專利名稱：顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指一種具有高開口率的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
顯示面板目前已廣泛使用在各式電子產(chǎn)品以符合電子產(chǎn)品輕薄短小的需求，此外，為提供消費(fèi)者在瀏覽網(wǎng)頁或觀賞影片時(shí)較佳的觀賞質(zhì)量，持續(xù)提高分辨率 (resolution)是為顯示面板的重要發(fā)展方向之一。為了提高分辨率，往往需藉由增加顯示面板中畫素結(jié)構(gòu)的數(shù)目，但隨之增設(shè)的金屬線將會降低畫素結(jié)構(gòu)的開口率(aperture ratio)，且不利于背光利用率，而造成顯示面板的亮度下降，也就是說，為使開口率下降的顯示面板達(dá)到相同亮度，需增加背光模塊的功率消耗(power consumption)以提高背光亮度。因此，如何提高畫素結(jié)構(gòu)的開口率以同時(shí)符合顯示面板的分辨率及亮度需求實(shí)為相關(guān)技術(shù)者所欲改進(jìn)的課題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法，以提高顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的開口率。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是一種顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)，其包括一基板、一薄膜晶體管、一第一透明連接墊、一保護(hù)層以及一透明畫素電極。薄膜晶體管設(shè)置于基板上，且薄膜晶體管包括一間極、一間極絕緣層、一半導(dǎo)體通道層、一源極與一汲極。其中閘極絕緣層位于閘極與基板的上方，半導(dǎo)體通道層位于閘極絕緣層的上方，以及源極與汲極位于半導(dǎo)體通道層的上方。第一透明連接墊設(shè)置于汲極的上方，其中第一透明連接墊與汲極部分重迭并與汲極電性連接。保護(hù)層位于第一透明連接墊的上方，其中保護(hù)層具有至少一接觸洞，且接觸洞至少部分曝露出第一透明連接墊。透明畫素電極位于保護(hù)層的上方， 其中透明畫素電極經(jīng)由保護(hù)層的接觸洞與第一透明連接墊電性連接。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明另提供一種制作顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的方法，其步驟如下提供一基板，且于基板上形成一薄膜晶體管。薄膜晶體管包括一間極、一間極絕緣層、 一半導(dǎo)體通道層、一源極與一汲極。其中間極絕緣層位于間極與基板的上方，半導(dǎo)體通道層位于間極絕緣層的上方，以及源極與汲極位于半導(dǎo)體通道層的上方。于汲極上形成一第一透明連接墊，且第一透明連接墊與汲極部分重迭并與汲極電性連接。于第一透明連接墊上形成一保護(hù)層，保護(hù)層具有至少一接觸洞，且接觸洞至少部分曝露出第一透明連接墊。于保護(hù)層上形成一透明畫素電極，且透明畫素電極經(jīng)由保護(hù)層的接觸洞與第一透明連接墊電性連接。本發(fā)明以透明連接墊電性連接透明畫素電極與汲極，其中透明連接墊設(shè)置于汲極上方，與汲極部分重迭且與汲極電性連接。透明連接墊可作為汲極的延伸部，亦即汲極與其它組件電性連接的區(qū)域。以透明材料組成的透明連接墊取代習(xí)知技術(shù)中部分的不透明的金屬汲極，可增加畫素結(jié)構(gòu)中的透明區(qū)域而提高開口率。
圖1繪示了本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2繪示了本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)沿圖1A-A’線段的剖面示意圖。圖3繪示了本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)沿圖1B-B’線段的剖面示意圖。圖4繪示了本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5繪示了本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)沿圖4B-B’線段的剖面示意圖。圖6繪示了本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。圖7繪示了本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)沿圖6A-A’線段的剖面示意圖。圖8繪示了本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)沿圖6B-B’線段的剖面示意圖。圖9至圖12繪示了本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。圖。圖。
