專利名稱：發光器件、包括發光器件的發光器件封裝以及照明系統的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種發光器件、包括發光器件的發光器件封裝以及照明系統。
背景技術：
通過薄膜生長技術的發展，諸如使用III-V或II-VI族化合物半導體材料的發光二極管或激光二極管的發光器件能夠實現諸如紅、綠、藍和紫外的多種顏色，并且器件能夠使用熒光材料或組合顏色以高效率實現白光，且相比于諸如熒光燈和白熾燈的傳統光源， 具有低功耗、半永久使用壽命、快速響應速度、優秀的安全性和環保的優點。因此，發光器件的應用擴展到光通信設備的傳輸模塊、代替構成液晶顯示屏(LCD) 器件的背光燈的冷陰極熒光燈(CCFL)的發光二極管背光燈、代替熒光燈或白熾燈的白光發光二極管發光器件、汽車頭燈和交通燈。
發明內容
因此，本發明涉及一種發光器件、包括發光器件的發光器件封裝和照明系統，其基本避免了由于相關技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題。實施例實現了在發光器件中容易地形成溝道層，并提高了發光器件的安全性。為了根據本發明的目的實現上述目標和其它優點，如本文體現和寬泛描述的，提供了一種發光器件，包括包括第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層的發光結構；布置在第一導電半導體層上的第一電極；布置在第二導電半導體層上的反射電極；布置在發光結構上并包圍反射電極的溝道層；以及通過附著層連接到溝道層的支撐襯底。溝道層可以由金屬制成，并且可以由從由11、附、？仏？(1、詘、11~和1組成的組中選擇的材料制成。發光器件可以進一步包括部分地布置在第二導電半導體層上的電流阻擋層 (CBL)。發光器件可以進一步包括布置在CBL和第二導電半導體層上的歐姆層。歐姆層可以包圍CBL。反射電極可以包圍所述歐姆層。歐姆層可以由從由IT0、AZ0、IZ0、Ni、Pt和Ag組成的組中選擇的材料制成。可以將歐姆層分為至少兩個單元歐姆層，并且反射電極設置在每個單元歐姆層上。支撐襯底可以由從由Mo、Si、W、Cu和Al組成的組中選擇的材料制成。第一電極可以由從由Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W組成的組中選擇的材料制成。附著層可以由從由In、Sn、Ag、Nb、Ni、Au和Al組成的組中選擇的材料制成。
溝道層可以包圍反射電極。發光器件可以進一步包括鈍化層，以包圍發光結構的側面，并且溝道層可以將鈍化層與反射電極分離。鈍化層可以在發光結構的外表面上接觸溝道層。
溝道層可以在至少一個區域上與發光結構接觸。
根據本發明的另一方面，提供了一種發光器件封裝，包括設置有腔體的主體；設置在主體上的第一引線框架和第二引線框架；以及發光器件，其設置在主體上并且電連接到第一引線框架和第二引線框架，其中發光器件包括包括第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層的發光結構；布置在第一導電半導體層上的第一電極；布置在第二導電半導體層上的反射電極；布置在發光結構上并包圍反射電極的溝道層；以及通過附著層連接到溝道層的支撐襯底。溝道層可以選自由Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W組成的組。發光器件封裝可以進一步包括部分地布置在第二導電半導體層上的電流阻擋層 (CBL)；以及布置在CBL和第二導電半導體層上的歐姆層，其中歐姆層分為至少兩個單元歐姆層，并且反射電極被設置在每個單元歐姆層上。根據本發明的另一方面，提供了一種照明系統，包括發光器件封裝；電連接到發光器件封裝的電路基板；支撐發光器件封裝和電路基板的基板；以及傳送從發光器件封裝發出的光的光學構件，其中發光器件封裝包括設置有腔體的主體；設置在主體上的第一引線框架和第二引線框架；以及發光器件，其設置在主體上并且電連接到第一引線框架和第二引線框架，其中發光器件包括包括第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層的發光結構；布置在第一導電半導體層上的第一電極；布置在第二導電半導體層上的反射電極；布置在發光結構上并包圍反射電極的溝道層；以及通過附著層連接到溝道層的支撐襯底。要理解的是，本發明的前面的一般性描述和以下詳細描述是示例性的和解釋性的并且旨在提供根據權利要求書所記載的本發明的進一步解釋。
