專利名稱：陣列基板、液晶顯示器及陣列基板的制造方法
技術領域：
本發明涉及液晶顯示技術，尤其涉及一種陣列基板、液晶顯示器及陣列基板的制造方法。
背景技術：
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display ；簡稱為TFT_LCD)由于具有體積小、功耗低、無輻射等優點，而成為液晶顯示器中的主流產品。通常TFT-LCD包括液晶面板、驅動電路和背光源。液晶面板是TFT-LCD中的主要部件，由陣列基板和彩膜基板對盒而成，其間填充有液晶層；通過控制驅動電路提供的電壓使液晶分子有序發生偏轉，產生光的明暗變化，其中電壓的控制是由薄膜晶體管完成的。圖IA為現有技術陣列基板的局部俯視結構示意圖，圖IB為圖IA中沿A-A線的側視剖切結構示意圖。如圖IA和IB所示，該陣列基板包括襯底基板1 ；襯底基板1上形成有橫縱交叉的數據線5和柵線2 ；數據線5和柵線2圍設形成矩陣形式排列的像素單元；每個像素單元包括TFT開關和像素電極11 ；TFT開關包括柵電極3、源電極7、漏電極8和有源層 6 (包括半導體層601和歐姆接觸層60 ；柵電極3連接柵線2，源電極7連接數據線5，漏電極8連接像素電極11，有源層6形成在源電極7和漏電極8與柵電極3之間。其中，柵線2和柵電極3上覆蓋柵絕緣層4，與TFT開關和數據線5保持絕緣；TFT開關和數據線5 上覆蓋有鈍化層9，與像素電極11保持絕緣，像素電極11可通過鈍化層過孔10與漏電極8 相連。其中，上述結構和圖案構成陣列基板上的像素區域30 (如圖IA中虛線所圍部分)，而像素區域之外為接口區域40，在圖IA中未示出接口區域40內的具體圖案。隨著TFT-LCD的飛速發展，對TFT-LCD的視角要求不斷提高，廣視角技術 (Wide Viewing Angle)便應運而生。在眾多的廣視角技術中，高級超維場開關技術 (Advanced-Super Dimensional Switching ；簡稱AD-SDS)通過同一平面內像素電極邊緣所產生的平行電場以及像素電極層與公共電極層間產生的縱向電場形成多維空間復合電場，使液晶盒內像素電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉轉換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關技術可以提高TFT-IXD畫面品質，具有高透過率、寬視角、高開口率、低色差、低響應時間、無擠壓水波紋(pushMura) 波紋等優點。之前AD-SDS型TFT-IXD陣列基板一般通過5次掩模工藝制備；第一次掩模形成第一層透明公共電極層(Ist ΙΤ0)，形成在襯底基板上的透明公共電極由公共電極線和透明電極組成；第二次掩模形成柵線和柵電極(fete)，即柵線和柵電極形成在透明公共電極上； 第三次灰階掩模形成包括有源層(通常包括半導體層和有源硅島)、數據線、源電極和漏電極的圖案(SDT)，其中，源電極和漏電極形成在有源層之上，數據線垂直于柵線設置；第四次掩模形成包含鈍化層和鈍化層過孔(Via)的圖案，其中，鈍化層形成在源電極和漏電極之上，并覆蓋整個襯底基板，鈍化層上對應漏電極的位置形成有鈍化層過孔；第五次掩模形成透明像素電極圖案Ond ΙΤ0)，透明像素電極通過鈍化層過孔與漏電極相導通。而減少TFT-IXD陣列基板制造過程中掩模工藝的次數是降低TFT-IXD制造成本的關鍵，因此，為了降低TFT-IXD的制造成本，目前通常采用4次掩模工藝制備AD-SDS型 TFT-IXD。4次掩模工藝與5次掩模工藝的區別在于，第一次掩模利用灰階掩模板將第一層透明公共電極層和柵線、柵電極層同時形成(1st ITO fete HTM mask)；同時，第一次掩模工藝中還會同時形成周邊驅動電路，例如柵極接口區域、公共電極接口區域等。