有機發光器件顯示器及其制造方法

專利名稱：有機發光器件顯示器及其制造方法
技術領域：
實施例涉及有機發光器件顯示器及其制造方法。
背景技術：
一般而言，有機發光二極管(OLED)具有形成為功能性薄膜的有機發光層被布置在陽極與陰極之間的結構。在工作中，空穴通過陽極插入，并且電子通過陰極插入，然后電子和空穴在有機發光層中彼此結合，使得當電子與空穴彼此復合時在有機發光層中形成激子并發光。在全彩色OLED顯示器中，可以使用獨立的發光方法、濾色方法或色彩轉換方法等。在獨立的發光方法中，通過使用具有精細圖案的金屬陰影掩膜熱沉積紅(R)光發射材料、綠(G)光發射材料和藍(B)光發射材料中的每一個，以實現R、G和B顏色。在濾色方法中，形成白光發射層，然后對R、G和B濾色器進行圖案化，以實現R、G和B顏色。在顏色轉換方法中，形成藍光發射層，然后使用顏色轉換層將藍色轉換為綠色和紅色，以實現R、G和 B顏色。

發明內容
實施例的特征在于提供一種具有改善的壽命特性和發光效率同時減小制造期間改變精細金屬掩膜(FMM)的次數的有機發光器件顯示器及制造有機發光器件顯示器的方法。以上及其它特性和優點中的至少一個可以通過提供一種有機發光器件顯示器來實現，所述有機發光器件顯示器包括位于基板上的紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素中的第一電極；位于所述基板上覆蓋所述第一電極的空穴注入層；位于所述空穴注入層上的空穴傳輸層；位于所述紅色子像素中所述空穴注入層與所述空穴傳輸層之間的輔助層； 位于所述紅色子像素和綠色子像素中所述空穴傳輸層上的紅光發射層和綠光發射層，所述紅光發射層位于所述綠光發射層與所述空穴傳輸層之間；以及位于所述藍色子像素中所述空穴傳輸層上的藍光發射層。所述紅光發射層可以具有空穴傳輸能力，并且所述綠光發射層可以具有電子傳輸能力。所述輔助層可以具有空穴傳輸能力。所述輔助層可以包括與所述空穴傳輸層相同的材料。所述輔助層的厚度可以在大約300A與大約1500人之間。所述紅光發射層的厚度可以在大約500人與大約2000人之間，并且所述綠光發射層的厚度可以在大約IOOA與大約1000A之間。所述藍光發射層可以位于所述綠光發射層上，因而所述藍光發射層至少對于所述藍色子像素和所述綠色子像素是公共的。所述藍光發射層的厚度可以在大約IOOA與大約500人之間。
以上及其它特征和優點還可以通過提供一種制造有機發光器件顯示器的方法來實現，該方法包括在基板上形成用于紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素中每一個的第一電極；在所述基板上形成覆蓋所述第一電極的空穴注入層；在所述紅色子像素中所述空穴注入層上形成輔助層；在所述空穴注入層上形成覆蓋所述輔助層的空穴傳輸層；以及在所述紅色子像素和所述綠色子像素中所述空穴傳輸層上順序形成紅光發射層和綠光發射層。所述紅光發射層可以具有空穴傳輸能力，并且所述綠光發射層可以具有電子傳輸能力。所述輔助層可以具有空穴傳輸能力。所述輔助層可以包括與所述空穴傳輸層相同的材料。所述輔助層的厚度可以在大約300A與大約1500A之間。所述紅光發射層的厚度可以在大約500A與大約2000A之間，并且所述綠光發射層的厚度可以在大約IOOA與大約1000A之間。所述方法可以進一步包括在所述藍色子像素中所述空穴傳輸層上形成藍光發射層。所述藍光發射層可以通過使用精細金屬掩膜進行圖案化而形成。所述方法可以進一步包括在所述綠光發射層和所述空穴傳輸層上形成藍光發射層，以便將所述藍光發射層作為公共層形成在所述基板的前表面上。所述藍光發射層的厚度可以在大約IOOA與大約500A之間。所述輔助層、所述紅光發射層和所述綠光發射層可以通過使用精細金屬掩膜進行圖案化而形成。所述藍光發射層可以通過使用開口掩膜進行圖案化而形成。