10 12 14 18 22 24 28 32 36 38 42
圖13繪示了本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖14繪示了本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法示意
主要組件符號說明 畫素結(jié)構(gòu)基板閘極線薄膜晶體管保護(hù)層
透明畫素電極閘極絕緣層源極絕緣層儲存電容線第二透明連接墊
11畫素結(jié)構(gòu)
13 畫素結(jié)構(gòu) 16數(shù)據(jù)線 20第一透明連接墊 22A 接觸洞 26 閘極 30半導(dǎo)體通道層 34汲極 36A 接觸洞 40透明儲存電容電極 44第一透明連接墊。
具體實(shí)施例方式
為使熟習(xí)本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的一般技藝者能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，詳細(xì)說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的功效。
請參考圖1、圖2及圖3。圖1繪示了本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2繪示了本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)沿圖1A-A’線段的剖面示意圖。圖3繪示了本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)沿圖1B-B’ 線段的剖面示意圖。如圖1、圖2及圖3所示，本實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)10包括一基板12、一閘極線14、一數(shù)據(jù)線16、一薄膜晶體管18、一第一透明連接墊20、一保護(hù)層22以及一透明畫素電極M。基板12可以是一透明基板包括硬質(zhì)基板例如玻璃基板、石英基板、塑料基板等，或是其它可撓式材質(zhì)的軟質(zhì)基板。閘極線14、數(shù)據(jù)線16以及薄膜晶體管18設(shè)置于基板12上，且薄膜晶體管18位于閘極線14與數(shù)據(jù)線16的交叉處，但不以此為限。薄膜晶體管18包括一間極沈、一間極絕緣層觀、一半導(dǎo)體通道層30、一源極32與一汲極34。 閘極絕緣層觀位于間極26與基板12的上方，半導(dǎo)體通道層30位于間極絕緣層觀的上方，以及源極32與汲極34位于半導(dǎo)體通道層30的上方。閘極線14與閘極沈電性連接， 數(shù)據(jù)線16設(shè)置于間極絕緣層觀的上方，并與源極32電性連接，而第一透明連接墊20設(shè)置于汲極34的上方與汲極34部分重迭，并與汲極34電性連接。閘極線14、數(shù)據(jù)線16、源極 32與汲極34的材質(zhì)可為不透明導(dǎo)電材料例如金屬，而第一透明連接墊20的材質(zhì)可為透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)等，但不以此為限。保護(hù)層22位于第一透明連接墊20的上方，且保護(hù)層22具有至少一接觸洞22A，至少部分曝露出第一透明連接墊20。透明畫素電極M位于保護(hù)層22的上方，透明畫素電極M經(jīng)由保護(hù)層22的接觸洞22k與第一透明連接墊20電性連接。顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)10另包括一絕緣層36、一儲存電容線38(圖1未示)、一透明儲存電容電極40。絕緣層36位于薄膜晶體管18與保護(hù)層22之間，儲存電容線38以及透明儲存電容電極40分別設(shè)置于絕緣層36與保護(hù)層22之間。精確地說，儲存電容線38 位于數(shù)據(jù)線16的上方，而透明儲存電容電極40位于儲存電容線38的上方。儲存電容線38 與透明儲存電容電極40電性連接，且透明儲存電容電極40與透明畫素電極M部分重迭而形成一儲存電容。透明儲存電容電極40設(shè)置于儲存電容線38及數(shù)據(jù)線16上，且部分覆蓋儲存電容線38及數(shù)據(jù)線16。透明儲存電容電極40的設(shè)置可用于增加儲存電容值，另一方面，也可避免畫素結(jié)構(gòu)10邊緣的電場不穩(wěn)定。值得注意的是，在本實(shí)施例中，第一透明連接墊20是與汲極34接觸并電性連接， 其中第一透明連接墊20與汲極34不需經(jīng)由接觸洞即可直接接觸，且透明畫素電極M是經(jīng)由保護(hù)層22的接觸洞22A與第一透明連接墊20接觸并電性連接，也就是說，透明畫素電極 24可透過第一透明連接墊20與第一透明連接墊20下方的汲極34電性連接。