投影曝光裝置、器件制造方法以及光學部件的制作方法

專利名稱：投影曝光裝置、器件制造方法以及光學部件的制作方法
技術領域：
本發明涉及經液體在基片上照射曝光光以對基片曝光的曝光裝置、曝光方法和器件制造方法。此外，本發明涉及使用了液浸法的投影曝光裝置中使用的光學部件和使用了該光學部件的投影曝光裝置。再者，本發明涉及適合于在與液體或氣體接觸的環境下使用的光學部件。
背景技術：
利用將在掩模上形成的圖案轉印到感光性的基片上的所謂的光刻的方法來制造半導體器件或液晶顯示器件。在該光刻工序中使用的曝光裝置具有支撐掩模的掩模臺和支撐基片的基片臺，一邊逐次移動掩模臺和基片臺，一邊經投影光學系統將掩模的圖案轉印到基片上。近年來，為了與器件圖案的進一步的高集成化相對應，希望實現投影光學系統的進一步的高解像度化。所使用的曝光波長越短，此外投影光學系統的數值孔徑越大，投影光學系統的解像度越高。因此，在曝光裝置中使用的曝光波長逐年縮短，投影光學系統的數值孔徑也越來越增大。而且，現在主流的曝光波長是KrF準分子激光器的M8nm，而波長更短的ArF準分子激光器的193nm也正在實現實用化。此外，在進行曝光時，與解像度同樣，聚焦深度(DOF)也變得重要。解像度R和聚焦深度δ分別用以下的式來表示。R = Ii1 · λ/NA …(1)δ = ±k2 · λ/ΝΑ2 ... (2)在此，λ是曝光波長，NA是投影光學系統的數值孔徑，Ic1A2是工藝系數。根據(1) 式、( 式可知，如果為了提高解像度R而縮短曝光波長λ及增大數值孔徑ΝΑ，則聚焦深度 δ變窄。如果聚焦深度δ太窄，則難以使基片表面與投影光學系統的像面一致，存在曝光工作時的容限不足的危險。此外，使對于短波長化的曝光光可使用的光學部件材料受到限定。根據這樣的觀點，作為實質上縮短通過投影光學系統后的曝光光的波長且擴展聚焦深度的方法，例如提出了在國際公開第99/49504號公報或特開平10-303114號公報中公開的液浸法。該液浸法是下述的方法在投影光學系統的下面與基片表面之間充滿水或有機溶媒等的液體以形成液浸區域，利用液體中的曝光光的波長為空氣中的1/η(η是液體的折射率，通常約為1. 2 1. 6)這一點來提高解像度，同時將聚焦深度擴大約η倍。但是，如圖18中示出的示意圖中所示，即使在采用液浸法的曝光裝置中，有時也對基片P的邊緣區域E曝光。在該情況下，投影區域100的一部分伸出到基片P的外側，曝光光也照射到保持基片P的基片臺120上。在液浸曝光的情況下，形成液體的液浸區域，使其覆蓋投影區域100，但在對邊緣區域E曝光時，液體的液浸區域的一部分伸出到基片P的外側，在基片臺120上形成。此外，在基片臺120上的基片P的周圍配置各種檢測構件或檢測用傳感器的情況下，為了使用這些檢測構件或檢測傳感器，也有在基片臺120上形成液浸區域的情況。如果在基片臺120上形成液浸區域的一部分，則液體殘留在基片臺120上的可能性提高了，因其氣化的緣故，例如放置基片P的環境(溫度、濕度)發生變動或基片臺120發生熱變形或檢測基片P的位置信息等的各種檢測光的光路的環境發生變動等，存在曝光精度下降的可能性。此外，在殘留的氣體氣化后，留下水跡，也存在成為基片P或液體等的污染的主要因素或成為各種檢測的誤差的主要因素的可能性。

發明內容
本發明是鑒于這樣的情況而進行的，其第1目的在于提供可防止液體殘留并可維持良好的曝光精度、檢測精度的曝光裝置、曝光方法和器件制造方法。此外，本發明的第2目的在于提供具有具備紫外激光照射耐久性的疏水性膜的光學部件和安裝了該光學部件的投影曝光裝置。為了解決上述的課題，本發明采用了與實施形態中示出的圖1 圖21對應的以下的結構。但是，對各要素所附的帶有括號的符號不過是該要素的例示，不限定各要素。按照本發明的第1形態，提供下述的曝光裝置(EX)經液體(1)對基片(P)照射曝光光(EL)以對基片(P)曝光，具備將圖案的像投影在基片(P)上的投影光學系統(PL)；以及用于保持基片(P)的基片臺(PT)，在基片臺(PT)上以可更換的方式設置有其表面(30A) 的至少一部分呈疏液性的構件(30)。此外，在本發明中，提供其特征在于使用上述形態的曝光裝置的器件制造方法。按照本發明，由于以可更換的方式設置在基片臺上設置的疏液性的構件，故在該構件的疏液性惡化時，可與新的疏液性的構件更換。因而，可抑制液體殘留，例如即使發生殘留，也能順利地回收該液體。因而，可防止因殘留的液體引起的曝光精度、檢測精度的惡化，可制造能發揮所希望的性能的器件。按照本發明的第2形態，提供下述的曝光方法在經投影光學系統(PL)和液體 (1)在基片(P)上照射曝光光(EL)以對上述基片(P)進行液浸曝光，用基片保持構件(30) 保持基片(P)，基片保持構件(30)在基片(P)的周圍具有其表面與該基片(P)表面大致為同一面的平坦部(30A)，將保持基片(P)的基片保持構件(30)運入到基片臺(PST、PT)上， 對運入到基片臺(PST、PT)上的基片(P)進行液浸曝光，在液浸曝光的結束后，從基片臺 (PST、PT)運出保持基片⑵的基片保持構件(30)。此外，在本發明中，提供其特征在于使用上述曝光方法的器件制造方法。按照本發明，通過對基片臺與基片一起運入和運出在基片的周圍具有平坦部的基片保持構件，可對基片臺與基片一起容易地更換基片保持構件，例如在基片保持構件的疏液性惡化時，可容易地更換。此外，由于基片保持構件在基片的周圍具有平坦部，故在與基片一起將該基片保持構件運入到基片臺上對基片的邊緣區域進行液浸曝光時，即使液體的液浸區域的一部分在基片的外側伸出，也可利用平坦部維持液浸區域的形狀，可在投影光學系統之下良好地保持液體的狀態下進行液浸曝光而不導致液體的流出等。因而，可防止曝光精度的惡化，可制造能發揮所希望的性能的器件。按照本發明的第3形態，提供下述的曝光裝置(EX)，經液體(1)對基片(P)照射曝光光(EL)以對基片(P)曝光，具備將圖案的像投影在基片(P)上的投影光學系統(PL)；以及對于投影光學系統(PL)可移動的移動臺(PST)，在移動臺(PST)上設置有至少一部分呈疏液性的疏液性構件(30、PH、300、400、500)，該疏液性構件可更換。在本發明的第3形態的曝光裝置中，由于以可更換的方式設置在移動臺上設置的疏液性的構件，故在該構件的疏液性惡化時，可與新的構件更換。移動臺可以是具備保持基片而移動的基片臺或各種基準構件或檢測傳感器等的檢測構件的檢測系統。或者，作為移動臺可具備基片臺和檢測臺這兩者。進而，作為移動臺，可具備多個基片臺或多個檢測臺。按照本發明的第4形態，提供下述步驟的曝光方法，經液體(1)對基片(P)照射曝光光(EL)以對上述基片(P)進行液浸曝光包含以下工序對基片(P)上的至少一部分供給上述液體(1)；經液體對基片(P)照射曝光光(EL)以對基片進行液浸曝光；與被供給液體的基片不同的曝光裝置的部分(30、300、400、500)具有疏液性；以及根據該疏液性的惡化來更換具有該疏液性的曝光裝置的部分(30、300、400、500)。在本發明的第4形態的曝光方法中，由于即使具有疏液性的曝光裝置的部分因紫外光的照射而性能惡化，也可根據其惡化來更換該部分，故可防止因惡化導致的液體的殘留或漏泄等。可定期地或根據對各個部分推斷或觀察惡化狀況的結果進行上述部分的更換。按照本發明的第5形態，提供一種在投影曝光裝置(EX)的基片臺上安裝的光學部件(650、652、6M)，上述投影曝光裝置(EX)用曝光束(EL)照明掩模(M)，利用投影光學系統將掩模(M)的圖案經液體(1)轉印到由基片臺上保持的基片(P)上，所述光學部件具備 被上述曝光束照射的光照射面(660)；利用由在光照射面(660)的表面上形成的二氧化硅、 氟化鎂和氟化鈣中的至少一種構成的微粒子層構成的粘接微粒子層(662)；以及利用在粘接微粒子層的表面上形成的非晶質氟樹脂構成的疏水性膜(664)。本發明者在分析氟烷基硅烷與基體材料玻璃的密接性時，得知由于氟烷基硅烷末端基-CF3在化學上穩定，故在與基體材料玻璃之間不能預期氫結合或縮合反應等的化學的結合。因此，本發明者研究了不依靠化學的結合而是使分子間引力增大的方法。其結果，在下述方面取得成功通過增加與基體材料玻璃粘接的粘接層的表面積，以首尾良好的方式使附著能量增大。按照本發明的光學部件，由形成粘接微粒子層的二氧化硅(SiO2)、氟化鎂 (MgF2)和氟化鈣(CaF2)中的至少一種構成的微粒子層可得到與基體材料的玻璃(主要成分SiO2)的親和性良好、與基體材料玻璃恰好的密接性。此外，在表面上產生來源于粒子的直徑的凹凸。再者，由于二氧化硅等是紫外線透射率非常高的材料，故其本身的激光照射耐久性也高。因而，如果在形成了由二氧化硅(Si02)、氟化鎂(MgF2)和氟化鈣(CaF2)中的至少一種構成的微粒子層后形成由非晶質氟樹脂構成的疏水性膜，則以非晶質氟樹脂進入二氧化硅等的微粒子的空隙中而將其包圍的方式干燥、固化。由于非晶質氟樹脂本身的機械的強度高，故與基體材料密接的疏水性膜的強度高。此外，按照本發明的第6形態，提供一種在投影曝光裝置的基片臺(PST)上安裝的光學部件(650、652、6M)，上述投影曝光裝置用曝光束(EL)照明掩模(M)，利用投影光學系統(PL)將上述掩模的圖案經液體(1)轉印到由基片臺(PST)上保持的基片上，所述光學部件具備被上述曝光束照射的光照射面(660)；在上述光照射面的表面上形成的粘接面 (668)；以及由在上述粘接面的表面上形成的非晶質氟樹脂構成的疏水性膜(664)。在該形態的光學部件中，上述粘接面最好是利用氟化氫刻蝕的面。
按照第6形態的光學部件，由于在光照射面上具有由利用氟化氫刻蝕的刻蝕面構成的粘接面，故如果在粘接面上形成由非晶質氟樹脂構成的疏水性膜，則以非晶質氟樹脂進入粘接面的空隙中而將其包圍的方式干燥、固化。由于非晶質氟樹脂本身的機械的強度高，故與基體材料密接的疏水性膜的強度高。此外，上述形態的光學部件的上述光照射面可具有基體材料玻璃。此外，上述形態的光學部件的上述光照射面可具有在基體材料玻璃的至少一部分上形成的金屬膜。按照這些光學部件，因為在光照射面上形成的疏水性膜具有激光照射耐久性，故可在長時間內維持在投影曝光裝置的基片臺上安裝的光學部件的光照射面的疏水性。此外，在本發明中，也提供具備上述任一形態的光學部件的投影曝光裝置。按照該投影曝光裝置，由于在基片臺上安裝了能在長時間內維持光照射面的疏水性的光學部件， 故即使在重復進行液浸曝光的情況下，也能可靠地進行光學部件的光照射面上的排水。此外，按照本發明的第7形態，提供一種投影曝光裝置(EX)，用曝光束(EL)照明掩模(M)，利用投影光學系統(PL)將上述掩模的圖案經液體轉印到由基片臺(PST)保持的基片上，上述基片臺上被上述曝光束照射的光照射面(660)；在上述光照射面的表面上形成的粘接微粒子層(662)；以及由在上述粘接微粒子層的表面上形成的非晶質氟樹脂構成的疏水性膜(664)。按照第7形態的投影曝光裝置，由于在基片臺上安裝的光學部件在光照射面上具有粘接微粒子層，故由非晶質氟樹脂構成的疏水性膜與粘接微粒子層密接。由于非晶質氟樹脂本身的機械的強度高，故與基體材料密接的疏水性膜的強度高。此外，第7形態的投影曝光裝置的上述光照射面可具有基體材料玻璃。此外，第7 形態的投影曝光裝置的上述光照射面可具有在基體材料玻璃的至少一部分上形成的金屬膜。按照這些投影曝光裝置，因為在基片臺上安裝的光學部件的光照射面上形成的疏水性膜具有激光照射耐久性，故可在長時間內維持在投影曝光裝置的基片臺上安裝的光學部件的光照射面的疏水性。按照本發明的第8形態，提供一種光學部件(300、400、500、650、652、6討)，具備 具有光照射面的部件主體(660)；利用從由在上述光照射面的表面上形成的二氧化硅、氟化鎂和氟化鈣構成的一組中選擇的至少一種微粒子形成的微粒子層(662)；以及利用非晶質氟樹脂形成的疏水性膜(664)。由于疏水性膜經微粒子層與光照射面牢固地連接，故本發明在液體或蒸汽氣氛中使用的光學傳感器或透鏡等的用途中是極為有用的。按照本發明的第8形態，是提供一種光學部件(300、400、500、650、652、6M)，具備具有光照射面的部件主體(660)；在上述光照射面的表面上利用刻蝕形成的粘接面 (668)；以及利用非晶質氟樹脂在上述粘接面的表面上形成的疏水性膜(664)。由于疏水性膜經微粒子層與光照射面牢固地連接，故本發明在液體或蒸汽氣氛中使用的光學傳感器或透鏡等的用途中是極為有用的。


