專利名稱：電容器及其制造方法
技術領域：
本發明涉及電容器及其制造方法，詳細地說，涉及具有一對信號端子、和接地端子的電容器及其制造方法。
背景技術：
在現有技術中，諸如記載在專利文獻1等中的3端子型的電容器是公知的。一般而言，3端子型的電容器具有長方體形狀的陶瓷素體。在陶瓷素體的內部設置有第一以及第二內部電極。第一內部電極和第二內部電極按照對置的方式進行配置。在陶瓷素體的兩個端面上形成有第一以及第二信號端子。第一以及第二信號端子與第一內部電極連接。另一方面，在陶瓷素體的側面的一部分上形成有與第二內部電極連接、且與接地(ground)電位連接的接地端子。第一以及第二信號端子和接地端子，一般而言，分別由形成在陶瓷素體上的焙燒膜和形成在焙燒膜上的一個或多個鍍膜構成。專利文獻1 JP特開2000-107658號公報上述外部電極端子的焙燒膜通過在陶瓷素體上機械化地定位來涂敷導電性膏而后對導電性膏進行焙燒而形成，但要以高的位置精度來正確地機械化地涂敷導電性膏，考慮到機械的尺寸誤差，是極其困難的。因此，需要比內部電極的露出部大地來形成外部電極端子，以使內部電極的露出部被電極端子可靠地覆蓋。換言之，內部電極的露出部需要比外部電極端子小。這樣，在使外部電極端子具有焙燒膜的情況下，需要使內部電極的露出部減小。因此，與第二內部電極的接地端子之間的連接部的電極截面積有變小的趨勢。若與第二內部電極的接地端子之間的連接部的電極截面積變小，則ESL會變大，從而產生噪聲去除特性劣化的問題。即，有插入損耗特性變差的問題。
發明內容
本發明正是鑒于上述問題點而提出的，其目的在于，提供一種插入損耗特性好的電容器及其制造方法。本發明的電容器包括長方體形狀的電容器主體、第一內部電極、第二內部電極、 第一以及第二信號端子、和接地端子。電容器主體由電介質構成。電容器主體具有第一以及第二主面、第一以及第二側面、和第一以及第二端面。第一以及第二主面沿長度方向和寬度方向延展。第一側面以及第二側面沿長度方向和高度方向延展。第一端面以及第二端面沿寬度方向和高度方向延展。第一內部電極形成在電容器主體的內部。第二內部電極形成在電容器主體的內部。第二內部電極與第一內部電極對置。第一信號端子形成在第一端面上。第一信號端子與第一內部電極連接。第二信號端子形成在第二端面上。第二信號端子與第一內部電極連接。接地端子按照與第二內部電極連接的方式形成在第一側面的一部分上。接地端子與接地電位連接。接地端子具有一個或多個鍍膜。一個或多個鍍膜形成在電容器主體上。一個或多個鍍膜與第二內部電極直接連接。在本發明的電容器的某特定情形中，一個或多個鍍膜是由濕式鍍形成的濕式鍍膜。根據這種構成，與使用化學溶媒的無電解鍍相比，能夠減少對電容器主體的損害。在本發明的電容器的其他的特定情形中，電容器是噪聲濾波器(noisefilter)。在本發明的電容器的另一特定情形中，信號端子與正電位連接。在這種情況下，接地端子成為接地電位側。因此，即使水分從形成有接地端子的部分進入電容器主體內，接地端子中所含的金屬成分也不會離子化。故而能夠有效地抑制因接地端子中所含的金屬發生離子化而引起的電容器的可靠性降低。在本發明的電容器的另一特定情形中，接地端子不包含焙燒導電膜。在這種情況下，能夠容易地提高接地端子的位置精度。在本發明的電容器的另一特定情形中，信號端子具有形成在電容器主體的外表面上、且與第一內部電極直接連接的一個或多個鍍膜；以及形成在一個或多個鍍膜上、且包含玻璃(glass)成分的焙燒導電膜。根據這種構成，能夠更加有效地抑制電容器的可靠性的降低。在本發明的電容器的另一特定情形中，第一以及第二信號端子分別具有形成在電容器主體的外表面上、且與第一內部電極直接連接的含有玻璃成分的焙燒導電膜；以及形成在焙燒導電膜上的一個或多個鍍膜。根據這種構成，由于在焙燒導電膜中含有玻璃成分，故能夠有效地抑制水分從電容器主體的形成有第一以及第二信號端子的部分進入電容器主體內。另外，對電容器主體的粘著力也會提高。因此，能夠有效地抑制因第一以及第二信號端子中所含的金屬發生離子化而引起的電容器的可靠性降低。