對于本領域普通技術人員來說，以上及其它特征和優點將通過結合附圖對示例性實施例進行的詳細描述而變得更加明顯，附圖中圖1示出根據第一示例實施例的有機發光器件顯示器的截面圖；圖2示出根據第二示例實施例的有機發光器件顯示器的截面圖；圖3和圖4分別示出根據一個或多個實施例的有機發光二極管(OLED)和OLED的比較示例的電壓-電流曲線圖和電流效率-亮度曲線圖；以及圖5(a)_(d)示出可以應用于根據一個或多個實施例的OLED的濾色器的圖案類型。
具體實施例方式通過引用將2010年1月27日遞交至韓國知識產權局的名稱為“Organic Light Emitting Diode Display Apparatus and Method of Manufacturing the Same (有機發光二極管顯示裝置及其制造方法)”的韓國專利申請No. 10-2010-0007444整體合并于此。以下結合附圖更充分地描述示例實施例，然而，這些實施例可以不同的形式體現， 并且不應當被理解為限于這里所給出的實施例。相反，提供這些實施例的目的在于使該公開全面完整，并且向本領域普通技術人員充分地傳達本發明的范圍。在附圖中，層和區域的尺寸可能為了圖示的清晰而被放大。還可以理解，當提及一層或元件位于另一層或基板“上”時，該層或元件可以直接位于另一層或基板上，也可以存在中間層。進一步地，應當理解，當提及一層位于另一層“下”時，該層可以直接位于另一層下，也可以存在一個或多個中間層。另外，也可以理解，當提及一層位于兩層“之間”時，該層可以是這兩層之間僅有的層，也可以存在一個或多個中間層。相同的附圖標記始終指代相同的元件。在以下描述中，公知的功能或架構不會詳細描述，因為這會以不必要的細節而使本發明晦澀。此外，當一部分“包括”一個元件時，除非有與此相反的特別描述，否則該部分可以進一步包括其它元件，而不排除其它元件。這里所使用的詞語“和/或”包括相關聯的所列項目中的一個或多個的任意或所有組合。圖1示出根據第一示例實施例的有機發光器件顯示器的截面圖。在圖1所示的第一示例實施例中，OLED顯示器包括基板100和形成在基板100上的紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)子像素區域。基板100可以由例如透明玻璃材料、塑料材料或金屬箔形成。如OLED顯示器中通常使用的那樣，基板100可以具有好的機械強度、熱穩定性、透明度、表面平滑度、易使用和防水性。盡管圖1中未示出，但是基板100的R、G和B子像素中的每一個可以包括至少一個薄膜晶體管(TFT)和/或電容器，并且像素電路可以通過使用TFT和電容器實現。第一電極120和第二電極140可以彼此面對地布置在基板100之上。可以針對R、 G和B子像素中的每一個對第一電極120進行圖案化，并且第一電極120可以是陽極或陰極。第二電極140對應于第一電極120，并且可以是陰極或陽極。第二電極140可以通過執行例如真空蒸發操作或濺射操作形成在電子注入層136上。包括OLED的OLED顯示器可以實施為朝向基板100實現圖像的底部發射型OLED 顯示器。在這種情況下，第一電極120可以是透明電極，而第二電極140可以是反射電極。 第一電極120可以由諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(SiO)或氧化銦(In2O3) 之類的具有高功函數的材料形成，而第二電極140可以由諸如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬 (Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)和 / 或鈣(Ca)之類的具有低功函數的金屬形成。包括OLED的OLED顯示器可以實施為朝向第二電極140實現圖像的頂部發射型 OLED顯示器。在這種情況下，第一電極120可以是反射電極，而第二電極140可以是透明電極。這里，與第一電極120相對應的反射電極可以通過包括例如形成諸如Ag、Mg、Al、Pt、 Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和/或其化合物之類的材料的反射層，然后在反射層上形成諸如ΙΤ0、IZO、ZnO或In2O3之類的具有高功函數的材料的層的工藝形成。