液處理裝置、液處理方法和存儲介質的制作方法

專利名稱：液處理裝置、液處理方法和存儲介質的制作方法
技術領域：
本發明涉及向基板供給處理液、對基板進行液處理的液處理裝置、液處理方法和存儲介質。
背景技術：
在作為半導體制造工序的一個的光致蝕刻工序中，在作為基板的半導體晶片(以下，稱為晶片)表面涂覆抗蝕劑，以規定的圖案曝光該抗蝕劑后顯影，形成抗蝕劑圖案。這樣的處理，通常使用在進行抗蝕劑的涂覆、顯影的涂覆、顯影裝置上連接曝光裝置的系統中進行。該涂覆、顯影裝置上設置有向晶片供給處理液進行液處理的各種液處理裝置。作為該液處理裝置，有在晶片上例如涂覆抗蝕劑的抗蝕劑涂覆裝置。該抗蝕劑涂覆裝置具備用于向晶片涂覆抗蝕劑的涂覆處理部，該涂覆處理部具備包圍保持晶片的保持部和在上述保持部上保持的晶片、防止抗蝕劑的飛散的罩等。此外，抗蝕劑涂覆裝置，具備向晶片W供給抗蝕劑的噴嘴，該噴嘴安裝在支撐體 (臂)上，構成噴嘴臂。例如，如專利文獻1所公開的，該噴嘴臂為多個例如三個涂覆處理部共有，在各罩之間移動，向保持在各保持部的晶片供給抗蝕劑。進行顯影處理的顯影裝置等，除了向基板供給的處理液不同之外，與該抗蝕劑涂覆裝置具有同樣結構的情況。但是，上述涂覆處理部的數量與噴嘴臂的數量的比不是1 1。因此，當向噴嘴臂供給處理液的處理液供給線進行維修，噴嘴臂有故障無法移動時，多個涂覆處理部無法進行晶片的處理。此外，通常的晶片處理時，如果從噴嘴到晶片的抗蝕劑的噴出時間長，在一個涂覆處理部占有的噴嘴臂的時間變長，因此其他的涂覆處理部的晶片的處理開始時間滯后，生產率降低。基于述問題，需要一種在通常的晶片處理時，得到高的生產率并且各部故障進行維修時能夠抑制生產率降低的抗蝕劑涂覆裝置。專利文獻1 日本特開2010-04518
發明內容
本發明的目的在于，提供在基板上進行液處理的液處理裝置中，在無法使用構成裝置的各部的狀態時能夠抑制生產率降低的液處理裝置、液處理方法和存儲介質。本發明的液處理裝置，在罩內的基板保持部水平保持基板，從處理液供給系統通過噴嘴從其上方向基板供給處理液對基板進行液處理，具備所述基板保持部配置在其內部、在左右方向排列成一列的2η(η為2以上的整數) 個的罩；在通常狀態下，僅由構成第一罩組的左側η個罩共同使用的第一噴嘴；支撐該第一噴嘴、使得對于2η個全部能夠使用的在左右方向能夠自由移動的第一噴嘴支撐機構；在通常狀態下，僅由構成第二罩組的右側η個罩共同使用的第二噴嘴；
支撐該第二噴嘴、使得對于2η個全部能夠使用的在左右方向能夠自由移動的第二噴嘴支撐機構；用于向基板保持部傳遞基板的基板搬送機構；和控制部，該控制部在通常狀態下，控制基板搬送機構，在第一罩組和第二罩組之間交替交接基板，在兩罩組中依次使用罩，并且，當基板保持部、處理液供給系統或噴嘴支撐機構處于無法使用狀態造成在第一罩組和第二罩組中的一個處于無法進行基板處理的狀態時，為了利用該一個罩組中能夠使用的罩組進行基板處理，輸出控制信號，使得擔當(負責)另一個罩組的噴嘴移動。上述控制部也可以，在第一罩組和第二罩組中的一個處于無法進行基板處理的狀態時，為了使用該一個罩組中由操作人員制定的罩，輸出控制信號，使得擔當另一個罩組的噴嘴移動。此外，上述控制部也可以，在第一罩組和第二罩組中的一個處于無法進行基板處理的狀態時，為了使用從該一個罩組中對應于該狀態預先確定的罩，輸出控制信號，使得擔當另一個罩組的噴嘴移動。此外，上述控制部也可以構成為在第一罩組和第二罩組中的一個無法進行基板的處理的狀態時，能夠選擇手動模式和自動模式，例如，選擇手動模式時，為了使用一個罩組中由操作人員指定的罩，輸出控制信號，使得擔當另一個罩組的噴嘴移動，選擇自動模式時，為了使用從一個罩組中對應其狀態預先決定的罩，輸出控制信號，使得擔當另一個罩組的噴嘴移動。