專利名稱：具有電磁干擾屏蔽的連接器系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種包括屏蔽以限制電磁干擾(EMI)的發(fā)射的連接器系統(tǒng)。
背景技術：
公知的連接器系統(tǒng)包括連接器，每個連接器具有一些觸頭，這些觸頭相互接合以在它們之間傳送數(shù)據(jù)信號。一些連接器系統(tǒng)包括具有多對觸頭的連接器，其傳輸高速差分信號。連接器包括導電屏蔽，其試圖限制電磁干擾從觸頭發(fā)射到連接器的外部。例如，連接器系統(tǒng)中的每個連接器包括封閉連接器的觸頭的屏蔽。屏蔽可以和接地參考點電連接來傳輸至少一部分EMI的能量到接地參考點。通過傳輸至少一部分EMI的能量到接地參考點， 屏蔽阻止了至少一些EMI輻射到其他鄰近的連接器。輻射到鄰近配合觸頭的EMI可在通過配合觸頭傳輸?shù)男盘栔幸朐肼?，由此降低了配合觸頭的信噪比。一些公知的屏蔽包括伸長的突起或者凸舌，其接合其他連接器的屏蔽。例如，第一連接器具有帶突起的屏蔽，該突起容納在第二連接器的屏蔽中，從而將兩個屏蔽相互電耦接。突起延伸到接合在其他連接器的屏蔽的外端，從而將屏蔽電耦接。但是，突起可以僅在突起的外端接觸其他連接器的屏蔽。這樣在和突起接觸的點和屏蔽的前端之間留下的屏蔽的懸臂部分可以作為天線。結果，來自連接器中觸頭的被屏蔽懸臂部分接收的EMI能量可以沿著懸臂部分的長度方向振蕩。例如，EMI能量可在突起和屏蔽接觸的點和屏蔽的前端之間沿著屏蔽的懸臂部分振蕩。EMI能量的振蕩可以使屏蔽作為天線。例如，屏蔽可以輻射EMI，如同天線輻射無線數(shù)據(jù)信號。輻射出的EMI會干擾用其它鄰近連接器傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號。其他一些公知的屏蔽具有從屏蔽延伸到暴露側邊的側壁。這些暴露的側邊可以不耦接或者連接到任何其它導電體或屏蔽。這樣，被傳遞到側壁的EMI能量可以在暴露側邊和屏蔽的其他部分之間沿著側壁振蕩。如上所述，振蕩的EMI能量可以導致側壁和天線一樣輻射EMI。因此，需要一種限制EMI從連接器系統(tǒng)的屏蔽的輻射的連接器系統(tǒng)。
發(fā)明內容
根據(jù)本發(fā)明，一種連接器系統(tǒng)包括一管座連接器和一配合連接器。管座連接器包括限定內腔的導電殼以及設置在內腔中的觸頭。配合連接器包括導電構件和連接到外殼的電磁屏蔽，屏蔽具有一伸長的從屏蔽延伸到外端的突起。管座連接器和配合連接器相互耦接，從而使觸頭接合導電構件，突起接合所述殼。導電接地橋連接到管座連接器和配合連接器中的一個，并且當突起接合所述殼時，接合管座連接器和配合連接器的另一個。突起通過接地橋在突起的外端和所述殼電耦接。
圖1是根據(jù)一個實施例的連接器系統(tǒng)的透視圖2是根據(jù)一個實施例的圖1所示的連接器組件的透視圖；圖3是根據(jù)一個實施例的圖1所示的連接器組件的子板的透視圖；圖4是根據(jù)一個實施例的圖1所示的管座連接器與圖1中所示的配合連接器耦接的透視圖；圖5是根據(jù)一個實施例的圖1所示的管座連接器與也在圖1中所示的配合連接器耦接的另一個透視圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的管座連接器和配合連接器耦接的透視圖。
具體實施例方式圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的連接器系統(tǒng)100的透視圖。連接器系統(tǒng)100包括兩個連接器組件102，104，它們相互配合以電耦接兩個電路板106，108。在示出的實施例中，連接器組件102包括幾個可稱為管座連接器的連接器110，連接器組件104包括幾個可稱為配合連接器的連接器112。替代地，連接器110可以是管座連接器之外的其他連接器。 連接器組件104包括并排連接的幾個子板114。子板114包括幾組獨立的彼此線性對齊的配合連接器112。