電子部件的制作方法

專(zhuān)利名稱(chēng)：電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子部件，特別涉及內(nèi)置有電容器的電子部件。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有的電子部件，例如已知專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載的層疊電容器。該層疊電容器具備電容器本體、第一外部端子電極、第二外部端子電極及電容器。電容器本體具有以被層疊的多個(gè)電介質(zhì)層構(gòu)成的層疊構(gòu)造，呈長(zhǎng)方體形狀，該長(zhǎng)方體形狀具有沿著電介質(zhì)層的面方向延伸且相互對(duì)置的第一主面及第二主面、相互對(duì)置的第一側(cè)面及第二側(cè)面、以及相互對(duì)置的第一端面及第二端面的，且具有第一端面及第二端面各自的長(zhǎng)邊方向的尺寸比第一側(cè)面及第二側(cè)面各自的長(zhǎng)邊方向的尺寸長(zhǎng)的形狀。另外，第一外部端子電極與電容器連接，且設(shè)置在第一端面上。第二外部端子電極與電容器連接，且設(shè)置在第二端面上。根據(jù)專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載的層疊電容器，如下面的說(shuō)明所示，較之在第一側(cè)面及第二側(cè)面分別設(shè)置有第一外部端子電極及第二外部端子電極的層疊電容器，能實(shí)現(xiàn)低ESL化。 具有第一端面及第二端面各自的長(zhǎng)邊方向的尺寸比第一側(cè)面及第二側(cè)面各自的長(zhǎng)邊方向的尺寸長(zhǎng)的形狀。由此，在第一側(cè)面及第二側(cè)面分別設(shè)置有第一外部端子電極及第二外部端子電極的層疊電容器中，信號(hào)線路連結(jié)在距離相對(duì)長(zhǎng)且寬度相對(duì)窄的第一側(cè)面和第二側(cè)面之間。另一方面，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載的層疊電容器中，第一外部端子電極及第二外部端子電極分別設(shè)置于第一端面及第二端面。由此，信號(hào)線路連結(jié)在距離相對(duì)短且寬度相對(duì)寬的第一端面和第二端面之間。因此，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載的層疊電容器的信號(hào)線路上產(chǎn)生的電感值，比在第一側(cè)面及第二側(cè)面分別設(shè)置有第一外部端子電極及第二外部端子電極的層疊電容器的信號(hào)線路上產(chǎn)生的電感值小。也就是說(shuō)，根據(jù)專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載的層疊電容器，較之在第一側(cè)面及第二側(cè)面分別設(shè)置有第一外部端子電極及第二外部端子電極的層疊電容器，能實(shí)現(xiàn)低ESL化?？墒牵瑢?zhuān)利文獻(xiàn)1記載的層疊電容器卻具有向電路基板內(nèi)的安裝比較困難的問(wèn)題。圖13(a)是專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載的層疊電容器500被安裝在電路基板600內(nèi)的情況下的斷面構(gòu)造圖，圖13 (b)是專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載的層疊電容器500被安裝在電路基板600內(nèi)情況下的俯視圖。如圖13(a)所示，層疊電容器500被安裝在電路基板600的凹部602內(nèi)。之后， 在層疊電容器500上用密封件604實(shí)施密封。在電路基板600的主面上設(shè)置有布線608a、 608b。布線608a、608b和外部端子電極504a、504b通過(guò)通孔導(dǎo)體606a、606b進(jìn)行連接?；谏鲜鼋Y(jié)構(gòu)，層疊電容器500被安裝在電路基板600內(nèi)。另外，通孔導(dǎo)體606a、606b通過(guò)下述步驟進(jìn)行制作。在將層疊電容器500安裝在凹部602內(nèi)，用密封件604實(shí)施密封之后，在規(guī)定的位置照射具有50 μ m 100 μ m直徑的激光束，從而形成通孔。然后，對(duì)通孔填充導(dǎo)電性膏劑或?qū)嵤╁兏?，從而形成了通孔?dǎo)體606a、 606b。
可是，如圖13(b)所示，外部端子電極504a、504b分別被設(shè)置于第一端面及第二端面。第一側(cè)面及第二側(cè)面的長(zhǎng)邊方向的尺寸L2比第一端面及第二端面的長(zhǎng)邊方向的尺寸 Ll短。因此，如圖13(b)所示，被折返到外部端子電極504a、504b的第一主面上的部分的寬度W變窄了。由此，為使與外部端子電極504a、504b相連接而形成通孔導(dǎo)體606a、606b是比較困難的。特別是，因?yàn)樵O(shè)置有密封件604，所以難以在正確的位置照射激光束，故為使與外部端子電極504a、504b相連接而形成通孔導(dǎo)體606a、606b是比較困難的。

專(zhuān)利文獻(xiàn)1 JP特開(kāi)2009-170873號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)低ESL化、且易于向電路基板內(nèi)安裝的電子部件。本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及電子部件，其特征在于，具備長(zhǎng)方體形狀的層疊體， 具有位于層疊方向兩端的第一主面和第二主面、以及位于該第一主面的短邊延伸的短邊方向的兩端的第一側(cè)面及第二側(cè)面；第一電容器導(dǎo)體及第二電容器導(dǎo)體，在所述層疊體內(nèi)構(gòu)成了電容器；第一外部電極，包括與所述第一電容器導(dǎo)體連接且設(shè)置于所述第一側(cè)面的第一側(cè)面電極、以及與該第一側(cè)面電極連接且按照與所述第一主面的第一角相接的方式設(shè)置于該第一主面的長(zhǎng)方形形狀的第一主面電極；和第二外部電極，包括與所述第二電容器導(dǎo)體連接且設(shè)置于所述第二側(cè)面的第二側(cè)面電極、以及與第二側(cè)面電極連接且按照與位于所述第一角的對(duì)角處的所述第一主面的第二角相接的方式設(shè)置于該第一主面的長(zhǎng)方形形狀的第二主面電極，該第二主面電極在該第一主面的長(zhǎng)邊延伸的長(zhǎng)邊方向上與所述第一主面電極對(duì)置。根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)低ESL化、且易于向電路基板內(nèi)安裝。