本發(fā)明以第一透明連接墊20取代部分的不透明的汲極34，作為與透明畫素電極M電性連接的區(qū)域，可增加畫素結(jié)構(gòu)10的透明區(qū)域，亦即顯示面板的背光可通過的區(qū)域，以提升顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)10的開口率。本發(fā)明的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)并不以上述的實(shí)施例為限，也可具有其它不同的實(shí)施方式。為了簡化說明并易于比較，在下文的較佳實(shí)施例中，對于相同組件沿用相同的符號來表示。請參考圖4以及圖5。圖4繪示了本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5繪示了本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)沿圖4B-B’線段的剖面示意圖。另外，本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)沿圖4A-A’線段的剖面示意圖，請一并參考圖2。如圖2、圖4及圖5所示，在第二較佳實(shí)施例中，顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)11另包括一第二透明連接墊42，且第二透明連接墊42與透明儲存電容電極40是由同一層透明導(dǎo)電圖案層所構(gòu)成，也就是說，第二透明連接墊42與透明儲存電容電極40的圖案可藉由同一光罩定義以節(jié)省光罩?jǐn)?shù)，但不以此為限。另外，透明儲存電容電極40設(shè)置于儲存電容線38及數(shù)據(jù)線16上，且部分覆蓋儲存電容線38及數(shù)據(jù)線16，而第二透明連接墊42設(shè)置于第一透明連接墊20上，其中透明儲存電容電極40與第二透明連接墊42未電性連性。此外，絕緣層36具有至少一接觸洞36A用以至少部分曝露出第一透明連接墊20， 其中第二透明連接墊42是經(jīng)由絕緣層36的接觸洞36A與第一透明連接墊20接觸并電性連接，且透明畫素電極M是經(jīng)由保護(hù)層22的接觸洞22A與第二透明連接墊42接觸并電性連接。透明畫素電極M可透過第二透明連接墊42以及第一透明連接墊20與第一透明連接墊20下方的汲極34電性連接。值得注意的是，本發(fā)明以透明連接墊取代部分的不透明的汲極34，其中透明連接墊的個數(shù)不以單個為限。請參考圖6、圖7至圖8。圖6繪示了本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。圖7繪示了本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)沿圖6A-A’線段的剖面示意圖。圖8繪示了本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)沿圖6B-B’ 線段的剖面示意圖。如圖6、圖7及圖8所示，在本實(shí)施例中，與第一較佳實(shí)施例不同之處在于，顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)13的第一透明連接墊44與透明儲存電容電極40是由同一層透明導(dǎo)電圖案層所構(gòu)成，也就是說，第一透明連接墊44與透明儲存電容電極40的圖案可藉由同一光罩定義。還有，在本實(shí)施例中，透明儲存電容電極40與儲存電容線38較佳為依序設(shè)置于絕緣層36與保護(hù)層22之間，與第一較佳實(shí)施例中儲存電容線38與透明儲存電容電極 40依序設(shè)置于絕緣層36與保護(hù)層22之間的配置情形不同。值得注意的是，在本實(shí)施例中，第一透明連接墊44與透明儲存電容電極40是由同一層透明導(dǎo)電圖案層所構(gòu)成，相較于第一較佳實(shí)施例，可節(jié)省一道定義第一透明連接墊20 圖案的光罩。另外，透明儲存電容電極40設(shè)置于絕緣層36與保護(hù)層22之間，且部分重迭于儲存電容線38及數(shù)據(jù)線16。精確地說，透明儲存電容電極40位于數(shù)據(jù)線16的上方，且儲存電容線38位于透明儲存電容電極40的上方。而第一透明連接墊44設(shè)置于汲極34上， 因此，透明儲存電容電極40與第一透明連接墊44未電性連性。此外，絕緣層36具有至少一接觸洞36A用以至少部分曝露出汲極34，第一透明連接墊44是經(jīng)由絕緣層36的接觸洞 36A與汲極34接觸并電性連接，而透明畫素電極M是經(jīng)由保護(hù)層22的接觸洞22A與第一透明連接墊44電性連接。透明畫素電極M可透過第一透明連接墊44與第一透明連接墊 44下方的汲極34電性連接。本發(fā)明以透明的第一透明連接墊44取代部分的不透明的汲極 34，達(dá)成透明畫素電極M與汲極34的電性連接，以提升顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)13的開口率。