專利名稱：基板處理裝置以及基板處理方法
技術領域：
本發明涉及一邊搬運基板一邊對該基板進行加熱的基板處理裝置以及基板處理方法。
背景技術：
在液晶顯示裝置用玻璃基板、有機EL(Electro Luminescence :電致發光)顯示用基板、半導體晶片、PDP(Plasma Display Panel :等離子顯示板)用玻璃基板、薄膜液晶用柔性基板、光掩模用基板、濾色片用基板、記錄盤片用基板、太陽能電池用基板、電子紙用基板等精密電子裝置用的基板的制造工序中，對基板進行適當的加熱處理。例如，在對基板的光刻工序中，在基板的表面上涂敷抗蝕液后，為了提聞基板表面和抗蝕液的緊貼性而對基板進行加熱處理。例如，在專利文獻I中公開了在這樣的加熱處理中使用的現有的基板處理裝置。專利文獻I :日本特開2008-16543號公報在專利文獻I的第0066-0093段中記載了一種基板處理裝置，該基板處理裝置具有多個板，具有加熱器；搬運機構，沿該板的上表面搬運基板。在該基板處理裝置中，沿著多個板的上表面搬運基板并利用來自板的熱對基板進行加熱。然而，在這樣一邊搬運基板一邊對該基板進行加熱的基板處理裝置中，相比于基板的其他的部位，基板的前端部(搬運方向下游側的端部)附近以及后端部(搬運方向上游側的端部)附近更容易被加熱。這是因為，基板的前端部附近以及后端部附近不僅從基板的下表面被加熱，而且因基板的上游側以及下游側的被加熱過的空氣而受熱。因此，在恒定溫度的板上，若以恒定速度搬運基板，則基板的前端部附近以及后端部附近的溫度與基板中央部相比有可能變高。為了抑制這樣的溫度不均勻，優選降低施加于基板的前端部附近以及后端部附近的熱量。然而，由于在板自身的加熱冷卻中需要有高度的響應性，所以難以僅在基板的前端部附近以及后端部附近通過時暫時降低板的溫度。
發明內容
本發明是鑒于這樣的問題而提出的，其目的在于，提供一種在一邊搬運基板一邊對該基板進行加熱的基板處理裝置以及基板處理方法中提高基板的熱均勻性的技術。為了解決上述問題，本申請的技術方案I是一種基板處理裝置，從上游側向下游側一邊搬運基板一邊對所述基板進行加熱，其特征在于，具有加熱部，對基板進行加熱； 搬運機構，沿著所述加熱部搬運基板，所述搬運機構具有切換單元，該切換單元將所述基板和所述加熱部之間的距離至少在第一距離和比所述第一距離大的第二距離的兩個階段之間進行切換，在所述基板的前端部通過所述加熱部的規定的加熱區域的上游側端部時，所述切換單元將所述基板和所述加熱部之間的距離切換為所述第二距離。本申請的技術方案2在技術方案I記載的基板處理裝置的基礎上，其特征在于，所述搬運機構為輥搬運機構，并具有搬運輥，在所述基板和所述加熱部之間的距離為第一距離時，對所述基板施加驅動力；上下輥，向所述基板的搬運方向轉動，并且能夠沿著上下方向移動，所述切換單元通過使所述上下輥上下移動，來將所述基板和所述加熱部之間的距離從所述第一距離切換為所述第二距離。本申請的技術方案3在技術方案2記載的基板處理裝置的基礎上，其特征在于，在從所述基板的前端部以所述第二距離通過所述上下輥起經過了規定的時間之后，所述切換單元對所述基板和所述加熱部之間的距離進行切換。本申請的技術方案4在技術方案I記載的基板處理裝置的基礎上，其特征在于，在所述基板的后端部通過所述加熱區域的下游側端部時，所述切換單元還將所述基板和所述加熱部之間的距離切換為所述第二距離。