但是，現有技術在利用灰階掩模板制備第一層透明公共電極和柵線、柵電極時，由于在形成周邊驅動電路區域上的驅動電路圖案時會造成相鄰像素區域內顯影液濃度不均勻，造成驅動電路圖案相鄰的像素區域灰階曝光出的光刻膠厚度明顯小于其他像素區域， 通常表現為驅動電路圖案相鄰的像素區域邊緣存在一種云狀的Mura(如圖2A所示)。這種云狀的Mura會影響隨后進行的刻蝕過程，導致刻蝕工藝難度增加，刻蝕工藝參數控制困難，進而造成刻蝕Mura出現，從而降低產品良率。
發明內容
本發明的目的是提供一種陣列基板、液晶顯示器及陣列基板的制造方法，用以在不增加掩模工藝次數的情況下，降低周圍驅動電路區域內的驅動電路圖案對像素區域的影響，提高陣列基板的制造良率。本發明提供一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板包括像素區域和驅動電路區域；位于所述驅動電路區域內的襯底基板上形成有公共電極驅動接口圖案、以及與所述公共電極驅動接口圖案連接的柵線驅動接口圖案和數據線驅動接口圖案；所述公共電極驅動接口圖案上形成有狹縫，且被所述狹縫隔開的公共電極驅動接口圖案的各個部分彼此連接。本發明提供一種液晶顯示器，包括本發明提供的陣列基板。本發明提供一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上依次沉積透明公共電極薄膜和柵金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括所述透明公共電極、柵線、柵電極、公共電極驅動接口圖案和柵線驅動接口圖案的圖案；所述公共電極驅動接口圖案上形成有狹縫，且被所述狹縫隔開的公共電極驅動接口圖案的各個部分彼此連接；在形成上述圖案的襯底基板上依次沉積有源層薄膜和源漏金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括有源層、數據線、數據線驅動接口圖案、源電極和漏電極的圖案；在形成上述圖案的襯底基板上沉積鈍化層薄膜，通過構圖工藝形成包括鈍化層和鈍化層過孔的圖案；在形成上述圖案的襯底基板上沉積像素電極薄膜，通過構圖工藝形成包括像素電極的圖案；所述像素電極通過鈍化層過孔與所述漏電極連接。本發明提供的陣列基板、液晶顯示器及陣列基板的制造方法，采用在公共電極驅動接口圖案上形成狹縫，并使狹縫隔開的公共電極驅動接口圖案的各個部分相連接的技術方案；在形成帶狹縫的公共電極驅動接口圖案時，需要刻蝕掉公共電極驅動接口圖案對應的部分光刻膠，即狹縫對應的光刻膠；刻蝕光刻膠需要消耗顯影液，從而降低驅動電路區域與相鄰像素區域內的顯影液的濃度差異，消除驅動電路區域對相鄰像素區域的影響，進而降低陣列基板的制造不良率，提高陣列基板的質量。
圖IA為現有技術陣列基板的局部俯視結構示意圖；圖IB為圖IA中沿A-A線的側視剖切結構示意圖；圖2A為現有技術中陣列基板的俯視結構示意圖；圖2B為圖2A中公共電極驅動接口圖案的放大示意圖；圖3A為本發明實施例一提供的陣列基板的俯視結構示意圖；圖;3B為圖3A中公共電極驅動接口圖案的放大示意圖；圖3C為圖3A中驅動電路區域與像素區域的一種位置關系示意圖；圖3D為圖3A中驅動電路區域與像素區域的另一種位置關系示意圖；圖4為本發明實施例二提供的陣列基板的制造方法的流程圖。附圖標記I-襯底基板；2-柵線；3-柵電極；4-柵絕緣層；5-數據線；6-有源層；601-半導體層；602-歐姆接觸層； 7_源電極；8-漏電極；9-鈍化層；10-鈍化層過孔；11-像素電極； 30-像素區域；40-接口區域；50-像素區域； 60-驅動電路區域； 611-狹縫；dl-距離；d2-距離；61-公共電極驅動接口圖案；62-柵線驅動接 63-數據線驅動接口圖口圖案；案。
