片表面鍍制激光增透膜；所述的激光增透膜鍍制在薄膜片表面的無機性過渡膜上面；所述的無機性過渡膜是在染料調Q薄膜片成型開始固化時涂敷硅試劑形成的；為實現無機性過渡膜的均勻涂敷，必須延長薄膜片成型固化的時間，這一目的是通過在染料調Q薄膜片配料內增加輔料C2H4Cl2實現的。與現有技術相比，本發明的方法具有如下有益效果現有技術完成的染料調Q薄膜片基片的激光透過率最高達到94%，激光器的單脈沖電壓工作坪區彡70V，高溫(+50°C )和低溫(_40°C )時激光器的閾值電壓變化分別為30V，動靜比為I : 4至I : 5;本發明產生的有益效果是基片的激光透過率增幅為3 4%，透過率達到97 98%，激光器的單脈沖電壓工作坪區展寬到90V，高溫(+50°C )和低溫(_40°C )時激光器的閾值電壓的變化值之和為30V，動靜比提高到I : 2至I : 3。
圖I 是本發明方法的工序流程圖。
具體實施例方式下面結合附圖對本發明方法的作業流程作進一步的說明。I、配料工序保持原主料，本發明的特征在于添加了輔料C2H4Cl2。輔料的作用是延長薄膜片成型的固化時間，目的有兩個其一是保持涂敷硅試劑有足夠的時間，保證固化后在薄膜片表面形成均勻的無機性過渡膜，為鍍制激光增透膜打好基礎；其二是在較長的固化時間內，能使基片內部的有機溶劑徹底揮發，從而避免微觀氣泡的形成，提高激光的透過率。一個批量的材料如下主料PMMA-248g ；BDN 液-365ml ；CH2Cl2-425ml ；Nd-911-23.5ml;輔料C2H4Cl2-150ml.2、攪拌工序把配料工序所述的主料和輔料置入專用攪拌器，攪拌速度設為2檔，攪拌7小時，保證用料的充分混合。3、過濾工序將攪拌工序充分混合的拌料置入過濾器，濾層為真絲綢濾布3層，力口壓O. 5KPa，濾液封蓋。4、成型工序本工序要完成薄膜片成型和無機性過渡膜的生成兩項內容。薄膜片成型室溫，將過濾工序的濾液置入成型均布器3#，下口面高度1mm，支持體2#，速度3檔，正面操作；過渡膜形成在薄膜片已成型并開始固化的時機，啟動過渡膜涂敷機，將含硅的化學試劑涂敷于薄膜片的表面，并反復3遍，經過涂敷的薄膜片在固化的過程中，硅成分將滲入到薄膜片有機基體的表層，待完全固化后，在薄膜片表面便形成了一層均勻的無機性過渡膜。5、定型工序將表面形成了無機性過渡膜的薄膜片，置入定型器，在恒溫60°C，定型4小時。6、鍍增透膜工序將定型后的薄膜片置入鍍膜機，完成增透膜的鍍制。此時，無機性過渡膜起到了關鍵的作用，它將無機的激光增透膜和有機的薄膜片結合成一體。7、檢驗工序本發明完成的染料調Q薄膜片技術指標為①薄膜片基片激光透過率增透效果提高3 4%，透過率達97 98% ;
②染料調Q薄膜片透過率范圍15 80% ;③工作溫度范圍(_40°C ) (+50°C )；④存儲溫度范圍(_50°C ) (+70°C )；⑤抗激光輻射能力激光輻射強度300MW/cm2 ；⑥激光器的單脈沖工作坪區在常溫、高溫(+50°C )和低溫(_40°C )下均不小于90V ；⑦激光器的閾值電壓變化高溫(+50°C )和低溫(_40°C )的變化值之和為30V ；⑧工作重復頻率1Hz。
本發明實施的檢驗按以下方法進行用VSU-2G分光光度計，波長I. 06 μ m,檢測薄膜片基片的激光增透效果和染料調Q薄膜片的透過率范圍；用高、低溫試驗箱檢測工作溫度、存儲溫度；用YAG激光試驗儀，檢測染料調Q薄膜片抗激光輻射能力、激光器的單脈沖工作坪區、激光器的閾值電壓變化、工作重復頻率；用本發明的方法完成的染料調Q薄膜片的激光透過率有較大提高，因而其使用性能明顯提升，能適應更復雜的應用環境，滿足更苛刻的需求條件，在社會經濟發展的諸多領域如軍工、科研、教學、工業、醫療、美容等應用中能發揮更大的作用，產生更大的效益。
權利要求
1.一種提高染料調Q薄膜片激光透過率的方法，其特征是在染料調Q薄膜片表面鍍制激光增透膜。
2.根據權利要求I所述在染料調Q薄膜片表面鍍制激光增透膜，其特征在于所述的激光增透膜是鍍制在薄膜片表面的無機性過渡膜上面的。
3.根據權利要求2所述的激光增透膜是鍍制在薄膜片表面的無機性過渡膜上面的，其特征在于所述的無機性過渡膜是在染料調Q薄膜片成型開始固化時涂敷硅試劑形成的。
4.根據權利要求3所述的無機性過渡膜是在染料調Q薄膜片成型開始固化時涂敷硅試劑形成的，其特征在于為實現無機性過渡膜的均勻涂敷，必須延長薄膜片成型固化的時間，這一目的是通過在染料調Q薄膜片配料時增加輔料C2H4Cl2實現的。
全文摘要
本發明公開了一種提高染料調Q薄膜片激光透過率的方法，該技術方法的特征是在染料調Q薄膜片表面鍍制激光增透膜；所述的激光增透膜鍍制在薄膜片表面的無機性過渡膜上面；所述的無機性過渡膜是在染料調Q薄膜片成型開始固化時涂敷硅試劑形成的。為此，須延長薄膜片成型固化的時間，而這一目的的實現是通過在染料調Q薄膜片配料內增加輔料C2H4Cl2完成的。用本發明的方法完成的染料調Q薄膜片的激光透過率有較大提高，促使其性能明顯提升，能適應更復雜的應用環境，滿足更苛刻的需求條件，在社會經濟發展的諸多領域如軍工、科研、教學、工業、醫療、美容等應用中能發揮更大的作用，產生更大的效益。
文檔編號H01S3/11GK102842846SQ20111036261
公開日2012年12月26日 申請日期2011年11月16日 優先權日2011年11月16日
發明者邢子紅, 張桂華, 張瑞, 趙媛媛, 張珊 申請人:天津市激光技術研究所