一種液處理方法，在罩內的基板保持部水平保持基板，從處理液供給系統通過噴嘴從其上方向基板供給處理液，對基板進行液處理，包括在通常狀態下，從所述基板保持部配置在其內部、由在左右方向排列成一列的 2η (η為2以上的整數)個的罩中，僅對構成第一罩組的左側η個罩共同使用的第一噴嘴供給處理液的工序；在通常狀態下，從所述2η個的罩中僅對構成第二罩組的右側的η個罩共同使用的第二噴嘴供給處理液的工序；在通常狀態下，由基板搬送機構在第一罩組的基板保持部和第二罩組的基板保持部之間交互交接基板，使得在兩罩組中依次使用罩的工序；和在基板保持部、處理液供給系統或噴嘴支撐機構處于無法使用的狀態造成的第一罩組和第二罩組中的一個處于無法進行基板處理的狀態時，為了利用該一個罩組中能夠使用的罩處理基板，使擔當另一個罩組的第一噴嘴或第二噴嘴在左右方向移動的工序。該液處理方法也可以包括，當第一罩組和第二罩組中的一個處于無法進行基板處理的狀態時，為了使用該一個罩組中由操作人員指定的罩，使擔當另一個罩組的噴嘴移動的工序。此外，也可以包括在第一罩組和第二罩組中的一個處于無法進行基板處理的狀態時，為了使用從該一個罩組中對應于該狀態預先決定的罩，使得擔當另一個罩組的噴嘴移動的工序。本發明的存儲介質，為在對基板進行液處理的液處理裝置中使用的存儲有計算機程序的存儲介質，所述計算機程序的特征在于，是用于實施上述液處理方法的計算機程序。根據本發明，在第一罩組和第二罩組中的一個處于無法進行基板處理的狀態時，擔當另一個罩組的噴嘴在一個罩組中能夠使用的罩內處理基板。因此，在裝置的維修時間或故障時間，能夠抑制生產率的降低。


圖1為本發明實施方式的抗蝕劑涂覆裝置的立體圖。圖2為上述抗蝕劑涂覆裝置的平面圖。圖3為上述抗蝕劑涂覆裝置的涂覆處理部的縱向側截面圖。圖4為上述抗蝕劑涂覆裝置的噴嘴臂的正面圖。圖5為上述抗蝕劑涂覆裝置的控制部的結構圖。圖6為表示由操作畫面設定的一例的說明圖。圖7為表示上述控制部的存儲器的說明圖。圖8為表示上述抗蝕劑涂覆裝置中晶片的搬送和噴嘴臂的動作的作用圖。圖9為表示上述抗蝕劑涂覆裝置中晶片的搬送和噴嘴臂的動作的作用圖。圖10為表示上述抗蝕劑涂覆裝置的晶片的搬送和噴嘴臂的動作的作用圖。圖11為表示上述抗蝕劑涂覆裝置的晶片的搬送和噴嘴臂的動作的作用圖。圖12為表示上述抗蝕劑涂覆裝置的晶片的搬送和噴嘴臂的動作的作用圖。圖13為表示上述抗蝕劑涂覆裝置的晶片的搬送和噴嘴臂的動作的作用圖。圖14為表示上述抗蝕劑涂覆裝置的晶片的搬送和噴嘴臂的動作的作用圖。符號說明1抗蝕劑涂覆裝置11a、lib、11c、Ild 涂覆處理部12a、12b、12c、12d 旋轉夾具21a、21b、21c、21d 罩34抗蝕劑供給噴嘴4、5噴嘴臂41、51噴嘴支撐機構6、7噴嘴總管61、71待機區域90控制部
具體實施例方式針對本發明的液處理裝置的實施方式的抗蝕劑涂覆裝置1，分別參照其立體圖、平面圖的圖1、圖2進行說明。抗蝕劑涂覆裝置1，具備4個涂覆處理部lla、llb、llc、lld和基臺31。涂覆處理部Ila Ild在基臺31上橫向排列成一列。各涂覆處理部Ila Ild每個都是同樣的結構，在此，以涂覆處理部Ila為例，參照表示其縱向側截面的圖3進行說明。涂覆處理部Ila具備吸附晶片W的背面中央部、構成保持水平的基板保持部的旋轉夾具12a，旋轉夾具1 通過旋轉軸13a與旋轉驅動機構 14a連接。旋轉夾具1 構成為通過旋轉驅動機構14a以保持晶片W的狀態繞鉛直軸自由旋轉。旋轉驅動機構Ha接收從后述的控制部90輸送的控制信號，控制旋轉夾具1 的旋轉速度。此外，旋轉驅動機構14a，對應于該旋轉速度向控制部90輸出信號。