在本發明的電容器的另一特定情形中，焙燒導電膜包含Cu(銅)。在本發明的電容器的另一特定情形中，接地端子具有形成在第一以及第二主面上的部分；第二內部電極包含在高度方向上與第一內部電極對置的對置部、以及連接對置部和接地端子的連接部；電容器還包括在高度方向上配置于第二內部電極的連接部與接地端子的位于第一或者第二主面上的部分之間的、與接地端子連接的接地虛擬(dummy)電極。根據這種構成，在基板上進行焊接時，在側面上從第一主面到第二主面，能夠通過電鍍使焊料的浸潤部(濡Λ上力5 D部)全部一次形成。在本發明的電容器的另一特定情形中，與第二內部電極連接的鍍膜由含有Cu的 Cu鍍膜構成。根據這種構成，在陶瓷素體上形成鍍膜變得容易。在本發明的電容器的另一特定情形中，接地端子還具有形成在Cu鍍膜上且含有 Ni (鎳)的Ni鍍膜；以及形成在Ni鍍膜上且含有Sn (錫)的Sn鍍膜。根據這種構成，能夠提高對焊料的接合強度。在本發明的電容器的另一特定情形中，第一以及第二內部電極由Ni構成。根據這種構成，與諸如由Pd或Ag/Pd來形成第一、第二內部電極的情況相比，能夠降低制造成本。本發明的電容器的制造方法，是用于制造上述本發明的電容器的方法。本發明的電容器的制造方法包括在電介質板(sheet)上印刷第一內部電極形成用導電性膏，并得到形成了第一內部電極形成用的導電膜的第一板的工序；在電介質板上印刷第二內部電極形成用導電性膏，并得到形成了第二內部電極形成用的導電膜的第二板的工序；通過對第一板、第二板、和未印刷導電性膏的電介質板進行層疊來形成層疊體的工序；對層疊體進行焙燒的焙燒工序；在層疊體上按照與第一內部電極形成用的導電膜接觸的方式涂敷導電膏的導電性膏涂敷工序；對被涂敷的導電膏進行烘焙，以作為焙燒膜的烘焙工序；在層疊體上按照與第二內部電極形成用的導電膜接觸的方式形成一個或多個鍍膜的鍍膜形成工序; 以及通過加熱層疊體，從而在鍍膜與第二內部電極形成用的導電膜之間的界面處，使鍍膜和第二內部電極形成用的導電膜合金化的合金化工序。根據本發明的制造方法，通過合金化工序，在鍍膜與第二內部電極形成用的導電膜之間的界面處，使鍍膜和第二內部電極形成用的導電膜合金化。因此，能夠實現第二內部電極與鍍膜之間的高連接強度。由此，能夠制造可靠性高的電容器。在本發明的電容器的制造方法的某特定情形中，按照導電性膏涂敷工序、烘焙工序、鍍膜形成工序、和合金化工序的順序來進行。在本發明的電容器的制造方法的其他的特定情形中，先于烘焙工序來進行鍍膜形成工序，在鍍膜形成工序后，進行導電性膏涂敷工序，在導電性膏涂敷工序后，同時進行烘焙工序和合金化工序。在這種情況下，能夠簡化電容器的制造工序。因此，能夠容易地制造電容器。在本發明的電容器的制造方法的另一特定情形中，按照合金化工序、導電性膏涂敷工序、和烘焙工序的順序來進行。根據本發明，在接地端子之中，與第二內部電極連接的部分由鍍膜形成。鍍膜與配合內部電極的露出部來浸漬導電性膏而形成的焙燒膜不同，是使通過從內部電極的露出部電鍍生長而形成的，故能夠以高的位置精度形成。因此，不需要考慮導電性膏涂敷時的偏差，從而不需要考慮偏差而使從內部電極的電容器主體露出的部分減小。即，能夠使從內部電極的電容器主體露出的部分增大。因而，能夠增大與第二內部電極的接地端子之間的連接部的電極截面積，能夠使ESL減小，其結果是，能夠實現良好的插入損耗特性。
圖1是本發明的一實施方式的電容器的示意立體圖。圖2是本發明的一實施方式的電容器的示意平面圖。圖3是本發明的一實施方式的電容器的示意側面圖。圖4是沿圖1的線IV-IV的示意截面圖。圖5是沿圖1的線V-V的示意截面圖。圖6是沿圖4的線VI-VI的示意截面圖。圖7是沿圖5的線VII-VII的示意截面圖。圖8是沿圖5的線VIII-VIII的示意截面圖。圖9是參考例的電容器的示意截面圖。圖10是表現電容器的插入損耗的曲線圖。圖11是第1變形例的電容器的示意截面圖。圖12是第2變形例的電容器的示意截面圖。圖13是第3變形例的電容器的示意截面圖。符號說明1 電容器