本申請的技術方案5在技術方案4記載的基板處理裝置的基礎上，其特征在于，在所述基板的后端部到達了特定位置時，所述切換單元將所述基板和所述加熱部之間的距離從所述第一距離切換為所述第二距離，該特定位置是指，位于所述加熱區域的下流側端部的上游側且與所述加熱區域的下流側端部具有規定的距離的位置。本申請的技術方案6在技術方案I 5中任一項記載的基板處理裝置的基礎上， 其特征在于，所述加熱部包括平板狀的高溫加熱板；平板狀的低溫加熱板，配置在所述高溫加熱板的下游側，該低溫加熱板的溫度比所述高溫加熱板的溫度低，所述加熱區域是所述高溫加熱板的區域。本申請的第七技術方案是一種基板處理方法，一邊將基板和加熱部之間的距離至少在第一距離和比所述第一距離大的第二距離的兩個階段之間進行切換，一邊沿著加熱部從上游側向下游側搬運基板，由此對基板進行加熱，其特征在于，包括第一切換工序，在所述基板的前端部通過所述加熱部的規定的加熱區域的上游側端部時，將所述基板和所述加熱部之間的距離切換為所述第二距離。本申請的技術方案8在技術方案7所記載的基板處理方法的基礎上，其特征在于， 具有第二切換工序，在從通過所述第一切換工序切換了所述基板和所述加熱部之間的距離起經過了規定的時間之后，將所述基板和所述加熱部之間的距離從所述第二距離切換為所述第一距離。本申請的技術方案9在技術方案7所記載的基板處理方法的基礎上，其特征在于， 還包括第三切換工序，在所述基板的后端部到達了特定位置時，將所述基板和所述加熱部之間的距離切換為所述第二距離，該特定位置是指，位于所述加熱區域的下流側端部的上游側且與所述加熱區域的下流側端部具有規定的距離的位置。本申請的技術方案10在技術方案9所記載的基板處理方法的基礎上，其特征在于，具有第四切換工序，在所述基板的后端部通過了所述加熱區域的下游側端部時，將所述基板和所述加熱部之間的距離從所述第二距離切換為所述第一距離。本申請的技術方案11在技術方案7 10中任一項記載的基板處理方法的基礎上，其特征在于，所述加熱部包括平板狀的高溫加熱板；平板狀的低溫加熱板，配置在所述高溫加熱板的下游側，該低溫加熱板的溫度比所述高溫加熱板的溫度低，所述加熱區域是所述高溫加熱板的區域。若采用本申請的技術方案I 技術方案11，則能夠在一邊搬運基板一邊對該該基以及技術方案8，則也能夠降低來自加熱部的熱量對前以及技術方案9，則也能夠降低來自加熱部的熱量對基
板加熱時，提高熱均勻性。尤其是，若采用技術方案2，則通過利用輥來搬運基板，并用簡單的方法使基板的前端部上升，能夠降低來自加熱部的熱量的影響。尤其是，若采用技術方案3 端部附近的影響。尤其是，若采用技術方案4 板的后端部的影響。尤其是，若采用技術方案5以及技術方案10，則也能夠降低來自加熱部的熱量對后端部附近的影響。尤其是，若采用技術方案6以及技術方案11，則能夠對整個基板進行均勻的加熱。
圖I是基板處理裝置的立體圖。圖2是基板處理裝置的俯視圖。圖3是從圖2的A方向所見的基板處理裝置的局部側視圖。圖4是從圖2的B方向所見的基板處理裝置的局部剖視圖。圖5是表示基板前端部的基板處理的流程的流程圖。圖6是說明基板處理裝置的動作的示意圖。圖7是說明基板處理裝置的動作的示意圖。圖8是說明基板處理裝置的動作的示意圖。圖9是說明基板處理裝置的動作的示意圖。圖10是表示基板后端部的基板處理的流程的流程圖。圖11是說明基板處理裝置的動作的示意圖。圖12是說明基板處理裝置的動作的示意圖。圖13A、圖13B是表不基板表面溫度和基板位直之間的關系的圖。附圖標記說明I基板處理裝置9 基板10加熱板