在旋轉夾具12a的周圍，以包圍旋轉夾具1 上的晶片W的方式，設置在上方側具備開口部20a的罩21a，在罩21a的底部側設置例如構成凹部狀的受液部23a。受液部23a 由隔壁2 在晶片W的周邊下方側沿全周劃分為外側區域和內側區域。在外側區域的底部設置排液口 25a，在內側區域的底部設置用于排出處理氛圍氣體的排氣口 ^a。圖1 是構成為能夠自由升降的升降銷，在罩21a內設置3根(圖3上為了方便僅表示了 2根)。抗蝕劑涂覆裝置1中對應于搬送晶片W的基板搬送機構10的動作，升降機構16a使得升降銷 15a升降，在上述基板搬送機構10和旋轉夾具1 之間傳遞晶片W。涂覆處理部llb、llc、lld中，涉及對應于涂覆處理部Ila的各部的部分，使用與涂覆處理部Ila的說明中使用數字的同樣的數字，并且，分別用b、c、d代替a在各圖中表示。基臺31上設置2個噴嘴臂4、5。噴嘴臂4、5相互為相同的結構，在此，以噴嘴臂4 為例進行說明。噴嘴臂4具備噴嘴支撐機構41、臂32、和復合噴嘴部33。噴嘴支撐機構41 沿著設置在基臺31上的導引42，在涂覆處理部Ila Ild的排列方向移動。噴嘴支撐機構 41依據從控制部90輸送的控制信號進行上述移動、向控制部90輸送對應于該橫方向的位置的信號。臂32，從噴嘴支撐機構41以水平的、與該噴嘴支撐機構41的移動方向正交的方式延伸。復合噴嘴部33由多個例如9根抗蝕劑供給噴嘴34和1根稀釋劑供給噴嘴35構成。 稀釋劑是用于提高抗蝕劑的潤濕性的處理液。各抗蝕劑供給噴嘴34和稀釋劑供給噴嘴35， 在臂32的前端沿著涂覆處理部Ila Ild的排列方向排列，能夠在各涂覆處理部Ila Ild的旋轉夾具12a 12d上保持的晶片W的中心部上移動。噴嘴臂5具有相當于噴嘴支撐機構41的噴嘴支撐機構51，該噴嘴支撐機構51沿設置在基臺31的導引52在涂覆處理部Ila Ild的排列方向移動。由此，噴嘴臂5的各個噴嘴與噴嘴臂4的各個噴嘴同樣，能夠對由涂覆處理部Ila Ild搬運來的晶片W進行處理。圖3中的36為處理液供給單元。處理液供給單元36由處理液供給機構37構成， 處理液供給機構37具備存儲分別向抗蝕劑供給噴嘴34、稀釋劑供給噴嘴35供給的抗蝕劑、稀釋劑的罐、和對罐內加壓、將該罐內的處理液輸送到噴嘴用的送液單元。處理液供給機構37設置與各噴嘴34、35同樣數量的10個。各處理液供給機構37中存儲的抗蝕劑，例如各個的濃度、成分不同，能夠將期望的抗蝕劑供給晶片W。圖38是連接各噴嘴34、35和各處理液供給機構37的處理液供給管，各處理液供給管38設置有包括閥39的流量控制部30。接受從控制部90輸送的控制信號，控制各閥 39的開閉，切換9種抗蝕劑和稀釋劑，向各涂覆處理部Ila Ild內的晶片W進行供給。如圖1和圖2所示，以夾持涂覆處理部Ila Ild的狀態設置噴嘴總管6、7。噴嘴總管6形成為上側開口的杯狀。噴嘴總管6的內部構成為噴嘴臂4的復合噴嘴部33的待機區域61。此外，噴嘴總管7與噴嘴總管6同樣構成，具備相當于待機區域61的待機區域 71。該待機區域71是使噴嘴臂5的復合噴嘴部33待機的區域。各噴嘴臂4、5的復合噴嘴部33，在不向晶片W進行抗蝕劑、稀釋劑的供給處理時，分別收納在待機區域61、71內待機。 以下，作為代表，參照圖4說明噴嘴總管6。噴嘴總管6具備例如由投光部62和受光部63構成的光傳感器。受光部63對應于從投光部62入射的光量向控制部90輸出信號。如圖4所示，當上述復合噴嘴部33被收納在待機區域61時，向受光部63入射的光被遮擋，上述輸出信號變化。根據該輸出信號的變化，控制部90進行是否在待機區域61的判定。此外，噴嘴總管6具備排液口 64。