被包括以提供本發明的進一步理解并且被并入這里構成本申請的一部分的附圖示出本發明的實施例并且與說明一起用于解釋本發明的原理。在附圖中圖1至8是示出用于制造根據本發明的一個實施例的發光器件的工藝的截面圖；圖9至11是示出根據另一實施例的發光器件的截面圖；圖12是示出根據一個實施例的包括發光器件的發光器件封裝的截面圖；圖13是示出根據一個實施例的包括發光器件封裝的照明裝置的分解透視圖；以及圖14是示出根據一個實施例的包括發光器件封裝的顯示裝置的視圖。
具體實施例方式現在詳細地參考本發明的具體實施例，在附圖中示出其示例。在描述實施例之前，應當理解，當元件被稱為形成在另一元件的“上或者下”時，兩個元件可以彼此直接接觸，或者可以間接布置為其間插入至少一個插入元件。此外，相對于元件的術語“上或下”可以表示在元件“上”以及表示在元件“下”。 在附圖中，為了描述的清楚或者方便起見，各層的厚度或者尺寸被夸大、省略或者示意性地示出。因此，各元件的大小沒有完全反映其實際大小。圖1至8是示出用于制造根據本發明的一個實施例的發光器件的工藝的截面圖。 在下文中，將要描述用于制造根據本發明的一個實施例的發光器件的方法。首先，如圖1所示，發光結構120包括在襯底100上形成的緩沖層(未示出)、第一導電半導體層122、有源層124和第二導電半導體層126。可以用諸如金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)、化學氣相沉積(CVD)、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、分子束外延(MBE)和氫化物氣相外延(HVPE)的方法來形成發光結構120，但是不限于此。襯底100包括導電襯底或絕緣襯底，并且例如由藍寶石(Al2O3)、SiC、GaAs, GaN、 Zn0、Si、GaP、InP、Ge*Ga203中的至少一種制成。可以在襯底100的頂部設置粗糙部，并且本發明不限于此。對襯底100進行濕洗，以去除其表面上的雜質。緩沖層(未示出)可以在發光結構和襯底100之間生長，以減少晶格失配和熱膨脹系數的差異。可以由諸如GaN、InN、A1N、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN的III-V或 II-VI族化合物半導體材料中的至少一種來制成緩沖層。可以在緩沖層上形成非摻雜半導體層，但是本發明不限于此。可以用摻雜有第一導電摻雜物的III-V或II-VI族化合物半導體來實現第一導電半導體層122，并且當第一導電半導體層122是η型半導體層時，第一導電摻雜物例如包括 Si、Ge、Sn、Se或Te作為η型摻雜物，但是摻雜物不限于此。第一導電半導體層122可以包括具有AlxInyGa(1_x_y)N(0彡χ彡1,0 ^ y ^ 1， 0彡x+y彡1)的組成式的半導體材料。可以用GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、 AlGaAs, InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP 和 InP 中的至少一種來制成第一導電半導體層122。有源層124是下面所述的層，其中通過第一導電半導體層122注入的電子與通過后續形成的第二導電半導體層126注入的空穴復合，以發出具有由有源層(發光層)的材料的固有能帶確定的能量的光。有源層124可以具有單量子阱結構、多量子阱(MQW)結構、量子線結構和量子點結構中的至少一種。例如，有源層124可以具有通過注入三甲基鎵(TMGa)氣體、氨氣(NH3)、 氮氣(N2)、三甲基銦氣體(TMIN)形成的多量子阱結構，并且用于有源層120的材料不限于此。有源層124 的阱層 / 勢壘層可以具有 InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、 InAlGaN/GaN.GaAs (InGaAs) /AlGaAs 和 GaP (InGaP) /AlGaP 中的至少一種對結構，并且材料不限于此。阱層可以由帶隙低于勢壘層的材料制成。可以在有源層124上和/或下形成導電包覆層(未示出)。可以由基于AlGaN的半導體制成導電包覆層，且有源層124可以具有高于勢壘層的帶隙。