11高溫加熱板
12低溫加熱板
15側板
20支撐輥
21上下輥
22搬運輥
23搬入輥
30驅動機構
31上下馬達
32驅動馬達
50控制部
211上下輥軸
221搬運輥軸
222搬運輥齒輪
311上下馬達軸
312凸輪
313凸緣
322中間輥
325驅動帶
X0、X1位置
T0、T1、T2基板表面溫度
具體實施例方式下面，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。此外，下面將搬運基板9的方向稱為“搬運方向”，將與搬運方向垂直的水平方向稱為“寬度方向”。<1.關于基板處理裝置的結構>圖I是本發明的第一實施方式的基板處理裝置I的立體圖。此外，圖2是該基板處理裝置I的俯視圖。該基板處理裝置I是在有選擇地對液晶顯示裝置用的矩形的玻璃基板9(以下僅稱為“基板9”)的上表面進行蝕刻的光刻工序中，用于對涂敷抗蝕劑后的基板 9進行加熱處理的裝置。基板處理裝置I沿著規定的搬運方向從上游側向下游側搬運基板 9并對基板9進行加熱。如圖I以及圖2所示，在基板處理裝置I中沿著基板的搬運方向排列有多張加熱板10。加熱板10進一步被調整用作為高溫加熱板11以及低溫加熱板12，該高溫加熱板11 以及低溫加熱板12的結構相同，僅是設定溫度不同。圖I中，為了便于圖示，只描繪了兩張加熱板，但是實際上如圖2所示那樣，包括一張高溫加熱板和兩張低溫加熱板。這些加熱板10都形成為在寬度方向上長的矩形的平板狀，并被側板15固定。在各加熱板11、12的內部，未圖示的薄板狀的加熱器埋設于各加熱板的里面。若對加熱器通電，則因加熱器的發熱而使各加熱板10的溫度上升。沿著各加熱板10的上表面被搬運的基板9受到來自各加熱板10的上表面的輻射熱以及對流熱而被加熱。高溫加熱板11發揮如下作用對基板9進行加熱，使基板9的溫度快速地上升到接近作為目標的溫度。將高溫加熱板11的上表面的溫度設定為比作為目標的基板9的溫度高的溫度。例如，將高溫加熱板11的上表面的溫度設定為作為目標的基板9的攝氏溫度的I. 5 3倍的攝氏溫度。兩張低溫加熱板12配置在高溫加熱板11的搬運方向的下游側。低溫加熱板12 發揮如下作用對基板9進行加熱，并且將基板9的溫度維持在作為目標的溫度。將低溫加熱板12上表面的溫度設定為比高溫加熱板11的上表面的溫度低的溫度。例如，將低溫加熱板12的上表面的溫度設定為作為目標的基板9的攝氏溫度的I I. 3倍的攝氏溫度。即，本實施方式的基板處理裝置I具有加熱部，該加熱部由3張加熱板11、12、12 構成。并且，高溫加熱板11構成快速加熱基板9的加熱區域，低溫加熱板12構成穩定地維持基板9的溫度的加熱區域。在加熱板10的上表面上，沿著寬度方向以及長度方向空開間隔地配置有多個支撐輥20。支撐輥20的一部分容納于在各加熱板10的上表面設置的凹部或者貫通孔的內部。支撐輥20的上端部從各加熱板10的上表面向上方突出。所述支撐輥20還被分類成上下輥21、搬運輥22和搬入輥23。上下輥僅在高溫加熱板11配置，并與搬運輥22列交替配置。關于上下輥的上下機構在后面說明。此外，搬運輥22、搬入輥23從各加熱板10的上表面向上方突出的部分的高度，相當于本發明的基板和加熱部之間的第一距離。搬運輥22在高溫加熱板11以及低溫加熱板12配置，并具有如下功能通過使搬運輥22旋轉，在搬運方向上搬運基板9。此外，搬入輥23配置在高溫加熱板11的上游側即搬入位置，用于向基板處理裝置 I搬入基板。