噴嘴臂 4的各噴嘴34、35在待機區域61待機期間，作為維修，有將處理液噴出到待機區域61的情況。由該處理液的噴出，除去各噴嘴34、35內和處理液供給管38內的附著物，清洗處理液供給管線。在該清潔維修中噴出的處理液，從上述排液口 64排出。回到圖1和圖2繼續進行說明。抗蝕劑涂覆裝置1具備分別除去在各涂覆處理部Ila Ild分別形成的抗蝕劑膜的周邊部，防止該抗蝕劑膜的剝離的4個周邊部除去機構8。周邊部除去機構8具備供給作為抗蝕劑的溶劑的稀釋劑的溶劑噴嘴81。圖中82為支撐溶劑噴嘴81的臂。83為驅動機構，通過臂82使溶劑噴嘴81升降。此外，驅動機構83， 沿著導引84在各涂覆處理部Ila Ild的排列方向移動。在各罩21a 21d的側方設置上側開口的杯狀的噴嘴總管85。由上述驅動機構83在噴嘴總管85內的待機區域86和與該待機區域86相鄰的罩21內保持晶片W的周邊部上之間，移動溶劑噴嘴81。接著，對抗蝕劑涂覆裝置1的晶片W的抗蝕劑涂覆工序進行說明。在各涂覆處理部Ila lld，晶片W同樣接受抗蝕劑的涂覆處理，各涂覆處理部Ila Ild的處理相互并行進行。如后所述，通常，將晶片W搬送到涂覆處理部Ila lld，搬送到涂覆處理部11a、 lib的晶片W在噴嘴臂4、搬送到涂覆處理部IlcUld的晶片W在噴嘴臂5分別進行處理。 在此，對進行將晶片W搬送到涂覆處理部11a，由噴嘴臂4進行抗蝕劑的涂覆處理的順序進行說明。基板搬送機構10將晶片W搬送到罩21a上，通過升降銷15a，將晶片W傳遞到旋轉夾具1 上，晶片W的背面中央部保持在旋轉夾具1 上。接著，晶片W以規定的旋轉速度繞著鉛直軸旋轉，并且在噴嘴總管6待機的噴嘴臂4的稀釋劑供給噴嘴35位于晶片W的中心部上，移動到距離晶片W規定高度的位置之后，向晶片W的中心部噴出稀釋劑。停止稀釋劑噴出后，抗蝕劑供給噴嘴34位于晶片W的中心部上，向晶片W的中心部噴出抗蝕劑。抗蝕劑通過由離心力將被稀釋劑潤濕的晶片W向周邊部擴散的，所謂旋涂擴散到晶片W整體。抗蝕劑的噴出停止后，噴嘴臂4返回噴嘴總管6的待機區域61。溶劑噴嘴81從噴嘴總管85向晶片W的周邊部上移動，從該溶劑噴嘴81供給稀釋劑，晶片W的周邊部的抗蝕劑膜被除去。溶劑噴嘴81返回噴嘴總管85，通過升降銷15a，晶片W傳遞到基板搬送機構10，從抗蝕劑涂覆裝置1搬出。接著，參照圖5說明設置在該抗蝕劑涂覆裝置1上的控制部90。控制部90具備 CPU91、存儲器92和程序93。圖中94為總線。在上述程序93中編入命令(各步驟)，使得從控制部90向抗蝕劑涂覆裝置1的各部輸送控制信號，進行抗蝕劑涂覆處理。控制由旋轉驅動機構14a 14d進行的晶片W的旋轉、由升降銷15a 15d進行的晶片W的傳遞、由基板搬送機構10進行的晶片W的搬送、由噴嘴支撐機構41、51進行的噴嘴臂4、5的移動、由流量控制部30進行的向晶片W的抗蝕劑和稀釋劑的供給等的動作。該程序(包括有關處理參數的輸入操作和顯示的程序)93，存儲在例如軟盤、光盤、硬盤、MO (磁光盤)、存儲卡等的存儲介質中，被安裝到控制部90。此外，控制部90具備例如由觸摸屏等構成的操作畫面95。抗蝕劑涂覆裝置1的操作人員，通過該操作畫面95，設定為了進行維修而中止使用的維修位置或引起故障等的問題，造成不能使用的狀態的問題位置。進行這樣的設定，自動從上述狀態變更搬送晶片W的涂覆處理部11、使用的噴嘴臂。此外，操作人員也能夠從該操作畫面95手動變更搬送晶片 W的涂覆處理部11、使用的噴嘴臂。圖6為操作畫面95的一個例子。操作人員能夠在例如操作畫面95顯示的第一畫面95a，輸入噴嘴臂4、5、涂覆處理部Ila Ild中的任一個作為維修位置。