專利名稱：掩模板及其制造方法、以及監測掩模板霧狀污染的方法
技術領域：
本發明一般地涉及半導體領域，特別涉及半導體工藝中的掩模板以及對掩模板霧狀污染的監測。
背景技術：
在半導體集成電路的制造過程中，光刻工藝是極其重要的環節。在光刻工藝中，首先將設計好的圖案(諸如金屬線、接觸孔的圖案等)形成于一個或多個掩模板上，然后利用光刻機(例如步進掃描光刻機)通過曝光程序將掩模板上的圖案轉移到晶圓上的光致抗蝕劑層上。在實際工業生產中，掩模板的污染一直是個問題。由于掩模板的圖案將被重復地轉移到晶圓上，掩模板的污染將導致產生大量具有缺陷的芯片，嚴重影響良率。在掩模板的污染中，霧狀污染(haze)是最為常見、影響最嚴重并且難以避免的。通常，在掩模板清洗工藝中會使用硫酸，從而在掩模板上殘留有硫酸根離子。殘留的硫酸根會在掩模板使用過程中產生結晶，即霧狀污染。例如，掩模板上殘留的硫酸根會與空氣中的銨根等陽離子結合形成硫酸銨等晶體。隨著晶體不斷長大，當其達到一定尺寸時(例如，與掩模板上的圖案尺寸相當時)，就會影響到圖案的轉移，進而影響芯片的良率。隨著半導體器件尺寸的不斷減小，光刻波長也不斷減小，霧狀污染的影響越發嚴重。對于先進的集成電路(IC)工藝，由于越來越多的半導體層需要采用193nm的光刻波長，大大增加了由霧狀污染引起的芯片缺陷的發生概率。因此，需要對掩模板上的污染——尤其是霧狀污染——進行檢測，然后根據檢測結果，當發現污染時，通過清洗來去除污染。傳統的檢測掩模板霧狀污染的方法是采用專用的掩模板檢測系統，諸如KLA-Tencor公司的STARlight_2TM掩模板檢測系統等。該系統可以對掩模板進行離線檢測以發現霧狀污染。然而，該檢測十分昂貴，并且時間較長。一般地，每片掩模板的檢測需要2 4小時。這不僅影響半導體器件的生產效率，同時增加了生產成本。并且，由于其一般是定期地對掩模板進行離線檢測，難以及時地發現掩模板上的霧狀污染。另一種檢測掩模板霧狀污染的方法是人工檢查晶圓上的芯片區域的圖案是否異常。然而，這種方法需要耗費大量的時間和人力，并且不夠準確。并且，這種方法只能檢測到已經導致芯片缺陷的尺寸較大的霧狀污染，而無法在霧狀污染引起芯片缺陷之前就將其發現。實際上，在利用該方法檢測到霧狀污染時，已經產生了大量的缺陷芯片，導致了良率的損失。
發明內容
為此，需要一種改進的檢測掩模板霧狀污染的方案，其能夠及時有效地發現掩模板上的霧狀污染，以便盡早去除霧狀污染，提高芯片的良率。根據本發明的第一方面，提供了一種掩模板，所述掩模板具有至少一個劃片道和由劃片道分隔開的芯片區域，在劃片道內具有至少一個監測區域，其中，在所述監測區域內布置有一個或多個主圖案和位于每個主圖案附近的一個或多個相應的輔助圖案，每個輔助圖案包括相互平行的至少兩個散射條，所述監測區域的其余部分覆蓋有相移層，該相移層的透光率低于所述主圖案和輔助圖案的透光率，并且所述主圖案和所述輔助圖案的尺寸和相對位置被設計為使得:當對無污染的掩模板進行曝光時，所述輔助圖案不被轉移到晶圓上，而是與相應的主圖案配合以在晶圓上產生與該主圖案相對應的主轉移圖案。可選地，所述主圖案和所述輔助圖案的尺寸和相對位置還被設計為使得:當輔助圖案中的兩個散射條之間的間隔區域中具有霧狀污染時，在對掩模板曝光后，在晶圓上的所述主轉移圖案附近產生缺陷標識圖案。可選地，所述缺陷標識圖案是由于霧狀污染對所述間隔區域的相移特性的改變而引起的。可選地，所述監測區域被布置在掩模板的最外圍的劃片道中。可選地，每個監測區域包括多個主圖案，相鄰主圖案之間的間距大于主圖案尺寸的5倍。