圖1是示出本發明的曝光裝置的一實施形態的概略結構圖。圖2是示出液體供給機構和液體回收機構的概略平面圖。圖3是基片臺的平面圖。
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圖4是示出保持了基片的狀態的基片臺的平面圖。圖5是基片臺的剖面圖。圖6是示出各構件對基片臺可裝卸的示意圖。圖7(a) (d)是示出本發明的曝光裝置的工作的一例的示意圖。圖8(a) (d)是示出本發明的曝光裝置的工作的一例的示意圖。圖9是示出運送到運送裝置上的基片保持構件的平面圖。圖10是示出基片臺的另一實施形態的剖面圖。圖11(a)和(b)是示出本發明的曝光裝置的另一實施形態的概略結構圖。圖12(a)和(b)是示出基片保持構件的另一實施形態的圖。圖13(a) (d)是示出本發明的曝光裝置的工作的另一例的示意圖。圖14是示出本發明的曝光裝置的另一實施形態的概略結構圖。圖15是示出本發明的曝光裝置的另一實施形態的概略結構圖。圖16是示出本發明的曝光裝置的另一實施形態的概略結構圖。圖17是示出半導體器件的制造工序的一例的流程圖。圖18是用于說明以前的課題的示意圖。圖19是示出在與實施形態有關的晶片臺上安裝的光學部件的圖。圖20是在與實施形態有關的晶片臺上安裝的光學部件的結構圖。圖21是在與實施形態有關的晶片臺上安裝的光學部件的結構圖。
具體實施例方式以下，一邊參照附圖，一邊說明本發明的曝光裝置，但本發明不限定于此。<第1實施形態>圖1是示出本發明的曝光裝置的一實施形態的概略結構圖。在圖1中，曝光裝置 EX具備支撐掩模M的掩模臺MST ；經基片架PT支撐基片P的基片臺PST ；用曝光光EL照明由掩模臺MST支撐的掩模M的照明光學系統IL ；將用曝光光EL照明的掩模M的圖案像投影到由基片臺PST支撐的基片P上以進行曝光的投影光學系統PL ；以及總括地控制曝光裝置EX整體的工作的控制裝置C0NT。為了在實質上縮短曝光波長以提高解像度的同時實質上擴展聚焦深度，將液浸法應用于本實施形態的曝光裝置EX。該液浸曝光裝置具備向基片P供給液體1的液體供給機構10和回收基片P上的液體1的液體回收機構20。在本實施形態中，使用純水作為液體1。至少在將掩模M的圖案像轉印到基片P上的期間內，曝光裝置EX利用從液體供給機構10供給的液體1在包含投影光學系統PL的投影區域ARl的基片P上的至少一部分(局部地)上形成液浸區域AR2。具體地說，對于曝光裝置EX來說，在投影光學系統PL的前端部的光學元件2與基片P的表面(曝光面)之間充滿液體1，經該投影光學系統PL與基片 P之間的液體1和投影光學系統PL將掩模M的圖案像投影到基片P上，對基片P曝光。在此，在本實施形態中，作為曝光裝置EX，以一邊在掃描方向上的彼此不同的方向 (反方向)上同步地移動掩模M和基片P、一邊在基片P上對在掩模M上形成的圖案曝光的掃描型曝光裝置(所謂掃描步進器)的情況為例來說明。在以下的說明中，將與投影光學系統PL的光軸AX —致的方向定為Z軸方向，將在與Z軸方向垂直的平面內掩模M和基片P的同步移動方向(掃描方向)定為X軸方向，將與Z軸方向和X軸方向垂直的方向(非掃描方向)定為Y軸方向。此外，分別將以X軸、Y軸和Z軸為中心進行的旋轉(傾斜)方向定為ΘΧ、ΘΥ、ΘΖ方向。再有，這里所謂的「基片」包含在半導體晶片上涂敷了作為感光性材料的光刻膠的基片，「掩模」包含在基片上形成了縮小投影的器件圖案的中間掩模。照明光學系統IL是用曝光光EL照明由掩模臺MST支撐的掩模M的光學系統，具有曝光用光源；使從曝光用光源射出的光束的照度變得均勻的光積分器(均質器)；對來自光積分器的曝光光EL進行聚光的聚光透鏡；中繼透鏡系統；以及將由曝光光EL產生的掩模M上的照明區域設定為狹縫狀的可變視野光圈等。利用照明光學系統IL并用均勻的照度分布的曝光光EL照明掩模M上的規定的照明區域。作為從照明光學系統IL射出的曝光光EL，例如可使用從水銀燈射出的亮線(g線、h線、i線)和KrF準分子激光(波長M8nm) 等的遠紫外光(DUV光)或ArF準分子激光(波長193nm)和F2激光(波長157nm)等的真空紫外光(VUV光)等。在本實施形態中使用ArF準分子激光。如上所述，本實施形態中的液體1是純水，即使曝光光EL是ArF準分子激光也能透過。此外，純水也能透過亮線(g線、 h線、i線)和KrF準分子激光(波長M8nm)等的遠紫外光(DUV光)。掩模臺MST —邊支撐掩模M、一邊能在與投影光學系統PL的光軸AX垂直的平面內、即XY平面內作2維移動，此外，在ΘΖ方向上可進行微小旋轉。利用直線電機等的掩模臺驅動裝置MSTD來驅動掩模臺MST。利用控制裝置CONT來控制掩模臺驅動裝置MSTD。在掩模臺MST上設置移動鏡50。此外，在與移動鏡50對置的位置上設置激光干涉計51。利用激光干涉計51實時地檢測掩模臺MST上的掩模M的2維方向的位置和旋轉角，將檢測結果輸出給控制裝置C0NT。控制裝置CONT通過根據激光干涉計51的檢測結果驅動掩模臺驅動裝置MSTD，進行由掩模臺MST支撐的掩模M的定位。投影光學系統PL將掩模M的圖案以規定的投影倍率β投影到基片P上并進行曝光。投影光學系統PL由包含在基片P—側的前端部上設置的光學元件(透鏡)2的多個光學元件構成，用鏡筒Hi支撐這些光學元件。在本實施形態中，投影光學系統PL是投影倍率 β例如為1/4或1/5的縮小系統。再有，投影光學系統PL可以是等倍系統和放大系統的任一種。此外，投影光學系統PL可以是不包含折射元件的反射系統、不包含反射元件的折射系統、包含折射元件和反射元件的反射折射系統的任一種。此外，本實施形態的投影光學系統PL的前端部的光學元件2對于鏡筒1 以可裝卸(更換)的方式來設置，液浸區域AR2 的液體1與光學元件2接觸。用螢石形成光學元件2。由于水與螢石的親和性高，故可使液體1與光學元件2的液體接觸面加的大致整個面密接。即，在本實施形態中，由于將與光學元件2的液體接觸面加的親和性高的水作為液體1來供給，故光學元件2的液體接觸面加與液體1的密接性高，能用液體1可靠地充滿光學元件2與基片P之間的光路。再有，光學元件2的材料也可以是與水的親和性高的石英。此外，也可對光學元件2的液體接觸面加進行親水化(親液化)處理，進一步提高與液體1的親和性。此外，由于鏡筒Hi的前端附近與液體(水)1 相接，故用Ti (鈦)等的具有抗銹性能的金屬至少形成前端附近。基片臺PST支撐基片P，具備經基片架PT保持基片P的Z臺52 ；支撐Z臺52的 XY臺53 ；以及支撐XY臺53的基座M。基片架PT保持基片P，設置在基片臺PST (Z臺52) 上。利用直線電機等的基片臺驅動裝置PSTD來驅動基片臺PST。利用控制裝置CONT來控制基片臺驅動裝置PSTD。通過驅動Z臺52來控制由基片架PT保持的基片P的Z軸方向上的位置(聚焦位置)和θ X、θ Y方向上的位置。此外，通過驅動XY臺53來控制基片P的 XY方向上的位置(與投影光學系統PL的像面實質上平行的方向的位置)。S卩，Z臺52控制基片P的聚焦位置和傾斜角，用自動聚焦方式和自動矯正方式使基片P的表面與投影光學系統PL的像面重合，XY臺53進行基片P的X軸方向和Y軸方向的定位。再有，當然可與Z臺一體地設置，XY臺。再有，作為自動聚焦、矯正檢測系統的結構，可使用例如在特開平8-37149號公報中公開的結構。在基片臺PST (基片架PT)上設置與基片臺PST —起相對于投影光學系統PL移動的移動鏡陽。此外，在與移動鏡55對置的位置上設置激光干涉計56。利用激光干涉計56 實時地檢測基片臺PST (基片架PT)上的基片P的2維方向的位置和旋轉角，將檢測結果輸出給控制裝置C0NT。控制裝置CONT通過根據激光干涉計56的檢測結果驅動基片臺驅動裝置PSTD，進行由基片臺PST支撐的基片P的定位。在基片臺PST(基片架PT)的附近上方配置了檢測基片P上的對準標記或在基片臺PST (基片架PT)上設置的基準標記(后述)的基片對準系統350。此外，在掩模臺MST 的附近，設置了使用與曝光光EL為同一的波長的光經掩模M和投影光學系統PL檢測基片臺PST (基片架PT)上的的基準標記的掩模對準系統360。再有，作為基片對準系統350的結構，可使用在特開平4-65603號公報(對應的美國專利第5，493，403號)中公開的結構，作為掩模對準系統360的結構，可使用在特開平7-176468號公報(對應的美國專利第 5，646，413號)中公開的結構。在基片架PT上設置了包圍由該基片架PT保持的基片P的板構件30。板構件30 是與基片架PT分開的構件，設置成對于基片架PT可裝卸、可更換。板構件30具有與由基片架PT保持的基片P的表面大致為同一面的平坦面(平坦部)30A。在由基片架PT保持的基片P的周圍配置了平坦面30A。再者，在基片架PT上并在板構件30的外側設置了具有與板構件30的平坦面30A大致為同一面的平坦面32A的第2板構件32。第2板構件32 也設置成對于基片架PT可裝卸、可更換。向基片P供給規定的液體1的液體供給機構10具備可供給液體1的第1液體供給部11和第2液體供給部12 ；經在第1液體供給部11中具有流路的供給管IlA連接的、 具有向基片P供給從該第1液體供給部11送出的液體1的供給口 13A的第1供給構件13 ； 以及經在第2液體供給部12中具有流路的供給管12A連接的、具有向基片P供給從該第2 液體供給部12送出的液體1的供給口 14A的第2供給構件14。接近于基片P的表面配置了第1、第2供給構件13、14，設置在基片P的面方向上互不相同的位置上。具體地說，液體供給機構10的第1供給構件13相對于投影區域ARl掃描方向的一側(-X側)，第2供給構件14相對于投影區域ARl設置在掃描方向的另一側(+X側)。第1、第2液體供給部11、12分別具備容納液體1的容器和加壓泵等(都未圖示)， 分別經供給管11A、12A和供給構件13、14向基片P供給液體1。此外，利用控制裝置CONT 來控制第1、第2液體供給部11、12的液體供給工作，控制裝置CONT可獨立地控制由第1、 第2液體供給部11、12對于基片P上的每單位時間的液體供給量。此外，第1、第2液體供給部11、12分別具有液體的溫度調整機構，利用該溫度調整機構，可向基片P供給與容納裝置的箱體內的溫度大致相同的溫度(例如23°C)的液體1。再有，曝光裝置EX不一定需要具備第1、第2液體供給部11、12的容器、加壓泵、溫度調整機構，也可代替使用設置曝光裝置EX的工廠等的設備。