管座連接器110安裝到電路板106，配合連接器112連接到電路板108。電路板106 可為底板電路板，電路板108可為主板。電路板106、108包括幾個鍍孔116，它們和電路板 106、108上的導電通道(未示出)電耦接，從而通過電路板106、108將管座連接器110、配合連接器112和其他設備、元件和/或接地參考點電連接。雖然圖1中所示的本發(fā)明的一個或幾個實施例是依照連接器組件102、104描述的。但是，不是所有的實施例都局限于連接器組件102、104。一個或多個實施例可以采用不是管座連接器110和配合連接器112和連接器組件102、104的其他連接器。圖2是根據(jù)一個實施例的連接器組件102的透視圖。連接器組件102包括外殼 200，其可安裝到電路板上，例如電路板106(圖1所示)。在示出的實施例中，連接器組件 102的管座連接器110相互成幾行和列線性對齊。圖2中所示的每個管座連接器110包括一導電殼202和兩個觸頭204。殼202連接到外殼200并和電路板106(圖1所示)電耦接。例如，殼202具有一插腳206，其延伸過外殼200并從外殼200突起。插腳206可被接納在與接地參考點電連接的電路板106(圖1所示)的鍍孔116中(圖1所示)。如圖2所示，殼202為U形并且通過在觸頭204的三個側面圍繞觸頭204延伸部分地包圍觸頭204。 殼202可以通過電路板106中的插腳206和孔116將從觸頭204輻射的電磁干擾導出到接地參考點。在示出的實施例中，殼202包括相對側壁208、210，它們通過耦接壁212互連。側壁208、210垂直于耦接壁212取向從而使殼202形成U形形狀。替代地，殼202可以包括不同數(shù)量的側壁208、210和/或耦接壁212并且可以具有不同的形狀。例如，殼202可以具有包圍觸頭204的矩形形狀。殼202可由同一塊導電材料形成。例如，殼202可以由一塊金屬或者金屬合金沖壓成型。側壁208、210和耦接壁212延伸到外邊216。側壁208、 210從耦接壁212延伸到下邊220。如圖2所示，下邊220大致垂直于外邊216取向。側壁 208、210和耦接壁212的外邊216限定殼202的前臉218。如下所述，配合連接器112(圖 1所示)通過前臉218容納到殼202中，來將配合連接器112和管座連接器110耦接。
殼202限定了內腔214，觸頭204置于內腔中。內腔214在三側上由側壁208、210 和耦接壁212界定。內腔214可以從側壁208延伸到側壁210并且從耦接壁212延伸到平行于耦接壁212取向的平面。例如，內腔214可以從耦接壁212延伸到包括側壁208、210 的下邊220的平面。在示出的實施例中，觸頭204成對布置在殼202的內腔214。觸頭204可以傳輸高速差分信號。觸頭204連接到外殼200并可以延伸過外殼200并且以殼202的插腳206同樣的方式從外殼200突起。替代地，觸頭204還可以設置有不同于圖2所示的數(shù)量或布置。圖3是根據(jù)一個實施例的圖1所示的連接器組件104的一個子板114的透視圖。 子板114包括基本是平的形狀的外殼300。外殼300包括或者由電介質材料形成，例如一個或多個聚合物。替代地，外殼300可以包括或者由導電材料形成，例如一種或多種金屬或金屬合金。外殼300包括外層殼或導電材料鍍層。例如，外殼300可以為介電主體，其在外殼300外的全部或局部包括一導電鍍層。在示出的實施例中，外殼300包括兩個連接在一起的主體322、324。替代地，外殼300可以形成為整體的主體或者兩個以上的主體形成。子板114包括沿著子板114的前側302相互線性對齊的幾個配合連接器112。子板114包括沿著外殼300的相對側邊306、308延伸的電磁屏蔽304。屏蔽304 包括或由導電材料形成，例如金屬或金屬合金。屏蔽304可以和外殼300電耦接，例如外殼 300的外導電鍍層。導電鍍層可鄰接屏蔽304以電連接鍍層和外殼300。屏蔽304具有插腳310，其從屏蔽304沿著子板114的底邊312突起。