專利名稱：一種led 及led 的粉漿平面涂覆工藝的制作方法
一種LED及LED的粉漿平面涂覆工藝方法
技術領域：
本發明涉及電子元器件，尤其涉及LED及其粉漿涂覆工藝的改進。背景技術：
目前國內PCLED產業主要采用的是傳統的灌封工藝，直接在芯片表面點涂熒光粉膠，即將熒光粉粉末與膠體(如硅膠或環氧樹脂等)按一定配比混合，制成粉漿，攪拌均勻， 然后用細針頭類工具將其涂覆于芯片表面，理想情況下形成類似球冠狀的涂層。但這種方法及涂層存在明顯的結構缺陷，這種熒光粉涂層，除中心到邊緣的結構性非均勻外，在實際操作中，無論手動或機器操作，同一批次的LED管之間，熒光粉層在形狀上都會有一定的差異，很難控制均勻性和一致性，從而導致器件間較大的色度差異；同時，由于涂層膠滴實際微觀表面的凹凸不平，當光線出射時，就會形成白光顏色的不均勻，導致局部偏黃或偏藍的不均勻性光斑出現。
發明內容
本發明的目的就是解決現有技術中的問題，提出一種LED及LED的粉漿平面涂覆工藝，能夠有效控制熒光粉涂層的形狀、厚度和均勻性，從而提高器件間的色度一致性。
為實現上述目的，本發明提出了一種LED，包括基板、LED芯片和反射杯，所述LED 芯片封裝在基板上，LED芯片外安裝有反射杯，所述LED芯片的上表面和四個側面外均涂覆有矩形的熒光粉層，所述熒光粉層的外部包覆有矩形的透明保護膠體層。
作為優選，所述熒光粉層的厚度為2mm，透明保護膠體層的厚度為3mm，既滿足質量要求，又節約成本。
為實現上述目的，本發明還提出了一種LED的粉漿平面涂覆工藝，依次包括以下步驟
A)熒光粉層形狀控制將LED芯片封裝在基板上以后，將LED芯片上電極部分通過感光膠體遮擋住，形成電極遮擋部分，只留下需要熒光粉覆蓋的芯片發光區域；
B)制備熒光粉層在LED芯片上未遮擋的芯片發光區域制備成厚度一致且均勻的熒光粉層；
C)第一去除電極遮擋部分過80 100分鐘后將電極遮擋部分去除，得到固定形狀的熒光粉層；
D)保護膠體層形狀控制將LED芯片上電極部分通過感光膠體遮擋形成電極遮擋部分，暴露出已形成的熒光粉層，并留出保護膠體層的厚度空間；
E)涂覆保護膠體層在暴露出的熒光粉層外部的厚度空間內涂覆厚度均勻的透明保護膠體層；
F)第二去除電極遮擋部分過170 190分鐘后將電極遮擋部分去除，得到包裹在熒光粉層外部的透明保護膠體層，完成粉漿平面涂覆工藝。
作為優選，所述B)步驟中制備的熒光粉層的厚度為2mm ；Ε)步驟中涂覆的透明保護膠體層的厚度為3mm，既滿足質量要求，又節約成本。
作為優選，所述C)步驟中過90分鐘后將電極遮擋部分去除；F)步驟中過180分鐘后將電極遮擋部分去除，既滿足質量要求，又提高效率。
本發明的有益效果本發明采用粉漿平面涂覆工藝，克服了傳統灌封點膠工藝在粉層結構、形狀上的弊端，將熒光粉混合分散到透明感光膠中，對熒光粉涂層的形狀、厚度及均勻性能有效控制，從而提高了器件間的色度一致性。
本發明的特征及優點將通過實施例結合附圖進行詳細說明。
圖1是本發明中一種LED的結構示意圖2是本發明中一種LED的粉漿平面涂覆工藝的流程圖。
具體實施方式
如圖1所示，LED，包括基板1、LED芯片2和反射杯3，所述LED芯片2封裝在基板 1上，LED芯片2外安裝有反射杯3，所述LED芯片2的上表面和四個側面外均涂覆有矩形的熒光粉層4，所述熒光粉層4的外部包覆有矩形的透明保護膠體層5。
如圖2所示，LED的粉漿平面涂覆工藝，依次包括以下步驟
A)熒光粉層4形狀控制將LED芯片2封裝在基板1上以后，將LED芯片2上電極部分通過感光膠體遮擋住，形成電極遮擋部分，只留下需要熒光粉覆蓋的芯片發光區域；
B)制備熒光粉層4 在LED芯片2上未遮擋的芯片發光區域制備成厚度一致且均勻的熒光粉層4 ；熒光粉層4的厚度為2mm，各方向上的厚度相等，以保持均勻。