液體回收機構20回收基片P上的液體1，具備具有接近于基片P的表面配置的回收口 23A、24A的第1、第2回收構件23、24 ；以及分別經在該第1、第2回收構件23、24中具有流路的回收管21A、22A連接的第1、第2液體回收部21、22。第1、第2液體回收部21、 22具備例如真空泵等的真空系統(吸引裝置)、氣液分離器和容納回收的液體1的容器等 (都未圖示)，經第1、第2回收構件23J4和回收管21A、22A回收基片P上的液體1。利用控制裝置CONT來控制第1、第2液體回收部21、22的液體回收工作。控制裝置CONT可獨立地控制由第1、第2液體回收部21、22的每單位時間的液體回收量。再有，曝光裝置EX不一定需要具備第1、第2液體回收部21、22的真空系統、氣液分離器、容器，也可代替使用設置曝光裝置EX的工廠等的設備。圖2是示出液體供給機構10和液體回收機構20的概略結構的平面圖。如圖2中所示，將投影光學系統PL的投影區域ARl設定為以Y軸方向(非掃描方向)定為長度方向的狹縫狀(矩形)，在基片P的一部分上形成充滿液體1的液浸區域AR2，使其包含投影區域 ARl。而且，用于形成投影區域ARl的液漫區域AR2的液體供給機構10的第1供給構件13 相對于投影區域ARl設置在掃描方向的一側(-X側)，第2供給構件14設置在另一側(+X 側)。將第1、第2供給構件13、14分別形成為平面視圖上呈大致圓弧狀，將其供給口 13A、14A的Y軸方向上的尺寸設定為至少比投影區域ARl的Y軸方向上的尺寸大。而且，將形成為平面視圖上呈大致圓弧狀供給口 13A、14A配置成在掃描方向(X軸方向)上夾住投影區域AR1。液體供給機構10經第1、第2供給構件13、14的供給口 13A、14A在投影區域 ARl的兩側同時供給液體1。液體回收機構20的第1、第2回收構件23J4分別具有連續地形成為圓弧狀使之朝向基片P的表面的回收口 23A、24A。而且，利用配置成彼此相對的第1、第2回收構件23、 24形成了大致圓環狀的回收口。將第1、第2回收構件23J4各自的回收口 23A、24A配置成包圍液體供給機構10的第1、第2供給構件13、14和投影區域AR1。以下述的方式供給從第1、第2供給構件13、14的供給口 13A、14A向基片P供給的液體1，使其在投影光學系統PL的前端部(光學元件2、的下端面與基片P之間潤濕擴展。 此外，由相對于投影區域ARl配置在該第1、第2供給構件13、14外側的第1、第2回收構件 23,24的回收口 23A、24A回收相對于投影區域ARl流到第1、第2供給構件13、14的外側的液體1。在本實施形態中，在對基片P進行掃描曝光時，將在掃描方向上從投影區域ARl的跟前供給的每單位時間的液體供給量設定為比在其相反一側供給的液體供給量多。例如， 在一邊在+X方向上移動基片P、一邊進行曝光處理的情況下，控制裝置CONT使對于投影區域ARl來自-X—側(即供給口 13A)的液體量比來自+X—側(即供給口 14A)的液體量多，另一方面，在一邊在-χ方向上移動基片P、一邊進行曝光處理的情況下，使對于投影區域ARl來自+X—側的液體量比來自-X—側的液體量多。此外，在掃描方向上，將在投影區域ARl的跟前的每單位時間的液體回收量設定為比在其相反一側的液體回收量少。例如， 在+X方向上移動了基片P時，使對于投影區域ARl來自+X—側(即回收口 24A)的回收量比來自-X—側(即回收口 23A)的回收量多。再有，在基片P(基片臺PST)上用于局部地形成液浸區域AR2的機構不限于上述， 也可采用例如在美國專利公開第2004/020782號公報或國際公開第2004/055803號公報中公開了的機構，只要在本國際申請中指定或選擇的國的法令中容許，引用這些文獻的記載內容，作為本文的記載的一部分。圖3是從上方看基片架PT的平面圖，圖4是從上方看保持了基片P的基片架PT的平面圖。在圖3和圖4中，在平面視圖為矩形的基片架PT的互相垂直的2個邊緣部配置了移動鏡55。此外，在基片架PT的大致中央部形成了凹部31，在該凹部31中配置了構成基片架PT的一部分的基片托PH，基片P由基片托PH來保持。在基片P(基片托PH)的周圍， 設置了具有與基片P的表面大致為同一面的平坦面30A的板構件30。板構件30是環狀構件，配置成包圍基片托PH(基片P)。利用例如聚四氟乙烯(特富隆(登錄商標))那樣的氟化物等的具有疏液性的材料形成板構件30。由于在基片P的周圍設置了具有與基片P表面大致為同一面的平坦面30A的板構件30，故即使在對基片P的邊緣區域E進行液浸曝光時，在投影光學系統PL的像面一側也能良好地形成液浸區域AR2。再有，如果能以用液體1充滿投影光學系統PL的像面一側的光路空間的方式形成液浸區域AR2，則在基片P的表面與板構件30的平坦面30A中可存在臺階差，例如，在Z方向上，可使平坦面30A比基片P的表面低。如圖1、3和4中所示，在基片架PT上的板構件30 (基片托PH)的外側設置了第2 板構件32。第2板構件32具有與基片P的表面或板構件30的平坦面30A大致為同一面的平坦面32A，設置成覆蓋基片托PH(基片P)和板構件30以外的基片架PT的上面的大致整個區域。也利用例如聚四氟乙烯等的具有疏液性的材料形成了第2板構件32。再有，板構件30的平坦面30A表面中的液體1的接觸角和第2板構件32的平坦面32A表面中的液體1的接觸角在照射曝光光EL前的初始狀態下，分別大于等于110°。此外，在第2板構件32的規定的位置上形成了多個開口部32K、32L、32N。在開口部32K中配置了基準構件300。在基準構件300中以規定的位置關系設置了利用基片對準系統350檢測的基準標記PFM和利用掩模對準系統360檢測的基準標記MFM。此外，基準構件300的上面301A大致成為平坦面，可作為聚焦、矯正檢測系統的基準面來使用。再者，將基準構件300的上面301A設置成與基片P表面、板構件30的表面(平坦面)30A和第2板構件32的表面(平坦面)32A為大致同一面。此外，將基準構件300形成為在平面視圖中呈矩形，在開口部32K中配置的基準構件300與第2板構件32之間形成間隙K。在本實施形態中，間隙K例如約為0. 3mm。作為光傳感器，在開口部32L中配置了照度不勻傳感器400。照度不勻傳感器例如在特開昭57-117238號公報(對應的美國專利第4，465，368號)中公開了，只要在本國際申請中指定或選擇的國的法令中容許，引用這些文獻的記載內容，作為本文的記載的一部分。 照度不勻傳感器400的上板401的上面401A大致成為平坦面，設置成與基片P表面、板構件30的表面30A和第2板構件32的表面32A為大致同一面。在照度不勻傳感器400的上面401A中設置了可通過光的針孔部470。用鉻等遮光性材料覆蓋了光透過性的上板401的上面401A中針孔部470以外的部分。此外，將照度不勻傳感器400(上板401)形成為在平面視圖中呈矩形，在開口部32L中配置的照度不勻傳感器400(上板401)與第2板構件32之間形成間隙L。在本實施形態中，間隙L例如約為0. 3mm。在開口部32N中配置了空間像檢測傳感器500。空間像檢測傳感器500例如在特開2002-14005號公報(對應的美國專利公開2002/0041377號)中公開了，只要在本國際申請中指定或選擇的國的法令中容許，引用這些文獻的記載內容，作為本文的記載的一部分。 空間像檢測傳感器500的上板501的上面501A大致成為平坦面，可作為聚焦、矯正檢測系統的基準面來使用。而且，設置成與基片P表面、板構件30的表面30A和第2板構件32的表面32A為大致同一面。在空間像檢測傳感器500的上面501A中設置了可通過光的狹縫部570。用鉻等遮光性材料覆蓋了光透過性的上板501的上面501A中狹縫部570以外的部分。此外，將空間像檢測傳感器500(上板501)形成為在平面視圖中呈矩形，在空間像檢測傳感器500(上板501)與開口部32N之間形成間隙N。在本實施形態中，間隙N與基片P 的外形的制造公差為同等程度，例如約為0. 3mm。這樣，保持基片P的基片架PT的上面在整個面上大致為同一面。再有，如果能以用液體1充滿投影光學系統PL的像面一側的光路空間的方式形成液浸區域AR2，則在板構件30的平坦面30A與第2板構件32的表面32A與基準構件300的上面301A與照度不勻傳感器400的上面401A與空間像檢測傳感器500的上面501A之間彼此可存在臺階差。此外，雖然未圖示，但在基片架PT中也設置了照射量傳感器(照度傳感器)，配置在第2板構件32中形成的開口部中。照射量傳感器例如在特開平11-16816號公報(對應的美國專利公開2002/0061469號)中公開了，只要在本國際申請中指定或選擇的國的法令中容許，引用這些文獻的記載內容，作為本文的記載的一部分。再有，在基片架PT上安裝的檢測器不限于上述的傳感器，可根據需要按照各種檢測器。例如，可在基片架PT上配置波面像差檢測器。波面像差檢測器例如在國際公開 99/60361號公報(對應的歐洲專利公開1，079，223號公報)或美國專利第6，650，399號中公開了，只要在本國際申請中指定或選擇的國的法令中容許，引用這些文獻的記載內容，作為本文的記載的一部分。當然，也可不在基片架PT上安裝檢測器。此外，將板構件30中以圓環狀形成的平坦面30A的寬度形成為至少比投影區域 ARl大(參照圖4)。因此，在對基片P的邊緣區域E曝光時，曝光光EL不會照射到第2板構件32上。由此，可抑制起因于曝光光的照射的第2板構件32的疏液性的惡化，可使第2 板構件32的更換頻度少于板構件30的更換頻度。再者，最好將平坦面30A的寬度形成得比在投影光學系統PL的像面一側形成的液浸區域AR2大。由此，在對基片P的邊緣區域E 進行液浸曝光時，由于在板構件30的平坦面30A上配置液浸區域AR2不在第2板構件32 上配置液浸區域AR2，故可防止液浸區域AR2的液體1侵入到作為板構件30與第2板構件 32的間隙的間隙G中的不良情況。再有，板構件30的平坦面30A的寬度不限定于此，當然也可比液浸區域AR2小。如圖3和作為保持基片P的基片架PT的主要部分放大剖面圖的圖5中所示，構成基片架PT的一部分的基片托PH具備大致圓環狀的周壁部33 ；在該周壁部33的內側的基座部35上設置的、支撐基片P的多個支撐部34 ；以及在支撐部34之間配置的、用于吸附保持基片P的多個吸引口 41。在周壁部33的內側一樣地配置了支撐部34和吸引口 41。再有，在圖5中，周壁部33的上端面具有比較寬的寬度，但實際上只有約1 2mm的寬度。此外，在基座部35上設置了配置由升降基片P的銷釘構件構成的升降構件70的孔部71。在本實施形態中，在3個部位上設置了升降構件70。利用未圖示的驅動裝置來升降升降構件 70，控制裝置CONT經驅動裝置控制升降構件70的升降工作。此外，如圖5中所示，在基片架PT上面中與板構件30的下面對置的位置上設置了多個用于對于基片架PT吸附保持該板構件30的吸附孔72。再者，在基片架PT中，在多個位置(在此是3個部位)上設置了由對于基片架PT升降板構件30的銷釘構件構成的升降構件74。利用未圖示的驅動裝置來升降升降構件74，控制裝置CONT經驅動裝置控制升降構件74的升降工作(參照圖7(d))。再者，雖然未圖示，但在基片架PT上面中與第2板構件32的下面對置的位置上設置了多個用于對于基片架PT吸附保持該第2板構件32的吸附孔。再者，在基片架PT中，在多個位置上設置了對于基片架PT升降第2板構件32的升降構件。