與第二電極140相對應的透明電極可以通過包括例如沉積諸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca 和/或其化合物之類的具有低功函數的金屬，然后在金屬上形成包括諸如ITO、IZO、ZnO或 In2O3之類的透明導電材料的輔助電極層或匯流電極線的工藝形成。包括OLED的OLED顯示器可以實施為雙側發射型OLED顯示器。在這種情況下，第一電極120和第二電極140可以形成為透明電極。
如果基板100如上所述包括TFT，則第一電極120可以針對R、G和B子像素被圖案化，并且電連接至R、G和B子像素的每一個中的TFT。在這種情況下，第二電極140可以形成為在R、G和B子像素上延伸以覆蓋所有的R、G和B子像素的公共電極。如果基板100不包括針對R、G和B子像素中每一個的TFT，則第一電極120和第二電極140可以圖案化為交叉的條紋圖案，因此可以執行無源矩陣(PM)驅動。在圖1所示的第一示例實施例中，有機層130介于第一電極120與第二電極140 之間，有機層130包括順序布置的空穴注入層131、輔助層132R、空穴傳輸層133、紅光發射層134R、綠光發射層134G、藍光發射層134B、電子傳輸層135和電子注入層136。盡管在圖1中未示出，但是可以在第一電極120上形成覆蓋第一電極120端部和側部的像素限定層。像素限定層可以由例如有機材料、無機材料或有機-無機材料的多層形成。無機材料可以是諸如二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)和/或氮氧化硅(SiON)之類的材料。有機材料可以是諸如是有機絕緣材料的丙烯基有機化合物、聚酰胺和/或聚酰亞胺之類的材料。空穴注入層131可以通過使用開口掩膜形成為相對于R、G和B子像素的公共層， 其中該公共層位于其上形成有第一電極120的基板100上。空穴注入層131可以具有大約 300 A與大約800 A之間的厚度，用于平滑的空穴注入，盡管其厚度可以根據其它層的材料而變化。空穴注入層131可以包括諸如4，4'，4〃 -三(N-(2-萘基)-N-苯基-氨基)三苯胺Q-TNATA)、酞菁銅(CuPc)、作為星芒(starburst)型胺的三(4-咔唑基-9-基苯基) 胺(TCTA) ,4,4'，4〃 -三(3-甲基苯基苯基氨基)-三苯胺(m-MTDATA)和/或IDE406 (由出光興產株式會社制造)，或者可以使用提供平滑空穴注入的其它材料。具有高的空穴遷移率并提供平滑空穴傳輸的空穴傳輸層133可以形成在空穴注入層131上。空穴傳輸層133可以通過使用開口掩膜形成為相對于R、G和B子像素的公共層。空穴傳輸層133的厚度可以在大約300 A與大約800A之間，盡管其厚度可以根據其它層的材料而變化。空穴傳輸層133的沉積條件和涂覆條件可以根據所使用的化合物而變化。在示例實施方式中，沉積條件和涂覆條件可以與用于形成空穴注入層131的沉積條件和涂覆條件類似地選擇。空穴傳輸層133的材料可以包括例如包括N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑等的咔唑衍生物、4，4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯氨基]聯苯(NPB)、N，N'-雙(3-甲基苯基)-N，N-聯苯-[1，1'-聯苯]_4，4' -二胺(TPD)、N，N'-聯苯-N，N-雙(1-萘基)-1，1聯苯-4，4- 二胺(α -NPD)、IDE320 (由出光興產株式會社制造)等。在圖1所示的第一示例實施例中，輔助層132R布置在紅色(R)子像素區域中空穴注入層131與空穴傳輸層133之間。輔助層132R可以調節R子像素的有機層的厚度，從而調節紅光的共振周期。共振周期通過使用微腔效應來調節。輔助層132R可以具有大約 300Α與大約1500Α之間的厚度，以提高紅光的發光效率、色純度等。