具體實施例方式為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。實施例一圖3A為本發明實施例一提供的陣列基板的俯視結構示意圖；圖;3B為圖3A中公共電極驅動接口圖案的放大示意圖；圖3C為圖3A中驅動電路區域與像素區域的位置關系示意圖。如圖3A所示，本實施例的陣列基板包括襯底基板1 ；襯底基板1上形成像素區域50 和驅動電路區域60。其中，位于像素區域50內的襯底基板1上形成有透明公共電極、橫縱交叉的數據線和柵線；數據線和柵線圍設形成矩陣形式排列的像素單元；每個像素單元包括TFT開關和像素電極；每個TFT開關包括柵電極、源電極、漏電極和形成于柵電極、源電極和漏電極之間的有源層；柵電極連接柵線，源電極連接數據線，漏電極連接像素電極。其中，柵線和柵電極位于所述透明公共電極之上，并一體形成于襯底基板上，柵線上覆蓋有柵絕緣層；有源層形成于柵絕緣層上，即整個TFT開關形成于柵絕緣層上。其中，位于驅動電路區域60內的襯底基板1上形成有公共電極驅動接口圖案61、柵線驅動接口圖案62和數據線驅動接口圖案63 ；柵線驅動接口圖案62和數據線驅動接口圖案63分別與公共電極驅動接口圖案61連接。柵線驅動接口圖案62通過與外部驅動電路連接，向柵線提供柵電壓，同時向與之連接的公共電極驅動接口圖案61提供公共電極電壓。數據線驅動接口圖案63通過與外部驅動電路連接，向數據線提供數據信號，同時向與之連接的公共電極驅動接口圖案61提供公共電極電壓。如圖:3B所示，在本實施例中，公共電極驅動接口圖案61上形成有狹縫611，其中被狹縫611隔開的公共電極驅動接口圖案61 的各個部分彼此連接。其中，現有技術中的公共電極驅動接口圖案是在形成透明公共電極和柵線、柵電極圖案時形成的，具體結構如圖2A和圖2B所示；在現有陣列基板的制造過程中的曝光工藝中，公共電極驅動接口圖案61對應于掩模板上的完全不透光區域；則在顯影工藝中，涂覆于公共電極驅動接口圖案61上的光刻膠，將完全被保留而不被顯影，即不會消耗顯影液； 進一步通過刻蝕工藝形成圖2B所示的公共電極驅動接口圖案61。由上述分析可知，現有技術在形成公共電極驅動接口圖案61的過程中，由于未消耗顯影液，使得公共電極驅動接口圖案上的顯影液濃度比周圍相鄰像素區域內的顯影液濃度要高，則顯影液會由高濃度區域流向低濃度區域，使得像素區域內的顯影液濃度不一致，即與驅動電路區域相鄰的像素區域內的顯影液濃度偏高，會有更多的光刻膠被顯影掉，即將有更多的薄膜被刻蝕掉，最終出現圖2A所示的云狀Mura。而與圖2B相比，本實施例中的公共電極驅動接口圖案61上形成有狹縫611 ；在制造包含狹縫611的公共電極驅動接口圖案61的過程中，公共電極驅動接口圖案61所對應的掩模板上形成有與狹縫611相應的狹縫，即需要對公共電極驅動接口圖案61對應的公共電極薄膜部分上的狹縫位置進行部分曝光；如此一來，在顯影工藝中，公共電極驅動接口圖案61所對應的顯影液會被部分消耗，從而降低了顯影液的濃度，使得驅動電路區域和與之相鄰的像素區域內的顯影液濃度的差異降低或消除，保證了像素區域內顯影液濃度的一致性，最終減輕或消除云狀的Mura，提高了陣列基板的良率和質量。進一步，在上述技術方案中，狹縫611可以均勻分布于公共電極驅動接口圖案61 上。該結構可以通過使用對應于公共電極驅動接口圖案61的位置上設置有均勻分布的狹縫的掩模板實現。該結構可以使公共電極驅動接口圖案61對應區域的顯影液被均勻消耗， 使形成的公共電極驅動接口圖案61具有較佳質量。