10 電容器主體
IOa:電容器主體的第--主面
IOb:電容器主體的第二二主面
IOc:電容器主體的第--側面
IOd:電容器主體的第二二側面
IOe:電容器主體的第--端面
IOf 電容器主體的第二二端面
11 第一內部電極
12:第二內部電極
12a:第二內部電極的對置部
12b 第一連接部
12c 第二連接部
13 接地虛擬電極
15 第一信號端子
15a、16a:焙燒導電膜
15bU6b 第一鍍膜
15c、16c 第二鍍膜
15d、16d:第三鍍膜
15eU6e 第四鍍膜
16 第二信號端子
17 第一接地端子
17a、18a:第一鍍膜
17bU8b 第二鍍膜
17c、18c:第三鍍膜
17d、18d 第一部分
17e、18e 第二部分
17fU8f 第三部分
18 第二接地端子
具體實施例方式以下，關于實施本發明的優選方式的一例，進行說明。然而，以下的實施方式僅僅是例示。本發明并不局限于以下的實施方式。圖1是本實施方式的電容器的示意立體圖。圖2是本實施方式的電容器的示意平面圖。圖3是本實施方式的電容器的示意側面圖。圖1 3所示的本實施方式的電容器1是作為噪聲濾波器使用的電容器。如圖 1 圖3所示，電容器1具有電容器主體(陶瓷素體)10。電容器主體10由電介質構成。 具體而言，電容器主體10由例如電介質陶瓷構成。作為電介質陶瓷的具體例，可列舉諸如 BaTi03、CaTi03、SrTi03、Ca&03等。此外，可以在電容器主體10中酌情添加諸如Mn化合物、 Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物等的副成分。
在本實施方式中，電容器主體10形成為大致長方體形狀。電容器主體10包括第一以及第二主面10a、10b ；第一以及第二側面10c、10d ；和第一以及第二端面10e、10f。第一以及第二主面10a、10b各自沿長度方向L和寬度方向W延展。第一以及第二側面10c、 IOd各自沿長度方向L和高度方向H延展。第一以及第二端面10e、10f各自沿寬度方向W 和高度方向H延展。在電容器主體10的內部形成有多個第一內部電極11和多個第二內部電極12。多個第一以及第二內部電極11、12隔著電介質層按照在高度方向H上對置的方式交替地配置。如圖5以及圖8所示，第一內部電極11沿長度方向L以及寬度方向W延展而形成。 第一內部電極11形成為大致矩形形狀。第一內部電極11在第一以及第二端面10e、10f中露出。第一內部電極11沒有在第一以及第二側面10c、10d中露出。如圖4以及圖7所示，第二內部電極12沿長度方向L以及寬度方向W延展而形成。 如圖4以及圖7所示，第二內部電極12包括在高度方向H上與第一內部電極11對應的對置部12a;和與對置部1 連接的第一以及第二連接部12b、12c。在從高度方向H看時，對置部1 形成在電容器主體10的中央部。對置部1 沒有在第一以及第二側面10c、10d和第一以及第二端面10e、10f中露出。第一連接部12b，其一端部與對置部1 連接，另一端部在第一側面IOc中露出。 第二連接部12c，其一端部與對置部1 連接，另一端部在第二側面IOd中露出。第一以及第二連接部12b、12c的各自的沿長度方向L的長度比對置部1 的沿長度方向L的長度短。此外，第一以及第二內部電極11、12的形成材料雖然不作特別限定，但第一以及第二內部電極11、12優選諸如含M的材料，優選實質上由M構成的材料。如圖1 圖3以及圖6 圖8所示，在電容器主體10的第一端面IOe上形成有第一信號端子15。第一信號端子15按照覆蓋第一端面10e、且到達第一以及第二主面10a、 IOb和第一以及第二側面10c、10d的方式而形成。如圖8所示，第一信號端子15與第一內部電極11連接。如圖1 圖3以及圖6 圖8所示，在電容器主體10的第二端面IOf上形成有第二信號端子16。第二信號端子16按照覆蓋第二端面10f、且到達第一以及第二主面10a、 IOb和第一以及第二側面10c、10d的方式而形成。