專利名稱：一種激光退火掃描方法
技術領域：
本發明涉及半導體集成電路及其制造領域，尤其涉及一種激光退火掃描方法。
背景技術：
激光退火作為一種先進的半導體制備工藝方法，是一種高溫瞬間退火方式，其退火溫度可以從幾百度到一千多度，主要應用在金屬半導體合金工藝、離子注入工藝等步驟中，且在制備超淺結工藝中也發揮著關鍵作用。目前，激光退火中傳統激光掃描方式一般是沿著晶圓片一行一行地順序連續掃描，例如圖1是本發明背景技術中傳統激光掃描方式的示意圖，圖2是本發明背景技術中進行激光退火采用傳統激光掃描方式掃描部分晶圓時的示意圖，圖3是本發明背景技術中進行激光退火采用傳統激光掃描方式掃描晶圓時晶圓上熱應力分布示意圖；如圖1所示， 在掃描行是M行的晶圓31上，傳統激光掃描方式的是按照晶圓1的掃描行序號A (1-24) 順序逐行掃描，即掃描順序號B和掃描序號A相同；由于，傳統激光掃描方式是連續一行一行掃描，當退火溫度較高時，若晶圓片上已經連續掃描完成的一部分，如圖2所示，此時晶圓31的熱應力分布情況會如圖3所示，已經掃描完成的部分晶圓32比尚未掃描的另一部分晶圓33的熱應力來得高，這就可能會造成晶圓31的表面彎曲，甚至會發生剖片。
發明內容
本發明公開了一種激光退火掃描方法，其中，包括以下步驟 步驟Sl 在一晶圓上定義其激光退火的掃描行；
步驟S2 對該掃描行進行跳躍式迂回激光退火掃描。上述的激光退火掃描方法，其中，步驟S2中每個掃描行均被掃描一次。上述的激光退火掃描方法，其中，步驟S2中采用隨機或隔固定行數進行跳躍式迂回激光退火掃描。綜上所述，由于采用了上述技術方案，本發明提出一種激光退火掃描方法，通過跳躍式的掃描方式對晶圓上所有分割的掃描行進行掃描，使得晶圓上的熱應力能有效分散， 從而避免了熱應力過于集中而造成晶圓表面彎曲甚至剖片問題。
圖1是本發明背景技術中傳統激光掃描方式的示意圖2是本發明背景技術中進行激光退火采用傳統激光掃描方式掃描部分晶圓時的示意圖3是本發明背景技術中進行激光退火采用傳統激光掃描方式掃描晶圓時晶圓上熱應力的分布示意圖4是本發明激光退火掃描方法中采用隨機行數進行跳躍式迂回激光退火掃描的示意圖；圖5是本發明激光退火掃描方法中采用固定行數進行跳躍式迂回激光退火掃描的示意圖。
具體實施例方式下面結合附圖對本發明的具體實施方式
作進一步的說明
圖4是本發明激光退火掃描方法中采用隨機行數進行跳躍式迂回激光退火掃描的示意圖；圖5是本發明激光退火掃描方法中采用固定行數進行跳躍式迂回激光退火掃描的示意圖。如圖4-5所示，本發明一種激光退火掃描方法
首先，在晶圓41上定義其激光退火的M行掃描行，掃描行序號A為1-M。然后，如圖4所示，對晶圓41上的掃描行采取隨機方式進行跳躍式迂回激光退火掃描，或如圖5所示，對晶圓41上的掃描行采取固定行數方式進行跳躍式迂回激光退火掃描，由于跳躍式的掃描方式對晶圓上所有分割的掃描行進行掃描，使得晶圓上的熱應力能有效分散，從而避免了熱應力過于集中而造成晶圓表面彎曲甚至剖片問題。綜上所述，由于采用了上述技術方案，本發明提出一種激光退火掃描方法，通過跳躍式的掃描方式對晶圓上所有分割的掃描行進行掃描，使得晶圓上的熱應力能有效分散， 從而避免了熱應力過于集中而造成晶圓表面彎曲甚至剖片問題。通過說明和附圖，給出了具體實施方式
的特定結構的典型實施例，基于本發明精神，還可作其他的轉換。盡管上述發明提出了現有的較佳實施例，然而，這些內容并不作為局限。對于本領域的技術人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無疑將顯而易見。 因此，所附的權利要求書應看作是涵蓋本發明的真實意圖和范圍的全部變化和修正。在權利要求書范圍內任何和所有等價的范圍與內容，都應認為仍屬本發明的意圖和范圍內。
權利要求
1.一種激光退火掃描方法，其特征在于，包括以下步驟 步驟Sl 在一晶圓上定義其激光退火的掃描行；步驟S2 對該掃描行進行跳躍式迂回激光退火掃描。
2.根據權利要求1所述的激光退火掃描方法，其特征在于，步驟S2中每個掃描行均被掃描一次。
3.根據權利要求1所述的激光退火掃描方法，其特征在于，步驟S2中采用隨機或隔固定行數進行跳躍式迂回激光退火掃描。
全文摘要
本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種激光退火掃描方法，通過跳躍式的掃描方式對晶圓上所有分割的掃描行進行掃描，使得晶圓上的熱應力能有效分散，從而避免了熱應力過于集中而造成晶圓表面彎曲甚至剖片問題。
文檔編號H01L21/268GK102456555SQ20111034112
公開日2012年5月16日 申請日期2011年11月2日 優先權日2011年11月2日
發明者戴樹剛, 陳玉文, 黃曉櫓 申請人:上海華力微電子有限公司