在示出的實施例中，子板114的底邊 312大致垂直于前邊302。插腳310插入電路板108(圖1所示)的鍍孔116(圖1所示)， 以通過電路板108來電耦接屏蔽304和電路板108的接地參考點。屏蔽304具有延伸的突起314，其從子板114的前邊302向前突起。突起314延伸到外端316。在示出的實施例中，每個包括在連接器組件104(圖1所示)中的配合連接器 112包括一個突起314。替代地，配合連接器112可以包括多個突起314。同樣如圖3所示，每個配合連接器112包括兩個導電構件318。導電構件318可以是插座觸頭，當管座連接器110和配合連接器112配合時，該插座觸頭容納管座連接器 110(圖1所示)的觸頭204(圖2所示)。例如，在每個配合連接器112中的導電構件318 可以是導電插座，其容納觸頭204以能使差分信號在管座連接器110和配合連接器112之間傳輸。替代地，導電構件318也可以進行不同地設置。例如，配合連接器112可以包括不同數(shù)量導電構件318和/或導電構件318可以接合或耦接觸頭204而不用容納觸頭204。 外殼300的向前部分400定位于子板114的前邊302和屏蔽304之間。向前部分400可包括暴露在子板114的前邊302和屏蔽304之間的那幾部分外殼300。圖4是根據(jù)一個實施例的容納配合連接器112的管座連接器110的透視圖。僅殼 202和管座連接器110的觸頭204的部分表示在圖4中以更清晰示出管座連接器110、和配合連接器112的相互作用。另外，在圖4中僅示出了配合連接器112的導電構件318、屏蔽 304的突起314(圖3所示)以及外殼300(圖3所示)的向前部分400。在示出的實施例中，觸頭204容納在導電構件318中來電耦接管座連接器110和配合連接器112。當導電構件318和觸頭204耦接時，突起314容納在殼202中。突起314 的外端316在殼202或內腔214中接合殼202。替代地，外端316可以相對于殼202定位，以使外端316在殼202外例如在殼202的外部接合殼202。在一個實施例中，當突起314插入內腔214中時，外端316在內腔214中接合殼202的耦接壁212。在殼202中，外端316接合或鄰接殼202的位置可被稱為接合接口 402。當突起314裝入到內腔214中時，外端316 可以沿著耦接壁212滑入內腔214中。外端316沿著耦接壁212的滑入可以除去耦接壁212 的氧化部分從而提高耦接壁212和突起314之間的電連接。結果，殼202和屏蔽304(圖3 所示)通過外端316和耦接壁212之間的接合而電耦接。突起314的其他部分在外端316 和外殼300(圖3所示)的向前部分400之間沒有接合。例如，突起314在接合接口 402和殼202的邊216之間與殼202分開一間隙404。在接合接口 402和邊216之間的那部分耦接壁212可稱為殼202的懸臂部分406。圖5是根據(jù)一個實施例的與配合連接器112耦接的管座連接器110的另一透視圖。管座連接器Iio包括幾個連接到殼202的接地橋500，502，504。替代地，一個或多個接地橋500，502，504可以耦接到配合連接器112。例如，接地橋500，502可以連接到突起314 并且接地橋504可以耦接到外殼300的向前部分400。雖然，在圖5中沒有示出，但是另一個與接地橋504類似的接地橋和示出的接地橋504成鏡像布置并且設置在管座連接器110 或配合連接器112的相對側上。在另一個實施例中，配合連接器112和/或管座連接器110 可以包括少于全部接地橋500，502，504的接地橋。例如，可以不包括接地橋500，502或接地橋504。在另一個實施例中，接地橋圍繞管座連接器110和配合連接器112之間的接口的全部或部分延伸。例如，信號接地橋從每個邊216延伸以耦接到配合連接器112。接地橋500，502，504為導電體，其形成配合連接器112和管座連接器110之間的導電通道。在示出的實施例中，接地橋500，502從耦接壁212的外邊216向前突起。