各種支撐輥20通過各自的旋轉軸連接，并被側板15支撐為能夠向基板的搬運方向轉動。通過將這樣的支撐輥20沿搬運方向上配置，能夠支撐基板9并在沿著加熱板10 的上表面的方向上搬運基板9。圖3是用于說明驅動機構30的局部側視圖。在側板15上配置有用于驅動各支撐輥20的驅動機構30。在側板15的與高溫加熱板11相對應的位置上，配置有上下馬達31以及驅動馬達 32。在側板15的與低溫加熱板12以及搬入位置相對應的位置上，僅配置有驅動馬達32。 在此，有代表性地對與高溫加熱板11相對應的位置進行說明。搬運輥22以搬運輥軸221為中心，被側板15支撐為能夠轉動。此外，搬運輥22 具有同樣以搬運輥軸221為中心的搬運輥齒輪222。驅動馬達32通過驅動帶325與搬運輥齒輪222相連接。此外，圖中右側所示的搬運輥22經由中間輥322，被驅動帶325和驅動馬達32連接。此外，雖然省略了圖示，但是配置于搬入位置的搬入輥23以及配置于低溫加熱板 12上的搬運輥22也同樣被驅動傳動帶325和驅動馬達32連接。如圖I所示的那樣，驅動馬達32與控制部50電連接。控制部50由具有CPU和存儲器的計算機構成。控制部50通過對驅動馬達32進行電氣控制，能夠對驅動馬達32的起動停止進行切換和對驅動馬達32的轉速進行控制。若通過控制部50的指令使驅動馬達32動作，則借助驅動馬達32產生的旋轉驅動力，使多個搬運輥22向相同的方向旋轉。此外，搬入輥23也向相同的方向旋轉。因此，通過這些輥22、23的旋轉，使在搬運輥22或者搬入輥23上載置的基板9沿搬運方向從上游側向下游側搬運。圖4是用于說明上下輥21的上下機構的從圖2的B所見的局部剖視圖。在側板 15上配置的上下馬達31以上下馬達軸311為中心進行驅動，進而，在上下馬達軸311上， 在與上下輥21相對應的位置連接有偏芯凸輪312。并且，為了與偏芯凸輪312的上表面接觸，配置有凸緣(flange) 313。凸緣313被連接為能夠相對于高溫加熱板11在上下方向上移動，所以借助偏芯凸輪312的旋轉運動進行上下移動。此外，在凸緣313的上部固定有上下輥軸211，上下輥21以該上下輥軸211為中心旋轉。上下馬達31和驅動馬達32同樣，與控制部50電連接，若通過控制部50的指令使上下馬達31進行旋轉動作，則借助上下馬達31產生的旋轉驅動力，使上下輥21移動至上升位置和下降位置。這樣，在本實施方式中，由上下輥21、該上下輥21的上下機構構成切換單元。另外，沿基板處理裝置I的寬度方向排列的上下輥21以同一上下輥軸211為中心來配置，在維持相同的高度的狀態下，整體進行上下移動。此外，各個上下輥21可以向基板的搬運方向自由轉動。因此，通過來自控制部50的指令使上下輥21移動至上升位置，從而使在加熱板10的上表面搬運的基板9以一部分被向上方推起的狀態沿搬運方向搬運。S卩，在本實施方式中，由支撐輥20、驅動機構30以及控制部50構成沿加熱板10的上表面搬運基板9的搬運機構。本實施方式的控制部50通過使上下馬達31旋轉來使上下輥21在上升位置和下降位置之間進行切換。即，通過使上下輥21移動至上升位置，來使基板9和高溫加熱板11 之間的距離從第一距離變為比第一距離大的第二距離，通過使上下輥21移動至下降位置， 來使基板9和高溫加熱板11之間的距離從第二距離變為第一距離。對基板9進行處理時， 控制部50根據事先設定好的程序或數據來控制驅動機構30。由此，能夠搬運基板9的同時對基板9從加熱板10接受的熱量進行控制，從而能夠均勻地加熱基板9。