柵極的制作方法、晶體管的制作方法

專利名稱：柵極的制作方法、晶體管的制作方法
技術領域：
本發明涉及半導體器件制造技術領域，尤其涉及柵極與晶體管的制作方法。
背景技術：
隨著半導體制造技術的飛速發展，半導體器件為了達到更快的運算速度、更大的數據存儲量以及更多的功能，集成電路芯片朝向更高的元件密度、高集成度方向發展。在半導體器件的發展過程中，柵極的制作好壞直接影響著晶體管的性能及半導體器件的質量。以NMOS晶體管為例，現有的形成柵極的具體工藝如下:參考圖1所示，提供半導體襯底100，在半導體襯底100中摻雜離子，形成P型摻雜阱(未圖示)；用熱氧化法或化學氣相沉積法在半導體襯底100上形成柵介質層102，所述柵介質層102的材料為氧化硅；用化學氣相沉積法在柵介質層102上形成多晶硅層104 ;在多晶硅層104上形成光刻膠層(未圖示)，經過曝光顯影工藝定義出柵極圖形；以光刻膠層為掩模，在多晶硅層104中注入預定深度的離子105，用以減小多晶硅層104作為柵極電極的電阻率，增加其導電性，所述離子105可以為磷離子。參考圖2，接著，繼續以光刻膠層為掩模，刻蝕多晶硅層104和柵介質層102至露出半導體襯底100，刻蝕后的多晶硅層104作為柵極104a，與刻蝕后的柵介質層102a構成柵極結構103 ;去除光刻膠層后，將帶有各膜層的半導體襯底100放入反應室中，在氫氣、氮氣或氧氣環境中對柵極104進行退火處理107，使柵極104a表面平整。請參照圖3，將帶有各膜層的半導體襯底100從反應室取出后，用化學氣相沉積法在半導體襯底100及柵極104a上形成氮化硅層(未圖示)；用干法刻蝕法刻蝕氮化硅層，去除半導體襯底100上的氮化硅層，并在柵極結構103兩側形成偏移間隙壁106 ;以柵極結構103為掩模，向半導體襯底100中注入N型離子，于柵極結構103兩側的P型摻雜阱中形成N型源/漏極延伸區108。參照圖4所示，于柵極結構103兩側的偏移間隙壁106上形成側墻109 ;繼續以柵極結構106為掩模，向半導體襯底100中注入N型離子,形成N型源/漏極110 ;將帶有各膜層及器件的半導體襯底100放入退火爐內，對半導體襯底100進行退火，使注入的離子擴散均勻。上面圖中展示的僅是理想工藝條件下制得的源漏極、柵極形狀的示意圖。但是，在實際生產時，利用上述方法制得的柵極結構有明顯缺陷。例如，利用掩模刻蝕多晶硅層104的工藝中，形成的柵極104a底面與柵介質層102a的交界處通常會形成基角1041，如圖5(a)中所示，并且柵極104a的表面也較粗糙，這些都會影響到柵極的性能。為改善柵極104a表面的粗糙度，通常會對柵極104a表面進行退火處理，如圖2中所示；然而，這里的退火處理雖然可以改善表面的粗糙度，但卻會使柵極104a的側壁產生扭曲，如圖5(b)所示，這同樣是不希望出現的。因而，有必要提供一種制作柵極的方法，以解決上述問題。

發明內容
本發明的目的是提供一種柵極的制作方法，以提高柵極的性能。本發明的另一目的是提供一種晶體管的制作方法，其通過改善柵極的性能以提高晶體管的性能。為實現上述目的，本發明提供一種柵極的制作方法，包括以下步驟:在半導體襯底上形成倒錐形柵極；對所述倒錐形柵極進行退火處理，以改善柵極的形狀。為實現上述目的，本發明還提供一種晶體管的制作方法，其采用上述的柵極制作方法來制作柵極。與現有技術相比，本發明具有以下優點:本發明通過對倒錐形柵極的退火處理，獲得表面平坦、無基腳或基角很小、且側壁無扭曲的柵極結構，從而提高柵極及整個器件的工作性能。


圖1至圖4是現有晶體管形成方法的示意圖。圖5是現有技術形成的晶體管結構中柵極缺陷的示意圖。圖6是本發明提供的形成柵極的具體實施方式
流程圖。圖7至圖11是本發明提供的形成柵極的實施例示意圖。圖12至圖13是本發明提供的形成柵極的另一實施例的示意圖。