可選地，所述監測區域的外周均不超出所述劃片道的邊界。可選地，所述監測區域為矩形，其任意一邊與其所位于的劃片道的邊界的最短距離為1-10微米。可選地，用于所述掩模板的曝光光源是波長為193nm的ArF激光器。可選地，所述主圖案為一個或多個孔。可選地，所述芯片區域中的圖案為孔。可選地，在每個主圖案的一側布置與其相應的輔助圖案。可選地，在每個主圖案的兩側布置與其相應的輔助圖案。可選地，沿每個主圖案的周邊均勻地布置多個與其相應的輔助圖案。可選地，所述相移層的材料選自:MoS1、TaSi2、TiSi2,Fe2O3>Mo, Nb2O5, T1、Ta、CrN,MoO2, MoN、Cr2O2, TiN、ZrN、TiO2, TaN、Ta2O5, NbN、Si2N4, Al2O2N, A1202R、或上述材料的任意組
八
口 ο可選地，所述缺陷標識圖案為圓孔狀，并且其尺寸小于所述主轉移圖案。可選地，在掩模板的最外圍的劃片道中布置多于5個監測區域。可選地，所述相移層的透光率為可選地，所述相移層被設置為使得穿過相移層的光相對于穿過主圖案和輔助圖案的光具有165° -185°的相移。可選地，所述相移層被設置為使得穿過相移層的光相對于穿過主圖案和輔助圖案的光具有180°的相移。根據本發明的第二方面，提供了一種制造上面所述的任一種掩模板的方法，包括:提供透明基板；在所述透明基板上形成圖案化的相移層，以作為掩模板的光阻擋層，其中，在形成芯片區域的圖案的同時，在劃片道中形成布置有所述主圖案和所述輔助圖案的所述監測區域。根據本發明的第三方面，提供了一種監測掩模板的霧狀污染的方法，所述掩模板是上面所述的任一種掩模板，所述方法包括:通過曝光將掩模板上的圖案轉移到涂敷有光致抗蝕劑的晶圓上；檢查晶圓上的圖案；如果在晶圓上的與掩模板的監測區域中的主圖案相對應的主轉移圖案附近存在缺陷標識圖案，則判定掩模板上具有霧狀污染，否則，判定掩模板上不具有霧狀污染。可選地，所述方法還包括:如果判定掩模板上具有霧狀污染，則清洗掩模板。可選地，檢查晶圓上的圖案包括:利用掃描電子顯微鏡在線獲得晶圓的圖像并對該圖像進行檢查。可選地，檢查晶圓上的圖案包括:利用光學方法對晶圓進行缺陷掃描檢查。本發明的一個優點在于，利用本發明的掩模板，能夠對霧狀污染進行在線監測，從而及時有效地發現掩模板上的霧狀污染。通過以下參照附圖對本發明的示例性實施例的詳細描述，本發明的其它特征及其優點將會變得清楚。
構成說明書的一部分的附圖描述了本發明的實施例，并且連同描述一起用于解釋本發明的原理。參照附圖，根據下面的詳細描述，可以更加清楚地理解本發明，其中:圖1是典型的掩模板的俯視示意圖。圖2是根據本發明的實施例，在劃片道中具有監測區域的掩模板的俯視示意圖。圖3A和3B分別是根據本發明的實施例，布置在監測區域中的圖案和相應的轉移到晶圓上的圖案的不意圖。圖4A和4B分別是根據本發明的實施例，發生霧狀污染的監測區域和相應的轉移到晶圓上的圖案的不意圖。圖5A- 示出了根據本發明的實施例，監測區域中可以采用的具體圖案布置的示例。圖6是根據本發明的實施例，對掩模板的霧狀污染進行監測的方法的流程圖。