第二導電半導體層126可以包含摻雜有第二導電摻雜物的III-V或II-VI族化合物半導體，諸如具有InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導體材料。當第二導電半導體層126是ρ型半導體層時，第二導電摻雜物可以包括Mg、Zn、Ca、 Sr或Ba作為ρ型摻雜物。如圖2所示，在發光結構120上形成歐姆層140和反射層150。發光結構120，特別是第二導電半導體層126具有低雜質摻雜濃度，從而具有高接觸電阻，并因此會呈現出對金屬的劣化歐姆性質。為了改進這些歐姆性質，可以通過濺射或電子束沉淀形成歐姆層 140。歐姆層140形成在發光結構120和反射層150之間，因此可以是透明電極等。
歐姆層140可以具有約200埃的厚度。歐姆層140包含以下材料中的至少一種 銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物(ΑΤΟ)、鎵鋅氧化物 (GZO)、IZO 氮化物(IZON) ,Al-Ga ZnO (AGZO)、In-GaZnO (IGZO)、ZnO、Ir0x、Ru0x、Ni0、Ru0x/ ITO、Ni/IrOx/Au、和 Ni/Ir0x/Au/IT0、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、 Au、Hf，并且用于歐姆層140的材料不限于此。反射層150可以具有約2500埃的厚度。反射層150是由鋁(Al)、銀(Ag)、鎳(Ni)、 鉬(Pt)、銠(他)，或者包含々148、？丨或他的合金制成的金屬層。鋁、銀等有效地反射從有源層124發出的光，并且顯著地改進發光器件的光提取效率。另外，如圖3所示，可以在反射層150以及暴露的發光結構120的表面上形成溝道層160。溝道層160包圍反射電極。溝道層160可以由金屬制成，并且特別地可以由從由 Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W組成的組中選擇的材料制成。合金可以是鈦和鎳的合金，或者鈦和鉬的合金。溝道層160形成在整個發光器件上，即形成在其中形成歐姆層140和反射層 150的區域上，并且形成在其中暴露發光結構120的溝道區域上。可以使用上述材料通過濺射或電子束沉積來形成溝道層160。如圖4所示，可以在溝道層160上形成附著層170和導電支撐襯底180。可以通過電化學金屬沉積或使用共熔金屬的結合來形成導電支撐襯底180。可以進一步形成單獨的附著層170。導電支撐襯底180可以由具有優異導電性的金屬制成，從而其可以用作第二電極，或者由具有高導熱性的金屬制成，以充分地放出在發光器件操作時產生的熱。導電支撐襯底180可以由選自由鉬(Mo)、硅(Si)、鎢(W)、銅(Cu)、鋁(Al)及其合金組成的組的材料制成。另外，導電支撐襯底180可以選自金(Au)、銅合金、鎳(Ni)、銅-鎢 (Cu-W)和載體晶片(諸如 GaN, Si、Ge、GaAs, ZnO、SiGe、SiC、SiGe 和 Ga203)。另外，導電支撐襯底180可以具有足夠的機械強度，從而能夠通過劃片和斷裂工藝有效地分離為各個芯片而不會使得包含氮化物半導體的發光結構翹曲。附著層170將溝道層160連接到導電支撐襯底180。附著層170可以由從由金 (Au)、錫(Sn)、銦(In)、鋁(Al)、硅(Si)、銀(Ag)、鎳(Ni)、銅(Cu)及其合金組成的組中選擇的材料制成。如圖5所示，分離襯底100。可以通過使用準分子激光等的激光剝離(LLO)方法、 或者干或濕蝕刻來執行襯底(100)的去除。根據激光剝離方法，例如，當具有預定范圍波長的準分子激光聚焦并向襯底100 照射時，熱能集中在襯底100和發光結構120之間的界面上，界面被分離為鎵和氮分子，并且襯底10立即在激光通過的區域中分離。