具體實施例方式圖6是本發明提供的晶體管制作方法的具體實施方式
流程圖。如圖6所示，首先執行步驟S101，在半導體襯底上形成倒錐形柵極。這里所說的倒錐形柵極指的是頂部尺寸大于底部尺寸、并且整體結構大體呈錐形的柵極。需要說明的是，這里提供的倒錐形柵極是為了補償后續過程中退火處理的柵極的變形，因而，對于一些頂部尺寸大于底部尺寸的其它形狀，只要它也是為了補償后續退火工藝的變形量，就應當將其理解為倒錐形。根據所需柵極類型的不同，這里所說的倒錐形柵極的材料可以是非晶硅或晶態硅(也稱晶體硅，其可以是單晶硅或多晶硅)，這樣可以在后續形成多晶硅柵極；倒錐形柵極的材料也可以是非晶態或晶態的金屬或金屬合金，以便在后續形成金屬柵極。在形成倒錐形柵極之前，可以預先在半導體襯底上形成柵介質層(比如二氧化硅層)，以隔離倒錐形柵極和下方的半導體襯底，尤其是隔離倒錐形柵極與形成在半導體襯底中位于源漏極之間的溝道。接著，執行步驟S102，對所述倒錐形柵極的暴露在外的側壁及所述半導體襯底進行退火處理，以形成表面平坦、無基腳或基角很小、且側壁無扭曲的柵極結構。本領域人員熟知的是，對普通柵極的退火處理可以改善表面的粗糙度，但是也會導致柵極側壁的扭曲，而側壁的扭曲或變形是應該盡力避免的。所以，除非不得已，一般不會為了改善表面粗糙度而對形成后的柵極進行退火處理；即便不得不采用退火處理，通常也會通過另外的方式修正柵極側壁的變形，否則將極大地損壞柵極的性能。發明人在研究中發現，對倒錐形柵極的退火處理，一方面改善了柵極表面的粗糙度，使其平整、光滑，另一方面也沒有產生前述的側壁變形或者只產生了極輕微的形變，完全在可接受范圍之內，從而避免了后續的修復步驟。另外，對半導體襯底的退火處理，可以在柵極結構(主要是指柵介質層)下方形成切口結構(Notch),從而有利于提高柵介質層的完整性(GOIperformance)。在退火過程中，由于柵介質層與半導體襯底之間(主要是柵介質層的氧粒子與半導體襯底的硅粒子之間)龐大的界面能量，柵介質層(主要是柵介質層邊緣)下方的硅粒子會向別處遷移，從而在柵介質層邊緣的下方形成切口結構。測試結果表明，柵介質層邊緣下方的切口可以改善柵介質層的完整性(GOI performance)。不僅如此，由于倒錐形柵極的底部尺寸明顯小于頂部，即便退火處理后，柵極底部與半導體襯底(或柵極氧化層)的連接處仍不會出現向外凸伸的基角，從而也保證了柵極及半導體器件的性能。需要說明的是，對不同材料的倒錐形柵極進行退火時，為獲得較理想的柵極結構，可能要選擇不同的時間、溫度、壓力等參數。由于可用作柵極的材料眾多，發明人不可能逐一給出參數范圍；但發明人相信，基于本發明給出的提示一對倒錐形柵極的退火可以獲得較佳的柵極形狀，以及對退火工藝的基本了解，本領域技術人員應該能找出合適的參數，雖然未必是最佳的參數。再說明一點，選擇非晶態物質(例如非晶硅、非晶態的金屬或合金)作為倒錐形柵極的材料會帶來另外的好處。一方面，非晶態材料的表面較光滑、平整，柵極的制作過程中幾乎無需擔憂柵極表面粗糙度會過高的問題；另一方面，利用退火修復倒錐形柵極形狀的同時，也會實現材料的晶體化，因而不需要單獨的非晶態轉化晶態的工藝步驟。另外，當所需的柵極需要進行摻雜以改善電阻時，既可以選擇在對倒錐形柵極的退火前進行，也可以選擇在對倒錐形柵極的退火后進行。但是，選擇在退火前進行的，需要考慮摻入的雜質在退火過程中可能產生的對柵極形狀的影響，必要時采取調整退火參數或適當變更倒錐形柵極形狀的措施將其抵消。在步驟S102后，還可以另外執行形成柵極側壁、形成源漏極的步驟。在后文的具體實施例中會作介紹，這里不予說明。圖7至圖11是本發明形成晶體管的實施例示意圖。如圖7所示，提供半導體襯底110，所述半導體襯底110上形成有柵介質層120。所述半導體襯底110內還形成有隔離結構100，用于隔離后續形成的有源區。所述半導體襯底110可以選自硅基底、絕緣層上的硅(SOI)、或者還可以是其它的材料，例如砷化鎵等II1-V族化合物。所述柵介質層120為氧化硅、氮氧化硅、氮化硅之一