圖1是第一實(shí)施方式涉及的電子部件的外觀立體圖及部分放大圖。圖2是圖1的電子部件的層疊體的分解立體圖。圖3是電子部件的母層疊體的分解立體圖。圖4是現(xiàn)有的電子部件的外觀立體圖。圖5是計(jì)算機(jī)模擬仿真的分析結(jié)果。圖6是電子部件被安裝在電路基板內(nèi)情況下的工序剖視圖。圖7是第一變形例涉及的電子部件IOb的外觀立體圖。圖8是圖7的電子部件IOb的層疊體12的分解立體圖。圖9是第二變形例涉及的電子部件IOc的外觀立體圖。圖10是圖9的電子部件IOc的層疊體12的分解立體圖。圖11是第二實(shí)施方式涉及的電子部件的外觀立體圖。圖12是圖11的電子部件的層疊體的分解立體圖。圖13(a)是專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載的層疊電容器被安裝在電路基板內(nèi)情況下的斷面構(gòu)造圖，圖13(b)是專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載的層疊電容器被安裝在電路基板內(nèi)情況下的俯視圖。符號(hào)說(shuō)明
C電容器Cl C8 角S1、S2 主面S3、S4 端面S5、S6 側(cè)面IOa IOd電子部件12層疊體14a、14b 外部電極16a、16b、16_la 16_3a、16_lb 16_3b 側(cè)面電極18a、18b、19a、19b 主面電極20絕緣體層22a、22b 電容器導(dǎo)體23a、23b、24a、24b 引出導(dǎo)體30a、30b、32a、32b 端面電極112母層疊體120陶瓷印刷電路基板
具體實(shí)施例方式下面，參照

本發(fā)明實(shí)施方式所涉及的電子部件。第一實(shí)施方式電子部件的結(jié)構(gòu)首先，參照

第一實(shí)施方式涉及的電子部件的結(jié)構(gòu)。圖1是第一實(shí)施方式涉及的電子部件IOa的外觀立體圖及部分放大圖。圖2是圖1的電子部件IOa的層疊體12 的分解立體圖。下面，將層疊體12的層疊方向設(shè)為ζ軸方向。將在從ζ軸方向俯視層疊體 12時(shí)層疊體12的主面的長(zhǎng)邊延伸的長(zhǎng)邊方向定義為χ軸方向。將在從ζ軸方向俯視層疊體12時(shí)層疊體12的短邊延伸的短邊方向定義為y軸方向。電子部件IOa為芯片電容器，如圖1及圖2所示，具備層疊體12、外部電極14 (14a、 14b)及電容器C(圖1中未示出)。芯片電容器呈具有約600 μ m(x軸方向)X約300 μ m(y 軸方向)X約150 μ m(z軸方向)外形尺寸的長(zhǎng)方體形狀。此外，優(yōu)選芯片電容器的ζ軸方向的高度為50 μ m以上330 μ m以下。此外，芯片電容器的ζ軸方向的高度從薄型觀點(diǎn)出發(fā)， 優(yōu)選為50 μ m以上150 μ m以下。層疊體12呈長(zhǎng)方體形狀。下面，在層疊體12中，將ζ軸方向的正方向側(cè)的面稱(chēng)為主面Si，將Z軸方向的負(fù)方向側(cè)的面稱(chēng)為主面S2。也就是說(shuō)，主面Si、S2位于Z軸方向的兩端。另外，將χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的面稱(chēng)為端面S3，將χ軸方向的正方向側(cè)的面稱(chēng)為端面 S4。也就是說(shuō)，端面S3、S4位于χ軸方向的兩端。另外，將y軸方向的負(fù)方向側(cè)的面稱(chēng)為側(cè)面S5，將y軸方向的正方向側(cè)的面稱(chēng)為側(cè)面S6。也就是說(shuō)，側(cè)面S5、S6位于y軸方向的兩端。層疊體12如圖2所示，多個(gè)絕緣體層20層疊而成。在本實(shí)施方式中，層疊了 30層的絕緣體層20。絕緣體層20呈長(zhǎng)方形形狀，由電介質(zhì)陶瓷制作。作為電介質(zhì)陶瓷的例子，例如有BaTi03、CaTi03、SrTi03或Ca&03。另外，也可將這些材料作為主成分，將Mn化合物、 Fe化合物、Cr化合物、Co化合物或M化合物作為副成分。下面，將絕緣體層20的ζ軸方向的正方向側(cè)的主面稱(chēng)為表面，將絕緣體層20的ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)的主面稱(chēng)為背面。另外，在將端面S3與S4之間的距離設(shè)為L(zhǎng)、將側(cè)面S5與S6之間的距離設(shè)為W、將上面Sl與底面S2之間的距離設(shè)為T(mén)的情況下，優(yōu)選L > W > T關(guān)系成立。特別是，優(yōu)選 T 彡 0. 25mm, 0. 2 · W 彡 T 彡 1. 5 · W。如以上，層疊體12的主面Sl由設(shè)置于ζ軸方向的最正方向側(cè)的絕緣體層20的表面構(gòu)成。層疊體12的主面S2由設(shè)置于ζ軸方向的最負(fù)方向側(cè)的絕緣體層20的背面構(gòu)成。 另外，端面S3由相連多個(gè)絕緣體層20的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊而構(gòu)成。端面S4由相連多個(gè)絕緣體層20的χ軸方向的正方向側(cè)的短邊而構(gòu)成。側(cè)面S5由相連多個(gè)絕緣體層20 的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊而構(gòu)成。側(cè)面S6由相連多個(gè)絕緣體層20的y軸方向的正方向側(cè)的長(zhǎng)邊而構(gòu)成。另外，在層疊體12的主面Sl上，將位于χ軸方向的負(fù)方向側(cè)且y軸方向的負(fù)方向側(cè)的角設(shè)為角Cl。在層疊體12的主面Sl上，將位于X軸方向的正方向側(cè)且y軸方向的正方向側(cè)的角設(shè)為角C2。在層疊體12的主面Sl上，將位于χ軸方向的負(fù)方向側(cè)且y軸方向的正方向側(cè)的角設(shè)為角C3。在層疊體12的主面Sl上，將位于χ軸方向的正方向側(cè)且y軸方向的負(fù)方向側(cè)的角設(shè)為角C4。另外，在層疊體12的主面S2上，將位于χ軸方向的負(fù)方向側(cè)且y軸方向的負(fù)方向側(cè)的角設(shè)為角C5。在層疊體12的主面S2上，將位于χ軸方向的正方向側(cè)且y軸方向的正方向側(cè)的角設(shè)為角C6。在層疊體12的主面S2上，將位于χ軸方向的負(fù)方向側(cè)且y軸方向的正方向側(cè)的角設(shè)為角C7。