具體實施例方式現在將參照附圖來詳細描述本發明的各種示例性實施例。應注意到:除非另外具體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數字表達式和數值不限制本發明的范圍。同時，應當明白，為了便于描述，附圖中所示出的各個部分的尺寸并不是按照實際的比例關系繪制的。以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本發明及其應用或使用的任何限制。對于相關領域普通技術人員已知的技術、方法和設備可能不作詳細討論，但在適當情況下，所述技術、方法和設備應當被視為說明書的一部分。在這里示出和討論的所有示例中，任何具體值應被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實施例的其它示例可以具有不同的值。應注意到:相似的標號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步討論。圖1示出了典型的掩模板100的俯視示意圖。掩模板100通常包括芯片區域110和劃片道(scribe lane) 120。芯片區域110中通常形成有要轉移到晶圓上的用于形成半導體器件的圖案，諸如接觸孔圖案、金屬線圖案等。劃片道120將各個芯片區域110分隔開，以便于在后續的劃片工藝中分割各個芯片。此外，劃片道120中可以形成有諸如對準標記之類的附加圖案以實現相應的附加功能。掩模板100可以是本領域技術人員知道的各種掩模板，優選地是衰減型相移掩模板。需要注意，圖1僅僅是示意性的圖示，芯片區域110和劃片道120的形狀、布置和數量可以根據需要而改變，而不限于圖中所示出的。在實踐中，發明人發現，霧狀污染往往首先出現在掩模板的劃片道中，尤其是沿掩模板邊緣的最外圍劃片道(即，與掩模板的保護膜框架(pellicle frame)相鄰的劃片道)中，然后逐漸出現在芯片區域中。此外，霧狀污染在剛開始出現時往往很小，不會對轉移到晶圓上的芯片圖案造成影響，但隨后會迅速長大，從而會使轉移到晶圓上的芯片圖案發生畸變并導致芯片的缺陷。為此，發明人考慮在掩模板的劃片道中設置用于監測霧狀污染的監測區域，以便在霧狀污染對芯片造成不利影響之前，就將其發現并通過清洗來去除。從而，可以在很大程度上避免芯片缺陷的產生，大大提升芯片良率。圖2示出了根據本發明的實施例，在劃片道中具有監測區域的掩模板200的俯視示意圖。與圖1類似，掩模板200包括芯片區域210和劃片道220。在劃片道220中具有至少一個監測區域230。監測區域230可以監測出現在該區域中的霧狀污染。因此，根據需要，可以在劃片道220中布置多個監測區域230，以提高監測到霧狀污染的概率。優選地，監測區域230大多布置在掩模板200最外圍的劃片道中，如圖2所示出的那樣，以便于盡早地監測到霧狀污染。例如，可以在掩模板200最外圍的劃片道中布置多于5個監測區域。雖然圖2中示出了矩形的監測區域230，但監測區域的形狀不限于此，而可以是任何適當的形狀，諸如圓形、多邊形或是不規則的形狀。為了不影響到芯片區域中的圖案，優選地，監測區域230的外周不超出劃片道220的邊界。此外，為了覆蓋更大的面積以提高監測到霧狀污染的概率，監測區域230的邊界可以盡量接近其所位于的劃片道的邊界。例如，監測區域230任意一邊與其所位于的劃片道的邊界的最短距離可以為1-10微米。為了能夠盡早地監測到霧狀污染的發生，可以在監測區域中布置與芯片區域中的圖案相比對霧狀污染更為敏感的監測圖案。下面結合圖3A和圖3B來描述監測區域中的圖案布置。圖3A是根據本發明的實施例，可以布置在監測區域中的圖案的示意圖。如圖3A所示，監測區域330內布置有主圖案340和輔助圖案370，其中輔助圖案370位于主圖案340附近，包括相互平行的兩個散射條(scattering bar) 350和360。可選地,根據需要,輔助圖案370可以包括更多的散射條。主圖案340和輔助圖案370可以是透光的區域。需要注意，雖然圖3A中示出的主圖案為方孔形，但本發明不限于此。主圖案可以是任何適當的形狀或形狀組合，只要其能夠通過曝光被轉移到晶圓上即可。當掩模板的芯片區域中的圖案為孔時(例如用于形成接觸孔的掩模板)，考慮到適合于該掩模板的光源和成像系統的特性，監測區域中的主圖案340也優選為一個或多個孔，以提高其成像質量。