此外，將噴嘴臂 4、5作為維修位置輸入的情況下，從第一畫面％a輸入是進行在如上所述的待機區域61、71 噴出處理液的處理液管線的清洗維修還是進行以外的例如部件交換等的維修。操作人員能夠從第一畫面％a到第二畫面％b變更顯示。在該第二畫面95b，操作人員能夠將噴嘴臂4、5、涂覆處理部Ila Ild中的任一個作為問題位置輸入。圖7中表示存儲器92，在第一畫面95a、第二畫面％b分別輸入的維修位置、問題位置，存儲在該存儲器 92中。操作人員能夠從第二畫面95b到第三畫面95c變更顯示。此外，在第一畫面95a 設定維修位置的情況下，第二畫面不顯示，第三畫面95c顯示。操作人員根據該第三畫面95c，能夠選擇是自動設定還是手動設定在噴嘴臂4、5進行處理的涂覆處理部11。在選擇自動設定的情況下，程序93基于存儲器92中存儲的維修位置和問題位置，如后述的各例子所示，自動決定搬送晶片的涂覆處理部11和處理中使用的噴嘴臂。在第三畫面95c，選擇手動設定的情況下，顯示第四畫面95d。操作人員，能夠從該第四畫面95d設定在噴嘴臂4、 5分別進行處理的涂覆處理部11。以下的說明，為了方便，對于各晶片W，對搬送到抗蝕劑涂覆裝置1的晶片W的批次的順序按A、B……字母的順序顯示，該字母之后，表示在該批次內搬送到抗蝕劑涂覆裝置1 的順序的數字編號。即，例如某批次內的晶片W，在該批次內第三個搬送到抗蝕劑涂覆裝置 1的晶片W表示為晶片A3。上述批次之后搬送到抗蝕劑涂覆裝置1的后續批次中，該后續批次內第五個搬送到抗蝕劑涂覆裝置1的晶片W表示為晶片B5。圖8用時間序列表示不進行已述的操作畫面95的設定的通常狀態，基板搬送機構 10搬送晶片W到各涂覆處理部Ila Ild的時刻。此外，該圖8中，箭頭表示噴嘴臂4、5移動的區域。將涂覆處理部IlaUlb作為第一處理組G1、涂覆處理部11c、Ild作為第二處理組G2，晶片W在處理組G1、G2交替搬運，并且在各處理組G1、G2內的涂覆處理部11交替搬運。具體來說，晶片Al、A2、A3、A4，按照涂覆處理部11a、11c、lib、Ild的順序搬送，后續的晶片A5、A6、A7、A8同樣，按照涂覆處理部11a、11c、lib、Ild的順序搬送。搬送到涂覆處理部IlaUlb的晶片W由噴嘴臂4處理，搬送到涂覆處理部IlcUld的晶片W由噴嘴臂5處理。以下，對裝置各部設定為維修位置或問題位置的各例子中晶片W的搬送和使用的噴嘴臂進行說明。此外，以下的各情況中，上述操作畫面95，由操作人員選擇自動設定在噴嘴臂4、5進行處理的涂覆處理部11。第一種情況設定噴嘴臂4為維修位置，進行處理液供給管線的清洗維修的情況進行上述設定時，裝置1中處理中的批次A，在上述通常狀態進行處理。批次A的處理結束，噴嘴臂4在噴嘴總管6的待機區域61內噴出處理液，進行處理液供給管線的清洗。期間，如圖9所示，后續的批次B的晶片B，在涂覆處理部IlcUld之間交替搬送，噴嘴臂5進行這些晶片B的處理。維修結束后，從接著搬送來的批次的晶片，再次開始已述的使用噴嘴臂4、5和涂覆處理部Ila Ild的通常狀態的處理。第二種情況未設定噴嘴臂4為維修位置，進行處理液管線的清洗維修的情況進行上述設定時，在裝置1中處理中的批次A，在通常狀態進行處理。當批次A的處理結束時，噴嘴臂4在噴嘴總管6的待機區域61內待機。如圖10所示，后續的批次B的晶片B，在涂覆處理部Ila Ild以與通常狀態同樣的順序進行搬送，只在與通常狀態不同的噴嘴臂5進行這些晶片B的處理。在這樣進行批次B的處理期間，操作人員進行噴嘴臂 4的部件的交換等的維修作業。當維修結束時，例如操作人員從操作畫面95進行規定的設定，接著從搬送的批次的晶片再次開始通常狀態下的處理。在第一種情況中，不使用涂覆處理部lla、llb，是為了防止由于處理液噴出到噴嘴總管6飛散的霧，在接近噴嘴總管6的該涂覆處理部IlaUlb附著在處理中的晶片W上。