專利名稱：薄膜型太陽能電池的制造裝置和制造方法
技術領域：
本發明涉及一種薄膜型太陽能電池技術領域，尤其涉及一種提高生產效率的薄膜型太陽能電池的制造裝置和制造方法。
背景技術：
太陽能電池為用半導體的特征將光能轉換為電能的器件。以下對太陽電池的結構和工作原理進行簡單說明。太陽能電池由P型半導體和N型半導體結合起來的PN結結構組成。當陽光照射至PN結結構的太陽能電池上時，由于陽光的能量，半導體內生成空穴和電子。在PN結電場的作用下，空穴向P型半導體漂移，電子向N型半導體漂移，從而產生電勢，而且伴隨有電流產生。太陽能電池廣義上可以分為基板(晶圓)型太陽能電池和薄膜型太陽能電池。基板型太陽能電池是利用硅半導體基板制成的，薄膜型太陽能電池是通過在玻璃基片上形成薄膜型半導體而制成的。基板型太陽能電池相對薄膜型太陽能電池，在效率方面更加優異，但是在使厚度最小化的工藝方面有所限制，而且因采用高價的半導體基板，會有導致成本上升的缺點，由于無法確保從分的透光領域，很難代替建筑物上的玻璃。薄膜型太陽能電池與基板型太陽能電池相比，在效率方面有點落后，但是可以被制成具有較薄的厚度，而且因使用低價的材料，有降低成本的優點也能適用于大量生產，由于相對容易確保從分的透光領域，可以代替建筑物上的玻璃。圖Ia至圖If為依次顯示現有薄膜型太陽能電池的制造方法的截面圖。以下，參考圖Ia至圖If對現有薄膜型太陽能電池的制造方法進行說明。首先，如圖Ia所示，在基板10上形成第一電極20之后，通過激光劃線工序，在預定間隔位置去除第一電極20，露出部分基板10，從而形成電極分隔部30。其次，如圖Ib所示，形成有第一電極20的基板10上形成光電轉換層40。其次，如圖Ic所示，在光電轉換層40上形成透明導電層50。其次，如圖Id所示，通過激光劃線工序同時去除光電轉換層40的一部分和透明導電層50的一部分，露出部分第一電極20，從而形成接觸線60。其次，如圖Ie所示，接觸線60和透明導電層50上形成第二電極70。該第二電極 70通過接觸線60與第一電極20電連接。其次，如圖If所示，通過激光劃線工序，同時去除第二電極70、光電轉換層40及透明導電層50，露出與接觸線60相鄰的第一電極20的一部分而形成單元分隔部80。所述現有薄膜型太陽能電池的制造方法，有以下問題。第一，激光劃線工序使用激光照射裝，同時去除第二電極70和透明導電層50及光電轉換層40，從而形成單元分隔部80。但是，隨著基板10的大型化，激光劃線工序消耗的時間會越來越長，如果為了縮短激光劃線工序的時間就需要使用多個激光照射裝置，會存在費用隨之增長的問題。第二，建筑物的玻璃窗要保證可視范圍，薄膜型太陽能電池使用于建筑物的玻璃窗的替代品，就要確保一定程度以上的透光區域。但是透光區域僅存在于位于第二電極70 之間的單元分隔部80，如果為了保證可視范圍，增加單元分隔部80寬度，需要重復執行激光劃線工序，會存在生產效率隨之降低的問題。
發明內容
本發明的一目的在于，提供一種薄膜型太陽能電池的制造裝置和制造方法，以解決上述的問題且提高生產效率。本發明的另一目的在于，提供一種薄膜型太陽能電池的制造裝置和制造方法，以生產可替代玻璃窗并充分確保可視范圍的薄膜型太陽能電池，也提高薄膜型太陽能電池的生產效率。為了解決上述技術課題，根據本發明實施例的薄膜型太陽能電池的制造裝置包括在基板上形成第一電極并且形成用于將所述第一電極按照預定的間隔分隔的第一分隔部的第一電極形成部；在包括所述第一電極和所述第一分隔部的基板上形成光電轉換層的光電轉換層形成部；在所述第一電極上形成的光電轉換層中去除預定部分以形成接觸線的接觸線形成部；在所述光電轉換層上形成第二電極的印刷部；以及通過濕式蝕刻工藝工序去除所述第二分隔部內的光電轉換層，以露出所述第二分隔部內第一電極的蝕刻工程部。 其中，所述第二電極通過所述接觸線與所述第一電極連接，并且被第二分隔部按照預定的間隔分隔。為了解決上述技術課題，根據本發明實施例的薄膜型太陽能電池的制造方法包括基板面上形成第一電極；去除所述第一電極的預定部分，以形成第一分隔部；包括所述第一電極和所述第一分隔部的基板上，以形成光電轉換層；去除所述第一電極上形成的所述光電轉換層的預定部分，以形成接觸線；在所述光電轉換層上印刷第二電極；以及通過濕式蝕刻工藝工序去除所述第二分隔部內的光電轉換層，以露出所述第二分隔部內的第一電極。其中，所述第二電極通過所述接觸線與所述第一電極連接，并且被第二分隔部按照預定的間隔分隔。技術效果如上所述，根據本發明的薄膜型太陽能電池的制造裝置和制造方法，通過印刷方式形成第二電極后，以第二電極作為掩膜進行濕式蝕刻工序形成單元分隔部或透光部。其中，所述單元分隔部將光電轉換分隔，所述透光部形成在所述單元分隔部和第二電極。因此可起到如下效果。第一，通過印刷工序和濕式蝕刻工序，形成第二電極/單元分隔或者第二電極/單元分隔部/透光射部，從而縮短第二電極/單元分隔或者第二電極/電池分隔部/透光射部的工序時間，并且提高生產效率。第二，通過由濕式蝕刻工序替代傳統的激光劃線工序形成，從而單元分隔部或透光部，從而充分確保可視范圍使其用于玻璃替代品，并且提高產量同時減少費用。
圖Ia至圖If為依次圖示現有薄膜型太陽能電池的制造方法的截面圖；圖加至圖2f為依次圖示根據本發明第一實施例薄膜型太陽能電池的制造方法的截面圖；圖3a至圖3f為依次圖示根據本發明第二實施例薄膜型太陽能電池的制造方法的截面圖；圖如至圖4b為圖!Be所示的透光圖案的多種實施例示意圖；圖5為根據本發明實施例薄膜型太陽能電池的制造裝置的簡要方框圖；圖6為圖5所示的蝕刻工序部的簡要示意圖；圖7為圖6所示的輸送機的簡要示意圖；圖至圖8c為圖示圖7所示的濕式蝕刻部的實施例的簡要示意圖；圖9為圖5所示的蝕刻工序部的另一實施例的簡要示意圖；圖10為圖9所示的第一中間區的簡要示意圖。