或組合。繼續參考圖7，在所述柵介質層120上形成柵極材料層130。所述柵極材料層130的材料為多晶硅、非晶硅、單晶硅、多晶鍺、非晶鍺、單晶鍺、鍺化硅之一。所述柵極材料層130摻雜有離子，所述摻雜離子與柵極材料層130的材料對應如下:若所述柵極材料層130的材料為多晶硅、非晶硅、單晶硅之一，則所述摻雜離子可以為磷、硼、砷、鍺中一種或多種；若所述柵極材料層130的材料為多晶鍺、非晶鍺、單晶鍺之一，則所述摻雜離子可以為磷、硼、砷、硅中一種或多種；若所述柵極材料層130的材料為鍺化硅，則所述摻雜離子可以為磷、硼、砷中的一種或多種。
進一步地，所述柵極材料層130內的離子摻雜濃度隨柵極材料層130的厚度呈梯度分布，所述梯度分布為離子濃度隨柵極材料層130的厚度遞增或隨柵極材料層130的厚度遞減。所述梯度分布還可以為線性分布或非線性分布。作為一個實施例，所述具有濃度遞增或遞減的柵極材料層130可以分別通過以下方式獲得:1、通過化學氣相沉積法形成具有濃度遞增柵極材料層130，具體包括:沉積柵極材料層130的同時，采用摻雜氣體對柵極材料層130進行離子摻雜，且隨著所述柵極材料層130的沉積厚度增加，逐漸增加摻雜氣體的流量或者濃度，形成離子濃度隨柵極材料層130的厚度遞增的柵極材料層130。所述柵極材料層130的頂部摻雜離子濃度最大，底部摻雜離子濃度最小。以形成硼離子濃度隨多晶硅犧牲層厚度遞增的多晶硅犧牲層為例，在采用現有工藝形成多晶硅犧牲層的同時，采用三氟化硼(BF3)對多晶硅犧牲層進行摻雜，隨著多晶硅沉積厚度的增加，增加三氟化硼(BF3)的流量，形成硼離子濃度隨多晶硅犧牲層厚度遞增的多晶硅犧牲層。2、通過化學氣相沉積法形成具有濃度遞減柵極材料層130，具體包括:沉積柵極材料層130的同時，采用摻雜氣體對柵極材料層130進行離子摻雜，且隨著所述柵極材料層130的沉積厚度增加，逐漸減少摻雜氣體的流量或者濃度，形成離子濃度隨柵極材料層130的厚度遞減的柵極材料層130。所述柵極材料層130的頂部摻雜離子濃度最小，底部摻雜離子濃度最大。以形成磷離子濃度隨多晶硅犧牲層厚度遞減的多晶硅犧牲層為例，在采用現有工藝形成多晶硅犧牲層的同時，采用磷烷(PH3)對多晶硅犧牲層進行摻雜，隨著多晶硅沉積厚度的增加，減少磷烷(PH3)的流量，形成磷離子濃度隨多晶硅犧牲層厚度遞減的多晶硅犧牲層。如圖8所示，在所述柵極材料層130上形成圖案化的掩模層140，所述掩模層140的圖案與后續形成的倒錐形柵極的位置對應。所述掩模層140可以是單一的光刻膠層，也可以是氧化硅層、氮氧化硅層和光刻膠層的多層結構。如圖9所示，以所述掩模層140為掩模，對所述柵極材料層130進行刻蝕，形成倒錐形柵極150。隨著刻蝕的進行，倒錐形柵極150的側壁將逐漸收縮，最終得到一個底部寬度小頂部寬度大、具有傾斜側壁的倒錐形柵極150。經過發明人大量的創造性勞動，發現所述倒錐形柵極150的側壁與所述柵介質層120表面成的銳角范圍為45°到80°，尤其是60°到75°時，后續退火后形成的柵極形狀較優。具體地，所述刻蝕氣體包括氯氣(Cl2)、溴化氫(HBr)、六氟化硫(SF6)、三氟化氮(NF3)或四氟化碳(CF4)中的一種或多種。其中，對于具有不同的離子濃度梯度分布，刻蝕氣體的選擇是不同的，具體包括:1、對于離子濃度從頂部至底部遞減的柵極材料層130，選擇的刻蝕氣體對離子濃度較高的柵極材料層130具有較低的橫向刻蝕率，對于離子濃度越低的柵極材料層130具有較高的橫向刻蝕率。