再有，由于如前面所述，第2板構件32的更換頻度少，故也可不將其吸附保持在基片架PT上，而是利用螺釘擰緊等來固定，用手動方式進行更換作業。此外，也可不使第2板構件32成為能更換的構件。但是，在使用基準構件300或照度不勻傳感器400等時，在對第2板構件32照射了曝光光EL或與曝光光為同一波長的光的情況下，存在第2板構件32的表面的疏液性惡化的危險，存在與板構件30同樣的更換頻度為必要的可能性。此外，如圖4和圖5中所示，在由基片托PH(基片架PT)保持的基片P的側面PB 與板構件30之間形成了規定的間隙A。在圖5中，在基片架PT的凹部31內部配置了保持基片P的基片托PH。在凹部31 中配置了基片托PH時，將基片架PT形成為該基片托PH的上端面34A比基片架PT的對于板構件30和第2板構件32的放置面PTa高。在構成基片托PH的一部分的大致圓板狀的基座部35上設置了周壁部33和支撐部34。支撐部34各自的剖面為梯形，由多個支撐部 34的上端面34A保持基片P的背面PC。此外，周壁部33的上面33A為平坦面。周壁部33 的高度比支撐部34的高度低。在基片P與周壁部33之間形成了間隙B。間隙B比板構件 30與基片P的側面PB之間的間隙A小。此外，在凹部31的內側面36與對置于該內側面36 的基片托PH的側面37之間形成了間隙C。在此，將基片托PH的直徑形成得比基片P的直徑小，間隙A比間隙C小。再有，在本實施形態中，在基片P中未形成位置對準用的缺口部 (定位邊、定位槽)，基片P大致呈圓形，由于在其全部的圓周上間隙A為0. Imm 1. Omm,在本實施形態中約為0. 3mm，故可防止液體的流入。再有，在基片P中形成缺口部的情況下，根據該缺口部在板構件30或周壁部33中設置凸起部等使板構件30或周壁部33成為與缺口部對應的形狀即可。通過這樣做，即使在基片P的缺口部中，在基片P與板構件30之間也能確保間隙A。在板構件30的內側形成了內側臺階部30D，利用該內側臺階部30D形成了與基片下面PC的邊緣部對置的支撐面30S。板構件30可利用支撐面30S支撐基片下面PC的邊緣部。在此，如圖5中所示，在由基片托PH保持的基片下面PC的邊緣部與由基片架PT的放置面PTa保持的板構件30的支撐面30S之間形成間隙D。由此，可避免因板構件30 (支撐面30S)與基片下面PC的邊緣部接觸而使該基片P的邊緣部向上側翹曲的不良情況的發生。
此外，在第2板構件32的內側形成了內側臺階部32D，在板構件30的外側形成了外側臺階部30F，使其與第2板構件32的內側臺階部32D的形狀相對應。由此，成為在第2 板構件32的一部分上放置板構件30的一部分的狀態。此外，在板構件30的外側面與第2 板構件32的內側面之間形成規定的間隙G。本實施形態中的間隙G例如約為0. 3mm,由于用表面具有疏液性的聚四氟乙烯制的板構件30和第2板構件32來夾住，故即使在板構件 30與第2板構件32的邊界上形成了液浸區域，也可防止液體對間隙G的侵入。在作為基片P的曝光面的表面PA上涂敷了光刻膠(感光材料)90。在本實施形態中，感光材料90是ArF準分子激光器用的感光材料(例如，東京應化工業株式會社制 TARF-P6100)，具有疏液性(疏水性)，其接觸角約為70 80°。此外，在本實施形態中，對基片P的側面PB進行了疏液處理(疏水處理)。具體地說，在基片P的側面PB上也涂敷了具有疏液性的上述感光材料90。由此，可防止來自表面呈疏液性的板構件30與基片P側面PB的間隙A的液體的侵入。再者，在基片P的背面PB 上也涂敷上述感光材料90，進行了疏液處理。在本實施形態中，在基片架PT中，放置面PTa和內側面36具有疏液性。再者，在基片托PH的一部分上也進行疏液處理，呈疏液性。在本實施形態中，基片托PH中周壁部33 的上面33A和側面37具有疏液性。作為基片架PT和基片托PH的疏液處理，例如涂敷氟樹脂材料或丙烯酸樹脂材料等的疏液性材料或粘貼由上述疏液性材料構成的薄膜。作為用于使之呈疏液性的疏液性材料，可疏液非溶解性的材料。再有，也可用具有疏液性的材料(氟樹脂等)形成基片架PT和基片托PH的整體。利用吸引裝置40使由基片托PH的周壁部33包圍的第1空間38呈負壓。吸引裝置40具備在基片托PH的基座部35上面設置的多個吸引口 41 ；包含在基片架PT外部設置的真空泵的真空部42 ；以及在基座部35內部形成的、連接多個吸引口 41的每一個與真空部42的流路43。分別在基座部35上面中支撐部34以外的多個規定位置上設置了吸引口 41。吸引裝置40通過吸引在周壁部33、基座部35與由支撐部34支撐的基片P之間形成的第1空間38內部的氣體(空氣)使該第1空間38呈負壓，將基片P吸附保持在支撐部34上。再有，由于基片P的背面PC與周壁部33上面33A的間隙B很微小，故維持了第 1空間38的負壓。此外，流入到凹部31的內側面36與基片托PH的側面37之間的第2空間39中的液體1被回收部60回收。在本實施形態中，回收部60具有可容納液體1的容器61 ；以及在基片架PT內部設置的、連接空間39與外部的容器61的流路62。而且，在該流路62的內壁面上也進行了疏液處理。再有，也可在基片臺PST(基片架PT)中暫時地保持流入到空間 39中的液體，在規定的定時將其排出到與基片臺PST分開地設置的外部容器等中。在基片架PT中形成了連接凹部31的內側面36與基片托PH的側面37之間的第 2空間39與基片架PT外部的空間(大氣空間)的流路45。氣體(空氣)可經流路45在第2空間39和基片架PT外部流通，將第2空間39的氣壓大致設定為大氣壓。如圖6中所示，基片托PH、板構件30和第2板構件32是獨立的部件，設置成對于基片架PT可裝卸。而且，對基片架PT中與基片托PH的接觸面57進行疏液處理，使其呈疏液性，同時也對作為對于基片架PT的接觸面的基片托PH的背面58進行疏液處理，使其具有疏液性。作為對于接觸面57或背面58的疏液處理，如上所述，可涂敷氟樹脂材料或丙烯
15酸樹脂材料等的疏液性材料等來進行。其次，一邊參照圖7和圖8的示意圖，一邊說明使用具有上述的結構的曝光裝置EX 對基片P曝光的方法。如圖7(a)中所示，由基片架PT的放置面PTa吸附保持板構件30，同時也由基片架 PT的放置面PTa吸附保持第2板構件32。而且，利用運送臂(運送裝置)80將作為曝光處理對象的基片P運入到基片架PT上。此時，升降構件70上升，運送臂80將基片P交給上升了的升降構件70。再有，升降構件74未上升。升降構件70保持由從運送臂80交給的基片P并使其下降。如圖7(b)中所示，在板構件30的內側配置基片P，由基片架PT(基片托PH)來保持。然后，如圖7(c)中所示，控制裝置CONT利用液體供給機構10和液體回收機構20進行液體1的供給和回收，在由基片架PT保持的基片P與投影光學系統PL之間形成液體1的液浸區域AR2。然后，控制裝置CONT經投影光學系統PL和液體1對基片P照射曝光光EL，一邊移動支撐了基片P的基片臺PST，一邊進行液浸曝光。通過對基片P的邊緣區域E曝光，曝光光EL照射到板構件30的平坦面30A上，由于該曝光光EL的照射的緣故，存在平坦面30A的疏液性惡化的可能性。如果平坦面30A的疏液性惡化，則在平坦面30A上配置的液浸區域AR2的液體1容易殘留，產生引起放置了基片P的環境變動等的不良情況。因此，控制裝置CONT根據板構件30 (平坦面30A)的疏液性的惡化，將該疏液性惡化了的板構件30與新的(充分地具有疏液性)板構件30更換。具體地說，在液浸曝光處理的結束后，在使用液體回收機構20等回收了在基片P 上或平坦面30A上殘留的液體1后，如圖7 (d)中所示，控制裝置CONT在解除了對于板構件 30的吸附保持后，使升降構件74上升。此時，也解除由基片托PH進行的基片P的吸附保持。升降構件74在支撐了板構件30的下面的狀態下上升。再有，此時，升降構件70未上升。由此，板構件30離開基片架PT。此時，由于板構件30的支撐面30S支撐了基片下面 PC的邊緣部，故基片P與板構件30 —起上升，離開基片架PT。這樣，構成對于基片架PT裝卸板構件30的裝卸機構的升降構件74可與基片P—起從基片架PT取下板構件30。然后， 運送臂80進入利用升降構件74上升了的板構件30與基片架PT之間，支撐板構件30的下面。然后，運送臂80從基片架PT (基片臺PST)運出保持了基片P的板構件30。已運出的板構件30與新的板構件30更換。然后，如圖8 (a)中所示，控制裝置CONT 使用運送臂80將保持了作為曝光處理對象的基片P的新的板構件30運入到基片架PT (基片臺PST)上。此時，升降構件74上升，運送臂80將保持了基片P的板構件30交給上升了的升降構件74。再有，升降構件70未上升。升降構件74保持由從運送臂80交給的基片P 并使其下降。由此，如圖8(b)中所示，在板構件30的內側配置保持了基片P的板構件30， 由基片架PT(基片托PH)來保持。然后，如圖8(c)中所示，控制裝置CONT利用液體供給機構10和液體回收機構20進行液體1的供給和回收，在由基片架PT保持的基片P與投影光學系統PL之間形成液體1的液浸區域AR2。然后，控制裝置CONT經投影光學系統PL和液體1對基片P照射曝光光EL，一邊移動支撐了基片P的基片臺PST，一邊進行液浸曝光。然后，在板構件30的疏液性還未惡化時，在液浸曝光的結束后，在使用液體回收機構20等回收了在基片P上或板構件30的平坦面30Α等上殘留的液體1后，控制裝置CONT 在解除了對于基片P的吸附保持后，如圖8(d)中所示，使升降構件70上升。此時，板構件 30由基片架PT進行了吸附保持。升降構件70在支撐了基片P的下面的狀態下上升。再有，此時，升降構件74不上升。由此，基片P從基片架PT離開。然后，運送臂80進入利用升降構件70上升了的基片P與基片架PT之間，支撐基片P的下面。然后，運送臂80從基片架PT(基片臺PST)運出基片P。再有，作為運送臂80，可分別地設置用于運送板構件30的運送臂和用于運送基片 P的運送臂，但如圖9中所示，通過將運送臂80的支撐面80Α形成得較大，可與基片P和板構件30這兩者接觸，由于可支撐基片P和板構件30這兩者，故可用1個運送臂80運送基片P和板構件30這兩者。如以上已說明的那樣，由于設置成可更換在基片架PT上設置的疏液性的板構件 30、32，故在該板構件30、32的疏液性惡化了時，只通過與新的板構件30、32更換，就可維持基片架PT上的疏液性。在為了使基片架PT上的板構件30、32的上面呈疏液性而涂敷疏液性材料或用疏液性材料形成板構件30、32的情況下，如果照射曝光光，則有時其疏液性惡化。特別是在使用氟樹脂作為疏液性材料、使用紫外光作為曝光光的情況下，該板構件30、32的疏液性容易惡化(容易親液化)。于是，液體容易殘留在板構件30、32上。對次，在本實施形態中，在板構件30、32的疏液性惡化了時，與新的板構件30、32更換。因而，可抑制液體1殘留在基片架PT上，例如即使殘留，也可使用液體回收機構20 等順利地回收該液體1。因而，可防止起因于殘留的液體1的曝光精度的惡化，制造出具有所需性能的器件。此外，通過與基片P —起相對基片架PT運入和運出在基片P的周圍具有平坦面 30Α的板構件30，可容易地與基片P —起對基片架PT更換板構件30。