請參考圖9至圖12。圖9至圖12繪示了本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。如圖9所示，提供一基板12，且于基板12上形成一薄膜晶體管18。薄膜晶體管18包括一間極沈、一間極絕緣層觀、一半導(dǎo)體通道層30、一源極32與一汲極34。其中閘極絕緣層觀位于閘極沈與基板12的上方，半導(dǎo)體通道層30位于閘極絕緣層觀的上方，以及源極32與汲極34位于半導(dǎo)體通道層30的上方。形成薄膜晶體管 18的方法可以包含下列步驟首先，于基板12上形成一第一金屬層(圖未示)，接著圖案化此第一金屬層以形成復(fù)數(shù)條間極線(圖未示)與復(fù)數(shù)個間極26，隨后依序形成間極絕緣層 28與半導(dǎo)體層30，然后再形成一第二金屬層(圖未示)，并圖案化此第二金屬層以形成復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線(圖未示)、復(fù)數(shù)個源極32以及復(fù)數(shù)個汲極34。如圖10所示，于汲極34上形成一第一透明連接墊20。第一透明連接墊20與汲極34部分重迭并與汲極34電性連接。第一透明連接墊20的材質(zhì)可為透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)等。形成第一透明連接墊20的方法包括全面性沉積一透明導(dǎo)電材料層(圖未示)于基板上，并利用一微影蝕刻制程圖案化透明導(dǎo)電材料層， 以形成相對應(yīng)于汲極；34且位于汲極34上方的第一透明連接墊20，且第一透明連接墊20與汲極34相接觸。第一透明連接墊20與汲極34部分重迭并與汲極34電性連接，也就是說， 第一透明連接墊20可作為汲極34的延伸部，亦即可作為后續(xù)汲極34與其它組件電性連接的區(qū)域。本發(fā)明以透明的第一透明連接墊20取代習(xí)知技術(shù)中部分的不透明的金屬汲極34， 可增加畫素結(jié)構(gòu)中的透明區(qū)域，以提高開口率。接下來，如圖11所示，于薄膜晶體管18上形成一絕緣層36，且絕緣層36是位于第一透明連接墊20的上方。絕緣層36的材質(zhì)可為有機(jī)透明絕緣材料例如樹脂。接著，可去除部分絕緣層36，使具有至少一接觸洞36A。去除的方法包括進(jìn)行一干蝕刻制程。絕緣層36 的接觸洞36A至少部分曝露出第一透明連接墊20。此外，為提供畫素結(jié)構(gòu)較穩(wěn)定的邊緣電場，也可于絕緣層36上進(jìn)一步形成一儲存電容線38及一透明儲存電容電極(圖未示)。儲存電容線38由導(dǎo)電材質(zhì)例如金屬構(gòu)成，且較佳是為設(shè)置于閘極線及數(shù)據(jù)線上方，以避免影響畫素結(jié)構(gòu)的開口率。透明儲存電容電極的材質(zhì)可為透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物(ITO) 或銦鋅氧化物(IZO)等。透明儲存電容電極與儲存電容線38電性連接，透明儲存電容電極可接收儲存電容線38的訊息，并與后續(xù)形成的透明畫素電極部分重迭而形成一儲存電容。之后，如圖12所示，于第一透明連接墊20上形成一保護(hù)層22，保護(hù)層22的材質(zhì)可為有機(jī)透明絕緣材料例如樹脂。之后去除部分保護(hù)層22，去除的方法包括進(jìn)行一干蝕刻制程，使保護(hù)層22具有至少一接觸洞22A，且保護(hù)層22的接觸洞22A至少部分曝露出第一透明連接墊20，此時(shí)，保護(hù)層22的接觸洞22A與絕緣層36的接觸洞36A相連接。然后，于保護(hù)層上22形成一透明電極層(圖未示)，其材質(zhì)可為透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物(ITO) 或銦鋅氧化物(IZO)等，并圖案化透明電極層以形成透明畫素電極M。其中透明畫素電極 24經(jīng)由保護(hù)層22的接觸洞22A以及絕緣層36的接觸洞36A與第一透明連接墊20電性連接。也就是說，透明畫素電極M可透過第一透明連接墊20與第一透明連接墊20下方的汲極34電性連接。值得注意的是，本發(fā)明中透明畫素電極透過透明連接墊與汲極電性連接的制程順序及配置不以上述為限，且形成透明連接墊的方法可如上述為獨(dú)立制程也可整合于其它畫素結(jié)構(gòu)的制程中。請參考圖13，并請一并參考圖5以及圖11。圖13繪示了本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。如圖13所示，在形成絕緣層36的接觸洞36A及儲存電容線38后，也就是在形成透明儲存電容電極40時(shí)，亦可于絕緣層36 上形成一第二透明連接墊42，亦即將第二透明連接墊42的制程整合于透明儲存電容電極 40的制程中。更詳細(xì)地說，第二透明連接墊42與透明儲存電容電極40是由同一層透明導(dǎo)電圖案層所構(gòu)成，透明儲存電容電極40形成于儲存電容線38上時(shí)，第二透明連接墊42亦形成于第一透明連接墊20上，且透明儲存電容電極40與第二透明連接墊42之間未電性連接。