專利名稱：半導體裝置的制造方法
技術領域：
本發明涉及對模塑模具內的引線框架進行樹脂密封的半導體裝置的制造方法。
背景技術：
在專利文獻1中，公開了在模塑模具的凹陷部分容納引線框架并進行樹脂密封的技術。在該技術中，壓潰(crush)引線框架的側緣部分，由此，形成伸出部。該伸出部填埋模塑模具的凹陷部分的側面的澆口(gate)進入的側面和引線框架的間隙(以后，稱為余隙)。 在形成伸出部之后，當從澆口注入模塑樹脂時，模塑樹脂被伸出部堵住。由此，避免模塑樹脂向引線框架的端子附著。[專利文獻1]日本特開平5-18M67號公報。[專利文獻2]日本特開平8-323798號公報。[專利文獻3]日本特開2008-166395號公報。[專利文獻4]日本特開平8-156009號公報。[專利文獻5]日本特開平11-121656號公報。[專利文獻6]日本特開平64442 號公報。[專利文獻7]日本特開平7-130780號公報。但是，當在保持余隙較大的狀態下形成伸出部時，存在伸出部不能夠到達凹陷部分的側面而不能夠填埋余隙的情況。因此，考慮將凹陷部分形成得較窄而預先使余隙較小。 但是，在使凹陷部分較窄的情況下，不能夠對應引線框架的尺寸的偏差(制造誤差)，存在上下模具咬住較大的引線框架的情況。
發明內容
本發明是為了解決上述課題而提出的，其目的在于提供一種能夠避免上下模具咬住引線框架并且防止模塑樹脂向引線框架的端子附著的半導體裝置的制造方法。本申請發明的半導體裝置的制造方法具有如下工序將引線框架放置在下模具的凹陷部分；使該下模具和上模具重合，利用在該下模具的凹陷部分或者該上模具的凹陷部分所形成的使該引線框架滑動的單元，使該引線框架向該下模具的凹陷部分以及該上模具的凹陷部分的側面即形成有澆口的注入面的方向滑動；利用該下模具和該上模具進行合模，由在該上模具上所形成的突起壓潰該引線框架的端部，在該澆口的左右形成填埋該注入面和該引線框架之間的伸出部；從該澆口注入模塑樹脂。根據本發明，能夠避免上下模具咬住引線框架，并且，能夠防止模塑樹脂向引線框架的端子附著。
圖1是本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法中所使用的上模具的平面圖。
圖2是本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法中所使用的下模具的平面圖。圖3是圖1的III-III虛線的剖面圖。圖4是示出本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法的流程圖。圖5是示出將引線框架放置在下模具的凹陷部分的狀態的圖。圖6是示出使上模具和下模具重合并使引線框架在注入面方向滑動的圖。圖7是示出在合模結束時余隙被填埋的圖。圖8是示出圖7的引線框架和下模具的平面圖。圖9是示出伸出部將模塑樹脂堵住的圖。圖10是示出使突起的位置偏移了的上模具的圖。圖11是示出形成有四個突起的上模具的圖。圖12是示出形成有圓筒形狀的突起以及滑動用突起的上模具的圖。圖13是示出本發明的實施方式2的半導體裝置的制造方法中所使用的上模具的圖。圖14是示出本發明的實施方式3的半導體裝置的制造方法中所使用的上模具的圖。圖15是示出本發明的實施方式4的半導體裝置的制造方法中所使用的上模具和下模具的圖。附圖標記說明 10上模具
12凹陷部分
12a注入面
14a、14b 突起
16a、16b滑動用突起
18腔
30下模具
32凹陷部分
34腔
36 饒口。
具體實施例方式實施方式1
圖1是本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法中所使用的上模具的平面圖。在上模具10中，形成有比其外周部分低一級的凹陷部分12。在凹陷部分12形成有突起1 和14b、以及滑動用突起16a和16b。滑動用突起16a以及16b比突起14a以及14b長。在凹陷部分12的中央部分形成有比凹陷部分12低一級的腔18。圖2是本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法中所使用的下模具的平面圖。在下模具30中，形成有比其外周部分低一級的凹陷部分32。在凹陷部分32的中央部分形成有比凹陷部分32低一級的腔34。在凹陷部分32的側面形成有成為用于向腔18以及34進行樹脂注入的模塑樹脂的路徑的澆口 36。將凹陷部分32的側面的形成有澆口 36 的側面稱為注入面32a。圖3是圖1的III-III虛線的剖面圖。凹陷部分12的側面的形成有突起14a的一側的側面在夾住(clamp)時與下模具30的注入面3 —起形成一個平面，所以，稱為注入面12a。圖4是示出本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法的流程圖。以下，根據該流程圖，對本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法進行說明。首先，將引線框架放置在下模具30的凹陷部分32 (步驟40)。參照圖5，對步驟40進行說明。圖5是示出將引線框架50放置在下模具30的凹陷部分32的狀態的圖。一般地，由于引線框架外形具有一定的制造誤差，所以，凹陷部分32以與引線框架50的設計尺寸相比具有一些裕量的方式形成。