此外，由于板構件30 在基片P的周圍具有平坦面30Α，故在與基片P —起將該板構件30運入到基片架PT上對基片P的邊緣區域E進行液浸曝光時，即使液體1的液浸區域AR2的一部分在基片P的外側伸出，也可利用平坦面30Α維持液浸區域AR2的形狀，可在投影光學系統PL的像面一側良好地保持液體1的狀態下進行液浸曝光而不導致液體1的流出等。而且，由于在板構件30的內側設置內側臺階部30D，形成支撐面30S，可支撐基片下面PC的邊緣部，故只保持并移動板構件30，就可與該板構件30 —起也移動基片P。此外， 由于因內側臺階部30D的緣故，在板構件30與基片P之間的間隙中，在剖面視圖中形成彎曲的角部，故即使假定液體1侵入到板構件30與基片P之間的間隙A中，彎曲的角部也起到密封部的功能，可防止該液體1侵入到基片P的背面PC —側或基片臺PST (基片托PH) 內部的不良情況。再者，由于對基片P的側面PB也進行了疏液處理，故可更良好地防止來自基片P的側面PB與板構件30之間的間隙A的液體1的侵入。此外，通過使基片P的背面PC和與其對置的周壁部33的上面33Α呈疏液性，可防止液體1經間隙B侵入到第1空間38中的不良情況。因而，可避免液體1流入到吸引口 41 中的不良情況的發生，可在良好地吸附保持基片P的狀態下進行曝光處理。此外，在本實施形態中，通過對可對于基片架PT裝卸的基片托PH的背面58或基片架PT中與基片托PH的接觸面57進行疏液處理，即使在液體1流入到第2空間39中的情況下，也可抑制液體1對于基片托PH的背面58與Z臺52的接觸面57之間的流入。因而，可防止基片托PH的背面58或基片架PT的接觸面57中的銹蝕的發生等。此外，如果液體1流入到基片托PH的背面58與基片架PT的接觸面57之間，則產生基片托PH與Z臺52 粘接而難以分離的狀況，但通過使其呈疏液性而容易分離。此外，作為用于對基片架PT裝卸板構件30的裝卸機構，由于設置了作為升降裝置的升降構件74及作為吸附保持板構件30的吸附保持裝置的吸附孔72，故可順利地進行板構件30的更換作業，可在基片架PT上良好地保持更換后的新的板構件30。此外，通過在第2板構件32的內側形成內側臺階部32D，在板構件30的外側形成外側臺階部30F，由于在板構件30與第2板構件32之間的間隙中在剖面視圖中也形成彎曲的角部，故即使液體1從間隙G侵入，彎曲的角部也起到密封部的功能，可防止液體1到達基片架PT內部的不良情況。此外，由于用第2板構件32的內側臺階部32D支撐板構件30的外側臺階部30F， 故如果用基片架PT吸附保持第2板構件32，則因板構件30由第2板構件32來支撐，故可不由基片架PT來保持。因此，如圖10中示出的示意圖那樣，可在基片架PT中與板構件30 對置的區域中形成空間部(槽)130，可謀求基片架PT(基片臺PST)的輕量化。此外，由于是在用板構件30保持了基片P的狀態下用運送臂80運送的結構，故用板構件30支撐基片P的比較寬的區域。因而，即使例如基片P的尺寸較大，通過在用板構件30保持了的狀態下來運送，也可抑制基片P的撓曲(翹曲)。再有，在第2板構件32的平坦面32Α的疏液性惡化、更換第2板構件32的情況下， 由于第2板構件32支撐板構件30，故可在基片P的液浸曝光結束后使用運送臂80 —起運出基片P和板構件30。在該情況下，也可與升降構件74同樣地設置用于升降第2板構件32 的升降構件。此外，也可分別運出和運入板構件30和第2板構件32而不設置第2板構件 32的內側臺階部32D。在該情況下，可再設置用于運出和運入第2板構件32的運送機構。再有，如上所述，根據平坦面30Α、32Α的疏液性的惡化來決定板構件30、32的更換的定時。作為更換板構件30、32的定時，例如可按每規定基片處理片數或每規定時間間隔等預先確定的規定間隔更換板構件30、32。或者，可利用實驗或模擬預先求出曝光光EL的照射量(照射時間、照度)與板構件30、32的疏液性水平的關系，根據該已求出的結果，設定更換板構件30、32的定時。例如可通過用顯微鏡或目視來觀察平坦面30Α、32Α等、在評價面上垂下液滴，用目視或顯微鏡觀察液滴的狀態、或測定液滴的接觸角來進行疏液性的惡化的評價。通過用與曝光光等的紫外線的累積照射量的關系預先在控制裝置CONT中記錄了這樣的評價，根據該關系，控制裝置CONT可決定板構件30、32等的壽命、即更換時間(時期)。此外，曝光裝置EX使用可檢測在投影光學系統PL的一側照射的曝光光EL的強度的積分傳感器(未圖示)，可求出對板構件30、32照射的曝光光EL的累積照射量。由于控制裝置CONT根據使用激光干涉計56檢測的基片臺PST的位置信息和使用積分傳感器檢測的曝光光EL的強度信息，可檢測對板構件30或第2板構件32照射的曝光光EL的強度與照射時間(照射脈沖數)，故根據該檢測結果可求出對板構件30或第2板構件32照射的曝光光EL的累積照射量。再有，檢測曝光光EL的強度的積分傳感器，例如在美國專利第 5，728，495號公報或美國專利第5，591，958號公報中公開了，只要在本國際申請中指定或選擇的國的法令中容許，引用這些文獻的記載內容，作為本文的記載的一部分。在本實施形態中，控制裝置CONT根據板構件30、32的上面30Α、32Α中的液體的接觸角來判斷是否需要更換板構件30、32。例如，根據板構件30、32的使用時間或紫外光的累積照射量等，在推斷為液體的接觸角下降到小于等于規定角度(例如100° )的情況下，判斷為必須更換板構件30、32。或者，根據板構件30、32的使用時間或紫外光的累積照射量等，在推斷為板構件30、32的表面30A、32A中的液體1的接觸角比初始狀態下降了大于等于規定角度(例如10° )的情況下，判斷為必須更換板構件30、32。再有，也可不用曝光裝置EX的控制裝置CONT來判斷板構件30、32等的疏液性的惡化，例如將設置了曝光裝置EX的工廠等的主計算機和曝光裝置EX連接成可交換各種數據，用該主計算機來判斷。此外，在液體回收機構20的液體回收能力高的情況下，由于存在即使板構件30、 32的疏液性惡化也可充分地回收液體的可能性，因此在決定板構件30、32等的更換時期時，也可以考慮液體回收機構20的液體回收能力與疏液性的惡化(接觸角的下降)的關系。此外，由于疏液性的惡化的速度或惡化的程度不僅隨曝光光EL的照射時間而不同，而且隨付與疏液性的材料、液體、曝光波長溫度等的要素而不同，故最好與這些要素一起準備評價數據。關于以下所述的被賦予疏液性的其它的構件的更換時期，也是同樣的。再有，在本實施形態中，利用作為疏液性材料的聚四氟乙烯形成板構件30、32，但當然也可利用其它的具有疏液性的材料來形成。此外，也可例如用規定的金屬等形成板構件30、32，在該金屬制的板構件30的表面上涂敷具有疏液性的疏液性材料(聚四氟乙烯等的氟化物)。此外，作為疏液性材料的覆蓋區域，可涂敷在板構件30、32的全部表面，也可只涂敷例如平坦面30A等必須有疏液性的一部分的區域。當然，可用不同的構件設置板構件30和第2板構件32，也可使用不同的疏液性材料來涂敷。此外，板構件30和第2板構件32的全部的表面沒有必要以均勻的水平具有疏液性，可部分地設置疏液性強的部分。此外，板構件30和第2板構件32的全部的表面沒有必要具有同樣的疏液性的惡化耐久性，與其它的部分相比，可強化曝光光的照射量多的部分的惡化耐久性。例如，板構件30的表面的惡化耐久性最好比第2板構件32的表面的惡化耐久性強。在本實施形態中，說明了在更換板構件30時與基片P —起運出板構件30，當然也可對于基片架PT只運入和運出板構件30。此外，在本實施形態中可使用升降構件74和運送臂80來更換板構件30，但升降構件74或能運送板構件30的運送臂80不是必須的，操作者可用手動來更換板構件30。此外，在上述的實施形態中，分別一體地設置了板構件30和第2板構件32，但也可分割該板構件30和第2板構件32，可部分地更換。由此，也可頻繁地只更換疏液性的惡化劇烈的部分。或者，也可將板構件30和第2板構件32作為一個板構件來形成，保持在基片架PT上。再有，在本實施形態中，從圖5可明白，基片托PH和基片架PT可裝卸，但也可與基片架PT —體地設置基片托PH。再有，在本實施形態中，在基片P的表面PA、側面PB和背面PC的整個面上為了進行疏液處理而涂敷了感光材料90，但也可以是只對形成間隙A的區域、即基片P的側面PB和形成間隙B的區域、即基片P的背面PC中與周壁部33的上面33A對置的區域進行疏液處理的結構。再者，如果間隙A充分小，此外為了進行疏液處理而涂敷的材料的疏液性(接觸角)充分大，則由于液體1經間隙A流入到第2空間39中的可能性進一步降低，故也可以是不對形成間隙B的基片P的背面PC進行疏液處理而只對基片P的側面PB進行疏液處理的結構。當然，也可使用對表面PA、側面PB和背面PC全都未進行疏液處理的基片P。再有，在本實施形態中，周壁部33的高度比支撐部34的高度低、在基片P的背面 PC與周壁部33的上面33A之間形成了間隙B，但基片P的背面PC與周壁部33的上面33A 也可接觸。在本實施形態中，作為基片P的側面PB和背面PC的疏液處理，涂敷了具有疏液性的感光材料90，但也可涂敷感光材料90以外的具有疏液性(疏水性)的規定的材料。例如，有時在作為基片P的曝光面的表面PA上涂敷的感光材料90的上層涂敷稱為頂部涂層的保護層(保護感光材料90使之不受液體的影響的膜)，而該頂部涂層的形成材料(例如氟樹脂材料)例如以接觸角約110°具有疏液性(疏水性)。因而，也可在基片P的側面PB 和背面PC上涂敷該頂部涂層形成材料。當然，也可涂敷感光材料90或頂部涂層形成用材料以外的具有疏液性的材料。此外，在本實施形態中，作為基片架PT或基片托PH的疏液處理，涂敷氟樹脂材料或丙烯酸樹脂材料等，但也可在基片架PT或基片托PH上涂敷上述感光材料或頂部涂層形成材料，相反，也可在基片P的側面PB或背面PC上涂敷在基片臺PST或基片托PH的疏液處理中使用的材料。為了防止液浸區域AR2的液體1浸透到感光材料90中而設置上述頂部涂層的情況較多，但例如即使在頂部涂層上形成液體1的附著痕跡(所謂水跡)，通過在液浸曝光后除去該頂部涂層，也可在與頂部涂層一起除去了水跡后進行顯影處理等的規定的工藝處理。在此，在由氟樹脂材料形成頂部涂層的情況下，可使用氟類溶劑來除去。由此，不需要用于除去水跡的裝置(例如水跡除去用基片清洗裝置)等，用由溶劑除去頂部涂層這樣的簡易的方式，就可在除去了水跡后良好地進行規定的工藝處理。再有，在上述的實施形態中，用真空吸附方式在基片架PT上保持了板構件30、32， 但也可使用電磁夾持機構等其它的夾持機構。〈第2實施形態〉其次，說明本發明的其它的實施形態。在以下的說明中，對于與上述的實施形態為同一或同等的結構部分附以同一符號，簡化或省略其說明。圖11是示出對基片架PT(基片臺PST)裝卸的基片托PH的圖，圖11(a)是側剖面圖，圖11(b)是從上方看取下了基片托PH后的基片架PT的平面圖。如圖11中所示，基片架PT在其上面(對于基片托PH的保持面)具備可嵌合基片托PH的凹部157 ；在凹部157內部設置的、吸附保持在凹部157中配置的基片托PH的多個真空吸附孔158 ；以及在凹部157內部設置的后述的流路159。通過將基片托PH嵌合到凹部157中，對基片架PT和基片托PH進行定位。真空吸附孔158構成了保持在凹部157 中配置的基片托PH的夾持機構的一部分，連接到未圖示的真空裝置上。利用控制裝置CONT 來控制真空裝置的驅動。控制裝置CONT控制真空裝置，經真空吸附孔158進行基片架PT 的對于基片托PH的吸附保持和解除保持。通過解除保持，可進行基片托PH與基片架PT的