<2.關于基板處理裝置I的處理動作>接下來，針對上述的基板處理裝置I中的基板前端部的處理流程，參照圖5 圖9 進行說明。圖5是表示基板處理裝置I中的基板處理的流程的流程圖。圖6至圖9分別是表示基板的處理位置的變化的基板處理裝置I的局部側視圖。完成之前的工序的處理后而被搬入所述裝置I中的基板9首先通過搬入輥23搬運(步驟Sll)。具體地說，控制部50通過使驅動馬達32動作來使多個搬入輥23旋轉。由此，使搬入輥23上的基板9向搬運方向的下游側搬運。在本實施方式中，以3m 5m/min 的搬運速度來搬運基板9。如圖6所示，若基板9的前端部來到高溫加熱板11的上下輥21a(在這里，將搬運方向上游側的上下輥作為21a，將下游側的上下輥作為21b來區別說明，以下也同樣)，則控制部50使上下馬達31動作，使上下輥21a移動到上升位置(步驟S13 :第一切換工序)。 具體地說，在基板9的前端即將來到上下輥21a的中心之前，開始上下馬達31的上升動作， 但不限定于此，可以適當選擇在時間上、位置上的前后關系。使該上下輥21從下降位置移動到達上升位置花費I秒鐘，由此防止在基板9上作用急劇的彎曲應力。此外，下降位置到上升位置的移動距離在Imm IOmm之間適當調整。接下來，如圖7所示，在將上下輥21a維持在上升位置的狀態下，繼續通過搬入輥 23來搬運基板9。具體地說，在上下輥21a的上升完成之后維持上升位置約I秒鐘的時間 (步驟S14)。在該期間內，基板9的前端部通過上下輥21a的搬運方向下游側的驅動輥22 的上方。之后，控制部50對上下馬達31賦予指令，使上下輥21a移動至下降位置(步驟 S15 :第二切換工序)。如圖8所示，在上下輥21a下降完成的時刻，基板9的前端部被搬運至即將到達上下輥21b的位置(步驟S16)。
進而，如圖9所示，若基板9的前端部來到上下輥21b，則上下輥21b與上下輥21a 同樣向上升位置以及下降位置移動，重復下面同樣的步驟(步驟S12 S15)。之后，控制部50維持上下輥21處于下降位置，在該狀態下繼續搬運基板9。因此， 上下輥21以與搬運輥22相同的高度旋轉并維持基板9的高度位置。接下來，針對基板處理裝置I中的基板后端部的處理的流程，參照圖10 圖12來進行說明。圖10是表示基板處理裝置I中的基板處理的流程的流程圖。圖11以及圖12 分別是表示基板處理位置的變化的基板處理裝置I的局部側視圖。如圖11所示，若基板9的后端部相對于高溫加熱板的上下輥21a來到規定的位置，則控制部50使上下馬達31動作，使上下輥21a移動至上升位置(步驟522 :第三切換工序)。具體地說，若基板9的后端來到距離上下輥21a的中心150mm的位置，則開始上下馬達31的上升動作。之后，若基板9的后端部通過上下輥21a的位置(步驟S23)，則控制部對上下馬達31賦予指令，并使上下輥21a移動至下降位置(步驟S24:第四切換工序)。如圖12所示，在上下輥21a下降完成的時刻，通過驅動輥22來支撐基板9，將基板9向搬運方向的下游搬運。此外，若基板9的后端部來到上下輥21b，則上下輥21b與上下輥21a同樣向上升位置以及下降位置移動，重復下面同樣的步驟(步驟S21 S24)。圖13是表示基板上的各位置的表面溫度的圖，圖13A表示未采用本發明的情況， 圖13B表示采用本發明的情況。