在層疊體12的主面S2上，將位于χ軸方向的正方向側(cè)且y軸方向的負(fù)方向側(cè)的角設(shè)為角C8。如圖2所示，電容器C由內(nèi)置于層疊體12的電容器導(dǎo)體22 (22a、22b)而構(gòu)成。電容器導(dǎo)體22例如由Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等導(dǎo)電性材料制作。電容器導(dǎo)體22a如圖2所示那樣設(shè)置在絕緣體層20的表面上，且呈長(zhǎng)方形形狀。 電容器導(dǎo)體22a被引出到絕緣體層20的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊。電容器導(dǎo)體22b如圖 2所示那樣設(shè)置在絕緣體層20的表面上，且呈長(zhǎng)方形形狀。電容器導(dǎo)體22b被引出到絕緣體層20的y軸方向的正方向側(cè)的長(zhǎng)邊。電容器導(dǎo)體22a、22b隔著絕緣體層20相互對(duì)置， 產(chǎn)生容量。由此，電容器導(dǎo)體22a、22b在層疊體12內(nèi)構(gòu)成了電容器C。采樣上述結(jié)構(gòu)的電容器導(dǎo)體22a、22b以沿著ζ軸方向交替排列的方式設(shè)置在多個(gè)絕緣體層20上。并且，將層疊了設(shè)置有電容器導(dǎo)體22的多個(gè)絕緣體層20的區(qū)域稱(chēng)為內(nèi)層區(qū)域。另外，在內(nèi)層區(qū)域的ζ軸方向的正方向側(cè)，層疊了未設(shè)置有電容器導(dǎo)體22的多個(gè)絕緣體層20。同樣地，在內(nèi)層區(qū)域的ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)，層疊了未設(shè)置有電容器導(dǎo)體22的多個(gè)絕緣體層20。下面，將這兩個(gè)區(qū)域稱(chēng)為外層區(qū)域。外部電極14a如圖1所示那樣包括側(cè)面電極16a及主面電極18a、19a。側(cè)面電極 16a以覆蓋側(cè)面S5整體的方式設(shè)置，且與電容器導(dǎo)體22a連接。側(cè)面電極16a通過(guò)在由Ni 構(gòu)成的基底電極上實(shí)施Cu鍍覆而制作的。另外，側(cè)面電極16a因?yàn)橥ㄟ^(guò)浸漬法(dipping method)形成基底電極，因此如圖1放大圖所示，折返到與側(cè)面S5相鄰的主面Si、S2及端面S3、S4而形成。并且，將側(cè)面電極16a的折返寬度設(shè)為寬度D。優(yōu)選寬度D為5μπι以上20 μ m以下。主面電極18a通過(guò)在由Ni構(gòu)成的基底電極上實(shí)施Cu鍍覆而制作的。主面電極 18a與側(cè)面電極16a連接，且被設(shè)置在ζ軸方向的最正方向側(cè)所設(shè)的絕緣體層20的表面。 更詳細(xì)而言，主面電極18a是以與主面Sl的角Cl相接的方式設(shè)置在主面Sl上的長(zhǎng)方形形狀的導(dǎo)體層。主面電極18a在y軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊上與側(cè)面電極16a相接。其中，主面電極18a的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊，僅與主面Sl的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的一部分長(zhǎng)邊相接。在主面電極18a的y軸方向的正方向側(cè)的邊與主面Sl的y軸方向的正方向側(cè)的長(zhǎng)邊之間，存在間隙。由此，主面電極18a與外部電極14b被絕緣。其中，主面電極18a的y 軸方向的正方向側(cè)的邊，較之主面Sl的對(duì)角線的交點(diǎn)Pl而位于y軸方向的正方向側(cè)。另外，主面電極18a的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊，與主面Sl的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊相一致。另外，主面電極18a的χ軸方向的正方向側(cè)的邊，較之交點(diǎn)Pl在χ軸方向的負(fù)方向側(cè)沿著y軸方向延伸。主面電極19a通過(guò)在由Ni構(gòu)成的基底電極上實(shí)施Cu鍍覆而制作的。主面電極 19a與側(cè)面電極16a連接，且被設(shè)置在ζ軸方向的最負(fù)方向側(cè)所設(shè)的絕緣體層20的背面。 更詳細(xì)而言，主面電極19a是以與主面S2的角C5相接的方式設(shè)置在主面S2上的長(zhǎng)方形形狀的導(dǎo)體層。主面電極19a在y軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊上與側(cè)面電極16a相接。其中，主面電極19a的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊，僅與主面S2的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的一部分長(zhǎng)邊相接。在主面電極19a的y軸方向的正方向側(cè)的邊與主面S2的y軸方向的正方向側(cè)的長(zhǎng)邊之間，存在間隙。由此，主面電極19a與外部電極14b被絕緣。其中，主面電極19a的y軸方向的正方向側(cè)的邊，較之主面S2的對(duì)角線的交點(diǎn)P2位于y軸方向的正方向側(cè)。另外，主面電極19a的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊，與主面S2的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊相一致。 另外，主面電極19a的χ軸方向的正方向側(cè)的邊，較之交點(diǎn)P2在χ軸方向的負(fù)方向側(cè)沿著 y軸方向延伸。外部電極14b如圖1所示那樣包括側(cè)面電極16b及主面電極18b、19b。側(cè)面電極 16b以覆蓋側(cè)面S6整體的方式設(shè)置，且與電容器導(dǎo)體22b連接。側(cè)面電極16b通過(guò)在由Ni 構(gòu)成的基底電極上實(shí)施Cu鍍覆而制作的。另外，側(cè)面電極16b因?yàn)橥ㄟ^(guò)浸漬法(dipping method)形成基底電極，因此與側(cè)面電極16a同樣地，折返到與側(cè)面S6相鄰的主面S1、S2及端面S3、S4而形成。并且，將側(cè)面電極16b的折返寬度設(shè)為寬度D。優(yōu)選寬度D為5μπι以上20μπι以下。