20分離，可更換基片托PH。再有，在此，說明了基片架PT對基片托PH進行真空吸附保持，但也可利用電磁夾持機構等其它的夾持機構來保持基片托PH和解除基片托PH的保持。此外，在此，說明了使用凹部157進行基片架PT和基片托PH的定位，但例如也可作成以光學的方式檢測基片托 PH和基片架PT的位置關系、根據該檢測結果對于基片架PT將基片托PH定位在規定的位置上的結構。此外，基片托PH具有用于配置基片P的凹部150 ；以及與在凹部157中配置的基片P的表面大致為同一面的平坦面30A。在基片P的周圍以環狀設置了平坦面30A。在平坦面30A的周圍，形成了比該平坦面30A高的側壁部151。在平坦面30A的周圍連續地以環狀形成了側壁部151，在該側壁部151的內側(基片P上或平坦面30A上)可保持液體1。例如利用聚四氟乙烯等具有疏液性的材料形成了基片托PH。再有，也可例如用規定的金屬形成基片托PH，在該金屬制的基片托PH中至少對于平坦面30A涂敷具有疏液性的疏液性材料(聚四氟乙烯等)。當然，也可在金屬制的基片托PH的表面的整個區域中涂敷疏液性材料。運送臂80可運送從基片架PT取下的基片托PH。例如，運送臂80從基片架PT (基片臺PST)運出(卸載)保持進行了曝光處理后的基片P的基片托PH，在將基片托PH與另外的基片托PH進行了更換后，將該基片托PH運入(裝載)到基片架PT上。此外，運送臂 80在將基片托PH運入到基片架PT上時，可只運入基片托PH，也可運入保持了曝光處理之前的基片P的基片托PH。圖12是示出基片托PH的圖，圖12(a)是側剖面圖，圖12(b)是從上方看的平面圖。在圖12中，基片托PH具備可保持上述的液體1的側壁部151 ；在凹部150的底面部PHT上形成的多個凸部161 ；以及在凸部161的上端面上形成的真空吸附孔162。凸部 161的上端面是平坦面，基片托PH在用多個凸部161的上端面支撐基片P的同時，經真空吸附孔162吸附保持基片P。在此，在基片托PH的凹部150的底面部PHT的多個規定位置上分別設置了凸部161，以使基片P不撓曲。通過用凸部161支撐基片P，在基片P與基片托 PH的底面部PHT之間形成分離部164。再有，在本實施形態中，基片托PH的平面視圖形狀是大致圓形，但也可以是矩形。此外，在連接基片架PT與基片托PH時，基片托PH的真空吸附孔162經在基片托 PH中形成的流路162A連接到在基片架PT的上面設置的流路159(參照圖11(b))上。流路 159連接到真空裝置上，控制裝置CONT通過驅動真空裝置，經基片架PT的流路159、基片托 PH的流路162A和真空吸附孔162吸附保持由凸部161支撐的基片P。在此，在流路162A 中分別設置了由根據控制裝置CONT的控制來驅動的電磁閥等構成的閥部162B，可對流路 162A的打開、關閉工作進行遙控操作。控制裝置CONT在驅動了真空裝置時控制閥部162B 打開流路162A，在停止了真空裝置時關閉流路162A。因而，在經真空吸附孔162的對于基片P的吸引工作后，通過在停止真空裝置的驅動的同時利用閥部162B關閉流路162A，維持流路162A的負壓。因而，在分離了基片架PT與基片托PH時，通過使流路162A為負壓，也可維持基片托PH對于基片P的吸附保持。其次，一邊參照圖13的示意圖，一邊說明具有上述的結構的曝光裝置EX的工作。如圖13(a)中所示，利用運送臂(運送裝置)80將保持了作為曝光處理對象的基片P的基片托PH與基片P—起運入到基片架PT上。如圖13(b)中所示，將基片托PH配置成與在基片架PT上設置的凹部157嵌合，保持在具有真空吸附孔158(圖11)的夾持機構上。然后，控制裝置CONT驅動真空裝置，經流路159、流路162A和真空吸附孔162對基片P 進行真空吸附保持(再有，在圖13中未圖示)。此時，閥部162B打開流路162A。然后，如圖13 (c)中所示，控制裝置CONT利用液體供給機構10和液體回收機構20進行液體1的供給和回收，在基片架PT上經基片托PH保持的基片P與投影光學系統PL之間形成液體1的液浸區域AR2。然后，控制裝置CONT經投影光學系統PL和液體1在基片P上照射曝光光 EL, 一邊移動在基片架PT (基片臺PST)上經基片托PH保持的基片P，一邊進行液浸曝光。 此時，由于利用吸附保持了的基片P堵塞真空吸附孔162，故即使供給液體1，也不會侵入到真空吸附孔162中。此外，由于基片托PH的側壁部151的緣故，基片P上或平坦面30A上的液體1也不會流出到基片托PH的外側。基片P的液浸曝光結束后，控制裝置CONT使用液體回收機構20 (參照圖2)等回收在基片P上或平坦面30A上殘留的液體1。其次，控制裝置CONT解除由包含真空吸附孔 158的夾持機構進行的對于基片托PH的保持，同時使用閥部162B堵塞流路162A。然后，如圖13(d)中所示，控制裝置CONT利用運送臂80從基片架PT與基片P—起運出(卸載)保持了結束曝光處理的基片P的狀態的基片托PH。在分離基片托PH與基片架PT時，如參照圖12已說明的那樣，由于利用閥部162B堵塞連接到吸附保持基片P的真空吸附孔162上的流路162A而維持了負壓狀態，故維持由凸部161的上端面進行的對于基片P的吸附保持。 此外，在與基片托PH —起運送基片P時，即使假定液體1殘留在基片P上或平坦面30A上， 該殘留的液體1也不會經流路162A流出。此外，由于殘留的液體1保持在側壁部151內部， 故也不會流出到基片托PH的外側而在運送路徑中飛散。已運出的基片托PH與新的基片托PH更換。然后，控制裝置CONT使用運送臂80 將保持了作為曝光處理對象的基片P的新的基片托PH與基片P —起運入到基片架PT(基片臺PST)上(參照圖13)。這樣，即使在本實施形態中，由于更換基片托PH，故也可用表面呈疏液性的基片托 PH保持基片P。〈第3實施形態〉但是，在上述實施形態中，說明了根據其疏液性的惡化來更換在基片P的周圍具有平坦面30A的構件(板構件30、第2板構件32、基片托PH)，但優選在基片架PT上設置的板構件30、第2板構件32和基片托PH以外的構件的表面也呈疏液性，最好根據其疏液性的惡化可更換。特別是希望與液體1接觸的構件的表面呈疏液性，最好根據其疏液性的惡化可更換。具體地說，在表面上形成液浸區域使用的基準構件300的結構構件、光學傳感器 400,500的結構構件也可更換。圖14是示出在基片架PT上設置的基準構件300的剖面圖。在圖14中，基準構件300具備由玻璃構成的光學構件301和在光學構件301的上面301A上形成的基準標記 MFM、PFM。基準構件300安裝在基片架PT上，如上所述，配置在第2板構件32上設置的開口部32K中，露出上面301A。而且，基準構件300(光學構件301)對于基片架PT可裝卸， 可更換。可在基準構件300和基片架PT上設置將基準構件300再次安裝在基片架PT的規定位置上時為了對于基片架PT使基準構件300定位而互相嵌合的凹凸或雌雄構件。或者，也可在基準構件300與基片架PT中埋入磁鐵和被其吸引的材料，以便能用磁力使基準構件 300對于基片架PT定位。或者，也可用真空吸引力使基準構件定位在基片架PT上。再有， 也可使用石英作為光學構件301。在基準構件300與開口部3 之間設置了例如約為0.3mm的間隙K。光學構件 301 (基準構件300)的上面301A大致為平坦面，將基片P表面、板構件30的表面30A和第 2板構件32的表面32A設置成大致為同一面。第2板構件32中的基準構件300附近的厚度減薄了，該厚度減薄了的厚度薄的部分32S中的基準構件300 —側的端部向下方彎曲形成了彎曲部32T。此外，在基片架PT 上形成了向上方突出的壁部310。壁部310對于基準構件300與彎曲部32T相比設置在外側，連續地形成為包圍基準構件300 (彎曲部32T)。而且，彎曲部32T的外側面32Ta與壁部 310的內側面3IOA對置，彎曲部32T的內側面32Tb與光學構件301 (基準構件300)的側面 301B對置。光學構件301的側面301B、彎曲部32T的內側面32 和外側面32 、壁部310 的內側面310A和上端面310B分別是平坦面。此外，包含第2板構件32的彎曲部32T的厚度薄的部分32S與壁部310稍微地分離，在其間形成了規定的間隙。對光學構件301的上面301A、側面301B中至少與彎曲部32T對置的區域、壁部310 的內側面310A和上端面310B進行疏液處理，使其呈疏液性。作為疏液處理，如上所述，可涂敷氟樹脂材料或丙烯酸樹脂材料等的疏液性材料等來進行。此外，流入到第2板構件32的彎曲部32T(壁部310)與基準構件301之間的空間 370中的液體1由回收部380回收。在本實施形態中，回收部380具備真空系統383 ；包含可容納液體1的容器的氣液分離器381 ；以及在基片架PT內部設置的、連接空間370與氣液分離器381的流路382。對流路382的內壁面也進行了疏液處理。在上述的基準構件300中，可考慮在例如在其上面301A上形成了液體1的液浸區域AR2的狀態下進行基準標記檢測工作的結構，而由于上面301A上呈疏液性，故在基準標記檢測工作結束后，可良好地進行上面301A上的液浸區域AR2的液體1的回收，可防止液體1殘留的不良情況。此外，由于光學構件301的側面301B呈疏液性，同時與該側面301B 對置的彎曲部32T的內側面32Tb也呈疏液性，故液體1難以侵入到間隙K中。因此，可防止液體1侵入到空間370中的不良情況。此外，即使假定液體1侵入到空間370中，也可利用回收部380良好地回收液體1。再者，即使液體1侵入到空間370中，由于壁部310的內側面310A和上端面310B呈疏液性，同時與該壁部310對置的第2板構件32 (彎曲部32T) 也呈疏液性，故可防止侵入到空間370中的液體1越過壁部310侵入到基片架PT內部而產生銹蝕等的不良情況。這樣，壁部310具有作為防止液體1的擴散的液體擴散防止壁的功能。此外，在第2板構件32與壁部310的間隙中，利用彎曲部32T形成了在剖面視圖中為彎曲的角部，由于該彎曲的角部起到密封部的功能，故能可靠地防止液體1對于基片架PT 內部的侵入。而且，由于基準構件300(光學構件301)可更換，故在其疏液性惡化了的情況下， 與板構件30同樣，與新的(具有充分的疏液性的)基準構件300更換即可。再有，在使用基準構件300的情況下，由于對標記部分局部地照射檢測光，故在基準構件300上預先形成了多個同一的基準標記，如果標記部分的表面的疏液性惡化了，就可使用其它的基準標記，為了降低疏液性的惡化速度，也可在每次檢測中交替地使用這些標記。由此，可減少基準構件300的更換頻度。由于包含使用與曝光波長為同一的檢測光的基準標記MFM的部分的疏液性的惡化快，故這樣做特別有效。圖15是示出在基片架PT上設置的照度不勻傳感器400的剖面圖。在圖15中，照度不勻傳感器400具備由石英玻璃等構成的上板401和在上板401下設置的由石英玻璃等構成的光學元件402。在本實施形態中，一體地設置了上板401和光學元件402。在以下的說明中，將上板401和光學元件402合在一起適當地稱為「光學構件404」。此外，經支撐部403在基片架PT上支撐了上板401和光學元件402。支撐部403具有包圍光學構件404 的連續的壁部。照度不勻傳感器400如上所述，配置在第2板構件32上設置的開口部32L 中，露出上面401A。