例如， 接地橋500，502可以是耦接壁212的延伸部或可被固定到耦接壁212以使接地橋500，502 從外邊216突起。當突起314插入殼202時，接地橋500，502接合殼202外的屏蔽304 (圖 3所示)的突起314。接地橋500，502在一個位置接合突起314，該位置和在殼202內的突起314的外端316(圖3所示)和殼202之間的接合處間隔一定距離。例如，接地橋500， 502可以在比突起314的外端316更接近外殼300的向前部分400的位置，接合并提供突起314和殼202之間的導電通道。接地橋500，502可以在突起314和外殼300的向前部分 400之間提供更靠近接口 506的導電通道。替代地，接地橋500，502可以固定到突起314并在突起314插入殼202時接合殼202。例如，接地橋500，502可以連接到突起314的上表面 508，以使當突起314裝入到殼202中時，接地橋500，502在耦接壁212的外邊216接合耦接壁212。如圖5所示，在距離突起314和殼202之間的接合接口一定距離的位置，接地橋 500,502 接合殼 202。EMI可以從觸頭204(圖2所示)和導電構件318發(fā)射。例如，當高速差分信號在觸頭204和導電構件318之間傳輸時，產生EMI。EMI能量可以傳輸?shù)今罱颖?12的內表面 514和/或突起314。突起314和耦接壁212之間的接合接口(1)和殼202的外邊216 (2) 之間的耦接壁212上的EMI能量沒有任何導電通道將這些能量傳遞到耦接壁212之外。結果，耦接壁212中的EMI能量在配合接口 402和耦接壁212的外邊216之間來回振蕩。該振蕩導致耦接壁212的懸臂部分406作為一個天線來發(fā)射EMI能量。發(fā)射的EMI可從通過觸頭204和導電構件318在附近的管座連接器110和配合連接器112上傳輸?shù)牟罘中盘栆朐肼?。為了防止EMI從殼202的懸臂部分406發(fā)射，接地橋500，502提供在突起314和殼202之間的另外的耦接以便將EMI傳遞到殼202的耦接壁212之外并防止EMI的能量在耦接壁212中振蕩。接地橋500，502建立了另外的導電通道，這些導電通道為EMI傳遞到屏蔽304的路徑。當EMI的能量被傳導到屏蔽304(圖3)時，可防止耦接壁212中的EMI 沿著殼202的懸臂部分406來回振蕩。在示出的實施例中，接地橋504從側壁208，210的外邊216向前突起。例如，接地橋504可以是側壁208，210的延伸部或者可被固定到側壁208，210，以使接地橋504從外邊216突起。當突起314插入殼202時，接地橋504接合外殼300的向前部分400。當觸頭 204 (圖2所示)和導電構件318相互配合時，管座連接器110的殼202和配合連接器112 的外殼300的向前部分400可以分開一間隙512。接地橋504可以跨越間隙512以便在殼 202和外殼300的向前部分400之間提供穿越間隙512的導電通道。如上所述，外殼300的外部可以包括導電鍍層。接地橋504可以接合該鍍層來電耦接殼202和外殼300。在示出的實施例中，接地橋504在與突起314和殼202之間的接地橋500，502和接合接口 402為一定間隔的位置接合外殼300。接地橋504在與側壁208，210和耦接壁212之間的接口 510為一定間隔的位置接合外殼300的向前部分400。接口 510代表側壁208，210和耦接壁212的相交部。接地橋 504置于在或接近側壁208，210的下邊220以便提供側壁208，210和配合連接器112的外殼300的向前部分400之間的導電通道。替代地，接地橋504可以置于側壁208，210的其他位置。例如，接地橋504可以置于比圖5中所示的實施例更接近接口 510的位置。在另一實施例中，接地橋504可以固定到配合連接器112的外殼300的向前部分 400并且當突起314裝入到殼202中時，接合側壁208，210。例如，接地橋504可以從外殼 300向前突起以使當突起314裝入到殼202中時，接地橋504在或者接近側壁208，210的外邊216處接合側壁208，210。