主面電極18b通過(guò)在由Ni構(gòu)成的基底電極上實(shí)施Cu鍍覆而制作的。主面電極 18b與側(cè)面電極16b連接，且被設(shè)置在ζ軸方向的最正方向側(cè)所設(shè)的絕緣體層20的表面。 更詳細(xì)而言，主面電極18b是以與位于角Cl對(duì)角處的主面Sl的角C2相接的方式設(shè)置在主面Sl上的長(zhǎng)方形形狀的導(dǎo)體層。主面電極18b在y軸方向的正方向側(cè)的邊上與側(cè)面電極 16b相接。其中，主面電極18b的y軸方向的正方向側(cè)的邊，僅與主面Sl的y軸方向的正方向側(cè)的一部分長(zhǎng)邊相接。在主面電極18b的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊與主面Sl的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊之間，存在間隙。由此，主面電極18b與外部電極14a被絕緣。其中， 主面電極18b的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊，較之主面Sl的對(duì)角線的交點(diǎn)Pl而位于y軸方向的負(fù)方向側(cè)。另外，主面電極18b的χ軸方向的正方向側(cè)的邊，與主面Sl的χ軸方向的正方向側(cè)的短邊相一致。另外，主面電極18b的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊，較之交點(diǎn)Pl而在χ軸方向的正方向側(cè)沿著y軸方向延伸。由此，主面電極18a的1軸方向的正方向側(cè)的邊與主面電極18b的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊，相互并行地沿著y軸方向延伸，在從χ軸方向俯視時(shí)一部分重疊。也就是說(shuō)，主面電極18a、18b在χ軸方向上隔著間隙相互對(duì)置。主面電極19b通過(guò)在由Ni構(gòu)成的基底電極上實(shí)施Cu鍍覆而制作的。主面電極19b 與側(cè)面電極16b連接，且被設(shè)置在ζ軸方向的最負(fù)方向側(cè)所設(shè)的絕緣體層20的背面。更詳細(xì)而言，主面電極19b是以與位于角C5的對(duì)角處的主面S2的角C6相接的方式設(shè)置在主面 S2上的長(zhǎng)方形形狀的導(dǎo)體層。主面電極19b在y軸方向的正方向側(cè)的邊上與側(cè)面電極16b 相接。其中，主面電極19b的y軸方向的正方向側(cè)的邊，僅與主面S2的y軸方向的正方向側(cè)的一部分長(zhǎng)邊相接。在主面電極19b的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊與主面S2的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊之間，存在間隙。由此，主面電極1%與外部電極14a被絕緣。其中，主面電極19b的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊，較之主面S2的對(duì)角線的交點(diǎn)P2而位于y軸方向的負(fù)方向側(cè)。另外，主面電極19b的χ軸方向的正方向側(cè)的邊，與主面S2的χ軸方向的正方向側(cè)的短邊相一致。另外，主面電極19b的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊，較之交點(diǎn)P2而在χ 軸方向的正方向側(cè)沿著y軸方向延伸。由此，主面電極19a的1軸方向的正方向側(cè)的邊與主面電極19b的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊，相互并行地沿著y軸方向延伸，在從χ軸方向俯視時(shí)一部分重疊。也就是說(shuō)，主面電極19a、19b在χ軸方向上隔著間隙相互對(duì)置。采用上述結(jié)構(gòu)的外部電極14a、14b上形成的鍍覆Cu的厚度，優(yōu)選為2μπι以上 20 μ m以下，如果如后述還考慮耐激光性及薄型化，則進(jìn)一步優(yōu)選為5 μ m以上15 μ m以下。 另外，優(yōu)選外部電極14a、14b的表面粗糙度(Ra)為1. 55 μ m以下。所謂表面粗糙度(Ra) 是在JISB0601-1994中規(guī)定的算術(shù)平均粗糙度Ra。電子部件的制造方法下面，說(shuō)明電子部件IOa的制造方法。圖3是電子部件IOa的母層疊體112的分解立體圖。首先，將作為主成分的BaTi03、CaTiO3> SrTiO3或Ca&03和作為副成分的Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物或M化合物，以規(guī)定的比率進(jìn)行稱(chēng)重，投入到球磨機(jī) (ball mill)中進(jìn)行濕式調(diào)和。在將所得到的混合物干燥之后粉碎，并將所得到的粉末進(jìn)行預(yù)煅燒。將所得到的預(yù)煅燒粉末由球磨機(jī)進(jìn)行濕式粉碎之后，干燥后再粉碎，從而得到電介質(zhì)陶瓷粉末。在該電介質(zhì)陶瓷粉末中加入結(jié)合劑、可塑劑、濕潤(rùn)劑及分散劑由球磨機(jī)進(jìn)行混合， 然后通過(guò)減壓進(jìn)行脫泡。通過(guò)刮粉刀法將所得到的陶瓷生料在載體薄片上形成為薄片狀進(jìn)行干燥，從而制作圖3所述的陶瓷印刷電路基板120。其次，通過(guò)絲網(wǎng)印刷法等方法，在陶瓷印刷電路基板120上涂敷由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的膏劑，形成了電容器導(dǎo)體22a、22b，準(zhǔn)備出形成有電容器導(dǎo)體22a、22b的陶瓷印刷電路基板。由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的膏劑，例如在M中加入了清漆及溶劑。另外，通過(guò)絲網(wǎng)印刷法等方法，在陶瓷印刷電路基板120上涂敷由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的膏劑，形成了主面電極18a、18b或主面電極19a、19b，分別準(zhǔn)備出形成了主面電極18a、 18b或主面電極19a、19b的陶瓷印刷電路基板。由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的膏劑，例如在M中加入了清漆及溶劑。其次，將陶瓷印刷電路基板120 —枚一枚地層疊并臨時(shí)壓接，得到了未燒成的母層疊體112。