包含上板401和光學元件402的光學構件404對于基片架PT可裝卸， 可更換。可在光學構件404和基片架PT上設置將光學構件404再次安裝在基片架PT的規定位置上時為了對于基片架PT使光學構件404定位而互相嵌合的凹凸或雌雄構件。或者， 也可在光學構件404與基片架PT中埋入磁鐵和被其吸引的材料，以便能用磁力使光學構件 404對于基片架PT定位。或者，也可用真空吸引力使基準構件定位在基片架PT上。在上板401上設置了可通過光的針孔部470。此外，在上板401上的針孔部470以外的部分上設置了包含鉻等的遮光性材料的薄膜460。在本實施形態中，在針孔部470內部也設置了由石英玻璃等構成的光學構件，由此，薄膜460與針孔部470為同一面，上面401A 成為平坦面。在光學構件404的下方配置了接受通過了針孔部470的光的光傳感器450。在基片架PT上安裝了光傳感器450。光傳感器450對控制裝置CONT輸出受光信號。在此，用支撐部403、基片架PT和光學構件404包圍的空間405是大致密閉的空間，液體1不侵入到空間405中。再有，也可在光學構件404與光傳感器450之間配置光學系統(光學元件)。在包含光學構件404和支撐部403的照度不勻傳感器400與開口部32L之間，設置了例如約為0. 3mm的間隙L。照度不勻傳感器400的上面401A大致為平坦面，將基片P 表面、板構件30的表面30A和第2板構件32的表面32A設置成大致為同一面。第2板構件32中的照度不勻傳感器400附近的厚度減薄了，該厚度減薄了的厚度薄的部分32S中的照度不勻傳感器400 —側的端部向下方彎曲形成了彎曲部32T。此外，在基片架PT上形成了向上方突出的壁部310。壁部310對于照度不勻傳感器400與彎曲部 32T相比設置在外側，連續地形成為包圍照度不勻傳感器400(彎曲部32T)。而且，彎曲部 32T的外側面32Ta與壁部310的內側面310A對置，彎曲部32T的內側面32Tb與照度不勻傳感器400的光學構件404和支撐部403的側面401B對置。側面401B、彎曲部32T的內側面32Tb和外側面32Ta、壁部310的內側面310A和上端面310B分別是平坦面。此外，包含第2板構件32的彎曲部32T的厚度薄的部分32S與壁部310稍微地分離，在其間形成了規定的間隙。對照度不勻傳感器400的上面401A、側面401B中至少與彎曲部32T對置的區域、 壁部310的內側面310A和上端面310B進行疏液處理，使其呈疏液性。作為疏液處理，如上所述，可涂敷氟樹脂材料或丙烯酸樹脂材料等的疏液性材料等來進行。此外，流入到第2板構件32的彎曲部32T (壁部310)與照度不勻傳感器400之間的空間470中的液體1由回收部480回收。在本實施形態中，回收部480具備真空系統 483 ；包含可容納液體1的容器的氣液分離器481 ；以及在基片架PT內部設置的、連接空間470與氣液分離器481的流路482。對流路482的內壁面也進行了疏液處理。在上述的照度不勻傳感器400中，在例如在其上面401A上形成了液體1的液浸區域AR2的狀態下，在照射曝光光EL的照射區域(投影區域)內的多個位置上依次使針孔部 470移動。由于上面40IA呈疏液性，故在照度不勻檢測結束后，可良好地進行上面40IA上的液浸區域AR2的液體1的回收，可防止液體1殘留的不良情況。此外，由于照度不勻傳感器400 (光學構件404、支撐部40 的側面401B呈疏液性，同時與該側面401B對置的彎曲部32T的內側面32Tb也呈疏液性，故液體1難以侵入到間隙L中。因此，可防止液體1侵入到空間470中的不良情況。此外，即使假定液體1侵入到空間470中，也可利用回收部480 良好地回收液體1。再者，即使液體1侵入到空間470中，由于壁部310的內側面310A和上端面310B呈疏液性，同時與該壁部310對置的第2板構件32 (彎曲部32T)也呈疏液性，故可防止侵入到空間470中的液體1越過壁部310侵入到基片架PT內部而產生銹蝕等的不良情況。此外，在第2板構件32與壁部310的間隙中，利用彎曲部32T形成了在剖面視圖中為彎曲的角部，由于該彎曲的角部起到密封部的功能，故能可靠地防止液體1對于基片架PT內部的侵入。而且，由于光學構件404可更換，故與板構件30同樣，在其疏液性惡化了的情況下，與新的(具有充分的疏液性的)光學構件404更換即可。再有，由于空間像檢測傳感器500具有與照度不勻傳感器400大致同等的結構，故省略其詳細的說明，但空間像檢測傳感器500也具有在基片架PT上經支撐部支撐的上板和由光學元件構成的光學構件，在其上面501A上設置了可通過光的狹縫部570和覆蓋該狹縫部以外的部分的由遮光性材料構成的薄膜。而且，在光學構件下配置了接受通過了狹縫部 570的光的光傳感器。具有狹縫部570的光學構件根據其疏液性的惡化可更換。再有，在參照上述的圖14、圖15已說明的實施形態中，通過使形成間隙K、L的構件表面具有疏液性來防止液體1的侵入，但不限于檢測構件或傳感器周圍的間隙，通過使在基片架PT的上面存在的間隙同樣地具有疏液性，可防止液體1對該間隙的侵入。此外， 在間隙K、L中配置由樹脂等形成的密封構件，可防止液體1的侵入，也可在間隙K、L中充填液體(例如真空油或磁性流體等)使之具有液體密封劑的功能來防止液體1的侵入。在該情況下，密封用的液體最好是難以在液體1中溶出的液體。當然，也可合并使用這些防止液體侵入的對策。此外，沒有必要使在基片臺PST(基片架PT)上安裝的全部的檢測構件(基準構件 300的光學構件301、光學傳感器400的上板401、光學傳感器500的上板501等)的表面 (液體接觸面)呈疏液性，可只使這些表面的一部分具有疏液性。此外，在上述的實施形態中，在構件表面的疏液性惡化了的情況下進行更換，但也可在更換某一個構件時，同時也更換更換時期接近的構件。此外，為了更可靠地進行液體(水)的回收，希望基片架PT的表面、即板構件30 和第2板構件32的表面、基準構件300等的表面的對于液體(水)的接觸角比80°大，最好大于等于100° (上述的四氟乙烯的對于液體(水)的接觸角約為110° )。此外，關于在基片P的表面上涂敷的感光材料(ArF曝光光用的光刻膠)，也希望使用對于液體(水)的接觸角比80°大的材料。當然，在使用KrF準分子激光作為曝光光的情況下，希望使用對于液體的接觸角比80°大的光刻膠作為KrF曝光光用的光刻膠。
在上述的具體例中例示了同時具備基片架、基準構件300、照度不勻傳感器400或空間像檢測傳感器500等的檢測工具的基片臺，但也可將本發明適用于保持基片并進行曝光的臺和檢測用的臺不在一起的曝光裝置。即，本發明也可應用于具備保持晶片等的被處理基片并可移動的曝光臺和備有各種基準構件或檢測傳感器等的檢測構件的檢測臺的曝光裝置。在該情況下，可將在上述的實施形態中在基片臺PST上配置了的基準構件或各種檢測傳感器中的至少一部分配置在檢測臺上。具備曝光臺和檢測臺的曝光裝置例如在特開平11-13M00號公報中記載了，只要在本國際申請中指定或選擇的國的法令中容許，引用這些文獻的記載內容，作為本文的記載的一部分。在本實施形態中，也可適用于安裝了 2個保持基片P的基片臺(基片架)的雙臺型的曝光裝置。雙臺型的曝光裝置的結構和曝光工作，例如在特開平10-163099號和特開平 10-214783 號(對應的美國專利 6，341，007,6, 400，441,6, 549，269 和 6，590，634)、特表 2000-505958號(對應的美國專利5，969，441)或美國專利6，208，407中公開了，只要在本國際申請中指定或選擇的國的法令中容許，引用這些文獻的記載內容，作為本文的記載的一部分。〈第4實施形態〉圖16是應用了本發明的雙臺型曝光裝置的概略結構圖。雙臺型曝光裝置具備可在共同的基座討上分別獨立地移動的第1、第2基片臺PST1、PST2。第1、第2基片臺PST1、 PST2是具備用與圖1 15的關系說明了的那樣的結構和功能的基片臺，分別具有第1、第 2基片架PT1、PT2，在第1、第2基片架ΡΤ1、ΡΤ2上分別以可更換的方式設置了板構件30和第2板構件32。此外，雙臺型曝光裝置具有曝光工位STl和檢測、更換工位ST2，在曝光工位STl上設置投影光學系統PL，在檢測、更換工位ST2上安裝了基片對準系統、聚焦、矯正檢測系統等(在圖16中未圖示)。而且，在曝光工位STl中在對在第1基片架PTl上保持的基片P進行液浸曝光的期間內，在檢測、更換工位ST2中對于第2基片臺PST2(第2基片架 PT2)與板構件30 —起裝載、卸載基片P。此外，在檢測、更換工位ST2中，與曝光工位STl 中的液浸曝光并行地進行第2基片臺PST2上的對于基片P的檢測工作(聚焦檢測工作、對準工作)，在該檢測工作結束了后，第2基片臺PST2移動到曝光工位ST2上，對第2基片臺 PST上的基片P進行液浸曝光處理。這樣，在雙臺型曝光裝置的情況下，由于在一個臺上的液浸曝光處理中，在另一個臺上不僅可進行基片更換或檢測處理，而且可進行板構件30的更換，故可提高曝光處理的單位時間的產量。再有，在上述的各實施形態中，說明了根據其疏液性來更換板構件30等，但在例如因某種原因損傷了或污染了的情況下等，當然也可根據疏液性的惡化以外的其它的理由來更換。例如，在板構件30等在長時間內與液體1接觸的情況下，由于存在其表面的性能惡化、物質溶出從而污染液體1的可能性，故也可考慮伴隨物質溶出的板構件30等的表面性能惡化來決定更換時期。在上述實施形態中，用螢石形成了光學元件2，但例如可使用該螢石的表面的結晶方位為(111)面的螢石。此外，在圖1中示出的光學元件2的前端部加、即與液體1接觸的部分中，可利用真空蒸鍍法形成氟化鎂(MgF2)膜作為由單層膜構成的防止溶解膜。〈第5實施形態〉
如在上述的第1實施形態中已說明的那樣，在基片臺PST上安裝了構成照射量監視器、照度不勻傳感器等的裝置的光學部件、空間像檢測裝置的指標板、中間掩模的對準時使用的基準標記(基準構件)的情況下，希望這些光學部件的光照射面(液體接觸面)具有疏液性。在不能完全地進行照射量監視器、照度不勻傳感器等的光照射面上的排水的情況下，存在不能準確地進行光照射量或光照度的檢測的危險。此外，在不能完全地進行空間像檢測裝置的指標板上的排水的情況下，存在由于指標板上的液體蒸發、指標板的面形狀變化從而在由空間像檢測裝置進行的檢測中產生誤差的可能性。此外，在不能完全地進行基準標記上的排水的情況下，存在由于基準標記上的液體蒸發、基準標記的形狀變化從而不能準確地進行中間掩模對準的可能性。因此，要求在基片臺上配置的光學部件的表面在長時間內具有疏水性。在該情況下，可考慮通過在光學部件的表面上涂敷非晶質氟樹脂并形成薄膜來作成光學性能高的疏水性光學薄膜。即，非晶質氟樹脂是樹脂中特別透明且紫外線透射率高的材料，而且，由于因樹脂表面上配位的-CF3鍵的緣故，是在有機物中顯示出最小的表面張力的樹脂，故是具有優良的疏水性能的材料。但是，如果對在光學部件的表面上施加的疏水性光學薄膜在液浸狀態下照射能量高的紫外激光，則薄膜吸收的微量的光的能量變換為溫度，在比較短的期間內薄膜膨脹，水侵入到膜中。在該情況下，如果氟樹脂薄膜與光學部件表面的密接性惡化，則膜剝離，對光學性能產生不良影響，由于疏水性能惡化，存在水滴殘留在基片臺上的危險。一般來說，已知如果使氟烷基硅烷那樣的偶合劑與光學部件表面反應來形成粘接層并在其上形成氟樹脂薄膜，則可得到密接性良好的薄膜，但按照本發明者的調查，由于氟烷基硅烷吸收紫外激光而分解，故可知不能得到激光照射后的密接性。在本實施形態中，一邊參照附圖，一邊說明適合于在長時間內可維持疏水性的液浸型投影曝光裝置的光學部件。圖19是示出在晶片臺上安裝的光學部件的圖。圖20是示出在晶片臺上安裝的光學部件的結構的圖。在圖19中示出的晶片臺609上安裝了用于監視曝光光的照射量的照射量監視器的光入射窗(光照射面)650和用于檢測曝光光的照度不勻的照度不勻傳感器的光入射窗 (光照射面)652等的光學部件。此外，安裝了進行投影光學系統的光學特性等的檢測的空間像檢測裝置(AIS系統)的指標板(光照射面)6 和中間掩模的對準時使用的基準標記 (FM)(光照射面)656等的光學部件。在此，如圖20中所示，利用石英玻璃660構成照射量監視器的光入射窗(光照射面)650(和照度不勻傳感器的光入射窗(光照射面)652)，在其表面上形成由二氧化硅(SiO2)形成的微粒子層(粘接微粒子層)662，在微粒子層的表面上形成由非晶質氟樹脂構成的疏水性膜664。此外，利用石英玻璃和在該石英玻璃的表面上形成的鉻(金屬)圖案構成空間像檢測裝置(AIS系統)的指標板肪4和基準標記(FM)656，在其表面上形成由二氧化硅 (SiO2)形成的微粒子層(粘接微粒子層)，在微粒子層的表面上形成由非晶質氟樹脂構成的疏水性膜。按照與本實施形態有關的光學部件，由形成粘接微粒子層的二氧化硅(SiO2)構成的的微粒子層與基體材料的玻璃(主要成分SiO2)的親和性良好，可得到與基體材料的玻璃良好的密接性。此外，在表面上產生來源于粒子的直徑的凹凸。再者，二氧化硅等是紫外