具體實施例方式為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。參照以下附圖，對本發明的優選實施例進行詳細說明。圖加至圖2f為依次圖示根據本發明第一實施例薄膜型太陽能電池的制造方法的截面圖。參照圖加至圖2f，對根據本發明的第一實施例薄膜型太陽能電池的制造方法進行詳細說明。首先，如圖加所示，基板上110形成第一電極120。然后，通過激光劃線工序去除第一電極120的預定間隔，以便露出部分基板110，從而形成第一分隔部130。基板110可以為玻璃基板，金屬基板，塑料基板或撓性基板。當基板110為玻璃基板時，可以減少太陽能電池的生產成本。相反，如基板110為金屬基板，塑料基板或者撓性基板時，可以使太陽能電池變得輕薄，可以制造撓性太陽能電池。例如，金屬基板可以由鋁或者不銹鋼材料形成，撓性基板可以由薄型(厚度50 200 μ m)玻璃，金屬箔，塑料材料形成。塑料材料可以由聚碳酸酯(Polycarbonate)、據對苯二甲酸乙二醇酯(Pol yethylene terephthalate)、聚醚砜(Polyethersulfone)、聚酰亞胺(Pol yimide)、聚乙烯萘(Polyethylene Naphthalate)、聚醚醚酮(Polyethere therketone)等熱塑性半晶體高分子(Thermoplastic Semicrystalline P olymer)材料形成。第一電極120在基板110上可以由二氧化錫(SnO2)、二氧化錫氟(SnO2 = F)、二氧化錫硼(SnO2 = B)、二氧化錫鋁(Sn02:Al)或者銦錫氧化物(Indium Tin Oxide)等導電材料形成。此處，第一電極120通過化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition)工序形成。另外，第一電極120是太陽光入射面，因此為了使太陽光能夠被內部的太陽能電池最大限度地吸收，需要通過紋理(Texturing)加工工序在第一電極120上形成凹凸結構。所謂紋理加工工序是指材料表面上形成不平的凹凸結構，加工成像紡織表面的加工工序。所述紋理(Texturing)加工工序可以通過光刻法(photolithography)的蝕刻工序、利用化學溶液的蛤異性蝕刻工序(anisotropic etching)、或者利用機械劃線(mechani cal scribing)的溝槽形成工序等工序進行。其次，如圖2b所示，形成有第一分隔部130和第一電極120的基板100上形成光電轉換層140。根據第一實施例的光電轉換層140可以由硅類半導體材料形成，也可以具有P型半導體層、I型半導體層以及N型半導體層依次累積的PIN結構。此處，可以由比所述N型或P型半導體層更薄的另一 N型或P型半導體層代替所述I型半導體層，也可以由比所述 N型或P型半導體層的摻雜濃度更低的另一 N型或P型半導體層代替所述I型半導體層。如上所述，如果光電轉換層140以PIN結構形成，I型半導體層被P型半導體層和 N型半導體層損耗(D印letion)而內部發生電磁場，因太陽光形成的空穴和電子被所述電磁場漂移(Drift)，分別回收到P型半導體和N型半導體。并且，如果光電轉換層140以PIN結構形成，優選的是在第一電極120上形成P 型半導體，之后形成I型半導體和N型半導體。這原因是在一般情況下空穴的漂移移動度 (Drift mobility)比電子漂移移動度低，為了最大入射光的回收效率，使P型半導體接近受光面而形成。另外，根據第二實施例的光電轉換層140，如在圖2b的放大圖“Α”所示，可以具有第一光電轉換層141、緩沖層143和第二光電轉換層145依次層疊的串聯(Tandem)結構。第一光電轉換層141以及第二光電轉換層145可以分別具有以P型半導體材料層、I型半導體材料層和N型半導體材料層依次層疊的PIN結構。緩沖層143在第一光電轉換層141和第二光電轉換層145之間通過隧道連接，使空穴和電子的移動更加順暢，并由易被濕式蝕刻工序去除的透明導電材料形成。另外，根據第三實施例的光電轉換層140，如在圖2b的放大圖“B”所示，可以具有第一光電轉換層141、第一緩沖層143、第二光電轉換層145、第二緩沖層147和第二光電轉換層149依次層疊的三重(Triple)結構。第一光電轉換層141、第二光電轉換層145、第三光電轉換層149可以分別具有以 P型半導體材料層、I型半導體材料層和N型半導體材料層為依次層疊的PIN結構。第一緩沖層143和第二緩沖層147分別在第一光電轉換層141、第二光電轉換層 145和第三光電轉換層149之間通過隧道連接，使空穴和電子的移動更加順暢，并由易被濕式蝕刻工序去除的透明導電材料形成。其次，如圖2c所示，光電轉換層140上形成透明導電層150。透明導電層150使透過光電轉換層140的太陽光以多種角度發散，增加反射到后述的第二電極170并再次入射到光電轉換層140的光的比例，而提高太陽能電池的效率。 此處，透明導電層150可以由易被濕式蝕刻工程去除的透明導電物質，例如&ι0、Ζη0:Β, ZnOAl和&ι0:Η中的任一種透明導電材料形成。該透明導電層150可以省略。其次，如圖2d所示，通過激光劃線工序將第一電極120上形成的透明導電層150 一部分和光電轉換層140—部分去除以形成接觸線160。此處，接觸線160和第一分隔部 130平行形成，露出與第一分隔部130相鄰的部分第一電極120。
其次，如圖加所示，在光電轉換層140上印刷第二電極170。其中，第二電極170 通過接觸線160與第一電極120連接，并且被第二分隔部180按照預定的間隔分隔。此處， 第二分隔部180與接觸線160平行設置在第一電極120的透明導電層150上，使第二電極 170以預定間隔分隔。第二電極170通過使用金屬漿糊物的單次印刷工序可以形成。其中，該金屬漿糊物可以包括銀(Ag)、鋁(Al)、銅(Cu)、銀鉬(Ag+Mo)、銀鎳(Ag+Ni)或者銀銅(Ag+Cu)等金