在層疊陶瓷印刷電路基板120時(shí)，在內(nèi)層區(qū)域中層疊了形成有電容器導(dǎo)體22a、 22b的陶瓷印刷電路基板120，在外層區(qū)域中層疊了未設(shè)置電容器導(dǎo)體22的多個(gè)陶瓷印刷電路基板120。進(jìn)而，還在層疊體的最外側(cè)層疊了形成有主面電極18a、18b或主面電極19a、 19b的陶瓷印刷電路基板120使得主面電極配置在外側(cè)，而得到了母層疊體112。然后，以靜水壓壓接的方式對(duì)未燒成的母層疊體112實(shí)施正式壓接。其次，將未燒成的母層疊體112剪切成規(guī)定尺寸(例如，0. 6mmX0. 3mmX0. 3mm)， 得到了多個(gè)未燒成的層疊體12。接著，通過(guò)浸漬法在未燒成的層疊體12的側(cè)面S5、S6上形成應(yīng)該成為側(cè)面電極16 的Ni電極。此時(shí)，膏劑狀的Ni因表面張力僅涂敷在與側(cè)面S5、S6相鄰的主面S1、S2及端面S3、S4上(參照?qǐng)D1的放大圖)。然后，對(duì)未燒成的層疊體12進(jìn)行燒成。燒成溫度例如優(yōu)選900°C以上1300°C以下。 通過(guò)上述工序，完成了內(nèi)置有電容器導(dǎo)體22的已燒成的層疊體12的準(zhǔn)備工作。其次，通過(guò)鍍覆法，對(duì)應(yīng)該成為側(cè)面電極16及主面電極18、19的Ni電極實(shí)施Cu 鍍覆，而形成了側(cè)面電極16及主面電極18、19。由此，形成了外部電極14。經(jīng)過(guò)以上工序， 完成了電子部件10a。(效果)根據(jù)以上的電子部件10a，能實(shí)現(xiàn)低ESL化。圖4(a)是現(xiàn)有的電子部件210的外觀立體圖。圖5是表示電子部件IOa及電子部件210的頻率與阻抗之間關(guān)系的曲線圖。圖 5是計(jì)算機(jī)模擬仿真的分析結(jié)果。圖4 (a)的電子部件210具備外部電極214a、214b。外部電極214a、214b分別包括端面電極216a,216b及主面電極218a、218b、219a、219b。端面電極216a,216b分別設(shè)置于端面S3、S4。主面電極218a、218b、219a、219b分別設(shè)置于主面Si、S2。由此，在電子部件 210中，信號(hào)線路為端面電極216a與216b之間。也就是說(shuō)，沿著主面Sl的長(zhǎng)邊方向(χ軸方向)傳送信號(hào)。另一方面，在電子部件IOa中，側(cè)面電極16a、16b分別設(shè)置于側(cè)面S5、S6。由此， 在外部電極14a中，信號(hào)線路為側(cè)面電極16a與16b之間。也就是說(shuō)，沿著主面Sl的短邊方向(y軸方向)傳送信號(hào)。因此，在電子部件IOa中，較之電子部件210，信號(hào)線路短且信號(hào)線路更寬。其結(jié)果，電子部件IOa較之電子部件210，能實(shí)現(xiàn)低ESL化。此外，如圖5所示，根據(jù)計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果也可知，在電子部件IOa中，較之電子部件 210，能實(shí)現(xiàn)低ESL化。更詳細(xì)而言，電子部件IOa較之電子部件210，諧振頻率變高。由此可知，主要在200MHz以上的頻帶中，電子部件IOa的阻抗比電子部件210的阻抗小。也就是說(shuō)，可知電子部件IOa較之于電子部件210實(shí)現(xiàn)了低ESL化。進(jìn)而，在諧振方面上，電子部件IOa具有比電子部件210小的阻抗。由此可知，電子部件IOa的電阻值比電子部件210 的電阻值小。S卩，可知在電子部件IOa中，與電子部件210相比，ESR下降了。另外，電子部件IOa易于安裝在電路基板內(nèi)。圖4(b)是現(xiàn)有的電子部件310的外觀立體圖。圖4(b)的電子部件310具備外部電極314a、314b。外部電極314a、314b分別包括側(cè)面電極316a,316b及主面電極318a、318b、319a、319b。側(cè)面電極316a,316b分別設(shè)置于側(cè)面S5、S6。主面電極318a、319a分別沿著主面S1、S2的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊設(shè)置。主面電極318b、319b分別沿著主面S1、S2的y軸方向的正方向側(cè)的長(zhǎng)邊設(shè)置。在以上的電子部件310被安裝在電路基板內(nèi)的情況下，如圖13所示，被收容在電路基板600的凹部602內(nèi)。并且，主面電極318a、318b與通孔導(dǎo)體606a、606b連接?？墒牵陔娮硬考?10中，因?yàn)橹髅骐姌O318a、318b沿著主面Sl的整個(gè)長(zhǎng)邊設(shè)置， 因此無(wú)法將主面電極318a、318b的y軸方向的寬度增大為主面Sl的y軸方向的寬度的一半以上。為此，在電子部件310中，以與主面電極318a、318b連接的方式形成通孔導(dǎo)體606a、 606b是比較困難的。另一方面，在電子部件IOa中，主面電極18a、18b分別是以與主面Sl的角Cl、C2 相接的方式設(shè)置在主面Sl上的長(zhǎng)方形形狀的導(dǎo)體層。由此，主面電極18a、18b在X軸方向上，隔著間隙相互對(duì)置。也就是說(shuō)，在電子部件IOa中，主面電極18a的y軸方向的正方向側(cè)的邊，較之主面電極18b的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊位于y軸方向的正方向側(cè)。由此，在電子部件IOa中，能夠?qū)⒅髅骐姌O18a、18b的y軸方向的寬度增大至主面Sl的y軸方向的寬度的一半以上。由此，在電子部件IOa中，與電子部件310相比，易于形成通孔導(dǎo)體606a、 606b并使其與主面電極18a、18b連接。以上，在電子部件IOa中，既能實(shí)現(xiàn)低ESL化，又能容易安裝在電路基板600內(nèi)。此外，在本實(shí)施方式中，通孔導(dǎo)體606a、606b的直徑為100 μ m。另外，在電子部件IOa中，抑制了向電路基板600內(nèi)安裝時(shí)層疊體12的破損。圖 6是電子部件IOa被安裝在電路基板600內(nèi)時(shí)的工序剖視圖。在電子部件IOa向電路基板600內(nèi)安裝時(shí)，由噴嘴300吸引層疊體12的主面Sl 的狀態(tài)下，將設(shè)置于凹部602內(nèi)的粘合劑610a、610d和主面電極19a、19b進(jìn)行對(duì)位，而裝配在凹部602內(nèi)。此時(shí)，層疊體12在主面Sl的中央部分，從噴嘴300向ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)施力，在主面電極19a、19b中，從凹部602向ζ軸方向的正方向側(cè)施力。