如圖8所示，第二信號端子16與第一內部電極11連接。此外，連接第一以及第二信號端子15、16的電位的極性不作特別限定。在本實施方式中，針對第一以及第二信號端子15、16與正電位連接的例子進行說明。 如圖6 圖8所示，在本實施方式中，第一以及第二信號端子15、16分別由3層的導電層的層疊體構成。具體而言，第一以及第二信號端子15、16由層疊了焙燒導電膜15a、 16a、第一鍍膜15b、16b、以及第二鍍膜15c、16c的多層膜形成。焙燒導電膜15a、16a是將含有玻璃成分的導電性膏與導電劑一起焙燒而形成的膜。故而，可以有效地抑制水分從形成有電容器主體10的第一以及第二信號端子15、16的部分進入電容器主體10內。因此，能夠有效地抑制因第一以及第二信號端子15、16中所含的金屬發生離子化而引起的電容器1的可靠性降低。焙燒導電膜15a、16a的厚度不作特別限定，能夠設定在諸如10 μ m 60 μ m左右。
焙燒導電膜15a、16a中所含的導電劑優選諸如Cu。這是由于與含有Ni的內部電極11、12之間的接合性會提高。另外，通過將第一內部電極11設置為含Ni，將焙燒導電膜 15a、16a設置成含Cu的焙燒導電膜，從而在焙燒導電膜15a、16a的焙燒時，在焙燒導電膜 15a、16a與第一內部電極11之間的界面處，Cu與Ni會合金化，從而能夠將焙燒導電膜15a、 16a與第一內部電極11牢固地連接。第一鍍膜15b、16b形成在焙燒導電膜15a、16a上。第一鍍膜15b、16b的形成材料雖然不作特別限定，但第一鍍膜15b、16b能夠由諸如Ni鍍構成。通過這樣，相對于焊料的焊接性會提高。第二鍍膜15c、16c形成在第一鍍膜15b、16b上。第二鍍膜15c、16c的形成材料雖然不作特別限定，但第二鍍膜15c、16c能夠由諸如Sn鍍構成。通過這樣，相對于焊料的焊接性會提高。第一以及第二鍍膜15b、16b、15c、16c的厚度不作特別限定，能夠分別設定在 1 μ m 5 μ m左右。如圖1 圖3以及圖6 圖8所示，在電容器主體10的外表面上，按照與第二內部電極12連接的方式形成有第一以及第二接地端子17、18。此第一以及第二接地端子17、 18是與接地電位連接的端子。如圖1、圖2以及圖4所示，第一接地端子17，在長度方向L上，形成在第一側面 IOc的中央部。第一接地端子17的上端部到達第一主面10a。第一接地端子17的下端部到達第二主面10b。即，第一接地端子17包括在長度方向L上位于第一側面IOc的中央部的第一部分17d ；位于第一主面IOa上的第二部分17e ；和位于第二主面IOb上的第三部分17f。如圖4以及圖7所示，第一部分17d與第二內部電極12的第一連接部12b連接。如圖1、圖2以及圖4所示，第二接地端子18，在長度方向L上，形成在第二側面 IOd的中央部。第二接地端子18的上端部到達第一主面10a。第二接地端子18的下端部到達第二主面10b。即，第二接地端子18包括在長度方向L上位于第二側面IOd的中央部的第一部分18d ；位于第一主面IOa上的第二部分18e ；和位于第二主面IOb上的第三部分18f。如圖4以及圖7所示，第一部分18d與第二內部電極12的第二連接部12c連接。此外，在本實施方式中，為了使第一以及第二接地端子17、18分別到達第一以及第二主面10a、IOb而形成，在第一以及第二接地端子17、18的形成之前，需要預先形成在電鍍工序中用于通電的種子(seed)層。但是，本發明對此不作限定。也可以不預先形成種子層來形成第一以及第二接地端子17、18。在這種情況下，如圖13所示，第一以及第二接地端子17、18分別僅形成在第一或者第二側面10c、10d上，而不形成在第一以及第二主面10a、 IOb上。即，第一以及第二接地端子17、18僅由第一部分17d、18d構成。如圖4所示，在高度方向H上，在第二內部電極12的第一以及第二連接部12b、12c 與第一以及第二接地端子17、18的各自的第二以及第三部分17e、18e、17f、18f之間，形成有接地虛擬電極13。