如上所述，EMI可以從觸頭204或導電構件318發(fā)射。EMI的一些能量可以傳遞到殼202的側壁208，210。在側壁208，210和配合連接器112之間沒有另外的導電通道，一些 EMI能量可以沿著208，210在接口 510和側壁208，210的下邊220之間來回振蕩。該振蕩可以導致側壁208，210作為天線發(fā)射EMI能量。發(fā)射的電磁干擾可從通過觸頭204和導電構件318在附近的管座連接器110和配合連接器112上傳輸?shù)牟罘中盘栆朐肼暋＝拥貥?04提供在側壁208，210和配合連接器112之間額外耦接以便將EMI傳輸出側壁208，210并且阻止EMI能量在側壁208，210中振蕩。接地橋504建立額外的導電通道，該導電通道為EMI傳輸?shù)脚浜线B接器112的外殼300的向前部分400的路徑。當EMI 能量被傳導到配合連接器112的向前部分400時，可不允許側壁208，210中的EMI在接口 510和下邊220之間沿側壁208，210來回振蕩。EMI可以穿過配合連接器112的外殼300 的向前部分400傳導到屏蔽304。圖6是根據(jù)本發(fā)明的另外一個實施例的與配合連接器602耦接的管座連接器600 的透視圖。管座連接器600可以和管座連接器110(圖1所示)類似并且配合連接器602 可以和配合連接器112(圖1所示)類似。例如，管座連接器600包括導電殼604和置于殼 604中的觸頭(未示)，殼604和所述觸頭的形狀和尺寸與外殼202 (圖2、和管座連接器 110的觸頭204(圖2所示)類似。配合連接器602可包括具有向前部分608的外殼606， 外殼606和所述向前部分608與外殼300(圖3所示)和向前部分400 (圖4所示)類似。配合連接器602還包括具有伸長的突起610的電磁屏蔽(未示出)，該電磁屏蔽和突起610 與屏蔽304(圖3所示)和突起314(圖3所示)類似。配合連接器602包括導電構件612， 其接合管座連接器600的觸頭來在管座連接器600和配合連接器602之間傳輸數(shù)據(jù)信號。在示出的實施例中，管座連接器600和配合連接器602不包括圖5中所示和如上所述的接地橋500，502，504。為了防止EMI從觸頭(未示)和導電構件612發(fā)射，一吸收墊片614被置于管座連接器600的殼604和配合連接器602的外殼606的向前部分608之間。 如圖6所示，當管座連接器600與配合連接器602耦接時，墊片614從殼604的前臉616延伸到外殼606的向前部分608。墊片614可以固定到殼604并且環(huán)繞殼604的前臉616的至少一部分延伸或者固定到外殼606的向前部分608，以使墊片614同時接合殼604和外殼606。墊片614可以構成殼604的前臉616以使當突起610和導電構件612被容納到殼 604中時，突起610和導電構件612延伸過墊片614并且至少部分被墊片614包圍。墊片614包括，或被一種或幾種材料形成，該材料吸收來自管座連接器600的觸頭 (未示出)和/或配合連接器602的導電構件612的能量。墊片614的材料可能夠從觸頭和/或導電構件612吸收高頻EMI能量以便限制EMI通過管座連接器600和配合連接器602 之間的間隙618發(fā)射到管座連接器600和配合連接器602之外。僅通過例子，墊片614可包括或者由一種或幾種包括聚氨酯的寬頻或網狀泡沫材料形成，例如Laird Technologies 生產的RFRET泡沫材料，或者碳基材料或薄膜，例如由Techfilm，LLC生產的碳纖維薄膜。 墊片614可包括或者由電氣損耗的材料形成。例如，墊片614由射頻損耗材料形成，該材料吸收而不是傳導從觸頭和/或導電構件612輻射的EMI能量。替代地，墊片614可以形成不同的形狀，例如延伸的條形或桿形。例如墊片614可以具有和接地橋500，502，504(圖5 所示)中的一個或多個類似的形狀。
權利要求
