專利名稱：鋁電解電容器用高壓陽極箔生產工藝的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種陽極箔生產工藝，具體涉及一種鋁電解電容器用高壓陽極箔生產 工藝。
背景技術：
高壓鋁電解電容器用陽極箔，通過擴大其有效表面積，來增加單位面積的靜電容 量，一般用電化學或化學腐蝕來處理鋁箔。以往的腐蝕工藝，在孔洞密度增加的同時，也伴 隨著鋁箔表面的溶解，不但降低了腐蝕的有效表面積，還降低了其機械強度。因此，需要提 供一種新的技術方案來解決上述技術問題。
發明內容
本發明解決了現有技術中所存在的高壓鋁電解電容器用陽極箔腐蝕過程中降低 了其機械強度的技術問題，本發明的目的是提供了一種鋁電解電容器用高壓陽極箔生產工 藝，使其達到原有腐蝕效果的同時，大幅度提升比容，同時保證一定機械強度。本發明采用的技術方案是
鋁電解電容器用高壓陽極箔生產工藝，包括以下步驟
a、前處理將鋁箔放在含有質量百分比濃度為20wt%—50襯％硫酸和質量百分比濃度 為10wt%鹽酸的混合液中浸泡1一 3分鐘，溶液溫度為55 — 75°C，除去鋁箔表面油 污、雜質及自燃氧化膜，使鋁箔表面均勻活化，使鋁箔表面形成分布均勻的初始蝕孔；
b、一級直流腐蝕將前處理過的鋁箔放在含有質量百分比濃度為20wt%—50wt%硫酸 和質量百分比濃度為1襯％— 10wt%鹽酸的混合液中進行直流電解腐蝕，其溫度68 — 78V， 電流密度控制在0. 2 — 0. 4A / c Hf，鋁箔表面形成一定深度和孔徑的初始蝕孔；
c、二級直流腐蝕將一級直流腐蝕后的鋁箔放在質量百分比濃度為30襯％—60襯％硝 酸中進行直流電解腐蝕，溶液溫度為67 — 82°C，其電流密度為0.05 — 0.2 A / cm2，使初始 蝕孔在原先的基礎上進一步擴大并加深，使最終孔徑及深度滿足高壓化成要求；
d、后處理將二級直流腐蝕過的鋁箔放在質量百分比濃度為5wt%—12wt%的硝酸溶液 中浸泡3— 5分鐘，溶液溫度30 — 50°C，去除鋁箔表面的殘余氧化膜、表面和孔內殘留有害 化學物質和裸露的金屬雜質，保證在化成時形成致密而電氣性能優良的氧化膜。作為優選，所述的前處理是將鋁箔放在質量百分比濃度為25wt%— 40wt%硫酸、質 量百分比濃度為1. 5wt%- 6wt%鹽酸混合液中浸泡1 一 3分鐘，溫度為55 — 75°C。本發明的優點該工藝提高了高壓陽極箔所需柱狀孔的有效面積，同時使高壓箔 在獲得高比容的前提下，具有較高的機械強度。
具體實施例方式以下實施例用以說明本發明，但不用來限制本發明的范圍。實施例1本發明的鋁電解電容器用高壓陽極箔生產工藝，包括以下步驟
a、前處理將鋁箔放在含有質量百分比濃度為25wt%硫酸和質量百分比濃度為1.5wt% 鹽酸的混合液中浸泡1分鐘后取出，溫度^°C，除去鋁箔表面油污、雜質及自燃氧化膜，使 鋁箔表面均勻活化，使鋁箔表面形成分布均勻的初始蝕孔；
b、一級直流腐蝕將前處理過的鋁箔放在含有質量百分比濃度為25wt%硫酸和質量百 分比濃度為1. 5襯％鹽酸的混合液中進行直流電解腐蝕，其電流密度為0. 2A / c IIf，溫度為 72°C，鋁箔表面形成一定深度和孔徑的初始蝕孔；
c、二級直流腐蝕將一級直流腐蝕過的鋁箔放在質量百分比濃度為40wt%硝酸的溶液 中進行直流電解腐蝕，其電流密度為0.05A / cm2，溫度為70°C，使初始蝕孔在原先的基礎 上進一步擴大并加深，使最終孔徑及深度滿足高壓化成要求；
d、后處理將二級直流腐蝕過的鋁箔放在質量百分比濃度為8wt%的硝酸溶液中浸泡3 分鐘，溶液溫度35°C，去除鋁箔表面的殘余氧化膜、表面和孔內殘留有害化學物質和裸露的 金屬雜質，保證在化成時形成致密而電氣性能優良的氧化膜。實施例2
本發明的鋁電解電容器用高壓陽極箔生產工藝，包括以下步驟 a、前處理將鋁箔放在含有質量百分比濃度為30wt%硫酸和質量百分比濃度為3襯％鹽 酸的混合液中浸泡1. 5分鐘后取出，溫度60°C，除去鋁箔表面油污、雜質及自燃氧化膜，使 鋁箔表面均勻活化，使鋁箔表面形成分布均勻的初始蝕孔；
b、一級直流腐蝕將前處理過的鋁箔放在含有質量百分比濃度為30wt%硫酸和質量 百分比濃度為3襯％鹽酸的混合液中進行直流電解腐蝕，其電流密度為0. 3A / c Hf，溫度為 69°C，鋁箔表面形成一定深度和孔徑的初始蝕孔；