jM ο所述印刷工序可以包括絲網印刷法(Screen Printing)、噴墨印刷法(Inkjet Printing)、凹版印刷法(Gravure Printing)、凹版膠印法(Gravure Offset Printing)、 反轉印刷法(Reverse Printing)、柔印印刷法(Flexo Printing)或微接觸印刷法(Micro Contact Printi ng)。所述絲網印刷法為，將油墨涂在印版上，然后將滾壓軸(Squeegee) 移到涂有油墨的印版上并向下壓。噴墨印刷法為使細小墨滴與承印物相碰撞而進行印刷的方法。凹版印刷法為通過使用刮墨刀將油墨從具有平滑面的非油墨涂層刮除，將蝕刻的空狀油墨涂層上的油墨轉印到承印物上來實現的。凹版膠印法為通過將油墨轉移到橡皮布上，然后再次將油墨轉印到承印物上來實現的。反轉印刷法為將油墨用作溶劑的一種印刷方法。柔印印刷法是將油墨涂在懸垂部分進行印刷的方法。微接觸印刷法為使用所需材料的印章進行印刷的印跡方法。另外，通過上述印刷工序印刷第二電極170后，可以增加對已完成印刷的第二電極170進行塑性加工工序。其次，如圖2f所示，以第二電極170作為掩膜進行濕式蝕刻工序均去除第二分隔部180內的透明導電層150和第二分隔部180內的光電轉換層140，露出第一電極120而形成單元分隔部182。其中，單元分隔部182分隔光電轉換層140。濕式蝕刻工序利用輸送機連續移送基板110，并依次執行第一次洗滌工序、蝕刻工序、第二次洗滌工序以及干燥工序。第一次洗滌工序可以包括去除異物工序及第一沖洗(Rinse)工序。去除異物工序將高壓第一超純水(DI)噴射到基板上去除基板上110的異物。該高壓第一超純水(DI)可以噴射到基板110的頂部和底部。第一沖洗工序將第二超純水噴射到完成異物去除工序的基板上110，沖洗(或者洗滌)基板110。該第二超純水可以噴射到基板110的頂部和底部。另一方面，被第一沖洗工序中使用后被回收的第二超純水可以用于異物去除工序時使用的第一超純水。蝕刻工序使用堿性溶液，將第二分隔部180內的透明導電層150和第二分隔部180 內的光電轉換層140均去除，露出第一電極120。蝕刻工序采用噴射(spray)方式，將堿性蝕刻液噴射到基板110上，統一去除第二分隔部180內的透明導電層150和第二分隔部180內的光電轉換層140。該堿性蝕刻液可以以0. 5Pa 2Pa的壓力噴射，優選的是噴射的堿性蝕刻液最好重疊噴射到基板上110。堿性蝕刻液可以包括選自氫氧化鈉(NaOH)和氫氧化鉀(KOH)等堿性系列中一種以上的物質一種溶液，也可以包括選自氯化氫(HC1)、硝酸(HNO3)、硫酸(H2S04)、亞磷酸 (H3PO3)、過氧化氫(H2O2)和乙二酸(C2H2O4)等酸性溶液中一種以上的溶液。優選的是，堿性蝕刻液包括氫氧(OH)系列的堿性蝕刻溶液，但是也可以包括氫(H)系列的酸性蝕刻溶液。
堿性蝕刻液可以用水稀釋，在這種情況下，堿性溶液的濃度范圍最好是5% 20%。并且堿性蝕刻液的溫度最好維持在60V 80°C，蝕刻時間最好在40秒 80秒。另一方面，在蝕刻工序中第二分隔部180內形成的第一電極120由不易被堿性蝕刻液去除的二氧化錫(SnO2)、二氧化錫氟(SnO2 = F)、二氧化錫硼(SnO2 = B)、二氧化錫 鋁(SnO2 = Al)或者銦錫氧化物andium Tin Oxide)等透明的導電材料形成，因此第一電極 120不會被所述蝕刻工序破損。第二次洗滌工序可以包括第二沖洗工序以及最終沖洗工序執行。第二沖洗工序將第三超純水噴射到完成蝕刻工序的基板110上，沖洗(或者洗滌) 基板110上殘留的堿性蝕刻液。該第三超純水噴射到基板110的頂部和底部。另外，被第二沖洗工序中使用后被回收的第三超純水可以用于第一沖洗工序時使用的第二超純水。最終的沖洗工序將第四超純水噴射到完成第二沖洗工序的基板110上，最終沖洗基板。該第四超純水可以噴射到基板110的頂部和底部。另外，被最終沖洗工序中使用后被回收的第四超純水可以用于第二沖洗工序時使用的第三超純水。干燥工序使用氣刀(Air Knife)，對完成最終沖洗工序的基板110進行干燥。優選的是，該氣刀相對于基板110的移送方向傾斜預定角度。如上所述，根據本發明第一實施例薄膜型太陽能電池的制造方法法，通過印刷方式形成第二電極170后，通過噴霧方式的濕式蝕刻工序，形成單元分隔部182。其中，單元分隔部182分隔光電轉換層140。因此，根據本發明第一實施例可以縮短形成單元分隔部182 的工序時間，由于不使用激光劃線工序也可以減少費用。此處，第二電極170由金屬材料形成，因此可以起到即使經過上述濕式蝕刻工序也不會被蝕刻的掩模作用，并且執行噴霧方式的蝕刻工序時，以第二電極170為掩模僅對第二分隔部內的領域進行蝕刻。圖3a至圖3f為依次圖示根據本發明第二實施例薄膜型太陽能電池的制造方法的截面圖。以下參照圖3a至圖3f，按照制造順序對根據本發明第二實施例薄膜型太陽能電池的制造方法進行詳細說明。首先，根據本發明第二實施例薄膜型太陽能電池的制造方法是關于替代建筑物玻璃使用的薄膜型太陽能電池的制造方法。附圖中同一組成要素使用相同的附圖標記，并省略重復說明同一組成要素。如圖3a所示，基板110上形成第一電極120后，通過激光劃線工序按照預定間隔去除第一電極120的一部分，露出部分基板，從而形成第一分隔部130。其次，如圖北所示，形成有第一分隔部130和第一電極120的基板上形成光電轉換層140。其次，如圖3c所示，光電轉換層140上形成透明導電層150。其次，如圖3d所示，通過激光劃線工序均去除部分第一電極120上形成的透明導電層150和光電轉換層140，形成接觸線160。該接觸線160和第一分隔部130并列形成， 露出部分與第一分隔部130相鄰的第一電極120。其次，如圖!Be所示，將第二電極170印刷到光電轉換層140上，其中第二電極170 通過接觸線160與第一電極120連接，并且第二電極170以一定的間隔與第二分隔部180 相分離。