還需要注意，雖然圖3A中僅僅示出了一個主圖案和一個相應的輔助圖案，但是每個主圖案也可以對應于多個輔助圖案，并且監測區域330中可以布置多個主圖案及其相應的多個輔助圖案。關于這一點，在下文結合圖5A- 描述了更多的示例。在監測區域330的其余部分覆蓋有相移層380。該相移層380的透光率低于主圖案340和輔助圖案370的透光率，可以作為掩模板的光阻擋層。優選地，相移層380的透光率可以為4% -8%。相移層380可以使穿過其中的光具有預定的相移，以提升圖案轉移的效果。例如，根據曝光波長，相移層380的材料和厚度可以被設計為使得穿過相移層380的光相對于穿過主圖案340和輔助圖案370的光具有165° -185°的相移，從而有助于改善轉移到晶圓上的圖案的對比度。理想地，該相移可以是180°。相移層380可以使用的材料的實例可以包括:MoS1、TaSi2、TiSi2, Fe2O3'Mo、Nb2O5' T1、Ta、CrN、Mo02、MoN、Cr2O2, TiN、ZrN, TiO2, TaN、Ta2O5, NbN, Si2N4, A1202N、A1202R、或上述材料的任意組合。掩模板上的相移層的形成和使用是本領域技術人員所熟知的，這里不再詳細描述。通常，設置輔助圖案370是為了進一步改善在曝光之后轉移到晶圓上的與主圖案340相對應的主轉移圖案345 (參見圖3B)的對比度。更具體地，輔助圖案370中的散射條350和360可以幫助消除透過主圖案340的光的衍射旁瓣，從而提高主轉移圖案345的對比度。而散射條350和360本身的尺寸被設計為小于曝光光源的最小成像尺寸，所以在正常情況下(即，掩模板未被污染的情況下)，輔助圖案370不會轉移到晶圓上，如圖3B所示的那樣。因此，主圖案340和輔助圖案370的尺寸和相對位置應當被設計為使得:當對無污染的掩模板300進行曝光時，輔助圖案370不被轉移到晶圓上，而是與相應的主圖案340配合以在晶圓上產生與該主圖案340相對應的主轉移圖案345。這里，由于光的衍射等原因，轉移到晶圓上的主轉移圖案345的形狀與掩模板上的主圖案340的形狀可能會不同。因此，盡管在圖3A中的主圖案340為方孔形，而在圖3B中示出的主轉移圖案345為圓孔形。然而，本發明并非限制于此，而是根據實際的參數，轉移圖案也可以是別的形狀。主圖案340和輔助圖案370的尺寸和相對位置的具體參數取決于曝光光源波長、成像的光學系統等等。本領域技術人員可以容易地根據所應用的實際環境而計算出所需的參數。例如，可以針對曝光光源是波長為193nm的ArF激光器的情況來設計掩模板的上述參數。監測區域330采用這樣的圖案布置，可以靈敏地監測出現在該監測區域330中的較小的霧狀污染，尤其是位于散射條之間的間隔區域中的霧狀污染。具體而言，當該間隔區域中出現霧狀污染時，轉移到晶圓上的圖案會與圖3B的不同。下面結合圖4A和4B來加以說明。圖4A和4B分別是根據本發明的實施例，發生了霧狀污染的監測區域和相應的轉移到晶圓上的圖案的不意圖。圖4A與圖3A類似，區別僅僅在于，在監測區域330中的散射條350和360之間的間隔區域中出現了霧狀污染410。相應地，通過曝光而轉移到晶圓上的圖案發生了變化。