如圖4以及圖6所示，此接地虛擬電極13與第一或者第二接地端子 17,18的第一部分17d、18d連接。這樣，通過設置接地虛擬電極13，從而能夠通過電鍍使在基板上進行焊接時的焊料的浸潤部全部一次形成。在本實施方式中，如圖4、圖6 圖8所示，第一以及第二接地端子17、18分別由第一 第三鍍膜17a、18a、17b、18b、17c、18c的多層結構構成。第一鍍膜17a、18a形成在電容器主體10上。具體而言，第一鍍膜17a形成在第一側面IOc上。第一鍍膜17a與第二內部電極12的第一連接部12b連接。第一鍍膜18a形成在第二側面IOd上。第一鍍膜18a與第二內部電極12的第二連接部12c連接。第二鍍膜17b、18b形成在第一鍍膜17a、18a上。 第三鍍膜17c、18c形成在第二鍍膜17b、18b上。第一 第三鍍膜17a、18a、17b、18b、17c、18c的每一個，只要是鍍膜，就不作特別限定，但優選諸如由濕式鍍形成的濕式鍍膜。在這種情況下，不需要使用化學溶媒，能夠減少對電容器主體10的損害。另外，由于不需要對特定部分涂敷溶媒的工序，故能夠降低制造成本。第一 第三鍍膜17a、18a、17b、18b、17c、18c的形成材料不作特別限定。例如，第一鍍膜17a、18a優選含有Cu的Cu鍍膜。在將第一鍍膜17a、18a設置為Cu鍍膜，并使第二內部電極12包含Ni的情況下，通過進行熱處理，從而在第一鍍膜17a、18a與第二內部電極 12之間的界面處，Cu和Ni會合金化。因此，能夠牢固地連接第一鍍膜17a、18a和第二內部電極12。第二鍍膜17b、18b優選含有Ni的Ni鍍膜。在這種情況下，相對于焊料的焊接性會提高。第三鍍膜17c、18c優選含有Sn的Sn鍍膜。在這種情況下，相對于焊料的焊接性
會提尚。此外，第一 第三鍍膜17a、18a、17b、18b、17c、18c的厚度不作特別限定。第一鍍膜17a、18a的厚度能夠設定在諸如2 μ m 10 μ m左右。第二鍍膜17b、18b的厚度能夠設定在諸如1 μ m 5 μ m左右。第三鍍膜17c、18c的厚度能夠設定在諸如1 μ m 5 μ m左右。但是，例如，如圖9所示，在由焙燒膜形成接地端子117、118的情況下，需要使第二內部電極112的連接部112b、112c的沿長度方向L的長度比接地端子117、118的沿長度方向L的長度短。這是由于，雖然需要由接地端子117、118來可靠地覆蓋連接部112b、112c， 但以高的位置精度正確地涂敷導電性膏是困難的。另外，讓焙燒膜形成得薄是困難的。故而，接地端子117、118變厚，需要使該部分電容器主體110變小。因此，與之對應，也需要使連接部112b、112c變小。其結果是ESL變大，從而產生噪聲變大的問題。對此，在本實施方式中，在第一以及第二連接部12b、12c上形成有第一鍍膜17a、 18a。只要是鍍膜，就能夠以高的位置精度來形成。因此，對第一鍍膜17a、18a，不需要使第一以及第二連接部12b、12c變小。即，能夠使第一以及第二連接部12b、12c的電極截面積變大。因此，如圖10所示，能夠使ESL變小，從而使噪聲變小。此外，在圖10中實線所示的數據是在作為長度尺寸為1. 0mm、寬度尺寸為0. 5mm、接地端子的長度尺寸為0. 3mm、第二內部電極的連接部的沿長度方向L的尺寸為0. 3mm的3端子型電容器中，用鍍膜構成接地端子的最內層時的數據。在圖10中點劃線所示的數據是在作為長度尺寸為1.0mm、寬度尺寸為0. 5mm、接地端子的長度尺寸為0. 3mm、第二內部電極的連接部的沿長度方向L的尺寸為 0. 15mm的3端子型電容器中，用焙燒覆膜構成接地端子的最內層時的數據。根據圖10所示的數據可知，通過將接地端子的最內層從焙燒覆膜變更成鍍膜，插入損耗特性能夠改善 IOdB以上。但是，例如，如圖9所示的例子那樣，在使接地端子117、118成為包含玻璃成分的焙燒覆膜的情況下，能夠有效地抑制水分從形成有電容器主體110的接地端子117、118的部分進入電容器主體110內。