在一種實施方式中， 輔助層132R可以通過使用FMM僅形成在紅色(R)子像素區域中。在一種實施方式中，輔助層132R的材料可以與空穴傳輸層133的材料相同，或者可以包括空穴傳輸層133的材料。在圖1所示的第一示例實施例中，發光層134形成在空穴傳輸層133上。發光層 134包括順序堆疊在紅色(R)子像素區域和綠色(G)子像素區域中的紅光發射層134R和綠光發射層134G以及布置在藍色(B)子像素區域中的藍光發射層134Β。紅光發射層134R和綠光發射層134G可以通過執行堆疊操作公共地布置在紅色(R)子像素區域和綠色(G)子像素區域中。紅光發射層134R、綠光發射層134G和藍光發射層134B可以通過使用FMM形成在空穴傳輸層133上。這里，紅光發射層134R和綠光發射層134G作為公共層順序堆疊在紅色(R)子像素區域和綠色(G)子像素區域中。因此，可以使用具有較大開口的掩膜，從而與在每個子像素中形成發光層的情況相比，使大顯示面板的制造更有利。在一種實施方式中， 藍光發射層134B可以通過使用FMM僅堆疊在藍色(B)子像素區域中。輔助層132R可以布置在紅色(R)子像素區域中以調節紅光的共振周期，并且紅光發射層134R可以布置在紅色(R)子像素區域和綠色(G)子像素區域中以調節綠光的共振周期。因此，紅光發射層134R可以同時充當紅光的發射層以及綠色子像素(R)的輔助層。 在一種實施方式中，紅光發射層134R可以具有空穴傳輸能力，并且綠光發射層134G可以具有電子傳輸能力。紅光發射層134R以及綠光發射層134G和藍光發射層134B可以通過使用各種已知的發光材料形成，并且可以通過使用已知的宿主和雜質形成。雜質可以包括已知的熒光雜質和/或已知的磷光雜質。具體來說，紅光發射層134R可以包括具有高空穴傳輸特性的宿主和紅色雜質，而綠光發射層134G可以包括具有高電子傳輸特性的宿主和綠色雜質。發光層134的宿主可以包括例如三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)、4，4' -二(N-咔唑) 聯苯(CBP)、聯苯乙烯(DSA)、作為紅色磷光宿主的⑶11403(由GRACEL株式會社制造)等。基于100重量份的發光層形成材料(即宿主和雜質的總重量為100份)，光發射層134的雜質含量可以在0. 1至20重量份之間，例如在0. 5至15重量份之間。如果雜質含量小于0. 1重量份，則由添加雜質引起的效果會很小，而如果雜質含量大于20重量份，則會對熒光和磷光引起諸如濃縮猝滅的濃縮消光。考慮發光效率時，紅光發射層134R的厚度可以在大約500人與大約2000人之間， 綠光發射層134G的厚度可以在大約100人與大約1000A之間，例如在大約200A與大約 1000A之間，并且藍光發射層134B的厚度可以在大約200A與大約1000A之間。在圖1所示的第一示例實施例中，電子傳輸層135被形成在發光層134上。電子傳輸層135可以通過使用開口掩膜形成在綠光發射層134G和藍光發射層134B上以及基板100的前側上。電子傳輸層135的厚度可以在大約200 A與大約500 A之間，并且可以根據其它層的材料而變化。電子傳輸層135可以促進電子傳輸，從而允許高效的電子傳輸。電子傳輸層135的材料可以是例如包括Alq3的喹啉衍生物材料、3_ (4_聯苯基)_4_苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4_三唑(TAD，或可以使用類似材料。在圖1所示的第一示例實施例中，電子注入層136形成在電子傳輸層135上和基板100的前側上。電子注入層136可以通過使用開口掩膜形成。電子注入層136的厚度可以在大約5A與大約50人之間，并且可以根據其它層的材料而變化。電子傳輸層136可以由促進電子從第二電極140注入的材料形成，例如氟化鋰(LiF)、NaCl、氟化銫(CsF)、氧化鋰 (Li2O)、氧化鋇(BaO)和 / 或 Liq。盡管在圖1中未示出，但是可以通過使用空穴阻擋層形成材料在發光層134與電子傳輸層135之間選擇性地形成空穴阻擋層。空穴阻擋層形成材料可以提供空穴傳輸能力，并且具有比發光化合物高的電離電勢。空穴阻擋層形成材料的示例包括雙O-甲基-8-羥基喹啉)(4-羥基)鋁(BAlq)、浴銅靈(BCP)、N_芳基苯并咪唑三聚體(TPBI)等。