進一步，在上述技術方案中，狹縫611的形狀可以為圖;3B所示的四邊形，具體可以是矩形、平行四邊形或者不規則四邊形，但并不限于此。例如狹縫611還可以是均勻分布于公共電極驅動接口圖案61上的圓形、橢圓形或其他多邊形等結構。本領域技術人員可以結合實際制造工藝自行選擇所需形狀，并保證所用掩模板上的狹縫形狀與此一致即可。更進一步，如圖3C所示，在本實施例的陣列基板中，驅動電路區域(為了更清晰的進行示例，在圖3C中以公共電極驅動接口圖案代表驅動電路區域，其位置為實線所示)與像素區域之間的距離dl為等于或大于3mm。現有技術中，驅動電路區域與像素區域之間的距離d2通常為1-1. 5mm之間，其中驅動電路區域的位置可參見圖3C中虛線所示。與現有技術相比，本實施例通過增大驅動電路區域與像素區域之間的距離，以進一步減少驅動電路區域對相鄰像素區域的顯影液濃度的影響，使得像素區域內曝光顯影部分的光刻膠厚度能夠保持良好的均勻性，避免在像素區域出現云狀的Mura。
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在此需要說明，在本實施例中增大驅動電路區域和像素區域之間的距離的技術方案是基于本發明提供的形成有狹縫的公共電極驅動接口圖案的技術方案的。但是，本實施例中增大驅動電路區域和像素區域之間的距離的技術方案也可以單獨實施，如圖3D所示。 在圖3D中，公共電極驅動接口圖案61為現有技術中的公共電極驅動接口圖案，即其上并未設有狹縫，而驅動電路區域與像素區域之間的距離dl (實線所示為本發明的驅動電路區域的位置)等于或大于3mm，大于現有技術中的距離d2(虛線所示為現有技術中驅動電路區域的位置)。即圖3D所示結構同樣可以降低驅動電路區域對像素區域的顯影液濃度的影響，保證像素區域顯影液濃度的一致性，保持像素區域曝光顯影的光刻膠厚度的一致性，減少或避免像素區域出現云狀的Mura，進一步提高陣列基板的良率和質量。其中，本實施例的陣列基板的制造工藝具體可參見實施例二的描述。實施例二圖4為本發明實施例二提供的陣列基板的制造方法的流程圖。如圖4所示，本實施例的制造方法包括步驟401，在襯底基板上依次沉積透明公共電極薄膜和柵金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括透明公共電極、柵線、柵電極、公共電極驅動接口圖案和柵線驅動接口圖案的圖案；其中，公共電極驅動接口圖案上形成有狹縫，且被狹縫隔開的公共電極驅動接口圖案的各個部分彼此連接；步驟402，在形成上述圖案的襯底基板上依次沉積柵絕緣層薄膜、有源層薄膜和源漏金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括柵絕緣層、有源層、數據線、數據線驅動接口圖案、源電極和漏電極的圖案；步驟403，在形成上述圖案的襯底基板上沉積鈍化層薄膜，通過構圖工藝形成包括鈍化層和鈍化層過孔的圖案；步驟404，在形成上述圖案的襯底基板上沉積像素電極薄膜，通過構圖工藝形成包括像素電極的圖案；其中，像素電極通過鈍化層過孔與所述漏電極連接。在本實施例中的構圖工藝具體包括涂覆光刻膠、曝光顯影、刻蝕和光刻膠去除等工藝。以步驟401為例對本實施的構圖工藝進行詳細說明。步驟401具體包括步驟4011， 在襯底基板上依次沉積透明公共電極薄膜和柵金屬薄膜；其中，透明公共電極薄膜優選為氧化錫(ITO)。步驟4012，在上述薄膜上涂覆光刻膠；步驟4013，采用灰階掩模板對所述光刻膠進行曝光，然后進行顯影，形成包括完全透光區、部分透光區和完全不透光區的光刻膠圖案；其中，為了形成本實施例的公共電極驅動接口圖案，本實施例所采用的掩模板上對應于公共電極驅動接口圖案的位置設置有狹縫，即公共電極驅動接口圖案上的狹縫對應于完全透光區。