另外，如圖6所示，發光結構120被劃片為單元發光器件。此時，蝕刻并去除發光結構120，從而發光結構120的寬度小于各單元器件中的溝道層160的寬度。在圖6中，溝道層160整體連接到導電支撐襯底180，發光結構120被布置在溝道層160的一部分中，并且發光結構120的寬度大于歐姆層140和反射層150的寬度。另外，如圖7所示，蝕刻發光結構120的表面，即暴露的第一導電半導體層122的表面。此時，可以通過發光結構120的表面上的掩膜選擇性地執行蝕刻或者通過使用蝕刻液的濕蝕刻或者干蝕刻來執行蝕刻。在蝕刻工藝之后，可以 在發光結構120的表面上選擇性地形成粗糙部。在選擇性的蝕刻工藝之后，發光結構120的表面的一部分可以是平坦的。第一電極190可以形成在第一導電半導體層122上。第一電極190可以具有包含鋁(Al)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、銅(Cu)和金(Au)中的至少一種的單層或多層結構。另外，如圖8所示，可以在發光結構120的側面上形成鈍化層195。鈍化層195可以由絕緣材料制成，且絕緣材料包含非導電氧化物或氮化物。例如， 鈍化層195可以是硅氧化物(SiO2)層、氮氧化物層或氧化鋁層。在該實施例中，用ρ型半導體層實現第一導電半導體層122，并且用η型半導體層實現第二導電半導體層126。另外，具有與第二導電半導體層126相反極性的半導體(例如，在第二導電半導體層是P型半導體層的情況下，為η型半導體層(未示出))可以形成在第二導電半導體層126上。因此，發光結構層可以包括Ν-Ρ結、P-N結、N-P-N結和P-N-P 結結構中的至少一種，當然其結結構不限于此。圖9至11是示出根據另一實施例的發光器件的截面圖。在圖9所示的實施例中，在發光結構120和反射電極140之間形成作為絕緣材料的電流阻擋層(CBL) 130。CBL 130防止電流集中在發光結構120的特定區域，即中心區域上，因此允許光從整個有源層124發射。可以將CBL 130布置在發光器件的中心區域中，或者布置在其中形成第一電極190的區域中。另外，歐姆層140包圍CBL 130，并且反射層150包圍歐姆層140。在圖10所示的實施例中，在發光結構120上(具體而言，在第一導電半導體層122 上)形成具有粗糙部的氮化物半導體層195。具有粗糙部的氮化物半導體層195可以通過諸如MOCVD的方法生長，并且可以在不同的三維生長加速度條件下生長。也就是說，可以通過部分增加/減少第一導電半導體層122的生長速率、部分增加 /減少其生長溫度，或者用氮化鎂(MgNx)或氮化硅(SiNx)對其表面進行處理來形成粗糙部。 另外，可以通過在使用濕蝕刻進行蝕刻之后使第一導電半導體層122形成較大的厚度來形成粗糙部。在該實施例中，在發光器件的表面上形成具有棱錐體形形狀的粗糙部，以減少在從有源層124發射的光到達器件表面之后在器件中全反射且消耗的光量，從而提高發光器件的光提取效率。圖11是示出根據另一實施例的發光器件的截面圖。在該實施例中，歐姆層140分為兩個單元歐姆層，并且反射層150形成在每個單元歐姆層上。歐姆層140和反射層150分為各單元層。也就是說，在一個發光結構120上分離歐姆層140。并且，溝道層160可以用作CBL(電流阻擋層)。
此時，可以通過在構圖之后沉積從由ΙΤ0、ΑΖΟ、ΙΖ0、Ni、Pt和Ag組成的組中選擇的材料，或者選擇性地通過掩膜沉積材料，來執行歐姆層140的形成。 在根據本實施例的發光器件中，使用氧化物或金屬在溝道區域和整個發光器件中形成溝道層，并且可以不進一步地對溝道層構圖。圖12是示出根據一個實施例的包括發光器件的發光器件封裝的截面圖。在該實施例中，發光器件封裝200包括設置有腔體的主體210 ；設置在主體210 上的第一引線框架221和第二引線框架222 ；設置在主體210上的根據上述實施例的發光器件100，并且發光器件100電連接到第一引線框架221和第二引線框架222 ；和設置在腔體中的模制構件240。主體210包含硅、合成樹脂或金屬。當主體210由諸如金屬的導電材料制成時，盡管未示出，但是在主體210的表面上涂覆絕緣材料，以防止第一和第二引線框架221和222 之間的短路。第一引線框架221和第二引線框架222電氣分離，并且向發光器件100提供電流。 另外，第一引線框架221和第二引線框架222反射從發光器件100發射的光以提高光學效率，并釋放在發光器件100中產生的熱。發光器件100可以設置在主體210、第一引線框架221或者第二引線框架222上。 在該實施例中，第一引線框架221和發光器件100彼此直接通信，并且第二引線框架222和發光器件100通過布線230彼此連接。發光器件100可以通過引線結合、倒裝芯片結合或貼片連接到引線框架221和222。模制構件240包圍發光器件100以對其進行保護。另外，模制構件240包括熒光體250，因此能夠改變發光器件100發出的光的波長。從發光器件100發出的第一波長區域的光由熒光體250激勵，并變換為第二波長區域的光，第二波長范圍的光通過透鏡(未示出)，以改變光通路。