如以上結合第一示例實施例所述，紅光發射層134R和綠光發射層134G公共地堆疊在紅色(R)子像素區域和綠色(G)子像素區域中。因此，并不需要另外使用FMM以在綠色(G)子像素區域中形成輔助層。相應地，通過使用FMM四次，可以簡化制造工藝。圖2示出根據第二示例實施例的有機發光器件顯示器的截面圖。與圖1的OLED顯示器類似，根據圖2所示的第二示例實施例的OLED顯示器包括基板200和形成在基板200上的紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)子像素區域。圖2所示的 OLED顯示器與圖1所示的OLED顯示器的不同之處在于，圖2中藍光發射層234B被形成為公共層。以下省略與圖1的OLED顯示器相同的結構和針對相同結構的制造工藝的詳細描述。在圖2所示的第二示例實施例中，第一電極220和與第一電極220面對的第二電極240布置在基板200上。有機層230介于第一電極220與第二電極240之間，有機層230 包括空穴注入層231、輔助層232R、空穴傳輸層233、紅光發射層234R、綠光發射層234G、藍光發射層234B、電子傳輸層235和電子注入層236。在圖2所示的第二示例實施例中，第一電極220針對紅色(R)、綠色(G)和藍色(B) 子像素分立形成。盡管在圖2中未示出，但是可以在第一電極220上形成覆蓋第一電極220 的端部和側部的像素限定層。空穴注入層231和空穴傳輸層233可以通過使用開口掩膜順序堆疊于第一電極220上。在圖2所示的第二示例實施例中，輔助層232R布置在紅色(R)子像素區域中空穴注入層231與空穴傳輸層233之間。輔助層232R可以調節紅光的共振周期。輔助層232R 可以通過使用FMM形成在空穴注入層231上。在圖2所示的第二示例實施例中，發光層234形成在空穴傳輸層233上。發光層 234包括紅光發射層234R、綠光發射層234G和藍光發射層234B。紅光發射層234R可以通過使用FMM在紅色(R)子像素區域和綠色(G)子像素區域中形成在空穴傳輸層233上。綠光發射層234G可以通過使用FMM在紅色(R)子像素區域和綠色(G)子像素區域中形成在紅光發射層234R上。因此，紅光發射層234R和綠光發射層234G作為公共層形成在紅色(R)子像素區域和綠色(G)子像素區域中。紅光發射層 234R可以充當紅色(R)子像素區域中的發光層，同時充當輔助層，并且在綠色(G)子像素區域中傳輸空穴。在圖2所示的第二示例實施例中，藍光發射層234B在紅色(R)子像素區域和綠色 (G)子像素區域中形成在綠光發射層234G之上，并且在藍色(B)子像素區域中形成在空穴傳輸層233之上。藍光發射層234B可以通過使用開口掩膜作為公共層形成在基板200的前側上。開口掩膜具有覆蓋至少發光區域，例如覆蓋整個面板的一個開口單元，而精細金屬掩膜(FMM)具有各自對應于各個子像素或者各自對應于兩個以上子像素的一個以上開口單元。當使用FMM時，可以以至少一個沉積工藝形成彩色。因此，當制造藍光發射層234B 時，由于可以代替FMM而使用具有較大開口的開口掩膜，所以與圖1的OLED顯示器相比，使用FMM的次數可以減小到三次，從而可以進一步簡化制造工藝。藍光發射層234B可以具有在大約IOOA與大約500A之間的厚度。紅光發射層234R的厚度可以在大約500人與大約 2000A之間，并且綠光發射層234G的厚度可以在大約IOOA與大約1OOOA之間，例如在大約200人與大約1OOOA之間。