因此，電子部件IOa 的長(zhǎng)邊有可能會(huì)彎曲成V字型而破損。特別是在薄型化的電子部件IOa中，破損的可能性變高。因此，在電子部件IOa中，以覆蓋側(cè)面S5、S6的方式設(shè)置有側(cè)面電極16a、16b。由此，增強(qiáng)了層疊體12。其結(jié)果抑制了電子部件IOa的破損。進(jìn)而，在電子部件IOa中，側(cè)面電極16a、16b稍微向與側(cè)面S5、S6相鄰的主面Si、 S2及端面S3、S4折返。由此，更有效地抑制了電子部件IOa的破損。采用上述結(jié)構(gòu)的外部電極14a、14b的鍍覆Cu的厚度，優(yōu)選為2μπι以上20μπι以下，如果還考慮耐激光性及薄型化，則進(jìn)一步優(yōu)選為5 μ m以上15 μ m以下。更詳細(xì)而言，在外部電極14a、14b的鍍覆Cu的厚度小于5μπι的情況下，在安裝電子部件IOa進(jìn)行激光束照射時(shí)，會(huì)損傷外部電極14a、14b。另一方面，在外部電極14a、14b的鍍覆Cu的厚度大于 15 μ m的情況下，形成外部電極14a、14b時(shí)的成本變高，且妨礙了薄型化。外部電極14a、14b的表面粗糙度(Ra)為1. 55 μ m以下，從而在安裝電子部件IOa 進(jìn)行激光束照射時(shí)，在外部電極14a、14b中抑制了激光束的亂反射。第一變形例下面，參照

第一變形例涉及的電子部件10b。圖7是第一變形例涉及的電子部件IOb的外觀立體圖。圖8是圖7的電子部件IOb的層疊體12的分解立體圖。電子部件10與電子部件IOb的不同點(diǎn)在于，外部電極14的形狀及電容器導(dǎo)體22 的形狀。電容器導(dǎo)體2 如圖8所示那樣呈長(zhǎng)方形形狀，且被引出到絕緣體層20的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊。電容器導(dǎo)體22b呈長(zhǎng)方形形狀，且被引出到絕緣體層20的χ軸方向的正方向側(cè)的邊。外部電極14 (Ha、14b)如圖7所示，還包括端面電極30 (30a、30b)。端面電極30a 設(shè)置于層疊體12的端面S3，且與上面電極18a、底面電極19a及側(cè)面電極16a連接，并覆蓋了在端面S3上電容器導(dǎo)體2 露出的部分。其中，端面電極30a不與端面S3的y軸方向的正方向側(cè)的短邊相接，以免與側(cè)面電極16b接觸。端面電極30b設(shè)置于層疊體12的端面S4，且與上面電極18b、底面電極19b及側(cè)面電極16b連接，并覆蓋了在端面S4上電容器導(dǎo)體22b露出的部分。其中，端面電極30b 不與端面S4的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊相接，以免與側(cè)面電極16a接觸。根據(jù)采用上述結(jié)構(gòu)的電子部件10b，端面電極30a、30b還設(shè)置于端面S3、S4。由此，在外部電極14a、14b中，信號(hào)分別經(jīng)由側(cè)面電極16a、16b及端面電極30a、30b進(jìn)行傳送。因此，在電子部件IOb中，較之電子部件10a，信號(hào)線路變寬。其結(jié)果，電子部件IOb較之電子部件10a，實(shí)現(xiàn)了低ESL化。(第二變形例)下面，參照

第二變形例涉及的電子部件10c。圖9是第二變形例涉及的電子部件IOc的外觀立體圖。圖10是圖9的電子部件IOc的層疊體12的分解立體圖。電子部件IOb和電子部件IOc的不同點(diǎn)在于，外部電極14的形狀及電容器導(dǎo)體22 的形狀。電容器導(dǎo)體2 如圖10所示，被引出到絕緣體層20的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊， 并且沿著絕緣體層20的y軸方向的負(fù)方向側(cè)而被引出到絕緣體層20的χ軸方向的正方向側(cè)的短邊。電容器導(dǎo)體22b呈長(zhǎng)方形形狀，且被引出到絕緣體層20的χ軸方向的正方向側(cè)的邊，并沿著絕緣體層20的y軸方向的正方向側(cè)的長(zhǎng)邊而被引出到絕緣體層20的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊。外部電極14(1 ，14b)如圖9所示，還包括端面電極32(3h、32b)。端面電極32a 被設(shè)置于層疊體12的端面S4,且與側(cè)面電極16a連接，并覆蓋在端面S4上電容器導(dǎo)體2 露出的部分。其中，端面電極3 不與端面電極30b相接。端面電極32b被設(shè)置于層疊體12的端面S3，且與側(cè)面電極16b連接，并覆蓋在端面S3上電容器導(dǎo)體22b露出的部分。其中，端面電極32b不與端面電極30a相接。根據(jù)采用上述結(jié)構(gòu)的電子部件10c，端面電極32a、32b還設(shè)置于端面S4、S3。由此，在外部電極14a、14b中，信號(hào)分別經(jīng)由側(cè)面電極16a、16b及端面電極30a、30b、32a、32b 進(jìn)行傳送。由此，在電子部件IOc中，較之電子部件10b，信號(hào)線路更寬。其結(jié)果，較之電子部件10b，電子部件IOc實(shí)現(xiàn)了低ESL化。第二實(shí)施方式電子部件的結(jié)構(gòu)其次，參照

第二實(shí)施方式涉及的電子部件IOd的結(jié)構(gòu)。圖11是第二實(shí)施方式涉及的電子部件IOd的外觀立體圖。圖12是圖11的電子部件IOd的層疊體12的分解立體圖。電子部件IOd是芯片電容器，如圖11及圖12所示，具備層疊體12、外部電極 14(1如、1413)、引出導(dǎo)體23(233、2313)、24(對(duì)3、對(duì)13)(在圖11中未示出)及電容器C(在