與本實施例相關的多個發光器件封裝排列在基板上，并且光學構件，即導光板、棱鏡片、擴散片等可以布置在發光器件封裝的光通路中。發光器件封裝、基板和光學構件可以用作光單元。用包括在先前實施例中提及的半導體發光器件或發光器件封裝的顯示裝置、 指示器和照明系統實現另一實施例，照明系統的示例可以包括燈、街燈等。在下文中，將要描述作為包括發光器件封裝的照明系統的照明裝置和背光單元。圖13是示出根據一個實施例的包括發光器件封裝的照明裝置的分解透視圖。在該實施例中，照明裝置包括光源600、包括光源600的外殼400、放出光源600 的熱的散熱器500、以及將光源600和散熱器500連接到外殼400的保持器700。外殼400包括連接到電插座(未示出)的插座連接器410、連接到插座連接器410 的主體構件420，其中主體構件包括光源600。主體構件420可以設置有通氣孔430。在外殼400的主體構件420的表面上設置多個通氣孔430。如圖中所示，通氣孔 430可以被設置為一個通氣孔或者多個呈放射狀布置的通氣孔。可以以其他布置設置通氣孔。光源600包括電路基板610和布置于其上的多個發光器件封裝650。電路基板610 具有可以插入到外殼400的開口中的形狀，并由具有高導熱性的材料制成，以向散熱器500 傳熱。
保持器700設置在光源下，并可以包括邊框架和另外的通氣孔。另外，盡管未示出，但是光學構件設置在光源600下，以擴散、散射、或者會聚光源600的發光器件封裝650 投射的光。圖14是示出根據一個實施例的包括發光器件封裝的 顯示裝置的示意圖。如附圖所示，根據本實施例的顯示裝置800包括光源模塊830和835 ；用作底蓋 820的反射板820;布置在反射板820的前面以將光源模塊發射的光導向顯示裝置的前面的導光板840 ；布置在導光板840前面的第一棱鏡片850和第二棱鏡片860 ；布置在第二棱鏡片860的前面的面板870 ；和布置在面板870前面的濾色片880。光源模塊包括電路基板830和布置于其上的發光器件封裝835。電路基板830可以是PCB等，并且發光器件封裝835是如上參照圖13所描述的那樣。底蓋810可以接受顯示裝置800的構成組件。如附圖所示，反射板820可以設置為單獨的元件，或者設置為設置在導光板840的后表面或者底蓋810的前表面上的具有高反射性的涂層。這里，反射板820可以由能夠以超薄形狀使用的高反射性材料來制成，其示例包括聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。導光板840散射從發光器件封裝模塊發射的光，并且將光均勻地分布在整個液晶顯示裝置的屏幕上。因此，導光板840由高反射和透射材料制成，其示例包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)和聚乙烯(PE)。另外，不形成導光板，而是其中光在設置在反射板上方的空間中傳輸的空導方式也是可能的。使用光透射和彈性聚合物在支撐膜的一側上形成第一棱鏡片850，并且聚合物可以包括具有多個重復形成的三維結構的棱鏡層。這里，如附圖所示，多個圖案可以設置為其中溝槽和肋交替重復的條紋圖案。第二棱鏡片860中布置在支撐膜的一側上的肋和溝槽的方向可以與第一棱鏡片 850中布置在支撐膜的一側上的肋和溝槽的方向垂直，從而從光源模塊和反射板傳遞的光可以在面板870的所有方向上均勻地分布。在本實施例中，第一棱鏡片850和第二棱鏡片860構成光學片，并且例如光學片可以設置為微透鏡陣列、一個或多個擴散片和微透鏡陣列的組合、或者一個棱鏡片和微透鏡陣列的組合。面板870可以是液晶面板，并且可以布置要求光源的其他顯示裝置來替代液晶面板 860。面板870包括上和下玻璃體、密封在玻璃體之間的液晶，以及布置在每個玻璃體上以對光進行偏振的偏振板。液晶具有介于液體和固體之間的中間性質。液晶具有其中像晶體那樣規則地布置的有機分子的狀態，所述有機分子像液體那樣可流動。通過施加電場來改變液晶的分子排列以顯示圖像。用于顯示裝置的液晶面板處于有源矩陣模式，并且使用晶體管作為開關以控制提供給各像素的電壓。濾色片880設置在面板870的前面，并且各像素僅透射從面板870發射的光中的紅、綠和藍光，以顯示圖像。從上文顯而易見的是，根據前述實施例的發光器件、包括發光器件的發光器件封裝以及照明系統，溝道層形成在整個發光器件上，無需單獨的構圖且改進了在電極和附著層之間的附著性。 對本領域的技術人 員來說顯然的是，在沒有脫離本發明的精神和范圍的情況下能夠在本發明中進行各種修改和變化。因此，本發明旨在覆蓋落入隨附的權利要求和它們的等效物的范圍內的本發明的修改和變化。