電子傳輸層235可以通過使用開口掩膜形成在發光層234上和基板200的前側上。盡管在圖2中未示出，但是可以通過使用空穴阻擋層形成材料在發光層234與電子傳輸層235之間選擇性地形成空穴阻擋層。電子注入層236可以通過使用開口掩膜形成在電子傳輸層235上和基板200的前側上。在圖2所示的第二示例實施例中，第二電極240形成在電子注入層236上。第二電極240可以形成為在R、G和B子像素上延伸并連接R、G和B子像素的公共電極。在圖2所示的第二示例實施例中，藍光發射層形成在紅色(R)、綠色(G)和藍色 (B)子像素區域中，從而使得藍光發射層可以至少對綠色(G)和藍色(B)子像素是公共的。圖3和圖4分別示出根據一個或多個實施例的有機發光二極管(OLED)和OLED的比較示例的電壓-電流曲線圖和電流效率-亮度曲線圖。圖3和圖4示出與圖2所示具有紅光發射層和綠光發射層形成為堆疊結構(RG堆疊)且藍光發射層布置為藍色公共層(BCL)的結構的第二示例實施例相對應的數據，以及在具有RG堆疊和BCL的結構上添加綠色輔助層(G輔助層)的比較性示例的數據。參見圖3和圖4，根據一個或多個實施例制造的RG堆疊OLED可以提供需要低驅動電壓、隨亮度升高而具有小的色彩改變并且在長時間驅動之后不會尖銳劣化的高效、質優且穩定的器件。紅光發射通過使用紅光發射層而在紅色子像素中發生，并且紅光發射層被用作綠色子像素中的G輔助層，從而與具有獨立G輔助層的比較性示例相比，在效率和電壓方面沒有很大差別。因此，可以簡化制造工藝。圖5(a)_(d)示出可以應用于根據一個或多個實施例的OLED的濾色器的圖案類型。參見圖5，在一個或多個實施例的OLED顯示器中，紅光發射層和綠光發射層可以被堆疊為使得紅光濾波器圖案和綠光濾波器圖案可以如圖5(a)至圖(d)那樣相鄰。在根據濾色器方法形成的一般OLED顯示器中，發射白光的效率在穿過濾色器時降低，因此需要高效率的白光發射材料，并且與使用金屬陰影掩膜的精細圖案化方法相比， 總體效率較低。進一步地，對于涉及通過使用精細金屬陰影掩膜沉積并圖案化R、G和B發光材料的獨立發光方法，在顯示器的尺寸和分辨率增大時，由于制造精細金屬陰影掩膜中的困難，而很難增大有機發光面板。并且，為了沉積輔助層以及R、G和B發光材料，可能需要精細對準設備。就這一點來說，當使薄膜晶體管(TFT)基板的像素與精細金屬陰影掩膜對準時，可能會對先前沉積的有機材料造成損傷，從而形成缺陷像素。并且，大的精細金屬陰影掩膜難以制造且非常昂貴，這對大的精細金屬陰影掩膜的使用造成了限制。比較而言，根據一個或多個實施例的制造OLED顯示器的方法，與一般的R、G和B 獨立圖案化方法相比，可以減少使用FMM的次數，從而提供了簡單的工藝，并且降低了制造成本。一個或多個實施例在制造具有獨立光發射的前后表面共振結構的有機發光二極管 (OLED)顯示器時，提供通過堆疊具有改善的壽命特性和發光效率的紅光發射層和綠光發射層，來減小使用精細金屬掩膜(FMM)的次數的方法。根據一個或多個實施例的OLED顯示器可以提供需要低驅動電壓、隨亮度升高而具有小的色彩改變并且在長時間驅動之后不會尖銳劣化的高效、質優且穩定的器件。OLED顯示器可以在減小其制造期間改變精細金屬掩膜 (FMM)的次數的同時具有改善的壽命和發光效率。盡管在示例性實施例中描述了通過使用RGB子像素形成OLED顯示器，但是本發明實施例不限于這種實施例。也就是說，OLED顯示器可以由RGB顏色或例如橙色和青色的其它顏色形成全白色。 這里已經公開了示例實施例，并且盡管采用了特定術語，但應以廣義和描述的意義上使用并解釋它們，而并不用于限定的目的。因此，本領域普通技術人員會理解，可以在不超出所附權利要求記載的本發明的精神和范圍的情況下，進行各種形式上和細節上的改變。
權利要求
1.一種有機發光器件顯示器，包括位于基板上的紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素中的第一電極； 位于所述基板上覆蓋所述第一電極的空穴注入層； 位于所述空穴注入層上的空穴傳輸層；位于所述紅色子像素中所述空穴注入層與所述空穴傳輸層之間的輔助層； 位于所述紅色子像素和所述綠色子像素中所述空穴傳輸層上的紅光發射層和綠光發射層，所述紅光發射層位于所述綠光發射層與所述空穴傳輸層之間；以及位于所述藍色子像素中所述空穴傳輸層上的藍光發射層。