通過具有橫向刻蝕率差異率的刻蝕氣體對柵極材料層130的刻蝕，得到頂部寬度大于底部寬度的倒錐形柵極150。作為一個實施例，以摻雜離子為磷離子，所述柵極材料層130的離子濃度遞減為例，則可以選擇溴化氫氣體對所述柵極材料層130進行刻蝕，隨著刻蝕進程，所述刻蝕氣體橫向刻蝕率增加，最后形成頂部寬度大于底部寬度的倒錐形柵極150。所述溴化氫氣體的流量為50sccm至250sccm,所述刻蝕時間為10秒至100秒；所述刻蝕的腔體壓力為5毫托至50毫托；所述刻蝕功率為500瓦至1000瓦。2、對于離子濃度從頂部至底部遞增的柵極材料層130，選擇的刻蝕氣體對離子濃度較低的柵極材料層130具有較低的橫向刻蝕率，對于離子濃度越高的柵極材料層130具有較高的橫向刻蝕率。通過所述具有橫向刻蝕率差異的刻蝕氣體對柵極材料層130的刻蝕，得到頂部寬度大于底部寬度的倒錐形柵極150。在理想狀況下，刻蝕形成的倒錐形柵極150會呈規則的錐形，但在實際工藝中倒錐形柵極150側壁與柵介質層120的交界處通常形成基角152。如圖10所示，去除掩模層140，并將帶有各膜層的半導體襯底110放入退火爐中，對倒錐形柵極150進行退火，使柵極形狀得以重塑，形成表面平坦、無基腳或基角很小、且側壁無扭曲的柵極150’。需說明的是，若最初形成倒錐形柵極150的材料為非晶硅或單晶硅，這里的退火工藝在重塑柵極形狀的同時也會使它們多晶化而形成多晶硅柵極。本實施例中，采用的退火方法可以為均溫退火、尖峰退火、爐管退火或準分子激光退火等。如果采用爐管退火，則退火溫度為700°C 850°C，退火時間為10分 30分，退火所需壓力為15托 100托，退火采用的氣體為氫氣或氮氣，流量為5SLM 30SLM(標準升/分)。作力一個優選的實施例，用爐管退火最佳的溫度選用800°C，退火所用時間為15分鐘，退火所需壓力為80托，此時氮氣的流量為20SLM。如果采用均溫退火，則退火溫度為950°C 1100°C，退火時間為5秒 20秒，退火所需壓力為15托 100托，退火采用的氣體為氫氣或氮氣，流量為5SLM 30SLM。作為一個優選的實施例，用均溫退火最佳的溫度選用1000°C，退火所用時間為10秒，退火所需壓力為80托，此時氮氣的流量為20SLM。如果采用尖峰退火的溫度為1000°C 1050°C，退火所需壓力為15托 100托，退火采用的氣體為氫氣或氮氣，流量為5SLM 30SLM。作為一個優選的實施例，用尖峰退火最佳的溫度選用1020°C，退火所需壓力為80托，此時氮氣的流量為20SLM。如圖11所示，以柵極150’為掩模，在所述半導體襯底110內形成淺離子摻雜區161 ;然后，在柵極150’兩側的半導體襯底110上形成側墻170，并以所述側墻170為掩模，在所述半導體襯底110內形成源/漏區162。在其他實施例中，也可以直接對柵極150’兩側的半導體襯底110進行源/漏離子注入，形成源/漏區；所述源/漏區的形成也可以參考現有的源/漏區形成工藝，在這里就不一一例舉。圖12至圖13為本發明提供的形成倒錐形柵極的另一種方法的示意圖。首先，依照前面實施例中給出的方法，形成如圖3所示結構，包括:半導體襯底110，位于所述半導體襯底110的柵介質層120和柵極材料層130，及位于所述犧牲層上圖案化的掩模層140，所述掩模層140的圖案與后續形成的柵極位置對應。所述半導體襯底110內還形成有隔離結構100，用于隔離后續形成的有源區。所述柵極材料層130中同樣摻雜有濃度呈梯度變化的離子。而后，以所述掩模層140為掩模，如圖12所示，對所述柵極材料層130進行刻蝕，形成初始柵極250。所述初始柵極250的側壁垂直于所述柵介質層120。