因此，在注入面3 和引線框架50之間存在間隔(余隙)。然后，使處理前進到步驟42。在步驟42中，使引線框架50向注入面3 方向滑動。參照圖6對步驟42進行說明。圖6是示出使上模具10和下模具30重合并且使引線框架向注入面3 方向滑動的圖。在步驟42中，以滑動用突起16a的前端部分的僅一部分與引線框架50的端部的與注入面12a以及3 相反側的端部(稱為一端部分)相抵的方式，使上模具10和下模具30重合。在該狀態下，當將上模具10和下模具30在圖6所示的白色箭頭方向夾住時，滑動用突起16a將引線框架50的一端部分按壓壓潰。并且，對于引線框架50來說，一端部分被按壓壓潰，從而向注入面12a以及32a的方向滑動。引線框架50的滑動方向在圖6中以黑色箭頭示出。當使步驟42結束時，與步驟42的處理前相比較，能夠縮小余隙。并且，滑動用突起16b也具有與滑動用突起16a同樣的功能。然后，使處理前進到步驟44。在步驟44中，進行合模并且填埋余隙。并且，合模是指成為使上模具10和下模具30接觸并能夠將模塑樹脂注入到腔的狀態。在步驟44中，突起14a的前端部分的整體與引線框架50的一端部分的相反的端部(稱為另一端部分)相抵。在該狀態下，當在圖7所示的白色箭頭方向使上模具10和下模具30夾住時，另一端部分被壓潰，另一端部分的一部分向注入面12a以及3 側伸出，填埋余隙。圖7是示出在合模結束時余隙被填埋的圖。并且，突起14b也具有與突起14a同樣的功能。圖8是示出圖7的引線框架50和下模具30的平面圖。在引線框架50的一端部分，形成有被滑動用突起16a以及16b按壓壓潰了的凹部60a以及60b。此外，在引線框架的另一端部分，形成有被突起14a以及14b按壓壓潰了的凹部62a以及62b。并且，伴隨凹部62a以及62b的形成，在澆口 36的左右形成有填埋余隙的伸出部64a以及64b。然后，使處理前進到步驟46。在步驟46中，從澆口 36注入模塑樹脂。參照圖9對步驟46進行說明。圖9是示出伸出部64a以及64b堵住模塑樹脂的圖。在步驟46中，利用傳遞模塑法，使模塑樹脂70流入到腔18以及34中，經過保壓工序(dwelling process) 等形成封裝。此處，如圖9所示，在引線框架50的外周，利用伸出部64a以及64b使模塑樹脂70的流動停止。在本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法中，在注入模塑樹脂的工序(步驟46)之前，形成對澆口 36的左右的余隙進行填埋的伸出部64a以及64b。并且，在伸出部64a以及64b填埋余隙的狀態下進行模塑樹脂的注入，所以，能夠防止模塑樹脂70大范圍地附著在引線框架50的端子上。此處，在本發明的實施方式1中，利用使引線框架50滑動的工序(步驟42)，充分地縮小余隙，形成伸出部64a以及64b。因此，能夠利用伸出部64a以及64b可靠地填埋余隙。在本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法中，通過使引線框架滑動，由此， 能夠縮小余隙，所以，不需要在進行滑動的工序(步驟4 之前將余隙縮小。因此，能夠考慮引線框架50的制造誤差而使凹陷部分32充分地寬。因此，能夠避免上下模具咬住引線框架。在本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法中，將引線框架的一端部分和另一端部分壓潰，但是，本發明不限定于此。在本發明中，能夠通過使引線框架滑動的工序決定引線框架的位置，所以，引線框架的位置控制性高。即，能夠將引線框架配置在所希望的位置。并且，由于引線框架的位置控制性高，所以，例如，也能夠在遠比引線框架的一端部分或另一端部分小的連桿(tie bar)部分形成伸出部。即，使突起與連桿相抵來壓潰連桿，形成填埋連桿和上下模具之間的伸出部也可以。在該情況下，在上模具上形成用于將連桿的一部分壓潰的連桿用突起，在形成伸出部的工序中，使連桿用突起壓潰連桿。圖10是示出使突起的位置偏移的上模具80的圖。關于突起82a以及82b，如果是能夠在澆口的左右形成伸出部的位置，則形成在哪里都可以。特別是，在連桿的寬度較窄的情況下，使突起的位置適當地偏移也可以。在本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法中，在兩處形成突起，但是，本發明不限定于此，也可以在三處以上形成突起。例如，參照圖11對在上模具上形成了四個突起的例子進行說明。圖11是示出形成有四個突起92a、92b、92c以及92d的上模具90的圖。 使用該上模具90在澆口的左右各形成兩處伸出部，由此，能夠可靠地防止模塑樹脂繞到引線框架外周。在本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法中使用長方形的突起和滑動用突起，但是，本發明不限定于此。例如，參照圖12對使突起和滑動用突起為圓筒形狀的例子進行說明。圖12是示出形成有圓筒形狀的突起10 和102b、以及滑動用突起10 和104b 的上模具100的圖。當使突起以及滑動用突起為圓筒形狀(有時也稱作銷(pin))時，其位置以及直徑的修正容易。因此，能夠降低模具加工所需要的時間和成本。實施方式2