1.一種連接器系統(tǒng)，包括管座連接器(110)和配合連接器(112)，所述管座連接器包括限定內腔(214)的導電殼(202)和置于該內腔中的觸頭004)，所述配合連接器包括導電構件(318)和連接到外殼(300)的電磁屏蔽(304)，該電磁屏蔽具有從該電磁屏蔽延伸到外端(316)的伸長的突起(314)，所述管座連接器和所述配合連接器相互耦接以使所述觸頭接合所述導電構件并且所述突起接合所述殼，其特征在于，導電接地橋(500)連接到所述管座連接器和所述配合連接器中的一個并且當所述突起接合所述殼時接合所述管座連接器和所述配合連接器的另外一個，所述突起在所述突起的外端通過所述接地橋和所述殼電華禹接。
2.根據(jù)權利要求1所述的連接器系統(tǒng)，其中所述管座連接器的殼和所述接地橋在一定間隔的位置接合所述配合連接器的突起以限制當所述突起接合所述殼時電磁干擾從所述管座連接器的殼的輻射。
3.根據(jù)權利要求1所述的連接器系統(tǒng)，其中當所述管座連接器和所述配合連接器耦接時，所述配合連接器的突起的外端接合并且電耦接所述管座連接器的殼，以及所述接地橋在一定間隔的位置電耦接所述突起和所述殼。
4.根據(jù)權利要求1所述的連接器系統(tǒng)，其中所述管座連接器的殼包括通過耦接壁 (212)互連的延伸到外邊(216)的側壁008，210)，當所述管座連接器和所述配合連接器耦接時，所述接地橋在一個或多個所述外邊處電耦接所述殼和所述配合連接器的電磁屏蔽。
5.根據(jù)權利要求1所述的連接器系統(tǒng)，其中所述管座連接器的殼包括通過耦接壁 (212)互連的側壁008，210)，該側壁和所述耦接壁延伸到限定前臉(218)的外邊016)，所述配合連接器的突起穿過所述前臉容納在所述內腔中，所述側壁從所述耦接壁延伸到下邊 020)，所述接地橋在至少一個所述側壁的下邊處從至少一個所述側壁的外邊延伸。
6.根據(jù)權利要求1所述的連接器系統(tǒng)，其中所述管座連接器的殼包括通過耦接壁 (212)互連的相對的側壁008，210)，以及所述接地橋是連接到所述耦接壁的第一接地橋， 進一步包括連接到所述側壁的第二和第三接地橋(504，504)，當所述管座連接器和所述配合連接器耦接時，所述第一、第二和第三接地橋提供所述殼和所述配合連接器的外殼之間的導電通道。
7.根據(jù)權利要求1所述的連接器系統(tǒng)，其中所述接地橋是第一接地橋(500)，進一步包括連接到所述管座連接器和所述配合連接器中的一個的第二接地橋(504)。
8.根據(jù)權利要求7所述的連接器系統(tǒng)，其中當所述管座連接器和所述配合連接器配合時，所述第一接地橋將所述配合連接器的屏蔽的突起和所述管座連接器的殼電耦接，以及所述第二接地橋在遠離所述突起的位置電耦接所述殼和所述配合連接器的外殼。
9.根據(jù)權利要求7所述的連接器系統(tǒng)，其中所述管座連接器的殼包括通過耦接壁 (212)互連的側壁008，210)，當所述管座連接器和所述配合連接器耦接時，所述第一接地橋電耦接所述耦接壁和所述配合連接器的突起，所述第二接地橋電連接至少一個所述側壁和所述配合連接器的外殼。
全文摘要
一種連接器系統(tǒng)，包括管座連接器(110)和配合連接器(112)。管座連接器包括限定內腔(214)的導電殼(202)和布置在內腔中的觸頭(204)。配合連接器(112)包括導電構件(318)和連接到外殼(300)的電磁屏蔽(304)，該屏蔽具有從屏蔽延伸到外端(316)的伸長的突起(314)。管座連接器和配合連接器相互耦接以使觸頭接合導電構件，突起接合外殼。導電接地橋(500)連接到管座連接器和配合連接器中的一個，并且當突起接合外殼時，接合管座連接器和配合連接器的另一個。突起通過接地橋在突起的外端和殼電耦接。
文檔編號H01R13/46GK102280775SQ20111009696
公開日2011年12月14日 申請日期2011年3月14日 優(yōu)先權日2010年3月12日
發(fā)明者琳恩·R·塞普, 蒂莫?！·米尼克, 達蒙德拉·薩拉斯瓦特 申請人:泰科電子公司