步驟4014，進行第一次刻蝕，刻蝕掉完全透光區對應的柵金屬薄膜和透明公共電極薄膜，形成包括柵線、柵電極、公共電極驅動接口圖案和柵線驅動接口圖案的圖案；步驟 4015，根據部分透光區(對應于像素區域)的光刻膠厚度進行灰化處理，完全去除部分透光區的光刻膠，而完全不透光區的光刻膠被部分去除；步驟4016，進行第二次刻蝕，刻蝕掉部分透光區對應的柵金屬薄膜，形成包括透明公共電極的圖案；步驟4017，去除完全不透光區的光刻膠。至此第一次構圖工藝完成，即步驟401結束。通過上述操作形成了包括透明公共電極、柵線、柵電極和公共電極驅動接口圖案和柵線驅動接口圖案的圖案。由于本實施例中，其余步驟與步驟401的操作基本相同，因此不再一一描述。本實施例提供的陣列基板的制造方法，可以制造出具有狹縫的公共電極驅動接口圖案，通過在制造該結構時對顯影液的消耗降低了驅動電路區域對像素區域顯影液濃度的影響，提高了像素區域顯影液濃度的一致性，使得像素區域內曝光顯影的光刻膠具有良好的均勻性，減少或避免了像素區域出現云狀的Mura，并最終提高了陣列基板的良率和質量。進一步，需要說明，本實施例的陣列基板的制造方法可以通過在掩模過程中采用半色調或者灰階掩模板，以制造出狹縫均勻分布于公共電極驅動接口圖案上的陣列基板。 通過該技術方案，可以保證公共電極驅動接口圖案具有較佳質量。更進一步，可以制造出具有矩形、圓形、橢圓形或多邊形等形狀的狹縫的公共電極驅動接口圖案的陣列基板。其中，在上述技術方案的基礎上，公共電極驅動接口圖案、柵線驅動接口圖案和數據線驅動接口圖案構成驅動電路區域；柵線、數據線以及被柵線和數據線圍設的有源層、柵電極、源電極、漏電極、像素電極、鈍化層和鈍化層過孔構成像素區域。基于上述，本實施例制造出的陣列基板中的驅動電路區域與像素區域之間的距離等于或大于3mm。與現有技術相比，通過增大驅動電路區域和像素區域之間的距離，可以進一步降低驅動電路區域對像素區域的顯影液濃度的影響，保證像素區域顯影液濃度的一致性，保持像素區域曝光顯影后光刻膠厚度的一致性，減少或避免像素區域出現云狀的Mura，進一步提高陣列基板的良率禾口質量。實施例三本實施例提供一種液晶顯示器，包括外框架、液晶面板和驅動電路等部件。其中液晶面板是由彩膜基板和本發明提供的陣列基板對盒而成，并在其間填充有液晶層。其中，陣列基板可以采用本發明實施例提供的陣列基板，且可以采用本發明實施例提供的陣列基板的制造方法制造而成。其中關于陣列基板的結構以及制造陣列基板的方法流程在本實施例中不再詳細論述，可以詳見本發明上述實施例。具體的，外框架用于封裝液晶面板，當液晶面板被封裝好后與驅動電路連接，構成本實施例的液晶顯示器。其中，關于液晶顯示器的封裝以及組裝過程屬于本領域技術人員的公知常識，本實施例不做詳細描述。綜上所述，本實施例的液晶顯示器由于具有本發明提供的陣列基板，因此，其減少或避免了在像素區域出現云狀的Mura，并具有較佳的顯示質量。最后應說明的是以上實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的精神和范圍。
權利要求
1.一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板包括像素區域和驅動電路區域；位于所述驅動電路區域內的襯底基板上形成有公共電極驅動接口圖案、以及與所述公共電極驅動接口圖案連接的柵線驅動接口圖案和數據線驅動接口圖案；其特征在于所述公共電極驅動接口圖案上形成有狹縫，且被所述狹縫隔開的公共電極驅動接口圖案的各個部分彼此連接。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述狹縫均勻分布于所述公共電極驅動接口圖案上。