對此，如本實施方式那樣，在電容器主體110的表面上形成有鍍膜15a、16a的情況下，水分容易從形成有鍍膜15a、16a的部分進入電容器主體110內。但是，在本實施方式中， 第一以及第二信號端子15、16與正電壓連接。因此，接地端子17、18成為接地電位側。故而，即使存在水分，接地端子17、18中所含的金屬成分也不會離子化。因此，能夠有效地抑制因接地端子17、18中所含的金屬離子化而引起的電容器1的可靠性的降低。接下來，關于電容器1的制造方法的例子進行說明。首先，在電介質板上印刷諸如M膏等的第一內部電極用導電性膏，并得到形成了第一內部電極形成用的導電膜的第一板。接下來，在電介質板上印刷諸如M膏等的第二內部電極形成用導電性膏，并得到形成了第二內部電極形成用的導電膜的第二板。另外，以同樣的步驟得到形成了接地虛擬電極形成用的導電膜的第三板。然后，通過層疊第一 第三板以及未印刷導電性膏的電介質板來形成層疊體。接下來，對層疊體進行焙燒(焙燒工序)。這樣，制作電容器主體10。其后，在作為焙燒體的電容器主體10的端面10e、10f上涂敷用于形成第一以及第二信號端子15、16的焙燒導電膜15a、16a的導電性膏(導電性膏涂敷工序)，并進行烘焙， 從而形成焙燒導電膜15a、16a(烘焙工序)。此外，還可以是同時進行烘焙工序和焙燒工序的共燒(cofire)。接下來，用掩膜(mask)覆蓋電容器主體10的焙燒導電膜15a和16a，形成第一鍍膜17a和18a，并去除掩膜，其后，依次形成第一鍍膜15b、16b、第二鍍膜15c、16c、以及第二、 第三鍍膜17b、17c、18b、18c (鍍膜形成工序)，從而使電容器1完成。此外，在鍍膜形成后， 對電容器主體10進行加熱(合金化工序)。此合金化工序，若在形成第一鍍膜17a和18a 后，對電容器主體10進行加熱，則能夠使第一鍍膜17a、18a與第二內部電極之間的界面合金化，使接合強度上升。另外，在第一鍍膜15b、16b的形成后，兼顧烘焙工序和合金化工序來對電容器主體10進行加熱的情況下，能夠使焙燒導電膜15a、16a與第一鍍膜15b、16b合金化，并同時使第一鍍膜17a、18a與第二內部電極合金化。從而，使第一鍍膜17a、18a與第二內部電極之間的接合強度以及焙燒導電膜15a、16a與第一鍍膜15b、16b之間的接合強度上升。這樣，通過同時進行烘焙工序和合金化工序，能夠簡化電容器1的制造工序。此外，在上述例子中，關于按烘焙工序、鍍膜形成工序、合金化工序這種順序來實施的例子進行了說明。但是，本發明不局限于這種構成。可以先于烘焙工序來進行鍍膜形成工序，而后同時進行烘焙工序和合金化工序。具體而言，可以按以下的要領來形成第一以及第二信號端子15、16和第一以及第二接地端子17、18。首先，在上述電容器主體10的表面上不形成焙燒導電膜15a、16a而實施電鍍。這樣，如圖11所示，與在側面10c、IOd上形成第一鍍膜17a、18a —起，在端面10e、10f上形成用于形成第一以及第二信號端子15、16的第三鍍膜15d、16d。接下來，在第三鍍膜15d、16d上涂敷導電性膏，并進行烘焙，從而形成含有玻璃成分的焙燒導電膜15a、16a。在這種情況下，通過此烘焙工序中的加熱，也進行第三鍍膜15d、 16d以及第一鍍膜17a、18a的合金化工序。即，同時進行烘焙工序和合金化工序。此外，毋庸置疑地，也可以在由第一鍍膜17a、18a以及第三鍍膜15d、16d的加熱進行的合金化工序之后，進行焙燒導電膜15a、16a的形成。其后，與上述實施方式相同，依次形成第一鍍膜15b、16b、第二鍍膜15c、16c、以及第二、第三鍍膜17b、17c、18b、18c (鍍膜形成工序)，從而使電容器1完成。如同此變形例，通過同時進行烘焙工序和合金化工序，能夠簡化電容器1的制造工序。因此，能夠容易地制造電容器1。這樣，在為了對焙燒導電膜15a、16a進行烘焙而進行的烘焙工序中，會從導電膏中所含的有機溶劑等中產生氣體。