圖13是示出本發明的實施方式2的半導體裝置的制造方法中所使用的上模具的圖。 在上模具110上形成有滑動用突起112。在滑動用突起112的前端部分形成有朝向澆口側 (注入面1 側)的傾斜面。在實施方式2的半導體裝置的制造方法中，使用該上模具110， 利用與實施方式1同樣的方法制造半導體裝置。在使引線框架滑動的工序中，滑動用突起112的傾斜面按壓壓潰引線框架的一端部分，并且，使引線框架向注入面1 方向滑動。能夠利用滑動用突起112的傾斜面使引線框架平滑地滑動。其他效果與實施方式1相同。此外，能夠進行與實施方式1同等程度的變形。實施方式3
圖14是示出本發明的實施方式3的半導體裝置的制造方法中所使用的上模具的圖。在上模具120中形成有傾斜面122。該傾斜面122具有實施方式1的突起和滑動用突起這二者的功能。在實施方式3的半導體裝置的制造方法中，使用該上模具120，利用與實施方式 1同樣的方法制造半導體裝置。在使引線框架滑動的工序中，傾斜面122按壓壓潰引線框架的一端部分，并且，使引線框架向注入面方向滑動。并且，在形成伸出部的工序中，傾斜面122按壓壓潰引線框架的另一端部分，形成伸出部。通過形成傾斜面122，由此，能夠使上模具的結構簡單。因此， 能夠降低上模具的加工成本。其他效果與實施方式1相同。此外，能夠進行與實施方式1 同等程度的變形。實施方式4
圖15示出本發明的實施方式4的半導體裝置的制造方法中所使用的上模具和下模具的圖。在上模具130上形成有突起14a。在下模具140上形成有朝向澆口側(注入面12a 以及3 側)的傾斜面142。在實施方式4的半導體裝置的制造方法中，使用該上模具130 以及下模具140，利用與實施方式1同樣的方法制造半導體裝置。在使引線框架滑動的工序中，由上模具130對在下模具140上所放置的引線框架進行按壓，使引線框架向注入面方向滑動。這樣，用下模具的傾斜面142置換實施方式1中的滑動用突起，由此，能夠使模具的結構簡單。因此，能夠降低模具的加工成本。其他效果與實施方式1相同。此外，能夠進行與實施方式1同等程度的變形。此外，如果在下模具的凹陷部分或者上模具的凹陷部分具有使引線框架向注入面方向滑動的單元，則該單元的結構不特別限定。
權利要求
1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有如下工序將引線框架放置在下模具的凹陷部分；使所述下模具和上模具重合，利用在所述下模具的凹陷部分或者所述上模具的凹陷部分所形成的使所述引線框架滑動的單元，使所述引線框架向所述下模具的凹陷部分以及所述上模具的凹陷部分的側面即形成有澆口的注入面的方向滑動；由所述下模具和所述上模具進行合模，利用在所述上模具上形成的突起將所述引線框架的端部壓潰，在所述澆口的左右形成填埋所述注入面和所述引線框架之間的伸出部；以及從所述澆口注入模塑樹脂。
2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，使所述引線框架滑動的單元是在所述上模具的凹陷部分形成得比所述突起長的滑動用突起，在使所述引線框架滑動的工序中，所述滑動用突起的前端部分的僅一部分和與所述引線框架的所述端部相反的端部相抵。
3.如權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述滑動用突起的前端部分形成有朝向所述澆口側的傾斜面。
4.如權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述引線框架具有連桿，所述上模具具有將所述連桿壓潰的連桿用突起，在形成所述伸出部的工序中，所述連桿用突起壓潰所述連桿，形成填埋所述連桿和所述上模具以及所述下模具之間的伸出部。
5.如權利要求1或者2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述上模具上形成三處以上的所述突起。
6.如權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述突起以及所述滑 動用突起是圓筒形狀。
7.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述突起以及使所述引線框架滑動的單元是在所述上模具上以朝向所述澆口側的方式形成的傾斜面。
8.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，使所述引線框架滑動的單元是在所述下模具上以朝向所述澆口側的方式形成的傾斜
全文摘要
本發明的目的在于提供一種能夠避免上下模具咬住引線框架并且防止模塑樹脂向引線框架的端子附著的半導體裝置的制造方法。其特征在于，具有如下工序將引線框架放置在下模具的凹陷部分；使所述下模具和上模具重合，利用使所述引線框架滑動的單元，使所述引線框架向所述下模具的凹陷部分以及所述上模具的凹陷部分的側面即形成有進行樹脂注入的澆口的注入面的方向滑動；由所述下模具和所述上模具進行合模，利用在所述上模具上所形成的突起壓潰所述引線框架的端部，在所述澆口的左右形成對所述注入面和所述引線框架之間進行填埋的伸出部；從所述澆口注入模塑樹脂。
文檔編號H01L21/56GK102446777SQ201110297639
公開日2012年5月9日 申請日期2011年9月30日 優先權日2010年10月6日
發明者坂本健, 鹿野武敏 申請人:三菱電機株式會社