3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述狹縫的形狀為矩形、圓形、橢圓形或多邊形。
4.根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板，其特征在于所述驅動電路區域與所述像素區域之間的距離等于或大于3mm。
5.一種液晶顯示器，其特征在于，包括權利要求1-4任一項所述的陣列基板。
6.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括在襯底基板上依次沉積透明公共電極薄膜和柵金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括透明公共電極、柵線、柵電極、公共電極驅動接口圖案和柵線驅動接口圖案的圖案；所述公共電極驅動接口圖案上形成有狹縫，且被所述狹縫隔開的公共電極驅動接口圖案的各個部分彼此連接；在形成上述圖案的襯底基板上依次沉積柵絕緣層薄膜、有源層薄膜和源漏金屬薄膜， 通過構圖工藝形成包括柵絕緣層、有源層、數據線、數據線驅動接口圖案、源電極和漏電極的圖案；在形成上述圖案的襯底基板上沉積鈍化層薄膜，通過構圖工藝形成包括鈍化層和鈍化層過孔的圖案；在形成上述圖案的襯底基板上沉積像素電極薄膜，通過構圖工藝形成包括像素電極的圖案；所述像素電極通過鈍化層過孔與所述漏電極連接。
7.根據權利要求6所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，通過構圖工藝形成包括透明公共電極、柵線、柵電極、公共電極驅動接口圖案和柵線驅動接口圖案的圖案包括在所述柵金屬薄膜上涂覆光刻膠；使用掩模板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成包括完全透光區、部分透光區和完全不透光區的光刻膠圖案；進行第一次刻蝕，刻蝕掉所述完全透光區對應的柵金屬薄膜和透明公共電極薄膜，形成包括所述柵線、柵電極、公共電極驅動接口圖案和柵線驅動接口圖案的圖案；根據所述部分透光區的光刻膠厚度灰化去除光刻膠；進行第二次刻蝕，刻蝕掉部分透光區對應的柵金屬薄膜，形成包括所述透明公共電極的圖案；去除完全不透光區的光刻膠。
8.根據權利要求6所述的陣列基板的制造方法，其特征在于所述狹縫均勻分布于所述公共電極驅動接口圖案上。
9.根據權利要求6所述的陣列基板的制造方法，其特征在于所述狹縫的形狀為矩形、 圓形、橢圓形或多邊形。
10.根據權利要求6-9任一項所述的陣列基板的制造方法，其特征在于所述公共電極驅動接口圖案、所述柵線驅動接口圖案和所述數據線驅動接口圖案構成驅動電路區域；所述柵線、所述數據線以及被所述柵線和所述數據線圍設的所述有源層、所述柵電極、所述源電極、所述漏電極、所述像素電極、所述鈍化層和所述鈍化層過孔構成像素區域；所述驅動電路區域與所述像素區域之間的距離等于或大于3mm。
全文摘要
本發明公開了一種陣列基板、液晶顯示器及陣列基板的制造方法，其中陣列基板包括襯底基板，襯底基板包括像素區域和驅動電路區域；位于驅動電路區域內的襯底基板上形成有公共電極驅動接口圖案、以及與公共電極驅動接口圖案連接的柵線驅動接口圖案和數據線驅動接口圖案；公共電極驅動接口圖案上形成有狹縫，且被狹縫隔開的公共電極驅動接口圖案的各個部分彼此連接。本發明技術方案在形成公共電極驅動接口圖案上的狹縫時需要消耗顯影液，可以降低周圍驅動電路區域對相鄰像素區域顯影液濃度的影響，提高陣列基板的制造良率。
文檔編號H01L21/77GK102466936SQ20111010293
公開日2012年5月23日 申請日期2011年4月22日 優先權日2010年11月4日
發明者惠官寶 申請人:京東方科技集團股份有限公司