11圖11中未示出)。芯片電容器呈具有約600 μ m(x軸方向)X約300ym(y軸方向)X約 150ym(z軸方向)尺寸的長(zhǎng)方體形狀。電子部件IOd的層疊體12的外觀與電子部件IOa 的層疊體12的外觀相同，因此省略說(shuō)明。層疊體12如圖12所示那樣層疊了多個(gè)絕緣體層20而構(gòu)成。由于電子部件IOd 的絕緣體層20與電子部件IOa的絕緣體層20相同，因此省略說(shuō)明。電容器C如圖12所示，由內(nèi)置于層疊體12的電容器導(dǎo)體220h、22b)而構(gòu)成。由于電子部件IOd的電容器C與電子部件IOa的電容器C相同，因此省略說(shuō)明。引出導(dǎo)體23a、2!3b較之內(nèi)層區(qū)域而設(shè)置于ζ軸方向的正方向側(cè)所設(shè)的外層區(qū)域的絕緣體層20的表面。引出導(dǎo)體Ma、24b較之內(nèi)層區(qū)域而設(shè)置于ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)所設(shè)的外層區(qū)域的絕緣體層20的表面。引出導(dǎo)體23a設(shè)置成與絕緣體層20的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊相接，自χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊起延伸。在從ζ軸方向俯視的情況下，引出導(dǎo)體23a與該長(zhǎng)邊相接的部分，和電容器導(dǎo)體2 與該長(zhǎng)邊相接的部分重疊。引出導(dǎo)體2 設(shè)置成與絕緣體層20 的y軸方向的正方向側(cè)的長(zhǎng)邊相接，自χ軸方向的正方向側(cè)的短邊起延伸。在從ζ軸方向俯視的情況下，引出導(dǎo)體2 與該長(zhǎng)邊相接的部分，與電容器導(dǎo)體22b與該長(zhǎng)邊相接的部分重疊。引出導(dǎo)體2 設(shè)置成與絕緣體層20的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊相接，自χ軸方向的正方向側(cè)的短邊起延伸。在從ζ軸方向俯視的情況下，引出導(dǎo)體2 與該長(zhǎng)邊相接的部分，和電容器導(dǎo)體2 與該長(zhǎng)邊相接的部分重疊。引出導(dǎo)體24b設(shè)置成與絕緣體層20 的y軸方向的正方向側(cè)的長(zhǎng)邊相接，自χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊起延伸。在從ζ軸方向俯視的情況下，引出導(dǎo)體24b與該長(zhǎng)邊相接的部分，和電容器導(dǎo)體22b與該長(zhǎng)邊相接的部分重疊。外部電極Ha如圖11所示，包括側(cè)面電極16-la、16-2a、16_3a及主面電極18a、 19a。側(cè)面電極16-la是為覆蓋側(cè)面S5的一部分而設(shè)置的長(zhǎng)方形形狀的電極，且與電容器導(dǎo)體2 連接。側(cè)面電極16-la通過(guò)對(duì)電容器導(dǎo)體2 從側(cè)面S5露出的部分實(shí)施Cu鍍覆而制作的。側(cè)面電極16- 是為覆蓋側(cè)面S5的一部分而設(shè)置的長(zhǎng)方形形狀的電極，且與側(cè)面電極16-la連接。側(cè)面電極16- 通過(guò)對(duì)弓I出導(dǎo)體23a從側(cè)面S5露出的部分實(shí)施Cu鍍覆而制作的。側(cè)面電極16_3a是為覆蓋側(cè)面S5的一部分而設(shè)置的長(zhǎng)方形形狀的電極，且與側(cè)面電極16-la連接。側(cè)面電極16-3a通過(guò)對(duì)弓|出導(dǎo)體2 從側(cè)面S5露出的部分實(shí)施Cu鍍覆而制作的。主面電極18a與側(cè)面電極16- 連接，且被設(shè)置于ζ軸方向的最正方向側(cè)所設(shè)的絕緣體層20的表面。更詳細(xì)而言，主面電極18a是以與主面Sl的角Cl、以及夾持短邊和角 Cl相鄰的角C3相接的方式在主面Sl上設(shè)置的長(zhǎng)方形形狀的導(dǎo)體層。更詳細(xì)而言，主面電極18a在y軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊上，與側(cè)面電極16- 相接。并且，主面電極18a的三邊與主面Sl的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊及兩個(gè)長(zhǎng)邊相接。另外，主面電極ISaWx軸方向的正方向側(cè)的邊，較之主面Sl的對(duì)角線的交點(diǎn)Pl而在χ軸方向的負(fù)方向側(cè)沿著y軸方向延伸。
主面電極19a與側(cè)面電極16_3a連接，且設(shè)置在ζ軸方向的最負(fù)方向側(cè)所設(shè)的絕緣體層20的背面。更詳細(xì)而言，主面電極19a是以與主面S2的角C6、以及夾持短邊和角 C6相鄰的角C8相接的方式在主面S2上設(shè)置的長(zhǎng)方形形狀的導(dǎo)體層。更詳細(xì)而言，主面電極19a在y軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊上，與側(cè)面電極16-3a相接。并且，主面電極19a的三邊與主面S2的χ軸方向的正方向側(cè)的短邊及兩個(gè)長(zhǎng)邊相接。另外，主面電極19a的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊，較之主面S2的對(duì)角線的交點(diǎn)P2而在χ軸方向的正方向側(cè)沿著y軸方向延伸。外部電極14b如圖11所示，包括側(cè)面電極16-lb、16-2b、16_;3b及主面電極18b、 19b。側(cè)面電極16-lb是為覆蓋側(cè)面S6的一部分而設(shè)置的長(zhǎng)方形形狀的電極，且與電容器導(dǎo)體22b連接。側(cè)面電極16-lb通過(guò)對(duì)電容器導(dǎo)體22b從側(cè)面S6露出的部分實(shí)施Cu鍍覆而制作的。側(cè)面電極16_2b是為覆蓋側(cè)面S6的一部分而設(shè)置的長(zhǎng)方形形狀的電極，且與側(cè)面電極16-lb連接。側(cè)面電極16-2b通過(guò)對(duì)引出導(dǎo)體2 從側(cè)面S6露出的部分實(shí)施Cu鍍覆而制作的。側(cè)面電極16- 是為覆蓋側(cè)面S6的一部分而設(shè)置的長(zhǎng)方形形狀的電極，且與側(cè)面電極16-lb連接。側(cè)面電極16- 通過(guò)對(duì)引出導(dǎo)體24b從側(cè)面S6露出的部分實(shí)施Cu鍍覆而制作的。主面電極18b與側(cè)面電極16_2b連接，且被設(shè)置于ζ軸方向的最正方向側(cè)所設(shè)的絕緣體層20的表面。更詳細(xì)而言，主面電極18b是以與主面Sl的角C2、以及夾持短邊與角 C2相鄰的角C4相接的方式在主面Sl上設(shè)置的長(zhǎng)方形形狀的導(dǎo)體層。更詳細(xì)而言，主面電極18b在y軸方向的正方向側(cè)的邊上，與側(cè)面電極16-2b相接。并且，主面電極18b的三邊與主面Sl的χ軸方向的正方向側(cè)的短邊及兩個(gè)長(zhǎng)邊相接。另外，主面電極18b的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊，較之主面Sl的對(duì)角線的交點(diǎn)Pl而在χ軸方向的正方向側(cè)沿著y軸方向延伸。