在第二種情況中，在多個涂覆處理部11并行對晶片W進行處理，為了提高生產率，使用全部的涂覆處理部Ila lid。在第一種情況中，代替設定噴嘴臂4為維修位置，設定噴嘴臂5為維修位置的情況下，使用噴嘴臂4和涂覆處理部IlaUlb進行。在第二種情況中，代替設定噴嘴臂4為維修位置，設定噴嘴臂5為維修位置的情況下，使用噴嘴臂4和涂覆處理部1 Ia 1 Id進行處理。第三種情況噴嘴臂4設定為問題位置的情況進行設定后，控制部90停止噴嘴臂4，判斷其位置是否在待機區域61。當判定在待機區域61以外的區域的情況下，在該判定時間以后，搬送到裝置1的晶片A，在涂覆處理部11c、Ild交替搬送，由噴嘴臂5進行處理。圖11是顯示晶片A5搬送到涂覆處理部Ila之后進行問題位置的設定和上述判定，晶片A6以后的晶片A如上所述搬送到涂覆處理部11c、 lid,由噴嘴臂5進行處理的例子。控制部90判定噴嘴臂4在噴嘴總管6的待機區域61停止的情況下，不變更各晶片W的搬送目的地，與通常狀態相同，被搬送至涂覆處理部1 Ia 1 Id。該判定以后，被搬送到涂覆處理部Ila Ild的晶片A由噴嘴臂5進行處理。圖12是表示晶片A5被搬送到涂覆處理部Ila之后進行問題位置的設定和上述判定，晶片A6以后的晶片A如上所述由噴嘴臂5進行處理的例子。該第三種情況中，例如，操作人員由操作畫面95進行規定的設定，進行該設定之后，從接著搬送的批次的晶片再次開始通常狀態的處理。噴嘴臂4在待機區域61的外部停止時，晶片W在涂覆處理部11c、Ild進行處理， 是為了防止噴嘴臂4和噴嘴臂5的干涉。此外，噴嘴臂4在待機區域61停止，不會引起該干涉，因此如上所述使用涂覆處理部Ila Ild全部，對于抑制生產率降低有利。上述第三種情況中，代替設定噴嘴臂4為問題位置，設置噴嘴臂5為問題位置的情況下，由噴嘴臂5的停止位置決定晶片W的搬送目的地。即，噴嘴臂5在待機區域71以外的區域停止的情況下，在涂覆處理部IlaUlb交替搬送晶片W，由噴嘴臂4進行處理。此外， 噴嘴臂5在待機區域71停止的情況下，與通常狀態同樣在涂覆處理部Ila Ild搬送晶片 W，由噴嘴臂4進行處理。第四種情況涂覆處理部Ila設定為問題位置的情況進行設定，基板搬送機構10將新搬入裝置1的晶片A按照在涂覆處理部lib Ild 中先結束晶片A的處理的順序依次搬送，以后，以該順序，反復向涂覆處理部lib Ild搬送晶片A。搬送到涂覆處理部lib的晶片的處理由噴嘴臂4進行，搬送到涂覆處理部11c、Ild的晶片的處理由噴嘴臂5進行。在圖13的上段表示批次A的晶片A6搬送到涂覆處理部Ilc之后進行上述設定時的晶片W的搬送狀況。接著，批次A的全部的晶片的處理完成之后，噴嘴臂4在噴嘴總管6的待機區域61 待機。如圖13的下段所示，后續的批次B的晶片B以與上述設定后的批次A的晶片A相同的搬送順序搬送到涂覆處理部lib lid。接著，噴嘴臂5對搬送到涂覆處理部lib Ild 的晶片B進行處理。如此在批次B進行處理的期間，操作人員解決涂覆處理部Ila的問題。 該第四種情況中，例如操作人員從操作畫面95進行規定的設定，進行該設定后，從接著搬送的批次的晶片再次開始通常狀態下的處理。上述批次B處理中，噴嘴臂4、5不通過涂覆處理部Ila上，在噴嘴總管6待機，因此操作人員能夠不被噴嘴臂4、5的移動妨礙，接近涂覆處理部11a，進行問題的消除處理， 期間，通過噴嘴臂5在涂覆處理部lib進行晶片B的處理，由此能夠抑制由于無法使用噴嘴臂4帶來的生產率的降低。第四種情況中，代替涂覆處理部11a，與涂覆處理部Ila同樣，設定位于基臺31的外側的涂覆處理部Iid為問題位置的情況也同樣處理。