27線透射率非常高的材料，其本身的激光照射耐久性也高。在本實施形態中，在形成了由二氧化硅(SiO2)構成的微粒子層后在該微粒子層上形成由非晶質氟樹脂構成的疏水性膜。以非晶質氟樹脂進入二氧化硅等的微粒子的空隙中而將其包圍的方式干燥、固化。由于非晶質氟樹脂本身的機械的強度高，故與基體材料密接的疏水性膜的強度高。此外，因為在光照射面上形成的疏水性膜具有高的激光照射耐久性，故可在長時間內維持在投影曝光裝置上安裝的光學部件的光照射面的疏水性。此外，按照與本實施形態有關的投影曝光裝置，由于在基片臺上安裝了可在長時間內維持光照射面的疏水性的光學部件，故即使在重復進行液浸曝光的情況下，也能可靠地進行光學部件的光照射面上的排水。再有，在上述的實施形態中，在光學部件的光照射面上形成了由用二氧化硅 (SiO2)構成的微粒子層構成的粘接微粒子層的基礎上形成了由非晶質氟樹脂構成的疏水性膜，但也可在光照射面上代替二氧化硅(SiO2)形成了由氟化鎂(MgF2)或氟化鈣(CaF2)構成的粘接微粒子層的基礎上形成由非晶質氟樹脂構成的疏水性膜。或者，可混合或層疊二氧化硅(SiO2)、氟化鎂(MgF2)和氟化鈣(CaF2)中的任意的二種來構成粘接微粒子層，也可混合或層疊這些材料的三種來構成粘接微粒子層。即使在該情況下，與在形成了由用二氧化硅(SiO2)構成的微粒子層構成的粘接微粒子層的基礎上形成了由非晶質氟樹脂構成的疏水性膜的情況同樣，可作成在激光照射耐久性方面優良的疏水性膜。此外，在上述的實施形態中，在光學部件(例如光入射窗650)的光照射面上形成了由用二氧化硅(SiO2)構成的微粒子層構成的粘接微粒子層的基礎上形成了由非晶質氟樹脂構成的疏水性膜，但也可如圖21中所示，通過例如使用氟化氫(或將氟化氫溶解于水的氫氟酸)刻蝕由石英玻璃666形成的光照射面的表面來形成粘接面(刻蝕面)668，在粘接面668的表面上形成由非晶質氟樹脂構成的疏水性膜670。在該情況下，由于具有用在光照射面上使用氟化氫刻蝕了的刻蝕面構成的粘接面，故如果在粘接面上形成由非晶質氟樹脂構成的疏水性膜，則以非晶質氟樹脂進入微粒子的空隙中而將其包圍的方式干燥、固化。 由于非晶質氟樹脂本身的機械的強度高，故與基體材料密接的疏水性膜的強度高。此外，在本實施形態中，光照射面在基體材料玻璃和基體材料玻璃的表面的一部分上具有用于形成圖案的金屬膜(鉻等)，在其上形成了由非晶質氟樹脂構成的疏水性膜， 但也可具有在基體材料玻璃和基體材料玻璃的整個面上形成的金屬膜，在其上形成由非晶質氟樹脂構成的疏水性膜。這樣的光學部件用作在監視投影透鏡的透射率等時使用的高反射片。此外，在本實施形態中，使用了以石英玻璃作為基體材料玻璃，但也可使用低膨脹的玻璃。以下，利用實施例具體地說明本實施形態的光學部件的制造方法。實施例A通過利用照射超聲波的自動清洗裝置清洗或通過用浸透乙醇的布等擦拭進行成膜的光學部件(石英玻璃)的光照射面的表面，將表面清洗成高度清潔的表面。其次，在光學部件的表面上滴下相當量的將平均粒徑為SOnm的MgF2的微粒子穩定地分散在堿溶液中的涂液，用高速旋轉裝置進行旋轉涂敷。干燥到涂液喪失流動性為止后，從高速旋轉裝置取下光學部件，為了使涂液完全干燥，使其在約150°C的干燥爐中進行1 2小時的干燥。進而在冷卻到室溫的光學部件上滴下相當量的溶解了非晶質氟樹脂(旭硝子(株)的「寸4卜W」)的涂液，用高速旋轉裝置進行旋轉涂敷。干燥到涂液喪失流動性為止后，從高速旋轉裝置取下光學部件，為了使涂液完全干燥，使其在約100°C的干燥爐中進行1 2小時的干燥。利用上述的工序，制造在基體材料玻璃(石英玻璃)上具有 MgF2膜和非晶質氟樹脂膜的光學部件。實施例B通過利用照射超聲波的自動清洗裝置清洗或通過用浸透乙醇的布等擦拭進行成膜的光學部件(石英玻璃)的光照射面的表面，將表面清洗成高度清潔的表面。其次，在光學部件的表面上滴下相當量的將平均粒徑為SOnm的SW2的微粒子穩定地分散在堿溶液中的涂液，用高速旋轉裝置進行旋轉涂敷。干燥到涂液喪失流動性為止后，從高速旋轉裝置取下光學部件，為了使涂液完全干燥，使其在約150°C的干燥爐中進行 1 2小時的干燥。進而在冷卻到室溫的光學部件上滴下相當量的溶解了非晶質氟樹脂(旭硝子(株)的「寸4卜W」)的涂液，用高速旋轉裝置進行旋轉涂敷。干燥到涂液喪失流動性為止后，從高速旋轉裝置取下光學部件，為了使涂液完全干燥，使其在約100°C的干燥爐中進行1 2小時的干燥。利用上述的工序，制造在基體材料玻璃(石英玻璃)上具有 SiO2膜和非晶質氟樹脂膜的光學部件。實施例C在將高精度地研磨到約0. 2nmRMS的粗糙度的光學部件(石英玻璃)的表面在5 秒間浸漬于稀釋為5%的氫氟酸中后，用純水洗涮氫氟酸，用浸透乙醇的布等擦拭。在該表面上滴下相當量的溶解了非晶質氟樹脂(旭硝子(株)的「寸4卜W」)的涂液，用高速旋轉裝置進行旋轉涂敷。干燥到涂液喪失流動性為止后，從高速旋轉裝置取下光學部件，為了使涂液完全干燥，使其在約100°C的干燥爐中進行1 2小時的干燥。利用上述的工序， 制造在基體材料玻璃(石英玻璃)上具有非晶質氟樹脂膜的光學部件。比較例通過利用照射超聲波的自動清洗裝置清洗或通過用浸透乙醇的布等擦拭進行成膜的光學部件(石英玻璃)的光照射面的表面，將表面清洗成高度清潔的表面。其次，滴下相當量的溶解了非晶質氟樹脂(旭硝子(株)的「寸4卜W」)的涂液，用高速旋轉裝置進行旋轉涂敷。干燥到涂液喪失流動性為止后，從高速旋轉裝置取下光學部件，為了使涂液完全干燥，使其在約100°c的干燥爐中進行1 2小時的干燥。利用上述的工序，制造在基體材料玻璃(石英玻璃)上具有非晶質氟樹脂膜的光學部件。(剝離測試)對于用上述的實施例A C和比較例得到的光學部件，進行了使用透明絞帶的剝離測試(帶測試)。關于帶測試，使用寬度為18mm的二 ★ 〃 >株式會社的透明絞帶，在粘貼帶時，用手指用力地抹平3次，通過迅速地垂直地剝離，判斷了膜的剝離的程度。將在各例子中得到的光學部件作為樣品，各準備3個樣品，分別進行了測試。作為評價值的基準，將在疏水層中有大于等于Φ5πιπι的剝離的情況定為「發生剝離」，將除此以外的情況定為「沒有剝離」。3/3表示3個樣品中都剝離了。(試驗結果)
權利要求
1.一種在投影曝光裝置的基片載臺上安裝的光學部件，上述投影曝光裝置用曝光束照明掩模，利用投影光學系統將上述掩模的圖案經液體轉印到保持在上述基片載臺上的基片上，其特征在于，具備被上述曝光束照射的光照射面；利用在上述光照射面的表面上形成的由二氧化硅、氟化鎂和氟化鈣中的至少一種構成的微粒子層構成的粘接微粒子層；以及利用在上述粘接微粒子層的表面上形成的非晶質氟樹脂構成的疏水性膜。
2.一種在投影曝光裝置的基片載臺上安裝的光學部件，上述投影曝光裝置用曝光束照明掩模，利用投影光學系統將上述掩模的圖案經液體轉印到保持在上述基片載臺上的基片上，其特征在于，具備被上述曝光束照射的光照射面；在上述光照射面的表面上形成的粘接面；以及由在上述粘接面的表面上形成的非晶質氟樹脂構成的疏水性膜。
3.如權利要求2中所述的光學部件，其特征在于 上述粘接面是用氟化氫進行刻蝕后形成的刻蝕面。
4.如權利要求1或2中所述的光學部件，其特征在于 上述光照射面具有基體材料玻璃。
5.如權利要求4中所述的光學部件，其特征在于上述光照射面具有在上述基體材料玻璃的至少一部分上形成的金屬膜。
6.一種投影曝光裝置，其特征在于，具備 上述基片載臺；在上述基片載臺上設置的權利要求1或2中所述的光學部件；以及將上述掩模的圖案經液體投影到在基片載臺上保持的基片上的投影光學系統。
7.一種投影曝光裝置，上述投影曝光裝置用曝光束照明掩模，利用投影光學系統將上述掩模的圖案經液體轉印到保持在基片載臺上的基片上，其特征在于在上述基片臺上具備光學部件，上述光學部件具有被上述曝光束照射的光照射面； 在上述光照射面的表面上形成的粘接微粒子層；以及由在上述粘接微粒子層的表面上形成的非晶質氟樹脂構成的疏水性膜。
8.如權利要求7中所述的投影曝光裝置，其特征在于上述粘接微粒子層利用由二氧化硅(SiO2)、氟化鎂(MgF2)和氟化鈣(CaF2)中的至少一種構成的微粒子層構成。
9.如權利要求7中所述的投影曝光裝置，其特征在于 上述光照射面具有基體材料玻璃。
10.如權利要求9中所述的投影曝光裝置，其特征在于上述光照射面具有在上述基體材料玻璃的至少一部分上形成的金屬膜。
11.一種光學部件，其特征在于，具備 具有光照射面的部件主體；在上述光照射面的表面上形成的、利用從由二氧化硅、氟化鎂和氟化鈣構成的一組中選擇的至少一種微粒子形成的微粒子層；以及利用非晶質氟樹脂在上述微粒子層的表面上形成的疏水性膜。
12.如權利要求11中所述的光學部件，其特征在于 上述部件主體是傳感器.
13.一種光學部件，其特征在于，具備 具有光照射面的部件主體；在上述光照射面的表面上利用刻蝕形成的粘接面；以及利用非晶質氟樹脂在上述粘接面上形成的疏水性膜。
14.如權利要求13中所述的光學部件，其特征在于 上述刻蝕是用氟化氫進行的刻蝕。
15.如權利要求13中所述的光學部件，其特征在于 上述部件主體是傳感器。
16.一種器件制造方法，其特征在于使用權利要求6至10中任一項所述的投影曝光裝置。
全文摘要
本發明公開了一種投影曝光裝置、器件制造方法以及光學部件。曝光裝置(EX)是經投影光學系統(PL)和液體(1)將曝光光(EL)照射到基片(P)上以對基片(P)進行曝光的裝置。該曝光裝置(EX)具有用于保持該基片(P)的基片臺(PT)。將具有疏液性的平坦面(30A)的板構件(30)以可更換的方式安裝到上述基片臺(PT)上，以防止液體殘留，維持良好的曝光精度。
文檔編號H01L21/027GK102163005SQ20111008990
公開日2011年8月24日 申請日期2004年12月3日 優先權日2003年12月3日
發明者星加隆一, 石澤均 申請人:株式會社尼康