由此，主面電極18a的χ軸方向的正方向側(cè)的邊與主面電極18b的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊，相互平行地沿著y軸方向延伸，在從χ軸方向俯視的情況下重疊。也就是說(shuō)，主面電極18a、18b在χ軸方向上隔著間隙相互對(duì)置。主面電極19b與側(cè)面電極16- 連接，且設(shè)置在ζ軸方向的最負(fù)方向側(cè)所設(shè)的絕緣體層20的背面。更詳細(xì)而言，主面電極19b是以與主面S2的角C5、以及夾持短邊和角 C5相鄰的角C7相接的方式在主面S2上設(shè)置的長(zhǎng)方形形狀的導(dǎo)體層。更詳細(xì)而言，主面電極19b在y軸方向的正方向側(cè)的邊上，與側(cè)面電極16- 相接。并且，主面電極19b的三邊與主面S2的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊及兩個(gè)長(zhǎng)邊相接。另外，主面電極19b的χ軸方向的正方向側(cè)的邊，較之主面S2的對(duì)角線的交點(diǎn)P2而在χ軸方向的負(fù)方向側(cè)沿著y軸方向延伸。由此，主面電極19a的1軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊與主面電極19b的χ軸方向的正方向側(cè)的邊，相互平行地沿著y軸方向延伸，在從χ軸方向俯視的情況下重疊。也就是說(shuō)，主面電極19a、19b在χ軸方向上隔著間隙相互對(duì)置。如電子部件10d，側(cè)面電極16-la 16_3a、16_lb 16- 也可不覆蓋側(cè)面S5、S6 的整個(gè)面。此外，側(cè)面電極16-la 16-3a、16-lb 16_3b，通過(guò)在側(cè)面S5、S6上鍍覆而直接形成。由此，在電子部件IOd的制造方法中，因?yàn)椴恍枰糜谛纬苫纂姌O的浸漬工序， 因此可減少工序數(shù)。
另外，在電子部件IOd中，較之電子部件10a，主面電極18a，18b的y軸方向的寬度寬。因此，易于將電子部件IOd安裝于電路基板600。進(jìn)而，在電子部件IOd中，與電子部件 IOa同樣，能夠?qū)崿F(xiàn)低ESL化。此外，在電子部件IOa IOd中，外部電極14a、14b也可通過(guò)下述工序形成。具體而言，在層疊體12上，由包括可擴(kuò)散至Cu中的金屬及陶瓷粘合劑的導(dǎo)電膏劑形成基底電極，在基底電極上形成第一 Cu鍍覆膜。其次，對(duì)基底電極及第一 Cu鍍覆膜進(jìn)行加熱，使基底電極的金屬擴(kuò)散至第一 Cu鍍覆膜。進(jìn)而，在第一 Cu鍍覆膜上形成第二 Cu鍍覆膜。在以上制作的外部電極14a、14b中，未擴(kuò)散金屬的第二 Cu鍍覆膜構(gòu)成了外部電極 14a、14b的表面。由此，外部電極14a、14b相對(duì)于激光束具有高的反射率。因此，抑制了激光束照射時(shí)對(duì)外部電極14a、14b造成的損傷。其中，第二 Cu鍍覆膜也可不設(shè)置于外部電極 Ha、14b。以上，本發(fā)明在電子部件中是有用的，特別是在能實(shí)現(xiàn)低ESL化且易于向電路基板內(nèi)安裝的方面是優(yōu)異的。
1權(quán)利要求
1.一種電子部件，其特征在于，具備長(zhǎng)方體形狀的層疊體，具有位于層疊方向兩端的第一主面和第二主面、以及位于該第一主面的短邊延伸的短邊方向的兩端的第一側(cè)面及第二側(cè)面；第一電容器導(dǎo)體及第二電容器導(dǎo)體，在所述層疊體內(nèi)構(gòu)成了電容器；第一外部電極，包括與所述第一電容器導(dǎo)體連接且設(shè)置于所述第一側(cè)面的第一側(cè)面電極、以及與該第一側(cè)面電極連接且按照與所述第一主面的第一角相接的方式設(shè)置于該第一主面的長(zhǎng)方形形狀的第一主面電極；和第二外部電極，包括與所述第二電容器導(dǎo)體連接且設(shè)置于所述第二側(cè)面的第二側(cè)面電極、以及與第二側(cè)面電極連接且按照與位于所述第一角的對(duì)角處的所述第一主面的第二角相接的方式設(shè)置于該第一主面的長(zhǎng)方形形狀的第二主面電極，該第二主面電極在該第一主面的長(zhǎng)邊延伸的長(zhǎng)邊方向上與所述第一主面電極對(duì)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于，所述第一側(cè)面電極覆蓋整個(gè)所述第一側(cè)面電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于，所述第一主面電極被設(shè)置成與第三角相接，該第三角夾著所述第一主面的短邊與所述第一角相鄰，所述第二主面電極被設(shè)置成與第四角相接，該第四角夾著所述第一主面的短邊與所述第二角相鄰。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于，所述層疊體的層疊方向的高度為50 μ m以上150 μ m以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于，所述第一側(cè)面電極及所述第二側(cè)面電極通過(guò)鍍覆形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子部件。外部電極(14a)包括設(shè)置于側(cè)面(S5)的側(cè)面電極(16a)、以及與側(cè)面電極(16a)連接且按照與主面(S1)的角(C1)相接的方式設(shè)置于主面(S1)的長(zhǎng)方形形狀的主面電極(18a)。外部電極(14b)與電容器導(dǎo)體連接，且包括設(shè)置于側(cè)面(S6)的側(cè)面電極(16b)、以及與側(cè)面電極(16b)連接且按照與位于角(C1)的對(duì)角處的主面(S1)的角(C2)相接的方式設(shè)置于主面(S1)的長(zhǎng)方形形狀的主面電極(18b)，該主面電極(18b)在主面(S1)的長(zhǎng)邊延伸的x軸方向上與主面電極(18a)對(duì)置。由此，可實(shí)現(xiàn)低ESL化且可易于向電路基板內(nèi)安裝。
文檔編號(hào)H01G4/005GK102385988SQ20111025249
公開(kāi)日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2011年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月6日
發(fā)明者堤啟恭 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所