具體來說，晶片W搬送到涂覆處理部Ila 11c，噴嘴臂5在待機區域71待機。此外，作為涂覆處理部11的問題，有例如旋轉驅動機構14a 14d的故障造成的旋轉夾具12a 12d無法使用的情況。第五種情況涂覆處理部lib設定為問題位置的情況進行如上所述的設定后，基板搬送機構10將在裝置1中的處理中的批次A的后續晶片A按照在涂覆處理部11a、11c、Ild中先結束晶片W的處理的順序依次搬送，以后，以該順序，反復向涂覆處理部lla、llc、lld搬送晶片W。搬送到涂覆處理部Ila的晶片的處理由噴嘴臂4進行，搬送到涂覆處理部IlcUld的晶片的處理由噴嘴臂5進行。在圖14表示批次A的晶片A3搬送到涂覆處理部lib之后進行上述設定時的搬送例。進行這樣的設定后，噴嘴臂4、5不通過涂覆處理部lib上，因此操作人員能夠不受噴嘴臂4移動的妨礙，接近涂覆處理部11b，進行問題的處理。例如操作人員從操作畫面95 進行規定的設定，進行該設定之后，從接下來搬送的批次的晶片再次開始通常狀態下的處理。第四種情況中，代替涂覆處理部11b，與涂覆處理部lib同樣，設定內側的涂覆處理部的Ilc為問題位置的情況也同樣處理。具體來說，晶片W搬送到涂覆處理部lla、llb、 lid。涂覆處理部IlaUlb的晶片W由噴嘴臂4進行處理，涂覆處理部Ild的晶片W由噴嘴臂5進行處理。此外，在例子4、5中，代替涂覆處理部IlaUlb設定為問題位置，設定為維修位置的情況也同樣，例如與該例子4、5進行同樣的處理。以上，說明的該抗蝕劑涂覆裝置1，在涂覆處理部Ila Ild的任一個無法進行晶片W的處理時，在通常狀態，對該涂覆處理部11不進行處理的噴嘴臂在該涂覆處理部11進行晶片W的處理。因此，進行維修時或裝置上發生問題位置時，能夠抑制生產率的下降。因此，在通常狀態下對涂覆處理部Ila Ild有2個噴嘴臂4、5進行處理，因此，較之有一個噴嘴臂的情況能夠得到高的生產率。此外，即使抗蝕劑的供給時間設定的長，也能夠抑制由此造成的生產率降低。在上述例子中，是問題位置由操作人員設定的結構，但也可以由控制部100自動檢測出問題位置，在上述各例子中，由該檢測代替操作人員的設定。例如，控制部100，基于來自旋轉驅動機構14a 14d的輸出信號，將旋轉驅動機構14a 14d的旋轉速度與預先設定的旋轉速度相比較，如果兩者的差在設定值以上，認為包括該旋轉驅動機構14的涂覆處理部11為問題位置，自動進行第四種情況、第五種情況的處理。此外，作為其他例子，控制部100，基于來自噴嘴支撐機構41、51的輸出信號，檢測基臺31中這些噴嘴支撐機構41、51橫方向的位置。然后，控制部100，計算從該控制部100 輸出的將噴嘴支撐機構41、51移動到固定位置所需的控制信號的輸送時間和噴嘴支撐機構41、51移動到上述規定位置時輸出的信號的輸送時間的差值。但該差值在設定值以上時，包括該噴嘴支撐機構的噴嘴臂為問題位置，自動進行與第三種情況同樣的處理。此外，上述各種情況中舉出的搬送例為一個例子，不限于此例。例如，第一種情況中，向涂覆處理部lib Ild搬送晶片W，也可以由噴嘴臂5進行這些涂覆處理部的晶片W 的處理液。從本發明的噴嘴供給的處理液，不限于抗蝕劑或稀釋劑，供給顯影液或者用于形成防反射膜的處理液也可以。
權利要求