所述刻蝕工藝可以為現有的刻蝕工藝，具體地，選擇的刻蝕氣體可以是氯氣、溴化氫或六氟化硫中的一種或多種。所述刻蝕氣體對柵極材料層130的離子濃度梯度不敏感，刻蝕形成側壁垂直于所述柵介質層120。理想狀況下，初始柵極250會呈規則的矩形且表面光滑，但在實際工藝中初始柵極250側壁與柵介質層120的交界處通常形成基角252，這會極壞的影響柵極的工作性能；不僅如此，初始柵極250表面通常也較粗糙。如圖13所示，對所述初始柵極250進行修正，形成倒錐形柵極250’。所述修正為濕法刻蝕。所述倒錐形柵極250’具有傾斜側壁，其底部寬度小頂部寬度大。其中，所述倒錐形柵極250’的側壁與所述柵介質層120表面所成銳角范圍為45°到80°。還需要說明的是，本實施例中采用先刻蝕形成垂直側壁的替代柵電極層，再采用濕法刻蝕工藝形成具有傾斜側壁的替代柵電極層，具有刻蝕精準，形成的具有傾斜側壁的替代柵電極層精密度高的優點。且與一步干法刻蝕形成的側壁相比，所述采用先干法刻蝕后濕法刻蝕形成的側壁與柵介質層所成的銳角范圍更大。所述濕法刻蝕的溶液為以下溶液之一:氫氟酸和硝酸的混合溶液；氫氟酸溶液；氫氧化鉀溶液；四甲基氫氧化銨溶液；雙氧水；氯化氫和雙氧水的混合溶液；氨水和雙氧水的混合溶液。其中，對于具有不同的離子濃度梯度分布，所述刻蝕溶液的選擇是不同的，具體包括:1、對于離子濃度從頂部至底部遞減的柵極材料層130，選擇的刻蝕溶液對離子濃度較高的柵極材料層130具有較低的橫向刻蝕率，對于離子濃度較低的刻蝕柵極材料層130具有較高的橫向刻蝕率。通過具有橫向刻蝕率差異的刻蝕溶液對柵極材料層130的刻蝕，得到頂部寬度大于底部寬度的倒錐形柵極250’。作為一個實施例，以摻雜離子為磷離子，所述柵極材料層130的離子濃度從頂部至底部遞減為例，則可以選擇氫氟酸和硝酸的混合溶液對所述柵極材料層130進行刻蝕，隨著刻蝕進程，氫氟酸和硝酸的混合溶液具有橫向刻蝕率差異，最后形成頂部寬度大于底部寬度的倒錐形柵極250’。所述氫氟酸和硝酸的混合溶液中的混合比為5: 1，所述刻蝕時間為10秒至100秒。2、對于離子濃度從頂部至底部遞增的柵極材料層130，選擇的刻蝕溶液對離子濃度較低的柵極材料層130具有較低的橫向刻蝕率，對于離子濃度較高的柵極材料層130具有較高的橫向刻蝕率。通過所述具有橫向刻蝕率差異的刻蝕溶液對柵極材料層130的刻蝕，得到頂部寬度大于底部寬度的倒錐形柵極250’。形成具有傾斜側壁的倒錐形柵極250 ’之后，可采取與上述實施例中相同的退火工藝，從而重塑柵極的形狀，獲得優化的柵極。不管是圖7至圖11對應的實施例，還是圖12、圖13給出的實施例中，倒錐形柵極150的形成依賴于柵極材料層130中的摻雜濃度，所以它可能不適用于不需要摻雜的柵極結構的制作。鑒于此，發明人另外給出一種適于制作無摻雜柵極的方法，具體如下:利用前面實施例中的方法制得摻雜的倒錐形柵極150、250’ ；在所述倒錐形柵極150、250’周圍沉積介質層；去除倒錐形柵極150、250’，從而在介質層內形成倒錐形的溝槽；采用填充物質填充溝槽形成倒錐形的金屬柵極或多晶硅柵極；去除倒錐形金屬柵極或多晶硅柵極周圍的介質層，使得倒錐形柵極的側壁、頂壁暴露在外。形成具有傾斜側壁的倒錐形柵極之后，同樣可采取與上述實施例中相同的退火工藝，從而重塑柵極的形狀，獲得優化的柵極。雖然本發明已以較佳實施例披露如上，但本發明并非限定于此。任何本領域技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，均可作各種更動與修改，因此本發明的保護范圍應當以權利要求所限定的范圍為準。
權利要求
1.一種柵極的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 在半導體襯底上形成倒錐形柵極； 對所述倒錐形柵極進行退火處理，以改善柵極的形狀。