第二分隔部180包括單元分隔圖案18 和透光圖案18如。其中，單元分隔圖案182a與接觸線160平行形成在第一電極120上的透明導電層150上，以預定間隔分隔第二電極170，透光圖案18 是通過在一定圖案中去除部分第二電極170而形成的。另外，通過上述印刷工序印刷第二電極170后，可以增加對已完成印刷的第二電極170進行塑性加工工序。其次，如圖3f所示，通過以第二電極170為掩膜的濕式蝕刻工序，一同去除單元分離圖案18 和透光圖案18 內的透明導電層150和光電轉換層140，露出第一電極120而形成單元分隔部182和透光部184。其中，單元分隔部182分隔光電轉換層140，透光部184 露出第一電極120使太陽光透射。此處，濕式蝕刻工序使用堿性蝕刻液的噴霧方式，和上述的第一實施例的制造方法相同，關于此說明用上述說明代替。另外，上述第二分隔部180的透光圖案184a，如圖3f所示，可以具有交叉單元分隔圖案18 的條紋(Stripe)形狀，但是不限于此，也可以具有多種形狀。例如，透光圖案 184a，如圖如所示，具有曲線形狀，或者如圖4b所示形成相同文字形狀。雖然沒有圖示，透光圖案18 可以具有選自圖形、符號和數字等的一種以上的形狀，并且也可以按照需要具有其他形狀。如上所述，根據本發明第二實施例薄膜型太陽能電池的制造方法使用印刷方式形成第二電極170后，通過以第二電極170為掩膜的噴霧式濕式蝕刻工序形成分隔光電轉換層140的單元分隔部182，同時在第二電極170上形成透光部184，因不使用激光劃線工序可以減少費用，并且相對現有的激光劃線工序消耗時間短，通過單元分隔部182和透光部 184確保適用于代替玻璃使用的充分的可視范圍，有利于大量生產。圖5為根據本發明實施例薄膜型太陽能電池的制造裝置的簡要方框圖。如圖5所示，根據本發明實施例薄膜型太陽能電池的制造裝置包括裝載部200、 第一電極形成部210、電極分隔部220、光電轉換層形成部230、接觸線形成部M0、印刷部 250、塑性部沈0、蝕刻工序部270以及卸載部觀0。裝載部200向第一電極形成部210提供基板(未圖示)。該基板可以為玻璃基板， 金屬基板，塑料基板或者撓性基板。第一電極形成部210，如圖加或者圖3a所示，在裝載部200提供的基板上形成由二氧化錫(SnO2)、二氧化錫氟(Sn02:F)、二氧化錫硼(SnO2: B)、二氧化錫鋁(SnO2: Al) 或者銦錫氧化物andium Tin Oxide)等透明導電材料形成的第一電極120。該第一電極形成部210可以通過化學氣相沉積CVD(Chemical Vapor Deposition)形成所述的第一電極 120。該第一電極形成部210具有群集(Cluster)或者內聯形狀。電極分隔部220如圖加或者3a所示，將通過第一電極形成部210在基板上形成的第一電極120的一部分去除，以形成按照預定間隔分隔第一電極120的第一分隔部130。 此處，通過激光劃線工序可以形成第一分隔部130。另外，第一電極120是太陽光入射面，重要的是使太陽光最大限度被太陽能電池吸收。為此，優選的是在第一電極形成部210和電極分隔部220之間設置紋理部(未圖示)。 其中，所述紋理部在第一電極120的表面上形成紋理(Texturing)。光電轉換層形成部230，如圖2b或者圖北所示，在第一電極120和第一分隔部130 形成的基板上形成光電轉換層140。該光電轉換層形成部230按群集形式排置，利用執行化學氣相沉積工序的多個工藝室，在基板上PIN結構的一個光電轉換層140。其中，所述PIN結構為以P型半導體材料，I型半導體材料以及N型半導體材料依次層疊的結構。如圖2b 或者圖北所示的放大圖“Α”或者“B”，當光電轉換層140具有多個層層疊的結構，即串聯 (tandem)或者三重結構時，光電轉換層141、光電轉換層145和光電轉換層149之間會分別形成有緩沖層143和緩沖層147。另外，根據本發明實施例薄膜型太陽能電池的制造裝置，如圖2c或者圖3c所示， 光電轉換層140上可以形成有用于形成透明導電層150的透明導電層形成部235。透明導電層形成部235通過金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)工序或者等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)工序，在光電轉換層140上形成透明導電層150。此處，透明導電層150可以由易被濕式蝕刻工序移出的透明導電材料，例如氧化鋅(ZnO)、氧化鋅 硼(ZnO:B)、氧化鋅鋁(Ζη0:Α1)和氧化鋅氫(ZnO:H)中的任一透明導電材料形成。但是，透明導電層150可以按照太陽能電池的結構而被省略，此時也不用設置透明導電層形成部245。接觸線形成部240如圖2d或者圖3d所示，去除部分在第一電極120上形成的透明導電層150和光電轉換層140，以形成接觸線160。其中，透明導電層150和光電轉換層 140中被去除的部分與第一分隔部130相鄰。隨之，光電轉換層140間隔接觸線160按照預定間隔分離。該接觸線形成部240利用激光劃線工序形成接觸線160。根據第一實施例的印刷部250如圖加所示，將第二電極170印刷到透明導電層 150上。其中，第二電極170通過接觸線160與第一電極120連接，并且間隔第二分隔部180 以預定間隔分離。第二分隔部180同接觸線160并列設置在第一電極120的透明導電層 150上，并按照預定間隔分離第二電極170。印刷部250通過使用金屬漿糊物(Paste)的單次印刷工序形成第二電極170。其中，所述金屬漿糊物可以包括銀(Ag)、鋁(Al)、銅(Cu)、銀鉬(Ag+Mo)、銀鎳(Ag+Ni)或者銀銅(Ag+Cu)等金屬。