在搬運基板9并從下表面對基板9進行加熱的情況下，由于基板9的前端部也從搬運方向的上游側的空間被加熱，因此如圖13A所示，與基板中央部相比較，與基板的前端部相當的位置XO Xl之間的區域容易被加熱。其結果，在將基板中央部的表面溫度加熱到TO的情況下，前端部會被加熱到比溫度TO更高的溫度Tl附近。該影響也同樣存在于基板后端部。如本發明那樣，在基板前端部以及后端部通過高溫加熱板11的上方時，通過增大加熱板的上表面和基板下表面之間的距離，能夠降低來自加熱板的輻射熱的影響。其結果， 如圖13B所示，使基板前端部的表面溫度降低到比Tl更接近于TO的T2，從而使基板9的表面溫度均勻化。<3.變形例 >以上，針對本發明的一個實施方式進行了說明，但是本發明不限于上述的實施方式。在上述的實施方式中，通過高溫加熱板11以及兩張低溫加熱板12加熱基板9，但是不限于此，也可以排列兩張高溫加熱板11，低溫加熱板12的張數也不限定于此。加熱板 10整體也可以由單一的加熱板構成。例如，也可以在一張加熱板內設置高溫加熱區域和低溫加熱區域。此外，本發明的加熱部也可以僅由一張高溫加熱板11構成。此外,本發明的加熱部也可以排列有多個如燈加熱器(lamp heater)那樣的棒狀或球狀的加熱構件。上下輥21的上下機構是使用了上下馬達31以及凸輪312的上下機構，但不限于此。也可以使用汽缸等的直動式機構來使上下輥21上下動作。此外，搬運輥22和上下輥21以相鄰的方式連續配置，但不限于此，也可以連續配置兩列搬運輥22之后再插入配置上下輥21。此外，在實施方式中，各輥的配置間隔相同，但間距也可以是變化的。
在實施方式中，相對于基板9的搬運速度，上下輥的上下速度比較快。因此，在上游側的上下輥21a上升、下降之后，下游側的上下輥21b開始上升，但是不限于此。具體地說，可以在上游側的上下輥21a上升后，維持上升狀態比實施方式長的規定時間，并且，在上下輥21a開始下降之前，使基板9的前端部到達下游側的上下輥21b，進而，使上下輥21b 上升。這樣一來，可以進一步降低基板9的前端部從高溫加熱板11接受的熱量。此外，在上述的實施方式中，通過多個搬運輥22以及搬入輥23來搬運基板9。但是，本發明的搬運單元也可以是使用其他的方法來搬運基板9的單元。例如，可以用規定的保持構件來保持基板9的兩側邊緣部，通過使該保持構件向搬運方向下游側移動來搬運基板9。此外，上述的基板處理裝置I是對液晶顯示裝置用的矩形的玻璃基板進行加熱的裝置，但是，本發明的基板處理裝置也可以對有機EL顯示用基板、半導體晶片、PDP用玻璃基板、薄膜液晶用柔性基板、光掩模用基板、濾色片用基板、記錄盤片用基板、太陽能電池用基板、電子紙用基板等其他基板。
1權利要求
1.一種基板處理裝置，一邊從上游側向下游側搬運基板，一邊對該基板進行加熱，其特征在于，具有加熱部，其對基板進行加熱，搬運機構，其沿著所述加熱部搬運基板；所述搬運機構具有切換單元，該切換單元用于將所述基板和所述加熱部之間的距離至少在第一距離和比所述第一距離大的第二距離的兩個階段之間進行切換；在所述基板的前端部通過所述加熱部的規定的加熱區域的上游側端部時，所述切換單元將所述基板和所述加熱部之間的距離切換為所述第二距離。
2.根據權利要求I記載的基板處理裝置，其特征在于，所述搬運機構為輥搬運機構，并具有搬運輥，其在所述基板和所述加熱部之間的距離為第一距離時，對所述基板施加驅動力，上下輥，其向所述基板的搬運方向轉動，并且能夠沿著上下方向進行移動；所述切換單元通過使所述上下輥上下移動，來將所述基板和所述加熱部之間的距離從所述第一距離切換為所述第二距離。