如圖4B所示的，在與主圖案340相對應的主轉移圖案420的附近，產生了圖案430。由于圖案430是因霧狀污染410而出現的，在本文中稱之為缺陷標識圖案。發明人發現，缺陷標識圖案430的產生，是由于霧狀污染410改變了散射條350和360之間的間隔區域的相移特性。具體而言，霧狀污染410引入了附加的相移，使得透過該間隔區域的光與透過輔助圖案370 (即散射條350和360)的光之間的相位關系發生了改變，它們的聯合作用使得透過主圖案340的光的旁瓣不能得到很好的抑制，從而在主轉移圖案420附近出現了缺陷標識圖案430。通過實驗發現，缺陷標識圖案430的形狀通常為圓孔形，并且其尺寸小于主轉移圖案420的尺寸。需要注意的是，雖然圖4A中示出的霧狀污染410為橢圓形，但這僅僅是示意性的表示，實際中可能產生各種形狀和大小的霧狀污染。然而，只要霧狀污染出現在散射條之間的間隔區域中，就會導致缺陷標識圖案的產生，從而檢測到掩模板上霧狀污染的存在。因此，采用這種圖案布置的監測區域，能夠檢測到很小的霧狀污染，具有很高的靈敏度。進一步地，為了提高發現霧狀污染的概率，除了在劃片道中布置更多的監測區域夕卜，可以在每個監測區域中布置多個主圖案及其相應的輔助圖案。優選地，相鄰主圖案之間的間距可以大于主圖案尺寸的5倍，這樣可以有利于輔助圖案的布置。此外，雖然圖3A和圖4A中示出了輔助圖案僅布置在主圖案的一側，但是可以在每個主圖案的兩側布置輔助圖案，或者可以沿每個主圖案的周邊均勻地布置多個輔助圖案。這樣，也可以提高檢測到霧狀污染的概率。圖5A- 示出了根據本發明的實施例，監測區域中可以采用的具體圖案布置的幾個示例，其中，陰影部分為相移層，而白色部分為主圖案和相應的輔助圖案形成的陣列。圖5A中示出了 8個主圖案，每個主圖案具有I個相應的輔助圖案，其布置在該主圖案的一側。圖5B中示出了 4個主圖案，每個主圖案具有4個相應的輔助圖案，它們沿該主圖案的周邊均勻地布置。圖5C示出了 4個主圖案，每個主圖案具有8個相應的輔助圖案，它們沿該主圖案的周邊均勻地布置。圖示出了 10個主圖案，其中在上下兩端的主圖案分別具有3個相應的輔助圖案，而在中間的主圖案分別具有2個相應的輔助圖案，它們布置在該主圖案的兩側。需要注意，圖5A-5D示出的僅僅是監測區域中可以采用的圖案的幾種可能的示例，實際上可以根據需要和劃片道的情況而采用各種可能的圖案。并且，每個監測區域中的各個主圖案和輔助圖案的形狀和大小也可以根據需要而不同。上面已經結合圖2-圖描述了根據本發明的實施例的掩模板的示例性結構。可以利用本領域已知的各種方法來制造上述掩模板。由于本發明中的掩模板劃片道中的監測區域利用相移層作為光阻擋層，優選地，在芯片區域中也可以采用相移層作為光阻擋層。這樣，可以在形成芯片區域中的圖案的同時形成監測區域中的圖案，無需增加額外的工藝步驟，也沒有使用多余的材料，不會為生產過程帶來額外的負擔。并且，在芯片區域中采用相移層作為光阻擋層，還可以改善轉移到晶圓上的圖案的特性。因此，根據一個實施例，提供一種制造參照圖2-圖所述的掩模板的方法。根據該方法，首先提供透明基板，然后在該透明基板上形成圖案化的相移層，以作為掩模板的光阻擋層，其中，在形成芯片區域的圖案的同時，在劃片道中形成布置有主圖案和輔助圖案的監測區域。下面結合圖6來描述根據本發明的實施例，對掩模板的霧狀污染進行監測的方法的流程。該監測方法可以利用前面根據圖2-圖描述的掩模板來進行。如圖6的流程圖所示，在步驟610，通過曝光將掩模板上的圖案轉移到涂敷有光致抗蝕劑的晶圓上。