例如，在形成導電性膏層并在其上形成鍍膜后同時進行烘焙和合金化的情況下，有從導電性膏層產生的氣體被鍍膜擋住從而從導電性膏層出不來的可能性。若氣體不能充分地從導電性膏層出來，則氣泡會殘存在焙燒導電膜內。若在焙燒導電膜內有氣泡存在，則有這樣的危險在電容器的安裝時氣泡會爆炸，從而焊料會飛濺。 對此，在形成鍍膜之后形成焙燒導電膜15a、16a的情況下，在烘焙工序中，氣體易出來，氣泡難以殘存。因此，能夠抑制安裝時的焊料的飛濺。另外，如上述實施方式或本變形例那樣，通過使第一以及第二信號端子15、16成為由鍍膜和焙燒導電膜的不同結構組成的多層結構，從而與諸如僅由鍍膜構成的情況不同，在被安裝到基板時，還得到以下效果能夠抑制因芯片周圍的環境中所含的水分的侵入而造成的可靠性的降低。這是由于，在水分侵入時可靠性會降低的主原因被認為是在與正電位連接的信號端子中，因侵入的水分，鍍膜中的金屬成分會離子化。另一方面，在上述實施方式或本變形例中，第一以及第二接地端子17、18由鍍膜 17a 17c、18a 18c的不同結構的多層結構而構成。即，第一以及第二接地端子17、18僅由鍍膜構成，不含焙燒導電膜。例如，也考慮在接地端子中也包含焙燒導電膜。但是，在接地端子中包含焙燒導電膜的情況下，需要在側面的一部分上正確地涂敷導電性膏，而在側面的一部分上以高的位置精度來涂敷導電性膏由于要伴隨機械化定位，故而很困難。因此，接地端子的位置精度會變低。對此，如上述實施方式或本變形例那樣，在僅由鍍膜來構成第一以及第二接地端子17、18的情況下，由于是鍍膜，故不需要機械化定位，從而能夠以高的位置精度來形成第一以及第二接地端子17、18。圖12是第二變形例的電容器的示意截面圖。如圖12所示，在焙燒導電膜15a、16a 與第一鍍膜15b、16b之間還設置了第四鍍膜15e、16e。在這種情況下，優選使第四鍍膜15e、 16e和第一鍍膜17a、18a包含相同的Cu，使第一鍍膜15^1 和第二鍍膜17^1 包含相同的Ni，使第二鍍膜15c、16c和第三鍍膜17c、18c包含相同的Sn。這樣，在電容器主體10 的端面IOe和IOf上涂敷導電性膏后，對電容器主體10整體實施Cu鍍工序，從而能夠在包含相同的Cu的電鍍工序中形成第四鍍膜15e、16e和第一鍍膜17a、18a。此外，可以在同時形成第一鍍膜和第四鍍膜后，兼顧烘焙工序和合金化工序，對電容器主體10進行熱處理， 也可以在電容器主體10的端面IOe和IOf上涂敷導電性膏后進行烘焙工序，其后，同時形成第一鍍膜和第四鍍膜，并進行合金化工序。此外，在先于合金化工序進行烘焙工序的情況下，可以是同時進行電容器10的焙燒工序和烘焙工序的共燒。在形成第四鍍膜15e、16e和第一鍍膜17a、18a后，在包含相同的Ni的電鍍工序中同時形成第一鍍膜15b、16b和第二鍍膜17b、18b，其后，在包含相同的Sn的電鍍工序中形成第二鍍膜15c、16c和第三鍍膜17c、 18c。此外，在第一鍍膜15b、16b和第二鍍膜17b、18b包含Ni的情況下，也可以在此鍍膜形成工序之后進行烘焙工序以及合金化工序。
權利要求
1.一種電容器，包括電容器主體，其為長方體形狀，由電介質構成，該電容器主體具有沿長度方向和寬度方向延展的第一主面以及第二主面、沿所述長度方向和高度方向延展的第一側面以及第二側面、和沿所述寬度方向和所述高度方向延展的第一端面以及第二端面； 第一內部電極，其形成在所述電容器主體的內部；第二內部電極，其形成在所述電容器主體的內部，并與所述第一內部電極對置； 第一信號端子，其形成在所述第一端面上，并與所述第一內部電極連接； 第二信號端子，其形成在所述第二端面上，并與所述第一內部電極連接；以及接地端子，其按照與所述第二內部電極連接的方式形成在所述第一側面的一部分上， 并與接地電位連接，其中，所述接地端子具有形成在所述電容器主體上、且與所述第二內部電極直接連接的一個或多個鍍膜。
2.如權利要求1所述的電容器，其中，所述一個或多個鍍膜是由濕式鍍形成的濕式鍍膜。
3.如權利要求1或2所述的電容器，其中， 該電容器是噪聲濾波器。