3.根據權利要求2記載的基板處理裝置，其特征在于，在從所述基板的前端部以所述第二距離通過所述上下輥起經過了規定的時間之后，所述切換單元對所述基板和所述加熱部之間的距離進行切換。
4.根據權利要求I記載的基板處理裝置，其特征在于，在所述基板的后端部通過所述加熱區域的下游側端部時，所述切換單元還將所述基板和所述加熱部之間的距離切換為所述第二距離。
5.根據權利要求4記載的基板處理裝置，其特征在于，在所述基板的后端部到達了特定位置時，所述切換單元將所述基板和所述加熱部之間的距離從所述第一距離切換為所述第二距離，該特定位置是指，位于所述加熱區域的下流側端部的上游側且與所述加熱區域的下流側端部具有規定的距離的位置。
6.根據權利要求I 5中任一項記載的基板處理裝置，其特征在于，所述加熱部包括平板狀的高溫加熱板，平板狀的低溫加熱板，其配置在所述高溫加熱板的下游側，而且該低溫加熱板的溫度比所述高溫加熱板的溫度低；所述加熱區域是所述高溫加熱板的區域。
7.一種基板處理方法，一邊將基板和加熱部之間的距離至少在第一距離和比所述第一距離大的第二距離的兩個階段之間進行切換，一邊沿著加熱部從上游側向下游側搬運基板，由此對基板進行加熱，其特征在于，包括第一切換工序，在所述基板的前端部通過所述加熱部的規定的加熱區域的上游側端部時，將所述基板和所述加熱部之間的距離切換為所述第二距離。
8.根據權利要求7所記載的基板處理方法，其特征在于，包括第二切換工序，在從通過所述第一切換工序切換了所述基板和所述加熱部之間的距離起經過了規定的時間之后，將所述基板和所述加熱部之間的距離從所述第二距離切換為所述第一距離。
9.根據權利要求7所記載的基板處理方法，其特征在于，還包括第三切換工序，在所述基板的后端部到達了特定位置時，將所述基板和所述加熱部之間的距離切換為所述第二距離，該特定位置是指，位于所述加熱區域的下流側端部的上游側且與所述加熱區域的下流側端部具有規定的距離的位置。
10.根據權利要求9所記載的基板處理方法，其特征在于，包括第四切換工序，在所述基板的后端部通過了所述加熱區域的下游側端部時，將所述基板和所述加熱部之間的距離從所述第二距離切換為所述第一距離。
11.根據權利要求7 10中任一項記載的基板處理方法，其特征在于，所述加熱部包括平板狀的高溫加熱板，平板狀的低溫加熱板，其配置在所述高溫加熱板的下游側，而且該低溫加熱板的溫度比所述高溫加熱板的溫度低；所述加熱區域是所述高溫加熱板的區域。
全文摘要
本發明提供一種在一邊搬運基板并一邊對該基板加熱的基板處理裝置以及基板處理方法中提高基板的熱均勻性的技術。在基板(9)的前端面通過高溫加熱板(11)的上游側端部時，將基板(9)的前端面附近的高度切換到搬運位置(下降位置)的上方即上方位置。之后，在搬運位置來搬運基板(9)，在基板(9)的后端面通過高溫加熱板(11)的下游側端部時，再將基板(9)的后端面附近的高度切換到上方位置。其結果，基板(9)的前端面以及后端面以難以受到來自高溫加熱板(11)的熱量的影響的狀態被搬運。因此，可以抑制從高溫加熱板(11)賦予基板的前端面以及后端面的熱量。其結果，提高基板(9)的熱均勻性。
文檔編號H01L21/677GK102610549SQ20111029446
公開日2012年7月25日 申請日期2011年9月21日 優先權日2011年1月19日
發明者安陪裕滋, 山岡英人, 芳谷光明 申請人:大日本網屏制造株式會社