然后進行到步驟620，檢查晶圓上的圖案。本領域技術人員可以采用已知的各種方法來檢查晶圓上的圖案。例如，可以利用掃描電子顯微鏡在線獲得晶圓的圖像并對該圖像進行檢查。也可以利用光學方法(例如用紫外線照射)對晶圓進行缺陷掃描檢查。接下來，在步驟630判斷晶圓上的與掩模板的監測區域中的主圖案相對應的主轉移圖案附近是否存在缺陷標識圖案。如果存在缺陷標識圖案，則判定掩模板上具有霧狀污染(步驟640)，否則，判定掩模板上不具有霧狀污染(步驟650)。優選地，如果判定掩模板上具有霧狀污染，則清洗掩模板。如前面提到的，霧狀污染往往首先出現在劃片道中，這時，一方面由于芯片區域中可能尚未出現霧狀污染，另一方面由于霧狀污染較小，尚不會對芯片區域中的圖案轉移造成影響。考慮到這一點，本發明通過在掩模板的劃片道中布置與芯片區域相比對霧狀污染更為敏感的、具有特定圖案的監測區域，并通過檢查晶圓上的相應轉移圖案，可以實現霧狀污染的在線監測，從而能夠盡早地檢測到霧狀污染。一旦檢測到劃片道中出現霧狀污染，就可以及時地清洗掩模板，最大程度上避免了缺陷芯片的產生，大大提升了芯片良率。并且，根據本發明的方案充分利用了掩模板的空白部分，方便可行，可以降低檢測霧狀污染的成本并縮短檢測所耗費的時間。至此，已經詳細描述了根據本發明的掩模板、相應的掩模板制造方法，以及利用該掩模板的霧狀污染監測方法。為了避免遮蔽本發明的構思，沒有描述本領域所公知的一些細節。本領域技術人員根據上面的描述，完全可以明白如何實施這里公開的技術方案。雖然已經通過示例對本發明的一些特定實施例進行了詳細說明，但是本領域的技術人員應該理解，以上示例僅是為了進行說明，而不是為了限制本發明的范圍。本領域的技術人員應該理解，可在不脫離本發明的范圍和精神的情況下，對以上實施例進行修改。本發明的范圍由所附權利要求來限定。
權利要求
1.一種掩模板，所述掩模板具有至少一個劃片道和由劃片道分隔開的芯片區域，在劃片道內具有至少一個監測區域，其中， 在所述監測區域內布置有一個或多個主圖案和位于每個主圖案附近的一個或多個相應的輔助圖案，每個輔助圖案包括相互平行的至少兩個散射條， 所述監測區域的其余部分覆蓋有相移層，該相移層的透光率低于所述主圖案和輔助圖案的透光率，并且 所述主圖案和所述輔助圖案的尺寸和相對位置被設計為使得:當對無污染的掩模板進行曝光時，所述輔助圖案不被轉移到晶圓上，而是與相應的主圖案配合以在晶圓上產生與該主圖案相對應的主轉移圖案。
2.按權利要求1所述的掩模板，其中， 所述主圖案和所述輔助圖案的尺寸和相對位置還被設計為使得:當輔助圖案中的兩個散射條之間的間隔區域中具有霧狀污染時，在對掩模板曝光后，在晶圓上的所述主轉移圖案附近產生缺陷標識圖案。
3.按權利要求2所述的掩模板，其中， 所述缺陷標識圖案是由于霧狀污染對所述間隔區域的相移特性的改變而引起的。
4.按權利要求1所述的掩模板，其中所述監測區域被布置在掩模板的最外圍的劃片道中。
5.按權利要求1所述的掩模板，其中，每個監測區域包括多個主圖案，相鄰主圖案之間的間距大于主圖案尺寸的5倍。
6.按權利要求1-5中任一項所述的掩模板，其中，所述監測區域的外周均不超出所述劃片道的邊界。
7.按權利要求6所述的掩模板，其中，所述監測區域為矩形，其任意一邊與其所位于的劃片道的邊界的最短距離為1-10微米。
8.按權利要求1-5中任一項所述的掩模板,其中，用于所述掩模板的曝光光源是波長為193nm的ArF激光器。
9.按權利要求1-5中任一項所述的掩模板,其中,所述主圖案為一個或多個孔。