2.根據權利要求1所述的柵極的制作方法，其特征在于，所述倒錐形柵極的材料為非晶硅、單晶硅、多晶硅、非晶鍺、單晶鍺、鍺化硅、金屬或金屬合金。
3.根據權利要求1所述的柵極的制作方法，其特征在于，在半導體襯底上形成倒錐形柵極的步驟前，另包括在半導體襯底上形成二氧化硅層的步驟；所述倒錐形柵極形成在所述二氧化硅層上方。
4.根據權利要求1所述的柵極的制作方法，其特征在于，所述在半導體襯底上形成倒錐形柵極的步驟，包括: 形成柵極材料層，所述柵極材料層具有隨所述柵極材料層的厚度呈濃度梯度分布的摻雜尚子; 刻蝕所述柵極材料層，以形成所述倒錐形柵極。
5.根據權利要求4所述的柵極的制作方法，其特征在于，所述摻雜離子為磷、硼、砷、鍺或硅中的一種或多種。
6.根據權利要求4所述的柵極的制作方法，其特征在于，所述梯度分布為摻雜離子的濃度隨柵極材料層的厚度遞增或隨柵極材料層的厚度遞減。
7.根據權利要求4所述的柵極的制作方法，其特征在于，所述犧牲層的刻蝕工藝為通過干法刻蝕工藝一次性完成。
8.根據權利要求7所述的柵極的制作方法，其特征在于，所述干法刻蝕的刻蝕氣體包括氯氣、溴化氫、六氟化硫、三氟化氮或四氟化碳中的一種或多種。
9.根據權利要求1所述的柵極的制作方法，其特征在于，所述柵極材料層的刻蝕工藝通過干法刻蝕和濕法刻蝕共同完成，包括: 干法刻蝕所述柵極材料層形成初始柵極，所述初始柵極具有垂直于半導體襯底的側壁； 濕法刻蝕所述初始柵極形成所述倒錐形柵極。
10.根據權利要求9所述的柵極的制作方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的溶液為以下溶液之一:氫氟酸和硝酸的混合溶液；氫氟酸溶液；氫氧化鉀溶液；四甲基氫氧化銨溶液；雙氧水；氯化氫和雙氧水的混合溶液；氨水和雙氧水的混合溶液。
11.根據權利要求1所述的柵極的制作方法，其特征在于，所述倒錐形柵極的側壁與所述半導體襯底的表面所成的銳角在45°到80°之間。
12.根據權利要求1所述的柵極的制作方法，其特征在于，所述退火處理為均溫退火、尖峰退火、爐管退火或準分子激光退火。
13.一種晶體管的制作方法，其特征在于，其采用如權利要求1至12任一項所述的柵極制作方法來制作柵極。
14.根據權利要求13所述的晶體管的制作方法，其特征在于，對所述倒錐形柵極進行退火處理的步驟后，另包括: 以退火處理后的柵極為掩模，進行離子注入，以在所述半導體襯底內形成淺離子摻雜區；在退火處理后的柵極的側壁形成側墻，并以所述側墻為掩模，進行離子注入，以在所述半導體襯底內形成源/漏區。
15.根據權利要求13所述的晶體管的制作方法，其特征在于，對所述倒錐形柵極進行退火處理的步驟后，另包括: 以退火處理后的柵極為掩模，進行離子注入，以在所述半導體襯底內形成源/漏區。
全文摘要
本發明提供一種柵極的制作方法，包括以下步驟在半導體襯底上形成倒錐形柵極；對所述倒錐形柵極進行退火處理，以改善柵極的形狀。所述倒錐形柵極的材料可以為非晶硅、單晶硅、多晶硅、非晶鍺、單晶鍺、鍺化硅、金屬或金屬合金。在半導體襯底上形成倒錐形柵極的步驟前，還可以包括在半導體襯底上形成二氧化硅層的步驟，所述倒錐形柵極形成在所述二氧化硅層上方。本發明還提供一種晶體管的制作方法。本發明通過對倒錐形柵極的退火處理，獲得表面平坦、無基腳或基角很小、且側壁無扭曲的柵極結構。
文檔編號H01L21/28GK103137449SQ20111029842
公開日2013年6月5日 申請日期2011年12月1日 優先權日2011年12月1日
發明者王冬江, 張海洋 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司