另外，印刷部250可以通過絲網印刷法(Screen Printing)、噴墨印刷法(Inkjet !Minting)、凹版印刷法(Gravure Printing)、凹版膠印法(Gravure Offset Printing)、 反轉印刷法(Reverse Printing)、柔印印刷法(Flexo Printing)或微接觸印刷法(Micro Contact Printi ng)進行所述印刷工序。根據第二實施例的印刷部250，圖!Be所示，將第二電極170印刷到光電轉換層140 上。其中，第二電極170通過接觸線160與第一電極120連接，并且第二電極170與第二分隔部180之間通過一定間隔相分離。第二分隔部180包括單元分隔圖案18 和透光圖案 18如。其中，單元分隔圖案18 與接觸線160平行形成在第一電極120上的透明導電層 150上，并由單元分隔圖案18 以預定間隔分隔第二電極170，透光圖案18 為通過去除部分第二電極170而形成的。印刷部250通過使用金屬漿糊物的單次印刷工序形成第二電極170。其中，該金屬漿糊物可以包括銀(Ag)、鋁(Al)、銅(Cu)、銀鉬(Ag+Mo)、銀鎳(Ag+Ni)或者銀銅(Ag+Cu)
等金屬ο塑性部沈0，通過對被印刷部250印刷上第二電極170的基板進行加熱等熱處理， 去除從第二電極170的漿糊物中揮發的溶劑，對第二電極170進行塑性處理。蝕刻工序部270，通過以第二電極170為掩膜的噴霧方式的濕式蝕刻工序，如圖2f所示，均去除第二分隔部180內的透明導電層150和第二分隔部180內的光電轉換層140， 形成露出第一電極120的單元分隔部182。并且，如圖3f所示，蝕刻工序部270都均去除第二分隔部180內的單元分離圖案18 和透光圖案18 內的透明導電層150和光電轉換層 140，形成露出第一電極120的單元分隔部182和透光部184。卸載部觀0向外部卸載根據蝕刻工序部270完成蝕刻工序的基板。圖6為圖5所示的蝕刻工序部的簡要示意圖。結合圖6和圖5，蝕刻工序部270包括輸送機310、貝斯缸(kiths) 320、初級洗滌部335、蝕刻工序部350、次級洗滌部365以及干燥部380。輸送機310設置為貫穿貝斯缸320的側面，移送形成有第二電極170的基板。為此，如圖7所示，輸送機310可以包括第一輸送機框架311a和第二輸送機框架31 lb、多個驅動軸313、多個滾柱315、電動機317以及多個滾柱向導319。第一輸送機框架311a和第二輸送機框架311b按照預定間隔分離，平行設置。多個驅動軸313按照預定間隔分別設置在第一輸送機框架311a和第二輸送機框架311b之間，并且可以旋轉。多個滾柱315按照預定間隔分別設置在多個驅動軸313之間，由驅動軸313的旋轉移送基板110。電動機317設置在第一輸送機框架311a的外側面，同時旋轉多個驅動軸313。該電動機317的旋轉力通過設置在第一輸送機框架311a內部的旋轉傳遞部件(未圖示)，分別傳遞到多個驅動軸313。所述旋轉傳遞部件分別連接到電動機317的旋轉軸和多個驅動軸313，可以由連鎖模塊、齒輪模塊或者帶模塊形成。多個滾柱向導(guide roller)319按照預定間隔分別設置在第一輸送機框架 311a和第二輸送機框架311b的上面，可以旋轉，并指引由多個滾柱315移送的基板110的兩側。從而多個滾柱向導319可以防止基板110從輸送機310脫落。貝斯缸320設置成覆蓋輸送機310提供用于濕式蝕刻工序的空間。該輸送機310 設置成貫穿工序室320的單側墻和其他側墻，水平移送基板110。另外，為了對由輸送機310移送的基板110進行濕式蝕刻工序，貝斯缸320分隔為多個空間。即，貝斯缸320分隔為第一沖洗區332、蝕刻區324、第二沖洗區3 和干燥區 328。其中，在第一沖洗區332內設置有異物清除部330和第一沖洗部340，在蝕刻區324內設置有濕式蝕刻部350，在第二沖洗區326內設置有第二沖洗部360和最終沖洗部370，在干燥區328內設置有干燥部380。初級洗滌部335可以包括異物清除部330和第一沖洗部340。異物清除部330設置在第一沖洗區332的一側，向由輸送機310驅動移送的基板 110上噴射高壓第一超純水，解除基板110上的異物。為此，異物清除部330包括至少2個第一噴射噴管332。至少2個第一噴射噴管332設置在輸送機310上方的第一沖洗區322的一側，向基板110上噴射高壓第一超純水，去除基板110上的異物。其中，至少2個第一噴射噴管332 相互隔開一定距離。此處，至少2個第一噴射噴管332間隔輸送機310，設置在第一沖洗區 322的一側頂部和底部，向基板110的頂部和底部噴射第一超純水。至少2個第一噴射噴管 332也可以相互隔開一定距離。
第一沖洗部340設置在第一沖洗區332的另一側，并與異物清除部330相鄰。第一沖洗部340向輸送機310驅動移送的基板110上噴射高壓第二超純水，沖洗(或者洗滌) 基板110。為此，第一沖洗部340包括至少2個第二噴射噴管342。至少2個第二噴射噴管342設置在輸送機310上方的第一沖洗區322的另一側， 向經過異物清除部330移送的基板110上噴射高壓第二超純水，沖洗基板110。其中，至少 2個第一噴射噴管332相互隔開一定距離。此處，優選的是，至少2個第二噴射噴管342分別噴射的第二超純水，重疊噴射到基板110上。至少2個第二噴射噴管342間隔輸送機310，設置在第一沖洗區322的另一側頂部和底部，向基板110的頂部和底部噴射第二超純水。另外，被第一沖洗部340使用后被回收的第二超純水可以用于異物清除部330使用的第一超純水。濕式蝕刻工序部350向由輸送機310驅動移送且經過第一沖洗部；340的基板110 上噴射堿性蝕刻液，以基板上形成的第二電極170為掩膜進行濕式蝕刻工序。濕式蝕刻工序部350，如圖2f所示，均去除第二分隔部180內的透明導電層150和第二分隔部180內的光電轉換層140形成露出第一電極120的單元分隔部182。