10.按權利要求1-5中任一項所述的掩模板，其中，所述芯片區域中的圖案為孔。
11.按權利要求1-5中任一項所述的掩模板，其中，在每個主圖案的一側布置與其相應的輔助圖案。
12.按權利要求1-5中任一項所述的掩模板,其中,在每個主圖案的兩側布置與其相應的輔助圖案。
13.按權利要求1-5中任一項所述的掩模板，其中，沿每個主圖案的周邊均勻地布置多個與其相應的輔助圖案。
14.按權利要求1-5中任一項所述的掩模板,其中,所述相移層的材料選自:MoS1、TaSi2' TiSi2' Fe2O3' Mo、Nb2O5' T1、Ta、CrN, MoO2' MoN、Cr2O2, TiN、ZrN, TiO2, TaN、Ta205、NbN、Si2N4、A1202N、A1202R、或上述材料的任意組合。
15.按權利要求2所述的掩模板，其中，所述缺陷標識圖案為圓孔狀，并且其尺寸小于所述主轉移圖案。
16.按權利要求1-5中任一項所述的掩模板,其中,在掩模板的最外圍的劃片道中布置多于5個監測區域。
17.按權利要求1-5中任一項所述的掩模板,其中,所述相移層的透光率為4%-8%。
18.按權利要求1-5中任一項所述的掩模板,其中， 所述相移層被設置為使得穿過相移層的光相對于穿過主圖案和輔助圖案的光具有165。-185。的相移。
19.按權利要求18所述的掩模板，其中， 所述相移層被設置為使得穿過相移層的光相對于穿過主圖案和輔助圖案的光具有180°的相移。
20.一種制造如權利要求1-19中任一項所述的掩模板的方法,包括: 提供透明基板；在所述透明基板上形成圖案化的相移層，以作為掩模板的光阻擋層，其中，在形成芯片區域的圖案的同時，在劃片道中形成布置有所述主圖案和所述輔助圖案的所述監測區域。
21.一種監測掩模板的霧狀污染的方法，所述掩模板是如權利要求1-19中任一項所述的掩模板，所述方法包括: 通過曝光將掩模板上的圖案轉移到涂敷有光致抗蝕劑的晶圓上； 檢查晶圓上的圖案； 如果在晶圓上的與掩模板的監測區域中的主圖案相對應的主轉移圖案附近存在缺陷標識圖案，則判定掩模板上具有霧狀污染，否則，判定掩模板上不具有霧狀污染。
22.按權利要求21所述的方法，還包括: 如果判定掩模板上具有霧狀污染，則清洗掩模板。
23.按權利要求21所述的方法，其中，檢查晶圓上的圖案包括: 利用掃描電子顯微鏡在線獲得晶圓的圖像并對該圖像進行檢查。
24.按權利要求21所述的方法，其中，檢查晶圓上的圖案包括: 利用光學方法對晶圓進行缺陷掃描檢查。
全文摘要
本發明涉及掩模板及其制造方法、以及監測掩模板霧狀污染的方法。在掩模板的劃片道內具有至少一個監測區域，其中布置有主圖案和位于每個主圖案附近的輔助圖案，每個輔助圖案包括相互平行的至少兩個散射條。監測區域的其余部分覆蓋有透光率低于主圖案和輔助圖案的透光率的相移層。主圖案和輔助圖案被設計為使得當對無污染的掩模板曝光時，輔助圖案不轉移到晶圓上，而是與相應主圖案配合以在晶圓上產生與主圖案相對應的主轉移圖案；而當兩個散射條之間的間隔區域中具有霧狀污染時，在對掩模板曝光后，在晶圓上的主轉移圖案附近產生缺陷標識圖案。利用本發明的掩模板，能夠對其上的霧狀污染進行在線監測，及時有效地發現霧狀污染，提高產品的良率。
文檔編號H01L23/544GK103091971SQ20111033067
公開日2013年5月8日 申請日期2011年10月27日 優先權日2011年10月27日
發明者胡華勇, 張士健 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司