2.根據權利要求1所述的有機發光器件顯示器，其中所述紅光發射層具有空穴傳輸能力，并且所述綠光發射層具有電子傳輸能力。
3.根據權利要求1所述的有機發光器件顯示器，其中所述輔助層具有空穴傳輸能力。
4.根據權利要求3所述的有機發光器件顯示器，其中所述輔助層包括與所述空穴傳輸層相同的材料。
5.根據權利要求1所述的有機發光器件顯示器，其中所述輔助層的厚度在300人與 1500人之間。
6.根據權利要求1所述的有機發光器件顯示器，其中所述紅光發射層的厚度在500人與2000人之間，并且所述綠光發射層的厚度在100人與1000人之間。
7.根據權利要求1所述的有機發光器件顯示器，其中所述藍光發射層位于所述綠光發射層上，因而所述藍光發射層至少對于所述藍色子像素和所述綠色子像素是公共的。
8.根據權利要求7所述的有機發光器件顯示器，其中所述藍光發射層的厚度在100人與500A之間。
9.一種制造有機發光器件顯示器的方法，該方法包括在基板上形成用于紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素中每一個的第一電極； 在所述基板上形成覆蓋所述第一電極的空穴注入層； 在所述紅色子像素中所述空穴注入層上形成輔助層； 在所述空穴注入層上形成覆蓋所述輔助層的空穴傳輸層；以及在所述紅色子像素和所述綠色子像素中所述空穴傳輸層上順序形成紅光發射層和綠光發射層。
10.根據權利要求9所述的制造有機發光器件顯示器的方法，其中所述紅光發射層具有空穴傳輸能力，并且所述綠光發射層具有電子傳輸能力。
11.根據權利要求10所述的制造有機發光器件顯示器的方法，其中所述輔助層具有空穴傳輸能力。
12.根據權利要求11所述的制造有機發光器件顯示器的方法，其中所述輔助層包括與所述空穴傳輸層相同的材料。
13.根據權利要求9所述的方法，其中所述輔助層的厚度在300人與1500人之間。
14.根據權利要求9所述的制造有機發光器件顯示器的方法，其中所述紅光發射層的厚度在500人與2000人之間，并且所述綠光發射層的厚度在100人與1000人之間。
15.根據權利要求9所述的制造有機發光器件顯示器的方法，進一步包括在所述藍色子像素中所述空穴傳輸層上形成藍光發射層。
16.根據權利要求15所述的制造有機發光器件顯示器的方法，其中所述藍光發射層通過使用精細金屬掩膜進行圖案化而形成。
17.根據權利要求9所述的制造有機發光器件顯示器的方法，進一步包括在所述綠光發射層和所述空穴傳輸層上形成藍光發射層，以便將所述藍光發射層作為公共層形成在所述基板的前表面上。
18.根據權利要求17所述的制造有機發光器件顯示器的方法，其中所述藍光發射層的厚度在IOOA與500A之間。
19.根據權利要求17所述的制造有機發光器件顯示器的方法，其中所述輔助層、所述紅光發射層和所述綠光發射層通過使用精細金屬掩膜進行圖案化而形成。
20.根據權利要求19所述的制造有機發光器件顯示器的方法，其中所述藍光發射層通過使用開口掩膜進行圖案化而形成。
全文摘要
本發明公開有機發光器件顯示器及其制造方法。所述有機發光器件顯示器包括位于基板上的紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素中的第一電極；位于所述基板上覆蓋所述第一電極的空穴注入層；位于所述空穴注入層上的空穴傳輸層；位于所述紅色子像素中所述空穴注入層與所述空穴傳輸層之間的輔助層；位于所述紅色子像素和所述綠色子像素中所述空穴傳輸層上的紅光發射層和綠光發射層，所述紅光發射層位于所述綠光發射層與所述空穴傳輸層之間；以及位于所述藍色子像素中所述空穴傳輸層上的藍光發射層。
文檔編號H01L51/50GK102163615SQ20111003238
公開日2011年8月24日 申請日期2011年1月27日 優先權日2010年1月27日
發明者宋正培, 宋泳錄, 崔凡洛, 李相泌 申請人:三星移動顯示器株式會社