C)第一去除電極遮擋部分過80 100分鐘后將電極遮擋部分去除，得到固定形狀的熒光粉層4 ；一般過90分鐘后將電極遮擋部分去除。
D)保護膠體層形狀控制將LED芯片2上電極部分通過感光膠體遮擋形成電極遮擋部分，暴露出已形成的熒光粉層4，并留出保護膠體層的厚度空間；
E)涂覆保護膠體層在暴露出的熒光粉層4外部的厚度空間內涂覆厚度均勻的透明保護膠體層5 ；透明保護膠體層5的厚度為3mm，各方向上的厚度相等，以保持均勻。
F)第二去除電極遮擋部分過170 190分鐘后將電極遮擋部分去除，得到包裹在熒光粉層4外部的透明保護膠體層5，完成粉漿平面涂覆工藝；一般過180分鐘后將電極遮擋部分去除。
按本發明制備的結構將其封裝制成LED器件，測試器件的光譜特性和光斑均勻性，結果表明，采用這種新工藝制造出來的器件色坐標為(0.321,0. 314)，相對色溫為 6827K，對應的主波長為475nm，色坐標和色溫均達到白光范疇，光斑均勻性有明顯的改善。 這種方法克服了現有LED主流灌封點膠工藝在粉層結構、形狀上的弊端，對熒光粉涂層形狀、厚度及均勻性能有效控制，從而提高了器件間的色度一致性，且工藝簡單，成本低。
上述實施例是對本發明的說明，不是對本發明的限定，任何對本發明簡單變換后的方案均屬于本發明的保護范圍。
權利要求
1.一種LED，包括基板、LED芯片和反射杯，所述LED芯片封裝在基板上，LED芯片外安裝有反射杯，其特征在于所述LED芯片的上表面和四個側面外均涂覆有矩形的熒光粉層， 所述熒光粉層的外部包覆有矩形的透明保護膠體層。
2.如權利要求1所述的一種LED，其特征在于所述熒光粉層的厚度為2mm，透明保護膠體層的厚度為3mm。
3.—種LED的粉漿平面涂覆工藝，其特征在于依次包括以下步驟A)熒光粉層形狀控制將LED芯片封裝在基板上以后，將LED芯片上電極部分通過感光膠體遮擋住，形成電極遮擋部分，只留下需要熒光粉覆蓋的芯片發光區域；B)制備熒光粉層在LED芯片上未遮擋的芯片發光區域制備成厚度一致且均勻的熒光粉層；C)第一去除電極遮擋部分過80 100分鐘后將電極遮擋部分去除，得到固定形狀的熒光粉層；D)保護膠體層形狀控制將LED芯片上電極部分通過感光膠體遮擋形成電極遮擋部分，暴露出已形成的熒光粉層，并留出保護膠體層的厚度空間；E)涂覆保護膠體層在暴露出的熒光粉層外部的厚度空間內涂覆厚度均勻的透明保護膠體層；F)第二去除電極遮擋部分過170 190分鐘后將電極遮擋部分去除，得到包裹在熒光粉層外部的透明保護膠體層，完成粉漿平面涂覆工藝。
4.如權利要求3所述的一種LED的粉漿平面涂覆工藝，其特征在于所述B)步驟中制備的熒光粉層的厚度為2mm ；Ε)步驟中涂覆的透明保護膠體層的厚度為3mm。
5.如權利要求3或4所述的一種LED的粉漿平面涂覆工藝，其特征在于所述C)步驟中過90分鐘后將電極遮擋部分去除；F)步驟中過180分鐘后將電極遮擋部分去除。
全文摘要
本發明公開了一種LED及其粉漿平面涂覆工藝，依次包括以下步驟A)熒光粉層形狀控制、B)制備熒光粉層、C)第一去除電極遮擋部分、D)保護膠體層形狀控制、E)涂覆保護膠體層、F)第二去除電極遮擋部分。本發明采用粉漿平面涂覆工藝，克服了傳統灌封點膠工藝在粉層結構、形狀上的弊端，將熒光粉混合分散到透明感光膠中，對熒光粉涂層的形狀、厚度及均勻性能有效控制，從而提高了器件間的色度一致性。
文檔編號H01L33/00GK102496671SQ201110362430
公開日2012年6月13日 申請日期2011年11月15日 優先權日2011年11月15日
發明者林松 申請人:浙江寰龍電子技術有限公司