或者濕式蝕刻工序部350，如圖 3f和3e所示，都均去除第二分隔部180內的單元分離圖案18 和第二分隔部180內的透光圖案18 內的透明導電層150和光電轉換層140，形成露出第一電極120的單元分隔部 182和透光部184。為此，根據第一實施例的濕式蝕刻部350可以包括多個蝕刻噴管352。多個蝕刻液噴管352按照一定間隔設置在輸送機310上方的蝕刻區324的頂部， 噴射堿性蝕刻液到基板上110。該堿性蝕刻液可以以0. 5Pa 2 的壓力噴射，優選的是噴射的堿性蝕刻液重疊噴射到基板上110。堿性蝕刻液可以包括選自氫氧化鈉(NaOH)和氫氧化鉀(KOH)等堿性系列中一種以上的物質一種溶液，也可以包括選自氯化氫(HC1)、硝酸(HNO3)、硫酸(H2S04)、亞磷酸 (H3PO3)、過氧化氫(H2O2)和乙二酸(C2H2O4)等酸性溶液中一種以上的溶液。優選的是，堿性蝕刻液包括氫氧(OH)系列的堿性蝕刻溶液，但是也可以包括氫(H)系列的酸性蝕刻溶液。并且，堿性蝕刻液可以用水稀釋使用，在這種情況下優選的是，堿性溶液的濃度范圍為5% 20%。并且，堿性蝕刻液的溫度最好維持在60°C 80°C，蝕刻時間最好在40 秒 80秒。另外，在蝕刻工序中第二分隔部180內形成的第一電極120，由不易被堿性蝕刻液去除的導電材料形成，因此第一電極120不會被所述蝕刻工序破損。根據第二實施例濕式蝕刻部350，如圖8a所示，包括多個蝕刻液噴管352，噴管支撐部件354，搖擺軸356，以及驅動模塊358。多個蝕刻液噴管352按照一定間隔設置在輸送機310上方的蝕刻區324的頂部， 噴射堿性蝕刻液到基板上110。為此，多個蝕刻液噴管352分別包括按照一定間隔形成的多個噴射孔。蝕刻液噴管352中互相相鄰的噴射孔可以相互不重疊錯開排放。噴管支撐部件3M設置為橫穿多個蝕刻液噴管352 —同支撐多個蝕刻液噴管352。 該噴管支撐部件354以條形狀形成，均支撐多個蝕刻液噴管352的中心部分。或者噴管支撐部件354以梯子形狀形成，分別支撐多個蝕刻液噴管352的中心部分和兩個邊緣。
搖擺軸356設置在噴管支撐部件3M上，與驅動模塊(未圖示)驅動聯動，使噴管支撐部件邪4按照預定距離(距離)向士Y軸方向擺動。此處，Y軸方向和基板110移送方向交叉。雖然未在所述附圖中詳細地圖示，搖擺軸356被風箱(bellows)或者密封部件密封，防止蝕刻時被蝕刻蒸汽損傷。根據第一實施例的驅動模塊358可以包括旋轉運動的凸輪軸(未圖示)，根據凸輪軸的旋轉運動使其向士Y軸方向擺動而設置于搖擺軸356的偏心凸輪(未圖示)，以及旋轉凸輪軸的電動機(未圖示)。電動機使用具有10 50Hz驅動頻率的驅動電源驅動凸輪軸，使搖擺軸356對應于10 50Hz的驅動頻段擺動。根據另一實施例的驅動模塊358可以包括順時針方向以及逆時針方向交替旋轉運動的小齒輪(Pinion)，根據小齒輪的旋轉運動使其向士 Y軸方向擺動而設置到搖擺軸 356的機架(Rack)，以及旋轉小齒輪的電動機。如上所述，根據第二實施例濕式蝕刻部350使多個蝕刻液噴管352向士Y軸方向擺動，將堿性蝕刻液均勻噴射到基板上110，使蝕刻工序均勻進行。另一方面，根據第二實施例濕式蝕刻部350使多個蝕刻液噴管352向士Y軸方向擺動，但并不限于此，如圖8b所示，也可以使多個蝕刻液噴管352向基板110移送方向相同的士 X軸擺動。另一方面，根據第二實施例濕式蝕刻部350，如圖8c所示，使多個蝕刻液噴管352 按照預定士角度反復進行正旋轉以及逆旋轉。為此，驅動模塊358包括與搖擺軸356的電動機。其中，該驅動模塊358的電動機使搖擺軸356按照預定士 β的角度反復進行正旋轉以及逆旋轉運動。如圖6所示，次級洗滌部365可以包括第二沖洗部360和最終沖洗部370。第二沖洗部360與濕式蝕刻部350相鄰設置在第二沖洗區326的一側，向輸送機 310驅動移送的基板110上噴射第三超純水，沖洗(或者洗滌)基板110。為此，第二沖洗部360包括至少2個第三噴射噴管362。至少2個第三噴射噴管332按照一定間隔設置在輸送機310上部的第二沖洗區 326的一側，向經過濕式蝕刻部350移送的基板110上噴射第三超純水，沖洗基板110。此處，優選的是，至少2個第三噴射噴管362分別噴射的第三超純水，重疊噴射到基板110上。至少2個第三噴射噴管362間隔輸送機310，設置在第二沖洗區3 的另一側頂部和底部，向基板110的頂部和底部噴射第三超純水。另外，被第二沖洗部360使用后被回收的第三超純水可以用于第一沖洗部340使用的第二超純水。最終沖洗部370設置在第二沖洗區326的另一側，向由輸送機310驅動移送的基板Iio上噴射第四超純水，最終沖洗(或者洗滌)基板110。為此，最終沖洗部370包括至少2個第四噴射噴管372。至少2個第四噴射噴管372按照一定間隔設置輸送機310上部的第二沖洗區3 的另一側，向經過第二沖洗部360移送的基板110上噴射第四超純水，最終沖洗基板110。 此處，優選的是，至少2個第四噴射噴管372分別噴射的第四超純水，重疊噴射到基板110上。
至少2個第四噴射噴管372間隔輸送機310，設置在第二沖洗區3 的另一側頂部和底部，向基板110的頂部和底部噴射第四超純水。另外，被最終沖洗部370使用后被回收的第四超純水可以用于第二沖洗部360使用的第三超純水。干燥部380設置在與第二沖洗部3 相鄰的干燥區328，對由輸送機310驅動移送的基板進行干燥。即，干燥部380使用設置在輸送機310上方的風刀(Air Knife) 382，去除并干燥經過最終沖洗部370移動的基板110殘留的濕氣。優選的是，氣刀382設置相對基板110的移送方向預定角度傾斜的位置。另一方面，如從蝕刻工序部270經過第一沖洗部340的基板110上殘留第二超純水時，會出現濕式蝕刻部350噴射出的堿性蝕刻液和第二超純水發生混合，導致蝕刻液變得不純，蝕刻不均勻的問題。并且會出現噴射到基板上110的堿性蝕刻液流入到第一沖洗部340，被第一沖洗部340使用后被回收使用為第一超純水的第二超純水變得不純的問題。