4.如權利要求1 3中任意一項所述的電容器，其中， 所述第一信號端子以及第二信號端子與正電位連接。
5.如權利要求1 4中任意一項所述的電容器，其中， 所述接地端子不包含焙燒導電膜。
6.如權利要求1 5中任意一項所述的電容器，其中， 所述信號端子具有形成在所述電容器主體的外表面上、且與所述第一內部電極直接連接的一個或多個鍍膜；以及形成在所述一個或多個鍍膜上、且含有玻璃成分的焙燒導電膜。
7.如權利要求1 5中任意一項所述的電容器，其中， 所述信號端子具有形成在所述電容器主體的外表面上、且與所述第一內部電極直接連接的含有玻璃成分的焙燒導電膜；以及形成在所述焙燒導電膜上的一個或多個鍍膜。
8.如權利要求6或7所述的電容器，其中， 所述焙燒導電膜包含Cu。
9.如權利要求1 8中任意一項所述的電容器，其中，所述接地端子具有形成在所述第一主面以及第二主面上的部分， 所述第二內部電極包含在所述高度方向上與所述第一內部電極對置的對置部、以及連接所述對置部和所述接地端子的連接部，所述電容器還包括在所述高度方向上配置于所述第二內部電極的連接部與所述接地端子的位于所述第一主面或者第二主面上的部分之間的、與所述接地端子連接的接地虛擬電極。
10.如權利要求1 9中任意一項所述的電容器，其中， 與所述第二內部電極連接的鍍膜由含有Cu的Cu鍍膜構成。
11.如權利要求10所述的電容器，其中，所述接地端子還具有形成在所述Cu鍍膜上且含有Ni的Ni鍍膜；以及形成在所述Ni 鍍膜上且含有Sn的Sn鍍膜。
12.如權利要求1 11中任意一項所述的電容器，其中， 所述第一內部電極以及第二內部電極由Ni構成。
13.一種電容器的制造方法，是權利要求1 12中任意一項所述的電容器的制造方法， 該電容器的制造方法包括在電介質板上印刷第一內部電極形成用導電性膏，并得到形成了所述第一內部電極形成用的導電膜的第一板的工序；在電介質板上印刷第二內部電極形成用導電性膏，并得到形成了所述第二內部電極形成用的導電膜的第二板的工序；通過對所述第一板、所述第二板、和未印刷導電性膏的電介質板進行層疊來形成層疊體的工序；對所述層疊體進行焙燒的焙燒工序；在所述層疊體上，按照與所述第一內部電極形成用的導電膜接觸的方式涂敷導電膏的導電性膏涂敷工序；對所述被涂敷的導電膏進行烘焙，以作為所述焙燒膜的烘焙工序； 在所述層疊體上，按照與所述第二內部電極形成用的導電膜接觸的方式形成所述一個或多個鍍膜的鍍膜形成工序；以及通過加熱所述層疊體，從而在所述鍍膜與所述第二內部電極形成用的導電膜之間的界面處，使所述鍍膜和所述第二內部電極形成用的導電膜合金化的合金化工序。
14.如權利要求13所述的電容器的制造方法，其中，按照所述導電性膏涂敷工序、所述烘焙工序、所述鍍膜形成工序、和所述合金化工序的順序來進行。
15.如權利要求13所述的電容器的制造方法，其中，先于所述烘焙工序來進行所述鍍膜形成工序，在所述鍍膜形成工序后，進行所述導電性膏涂敷工序，在所述導電性膏涂敷工序后，同時進行所述烘焙工序和所述合金化工序。
16.如權利要求13所述的電容器的制造方法，其中，按照所述鍍膜形成工序、所述合金化工序、所述導電性膏涂敷工序、和所述烘焙工序的順序來進行。
全文摘要
本發明旨在提供一種插入損耗小的電容器及其制造方法。本發明的電容器(1)包括由電介質構成的電容器主體(10)、第一內部電極(11)、第二內部電極(12)、第一以及第二信號端子(15，16)、和接地端子(17)。第一以及第二信號端子(15，16)與第一內部電極(11)連接。接地端子(17)按照與第二內部電極(12)連接的方式形成在電容器主體(10)的外表面上。接地端子(17)與接地電位連接。接地端子(17)在電容器主體(10)上具有按照與第二內部電極(12)連接的方式而形成的鍍膜(17a)。
文檔編號H01G4/35GK102194570SQ20111004243
公開日2011年9月21日 申請日期2011年2月18日 優先權日2010年2月19日
發明者山本重克, 細川孝夫 申請人:株式會社村田制作所