1.一種液處理裝置，在罩內的基板保持部水平保持基板，從處理液供給系統通過噴嘴從其上方向基板供給處理液對基板進行液處理，該液處理裝置的特征在于，具備所述基板保持部配置在其內部、在左右方向排列成一列的2η個罩，其中，η為2以上的整數；通常狀態下僅由構成第一罩組的左側的η個罩共同使用的第一噴嘴；支撐該第一噴嘴、使得對于2η個全部能夠使用該噴嘴的在左右方向自由移動的第一噴嘴支撐機構；通常狀態下僅由構成第二罩組的右側的η個罩共同使用的第二噴嘴；支撐該第二噴嘴、使得對于2η個全部能夠使用該噴嘴的在左右方向自由移動的第二噴嘴支撐機構；用于向基板保持部傳遞基板的基板搬送機構；和控制部，該控制部在通常狀態下控制基板搬送機構，使得在第一罩組和第二罩組之間交替交接基板，在兩罩組中依次使用罩，并且，當由于基板保持部、處理液供給系統或噴嘴支撐機構處于無法使用的狀態而成為在第一罩組和第二罩組中的一個無法進行基板處理的狀態時， 為了利用該一個罩組中能夠使用的罩進行基板處理，輸出控制信號，使得擔當另一個罩組的噴嘴移動。
2.如權利要求1所述的液處理裝置，其特征在于，所述控制部，當第一罩組和第二罩組中的一個處于無法進行基板處理的狀態時，為了使用該一個罩組中由操作人員指定的罩，輸出控制信號，使得擔當另一個罩組的噴嘴移動。
3.如權利要求1所述的液處理裝置，其特征在于，所述控制部，在第一罩組和第二罩組中的一個處于無法進行基板處理的狀態時，為了使用從該一個罩組中對應于該狀態預先確定的罩，輸出控制信號，使得擔當另一個罩組的噴嘴移動。
4.如權利要求2或3所述的液處理裝置，其特征在于，所述控制部構成為在第一罩組和第二罩組中的一個處于無法進行基板處理的狀態時，能夠選擇手動模式和自動模式，選擇手動模式時，為了使用一個罩組中由操作人員指定的罩，輸出控制信號，使得擔當另一個罩組的噴嘴移動；選擇自動模式時，為了使用從一個罩組中對應其狀態預先決定的罩，輸出控制信號，使得擔當另一個罩組的噴嘴移動。
5.一種液處理方法，在罩內的基板保持部水平保持基板，從處理液供給系統通過噴嘴從其上方向基板供給處理液，對基板進行液處理，該液處理方法的特征在于，包括通常狀態下，從所述基板保持部配置在其內部、在左右方向排列成一列的2η個的罩中僅由構成第一罩組的左側η個罩共同使用的第一噴嘴供給處理液的工序，其中，η為2以上的整數；通常狀態下，從所述2η個的罩中僅由構成第二罩組的右側的η個罩共同使用的第二噴嘴供給處理液的工序；通常狀態下，按照在兩罩組中依次使用罩的方式，由基板搬送機構在第一罩組的基板保持部和第二罩組的基板保持部之間交替交接基板的工序；和當由于基板保持部、處理液供給系統或噴嘴支撐機構處于無法使用的狀態而成為在第一罩組和第二罩組中的一個不能進行基板的處理的狀態時，為了利用該一個罩組中能夠使用的罩對基板進行處理，使擔當另一個罩組的第一噴嘴或第二噴嘴在左右方向移動的工序。
6.如權利要求5所述的液處理方法，其特征在于，包括當第一罩組和第二罩組中的一個處于無法進行基板處理的狀態時，為了使用該一個罩組中由操作人員指定的罩，使擔當另一個罩組的噴嘴移動的工序。
7.如權利要求5所述的液處理方法，其特征在于，包括當第一罩組和第二罩組中的一個處于無法進行基板處理的狀態時，為了使用從該一個罩組中對應于該狀態預先決定的罩，使擔當另一個罩組的噴嘴移動的工序。
全文摘要
本發明提供在基板上進行液處理的液處理裝置中，在構成裝置的各部處于無法使用的狀態時，能夠抑制生產率降低的裝置。構成具備第一噴嘴、第二噴嘴的液處理裝置。在該液處理裝置中，控制基板搬送機構，通常狀態下，在第一罩組和第二罩組之間交替交接基板，在兩罩組中，按順序使用罩，并且，在基板保持部、處理液供給系統或噴嘴支撐機構處于無法使用的狀態造成的第一罩組和第二罩組中的一個無法進行基板處理的狀態時，為了使該一個罩組中的能夠使用的罩處理基板，擔當另一個罩組的噴嘴進行移動。
文檔編號H01L21/00GK102194663SQ20111005279
公開日2011年9月21日 申請日期2011年3月3日 優先權日2010年3月4日
發明者原圭孝, 木下尚文, 藤村浩二 申請人:東京毅力科創株式會社