權利要求
1.一種發光器件，包括包括第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層的發光結構；布置在所述第一導電半導體層上的第一電極；布置在所述第二導電半導體層上的反射電極；布置在所述發光結構上并包圍所述反射電極的溝道層；以及通過附著層連接到所述溝道層的支撐襯底。
2.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述溝道層由金屬制成。
3.根據權利要求2所述的發光器件，其中所述溝道層由從由Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W 組成的組中選擇的材料制成。
4.根據權利要求1所述的發光器件，進一步包括部分地布置在所述第二導電半導體層上的電流阻擋層(CBL)。
5.根據權利要求4所述的發光器件，進一步包括布置在所述CBL和所述第二導電半導體層上的歐姆層。
6.根據權利要求5所述的發光器件，其中所述歐姆層包圍所述CBL。
7.根據權利要求5所述的發光器件，其中所述反射電極包圍所述歐姆層。
8.根據權利要求5所述的發光器件，其中所述歐姆層由從由ΙΤΟ、AZO、IZO、Ni、Pt和 Ag組成的組中選擇的材料制成。
9.根據權利要求5至權利要求8中的任何一項所述的發光器件，其中所述歐姆層被分離成至少兩個單元歐姆層，并且所述反射電極設置在每個歐姆層上。
10.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述支撐襯底由從由Mo、Si、W、Cu和Al組成的組中選擇的材料制成。
11.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一電極由從由Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir 和W組成的組中選擇的材料制成。
12.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述附著層由從由In、Sn、Ag、Nb、Ni、AU和 Al組成的組中選擇的材料制成。
13.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述溝道層包圍所述反射電極。
14.根據權利要求1所述的發光器件，進一步包括鈍化層，以包圍所述發光結構的側面，并且所述溝道層將所述鈍化層與所述反射電極分離。
15.根據權利要求14所述的發光器件，其中所述鈍化層在所述發光結構的外表面與所述溝道層接觸。
16.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述溝道層在至少一個區域中與所述發光結構進行接觸。
17.一種發光器件封裝，包括設置有腔體的主體；設置在所述主體上的第一引線框架和第二引線框架；以及根據權利要求1至權利要求8、權利要求10至權利要求16中的任何一項所述的發光器件，所述發光器件設置在所述主體上，并且電連接到所述第一引線框架和所述第二引線框架。
18.一種照明系統，包括發光器件封裝；電連接到所述發光器件封裝的電路基板； 支撐所述發光器件封裝和所述電路基板的基板；以及傳遞從所述發光器件封裝發射的光的光學構件， 其中所述發光器件封裝包括 設置有腔體的主體；設置在所述主體上的第一引線框架和第二引線框架；以及根據權利要求1至權利要求8、權利要求10至權利要求16中的任何一項所述的發光器件，所述發光器件設置在所述主體上，并且電連接到所述第一引線框架和所述第二引線框架。
全文摘要
本發明公開了一種發光器件、包括發光器件的發光器件封裝以及照明系統。發光器件包括包括第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層的發光結構；布置在第一導電半導體層上的第一電極；布置在第二導電半導體層上的反射電極；布置在發光結構上并包圍反射電極的溝道層；以及通過附著層連接到溝道層的支撐襯底。
文檔編號H01L33/26GK102347411SQ201110214298
公開日2012年2月8日 申請日期2011年7月25日 優先權日2010年7月23日
發明者丁煥熙, 宋俊午, 崔光基, 李尚烈 申請人:Lg伊諾特有限公司