并且，會出現從上述蝕刻工序部270經過的基板110上殘留堿性蝕刻液時，被第二沖洗部360回收使用為第二超純水的第三超純水變得不純的問題。為了防止所述問題，上述蝕刻工序部270，如圖9所示，可以包括第一中間區 (Neutral Zone) 345 和第二中間區 355。第一中間區345設置在第一沖洗部340和濕式蝕刻部350之間，防止第一沖洗部 340使用的第二超純水和濕式蝕刻部350使用的堿性蝕刻液相互發生混合。為此，第一中間區345，如圖10所示，包括第一空氣幕347和第二空氣幕349。第一空氣幕347設置在與初級洗滌部335相鄰第一中間區345的一側頂部，向初級洗滌部335的基板出口噴射空氣(Air)。更具體地涉及，第一空氣幕347設置在與第一沖洗部340相鄰的第一中間區345的一側頂部，由輸送機310驅動經過第一沖洗部340移送的基板110上噴射預定壓力空氣，使基板110上殘留的第二超純水D12流入到第一沖洗部 340 內。第二空氣幕349設置在與濕式蝕刻部350相鄰處，向經過第一空氣幕347并從濕式蝕刻部350基板入口進入的基板噴射空氣。更具體地涉及，第二空氣幕349設置在與濕式蝕刻部350相鄰的第一中間區345的另一側頂部，由輸送機310驅動經過第一空氣幕347 的基板上噴射預定壓力空氣，使由濕式蝕刻部350噴射殘留在基板110上的堿性蝕刻液ES 流入到濕式蝕刻部350內。另外，第一空氣幕347和第二空氣幕349間隔輸送機310，分別設置在第一中間區 345的頂部和底部，可以向基板110上的頂端和底端噴射空氣。如圖9所示，第二中間區(Neutral Zone) 355設置在濕式蝕刻部350和第二沖洗部360之間，防止在濕式蝕刻部350使用的堿性蝕刻液和在第二沖洗部360使用的第三超純水相互發生混合。為此，第二中間區(Neutr al hne) 355包括第三空氣幕357和第四空氣幕359。第三空氣幕357與濕式蝕刻部350相鄰設置，向完成濕式工序的基板輸出的濕式蝕刻部350的基板出口噴射空氣。更具體地涉及，第三空氣幕357設置在與濕式蝕刻部350 相鄰的第二中間區355的一側頂部，由輸送機310驅動經過濕式蝕刻部350的基板上噴射預定壓力空氣，使基板110上殘留的堿性蝕刻液流入到濕式蝕刻部350內。
第四空氣幕359與次級洗滌部365相鄰設置，向經過第三空氣幕357并由次級洗滌部365的基板入口輸出的基板噴射空氣。更具體地涉及，第四空氣幕359設置在與第二沖洗部360相鄰的第二中間區355的另一側頂部，由輸送機310驅動經過第三空氣幕357 的基板上噴射預定壓力空氣，使基板110上殘留第三超純水流入到第二沖洗部360內。另外，第三空氣幕357和第四空氣幕359分別設置在第二中間區355的頂部和底部，中間間隔設置有輸送機310，向基板110上的頂端和底端可以噴射空氣。如上所述，根據本發明實施例薄膜型太陽能電池的制造裝置，使用印刷方式形成第二電極170之后，通過以第二電極170為掩膜的噴霧式濕式蝕刻工序形成單元分隔部182 或者透光部184。其中，單元分隔部182分隔光電轉換層140，透光部184形成在單元分隔部182和第二電極170內。根據本發明，因不使用激光劃線工序減少費用的同時，相對現有的激光劃線工序消耗時間不長。并且，通過單元分隔部182和透光部184，也確保代替玻璃適用的充分的可視范圍，也有利于大量生產。本領域的技術人員應當理解本發明在對其技術精神和必需的技術特征不做修改的情況下，可以實施為其它具體的形態。因此，以上實施例僅用以說明本發本發明一部分實施例，而不是全部的實施例，而非對其限制。盡管參照前述實施例對本發明進行了詳細的說明，但是本發明的范圍主要體現在后述的專利申請范圍里，根據本發明的意義及范圍以及等同替換概念導出的任何修改或者變形的形態都屬于本發明保護的范圍。
權利要求
1.一種薄膜型太陽能電池的制造裝置，包括第一電極形成部，用于在基板上形成第一電極，并且形成用于將所述第一電極按照預定的間隔分隔的第一分隔部；光電轉換層形成部，用于在包括所述第一電極和所述第一分隔部的基板上形成光電轉換層；接觸線形成部，用于在所述第一電極上形成的光電轉換層中去除預定部分以形成接觸線.一入 ，印刷部，用于在所述光電轉換層上形成第二電極；以及蝕刻工程部，用于通過濕式蝕刻工序去除所述第二分隔部內的光電轉換層，以露出所述第二分隔部內第一電極；其中，所述第二電極通過所述接觸線與所述第一電極連接，并且被第二分隔部按照預定的間隔分隔。
2.根據權利要求1所述的薄膜型太陽能電池的制造裝置，其中， 所述第一電極由不被所述濕式蝕刻工序去除的透明導電材料形成。
3.根據權利要求1所述的薄膜型太陽能電池的制造裝置，其中，所述第一電極由Sn02、Sn02:F、SnO2:B、SnO2 = Al和ITO中的任一種透明導電材料形成。
4.根據權利要求1所述的薄膜型太陽能電池的制造裝置，其中， 所述第二分隔部包括用于將所述第二電極按照預定的間隔分隔的單元分隔圖案；以及按照預定的圖案去除所述第二電極而形成的透光圖案。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的薄膜型太陽能電池的制造裝置，還包括 所述光電轉換層上形成透明導電層的透明導電層形成部，其中，所述接觸線形成部一同去除所述透明導電層和光電轉換層的預定部分以形成所述接觸線，所述蝕刻工序部一同去除所述第二分隔部內的透明導電層和光電轉換層以露出第一電極。
6.根據權利要求5所述的薄膜型太陽能電池的制造裝置，其中， 所述蝕刻工序部包括輸送機，移送所述第二電極形成的基板； 初級洗滌部，對由所述輸送機驅動移送的基板進行第一次洗滌； 濕式蝕刻部，向由所述輸送機的驅動移送并經過所述初級洗滌部的基板上噴射蝕刻液進行所述濕式蝕刻工序；次級洗滌部，對由所述輸送機的驅動移送并經過所述濕式蝕刻部的基板進行第二次洗滌；以及干燥部，對由所述輸送機的驅動移送并經過所述次級洗滌部的基板進行干燥。