之后，形成保護(hù)層22于絕緣層36上并覆蓋儲存電容線38以及透明儲存電容電極40， 再去除部分保護(hù)層22以形成至少一接觸洞22A，且保護(hù)層22的接觸洞22A曝露部分第二透明連接墊42，之后，形成一圖案化透明電極層透明畫素電極M于保護(hù)層22上，以完成如圖 5的畫素結(jié)構(gòu)。此時(shí)，第一透明連接墊20是與汲極34直接接觸并電性連接，第二透明連接墊42是經(jīng)由絕緣層36的接觸洞36A與絕緣層36的接觸洞36A所曝露出的第一透明連接墊20接觸并電性連接，而透明畫素電極M是經(jīng)由保護(hù)層22的接觸洞22A與第二透明連接墊42接觸并電性連接。簡言之，透明畫素電極M可透過第二透明連接墊42以及第一透明連接墊20與第一透明連接墊20下方的汲極34電性連接。請參考圖14，并請一并參考圖8以及圖11。圖14繪示了本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。如圖14所示，在形成絕緣層36的接觸洞36A 之后及形成儲存電容線38之前，也就是在形成透明儲存電容電極40時(shí)，亦可于絕緣層36 上形成一第一透明連接墊44，亦即將第一透明連接墊44的制程整合于透明儲存電容電極 40的制程中。更詳細(xì)地說，第一透明連接墊44與透明儲存電容電極40是由同一層透明導(dǎo)電圖案層所構(gòu)成。當(dāng)透明儲存電容電極40形成于絕緣層36上時(shí)，第一透明連接墊44亦同時(shí)形成于汲極34上，且透明儲存電容電極40與第一透明連接墊44之間未電性連接。在本實(shí)施例中，由于第一透明連接墊44形成于絕緣層36后，因此，絕緣層36的接觸洞36A是部分曝露出汲極34，不同于前述實(shí)施例中是部分曝露出第一透明連接墊20。之后，再依序形成圖案化的儲存電容線38以及保護(hù)層22于絕緣層36上，保護(hù)層22可覆蓋儲存電容線38 以及透明儲存電容電極40。再去除部分保護(hù)層22以形成至少一接觸洞22A，保護(hù)層22的接觸洞22A曝露部分第一透明連接墊44，接著形成一圖案化的透明電極層作為透明畫素電極M于保護(hù)層22上，以完成如圖8的畫素結(jié)構(gòu)。此時(shí)，第一透明連接墊44是經(jīng)由絕緣層 36的接觸洞36A與汲極34接觸并電性連接，而透明畫素電極M是經(jīng)由保護(hù)層22的接觸洞22k與第一透明連接墊44接觸并電性連接。簡言之，透明畫素電極M可透過第一透明連接墊44與第一透明連接墊44下方的汲極34電性連接。綜上所述，本發(fā)明以透明連接墊電性連接透明畫素電極與汲極，其中透明連接墊設(shè)置于汲極上方，與汲極部分重迭且與汲極電性連接。透明連接墊可作為汲極的延伸部，亦即汲極與其它組件電性連接的區(qū)域。以透明材料組成的透明連接墊取代習(xí)知技術(shù)中部分的不透明的金屬汲極，可縮減畫素結(jié)構(gòu)中不透光面積，也就是說，增加畫素結(jié)構(gòu)中的透明區(qū)域而提高開口率。另外，透明連接墊的制程也可與顯示面板的其它制程整合以減少光罩使用并節(jié)省成本，例如本發(fā)明中第一透明連接墊可與透明儲存電容電極由同一層透明導(dǎo)電圖案層共同定義。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 一基板；一薄膜晶體管，設(shè)置于該基板上，該薄膜晶體管包括一間極；一間極絕緣層，位于該閘極與該基板的上方；一半導(dǎo)體通道層，位于該間極絕緣層的上方；以及一源極與一汲極， 位于該半導(dǎo)體通道層的上方；一第一透明連接墊，設(shè)置于該汲極的上方，其中該第一透明連接墊與該汲極部分重迭并與該汲極電性連接；一保護(hù)層，位于該第一透明連接墊的上方，其中該保護(hù)層具有至少一接觸洞，至少部分曝露出該第一透明連接墊；以及一透明畫素電極，位于該保護(hù)層的上方，其中該透明畫素電極經(jīng)由該保護(hù)層的該接觸洞與該第一透明連接墊電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一透明連接墊是與該汲極接觸并電性連接，且該透明畫素電極是經(jīng)由該保護(hù)層的該接觸洞與該第一透明連接墊接觸并電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括 一絕緣層，位于該薄膜晶體管與該保護(hù)層之間；以及一透明儲存電容電極，位于該絕緣層與該保護(hù)層之間，其中該透明儲存電容電極與該透明畫素電極部分重迭而形成一儲存電容。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一透明連接墊與該透明儲存電容電極是由同一層透明導(dǎo)電圖案層所構(gòu)成，該絕緣層具有至少一接觸洞，至少部分曝露出該汲極，該第一透明連接墊是經(jīng)由該絕緣層的該接觸洞與該汲極接觸并電性連接，且該透明畫素電極是經(jīng)由該保護(hù)層的該接觸洞與該第一透明連接墊接觸并電性連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括一第二透明連接墊，其中該絕緣層具有至少一接觸洞，至少部分曝露出該第一透明連接墊，該第二透明連接墊是經(jīng)由該絕緣層的該接觸洞與該第一透明連接墊接觸并電性連接，該透明畫素電極是經(jīng)由該保護(hù)層的該接觸洞與該第二透明連接墊接觸并電性連接，且該第二透明連接墊與該透明儲存電容電極是由同一層透明導(dǎo)電圖案層所構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括 一閘極線，設(shè)置于該基板上并與該閘極電性連接；一數(shù)據(jù)線，設(shè)置于該閘極絕緣層的上方并與該源極電性連接；以及一儲存電容線，設(shè)置于該絕緣層上并與該透明儲存電容電極電性連接。
7.一種制作顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包括 提供一基板；于該基板上形成一薄膜晶體管，其中該薄膜晶體管包括一間極；一間極絕緣層，位于該閘極與該基板的上方；一半導(dǎo)體通道層，位于該間極絕緣層的上方；以及一源極與一汲極，位于該半導(dǎo)體通道層的上方；于該汲極上形成一第一透明連接墊，其中該第一透明連接墊與該汲極部分重迭并與該汲極電性連接；于該第一透明連接墊上形成一保護(hù)層，其中該保護(hù)層具有至少一接觸洞，至少部分曝露出該第一透明連接墊；以及于該保護(hù)層上形成一透明畫素電極，其中該透明畫素電極經(jīng)由該保護(hù)層的該接觸洞與該第一透明連接墊電性連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，更包括于形成該保護(hù)層之前，先于該薄膜晶體管上形成一絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該絕緣層是位于該第一透明連接墊的上方，該絕緣層具有至少一接觸洞，至少部分曝露出該第一透明連接墊，該第一透明連接墊是與該汲極接觸并電性連接，且該透明畫素電極是經(jīng)由該保護(hù)層的該接觸洞以及該絕緣層的該接觸洞與該第一透明連接墊接觸并電性連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該第一透明連接墊是位于該絕緣層的上方，該絕緣層具有至少一接觸洞，至少部分曝露出該汲極，該第一透明連接墊是經(jīng)由該絕緣層的該接觸洞與該汲極接觸并電性連接，且該透明畫素電極是經(jīng)由該保護(hù)層的該接觸洞與該第一透明連接墊接觸并電性連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，更包括于該絕緣層上形成一透明儲存電容電極，其中該第一透明連接墊與該透明儲存電容電極是由同一層透明導(dǎo)電圖案層所構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，更包括于該絕緣層上形成一第二透明連接墊，其中該絕緣層是位于該第一透明連接墊的上方，該絕緣層具有至少一接觸洞，至少部分曝露出該第一透明連接墊，該第一透明連接墊是與該汲極接觸并電性連接，該第二透明連接墊是經(jīng)由該絕緣層的該接觸洞與該第一透明連接墊接觸并電性連接，且該透明畫素電極是經(jīng)由該保護(hù)層的該接觸洞與該第二透明連接墊接觸并電性連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制作顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，更包括于該絕緣層上形成一透明儲存電容電極，其中該第二透明連接墊與該透明儲存電容電極是由同一層透明導(dǎo)電圖案層所構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)，包括一基板、一薄膜晶體管、一第一透明連接墊、一保護(hù)層以及一透明畫素電極。薄膜晶體管設(shè)置于基板上，其包括一閘極、一閘極絕緣層、一半導(dǎo)體通道層、一源極與一汲極。閘極絕緣層位于閘極與基板上，半導(dǎo)體通道層位于閘極絕緣層上，且源極與汲極位于半導(dǎo)體通道層上。第一透明連接墊設(shè)置于汲極的上方，且第一透明連接墊與汲極部分重迭并與汲極電性連接。保護(hù)層具有一接觸洞位于第一透明連接墊的上方以至少部分曝露出第一透明連接墊。透明畫素電極位于保護(hù)層的上方，經(jīng)由保護(hù)層的接觸洞與第一透明連接墊電性連接。
文檔編號H01L21/77GK102361033SQ20111030882
公開日2012年2月22日 申請日期2011年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月13日
發(fā)明者劉夢騏 申請人:中華映管股份有限公司, 福州華映視訊有限公司