7.根據權利要求6所述的薄膜型太陽能電池的制造裝置，其中，所述蝕刻液包括選自NaOH、KOH、HCl, HNO3> H2SO4, H3P03、H2O2和C2H2O4的一種以上的物質。
8.根據權利要求6所述的薄膜型太陽能電池的制造裝置，其中， 所述濕式蝕刻部包括多個蝕刻液噴管，以一定的間隔設置在所述輸送機上，向所述基板上噴射蝕刻液； 噴管支撐部件，一同支撐所述多個蝕刻液噴管； 搖擺軸，支撐所述噴管支撐部件；以及驅動模塊，在預定的距離或角度范圍內搖擺所述搖擺軸。
9.根據權利要求6所述的薄膜型太陽能電池的制造裝置，其中，所述蝕刻工序部還包括設置在所述初級洗滌部和所述濕式蝕刻部之間的第一中間區，其中，所述第一中間區包括第一空氣幕，設置在與所述初級洗滌部相鄰處，向所述初級洗滌部的基板出口噴射空氣；以及第二空氣幕，設置在與所述濕式蝕刻部相鄰處，向所述濕式蝕刻部的基板入口噴射空氣；其中，經過所述初級洗滌部的基板從所述初級洗滌部的基板出口輸出，經過所述第一空氣幕的基板由所述濕式蝕刻部的基板入口進入。
10.根據權利要求6至9中任一項所述的薄膜型太陽能電池的制造裝置，其中， 所述蝕刻工序部還包括設置在所述濕式蝕刻部和所述次級洗滌部之間的第二中間區，其中，所述第二中間區包括第三空氣幕，設置在與所述濕式蝕刻部相鄰處，向所述濕式蝕刻部的基板出口噴射空氣；以及第四空氣幕，設置在與所述次級洗滌部相鄰處，向所述次級洗滌部的基板入口噴射空氣；其中，經過所述濕式蝕刻工序的基板從所述濕式蝕刻部的基板出口輸出，經過所述第三空氣幕的基板由所述次級洗滌部的基板入口進入。
11.根據權利要求1所述的薄膜型太陽能電池的制造裝置，其中，所述印刷部使用漿糊物印刷在所述光電轉換層上，以形成所述第二電極，其中，所述漿糊物包括選自銀(Ag)、鋁(Al)和銅(Cu)的一種以上的物質。
12.一種制造薄膜型太陽能電池的方法，包括 基板面上形成第一電極；去除所述第一電極的預定部分，以形成第一分隔部； 在包括所述第一電極和所述第一分隔部的基板上形成光電轉換層； 去除所述第一電極上形成的所述光電轉換層的預定部分，以形成接觸線； 在所述光電轉換層上印刷第二電極；以及通過濕式蝕刻工序去除所述第二分隔部內的光電轉換層，以露出所述第二分隔部內的第一電極；其中，所述第二電極通過所述接觸線與所述第一電極連接，并且被第二分隔部按照預定的間隔分隔。
13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述第一電極由不被所述濕式蝕刻工序去除的透明導電材料形成。
14.根據權利要求12所述的方法，其中，所述第一電極由Sn02、Sn02:F、SnO2:B、SnO2 = Al和ITO中的任一種透明導電材料形成。
15.根據權利要求12所述的方法，其中， 所述第二分隔部包括用于將所述第二電極按照預定的間隔分隔的單元分隔圖案；以及按照預定的圖案去除所述第二電極而形成的透光圖案。
16.根據權利要求12至15中任一項所述的方法，還包括 所述光電轉換層上形成透明導電層的步驟， 在所述形成第一分隔部的過程中，一同去除所述透明導電層和光電轉換層的預定分以形成接觸線，在所述蝕刻工序的過程中，一同去除所述第二分隔部內的透明導電層和光電轉換層以露出第一電極。
17.根據權利要求16所述的方法，其中， 所述濕式蝕刻工序包括由輸送機的驅動連續移送形成有所述第二電極的基板的步驟； 在初級洗滌部對所述基板進行第一次洗滌的步驟；在包括多個蝕刻液噴管的濕式蝕刻部內，使用所述多個蝕刻液噴管向經過所述第一次洗滌的基板噴射蝕刻液進行所述濕式蝕刻工序的步驟；在次級洗滌部對經過所述濕式蝕刻工序的基板進行第二次洗滌的步驟；以及對經過所述第二次洗滌的基板進行干燥的步驟； 其中，所述多個蝕刻液噴管以一定的間隔設置在所述輸送機上。
18.根據權利要求17所述的方法，其中，所述蝕刻液包括選自NaOH、KOH、HCl, HNO3> H2SO4, H3P03、H2O2和C2H2O4的一種以上的物質。
19.根據權利要求17所述的方法，其中，所述多個蝕刻液噴管在預定的距離或角度范圍內搖擺。
20.根據權利要求17所述的方法，還包括使用在與所述初級洗滌部相鄰處設置的第一空氣幕，向所述初級洗滌部的基板出口噴射空氣；以及使用在與所述濕式蝕刻部相鄰處設置的第二空氣幕，向所述濕式蝕刻部的基板入口噴射空氣；其中，經過所述初級洗滌部的基板從所述初級洗滌部的基板出口輸出，經過所述第一空氣幕的基板由所述濕式蝕刻部的基板入口進入。
21.根據權利要求17至20任一項所述的方法，還包括使用在與所述濕式蝕刻部相鄰處設置的第三空氣幕，向所述濕式蝕刻部的基板出口噴射空氣的步驟；以及使用在與所述次級洗滌部相鄰處設置的第四空氣幕，向所述次級洗滌部的基板入口噴射空氣的步驟；其中，經過所述濕式蝕刻工序的基板從所述濕式蝕刻部的基板出口輸出，經過所述第三空氣幕的基板由所述次級洗滌部的基板入口進入。
22.根據權利要求12所述的方法，其中，所述印刷第二電極的步驟包括，使用漿糊物印刷在所述光電轉換層上，以形成所述第二電極，其中，所述漿糊物包括選自銀(Ag)，鋁(Al)和銅(Cu)的一種以上的物質。
全文摘要
本發明提供一種薄膜型太陽能電池的制造裝置及其制造方法，該薄膜太陽能電池裝置包括在基板上形成第一電極的第一電極形成部；去除部分第一電極形成第一分隔部的電極分隔部；包括第一電極和第一電極分隔部的基板上，形成光電轉換層的光電轉換形成部；去除部分第一電極上的光電轉換層，形成接觸線的接觸線形成部；光電轉換層上形成通過接觸線與第一電極連接且通過第二分隔部被分隔的第二電極的印刷部；以及通過濕式及蝕刻工序去除第二分隔部內的光電轉換層且露出第二分隔部內第一電極的蝕刻工序部。
文檔編號H01L31/18GK102403400SQ20111026810
公開日2012年4月4日 申請日期2011年9月9日 優先權日2010年9月13日
發明者楊澈勛 申請人:周星工程股份有限公司