c、二級直流腐蝕將一級直流腐蝕過的鋁箔放在質量百分比濃度為40襯％硝酸的溶 液中進行直流電解腐蝕，其電流密度為0. 15A / c m%溫度為72°C，使初始蝕孔在原先的基 礎上進一步擴大并加深，使最終孔徑及深度滿足高壓化成要求；
d、后處理將二級直流腐蝕過的鋁箔放在質量百分比濃度為8wt%的硝酸溶液中浸泡 3分鐘，溶液溫度35°C，去除鋁箔表面的殘余氧化膜、表面和孔內殘留有害化學物質和裸露 的金屬雜質，保證在化成時形成致密而電氣性能優良的氧化膜。結果120H，折曲 62 次，F=24. ON / cm, C(520vf) =0. 75-0. 76uf / cm2。實施例3
本發明的鋁電解電容器用高壓陽極箔生產工藝，包括以下步驟 a、前處理將鋁箔放在含有質量百分比濃度為35wt%硫酸和質量百分比濃度為鹽 酸的混合液中浸泡2分鐘后取出，溫度60°C，除去鋁箔表面油污、雜質及自燃氧化膜，使鋁 箔表面均勻活化，使鋁箔表面形成分布均勻的初始蝕孔；
b、一級直流腐蝕將前處理過的鋁箔放在含有質量百分比濃度為35wt%硫酸和質量 百分比濃度為鹽酸的混合液中進行直流電解腐蝕，其電流密度為0. 3A / c Hf，溫度為 69°C，鋁箔表面形成一定深度和孔徑的初始蝕孔；
c、二級直流腐蝕將一級直流腐蝕過的鋁箔放在質量百分比濃度為40wt%硝酸的溶液 中進行直流電解腐蝕，其電流密度為0. 15A / c m%溫度為74°C，使初始蝕孔在原先的基礎 上進一步擴大并加深，使最終孔徑及深度滿足高壓化成要求；d、后處理將二級直流腐蝕過的鋁箔放在質量百分比濃度為8wt%的硝酸溶液中浸泡3 分鐘，溶液溫度35°C，去除鋁箔表面的殘余氧化膜、表面和孔內殘留有害化學物質和裸露的 金屬雜質，保證在化成時形成致密而電氣性能優良的氧化膜。實施例4
本發明的鋁電解電容器用高壓陽極箔生產工藝，包括以下步驟 a、前處理將鋁箔放在含有質量百分比濃度為40wt%硫酸和質量百分比濃度為5襯％鹽 酸的混合液中浸泡2. 5分鐘后取出，溫度65°C，除去鋁箔表面油污、雜質及自燃氧化膜，使 鋁箔表面均勻活化，使鋁箔表面形成分布均勻的初始蝕孔；
b、一級直流腐蝕將前處理過的鋁箔放在含有質量百分比濃度為40wt%硫酸和質量 百分比濃度為5襯％鹽酸的混合液中進行直流電解腐蝕，其電流密度為0.4A / c Hf，溫度為 68°C，鋁箔表面形成一定深度和孔徑的初始蝕孔；
c、二級直流腐蝕將一級直流腐蝕過的鋁箔放在質量百分比濃度為40wt%硝酸的溶液 中進行直流電解腐蝕，其電流密度為0. 2A / cm%溫度為76°C，使初始蝕孔在原先的基礎上 進一步擴大并加深，使最終孔徑及深度滿足高壓化成要求；
d、后處理將二級直流腐蝕過的鋁箔放在質量百分比濃度為8wt%的硝酸溶液中浸泡3 分鐘，溶液溫度35°C，去除鋁箔表面的殘余氧化膜、表面和孔內殘留有害化學物質和裸露的 金屬雜質，保證在化成時形成致密而電氣性能優良的氧化膜。實施例5
本發明的鋁電解電容器用高壓陽極箔生產工藝，包括以下步驟 a、前處理將鋁箔放在含有質量百分比濃度為40wt%硫酸和質量百分比濃度為6襯％鹽 酸的混合液中浸泡3分鐘后取出，溫度70°C，除去鋁箔表面油污、雜質及自燃氧化膜，使鋁 箔表面均勻活化，使鋁箔表面形成分布均勻的初始蝕孔；
b、一級直流腐蝕將前處理過的鋁箔放在含有質量百分比濃度為40wt%硫酸和質量 百分比濃度為6襯％鹽酸的混合液中進行直流電解腐蝕，其電流密度為0.4A / c Hf，溫度為 68°C，鋁箔表面形成一定深度和孔徑的初始蝕孔；
c、二級直流腐蝕將一級直流腐蝕過的鋁箔放在質量百分比濃度為40wt%硝酸的溶液 中進行直流電解腐蝕，其電流密度為0. 2A / cm%溫度為78°C，使初始蝕孔在原先的基礎上 進一步擴大并加深，使最終孔徑及深度滿足高壓化成要求；
d、后處理將二級直流腐蝕過的鋁箔放在質量百分比濃度為8wt%的硝酸溶液中浸泡3 分鐘，溶液溫度35°C，去除鋁箔表面的殘余氧化膜、表面和孔內殘留有害化學物質和裸露的 金屬雜質，保證在化成時形成致密而電氣性能優良的氧化膜。實施例6
本發明的鋁電解電容器用高壓陽極箔生產工藝，包括以下步驟 a、前處理將鋁箔放在含有質量百分比濃度為20wt%硫酸和質量百分比濃度為1襯％鹽 酸的混合液中浸泡1分鐘，溶液溫度為^°C，除去鋁箔表面油污、雜質及自燃氧化膜，使鋁 箔表面均勻活化，使鋁箔表面形成分布均勻的初始蝕孔；
b、一級直流腐蝕將前處理過的鋁箔放在含有質量百分比濃度為20襯％硫酸和質 量百分比濃度為1襯％鹽酸的混合液中進行直流電解腐蝕，其溫度68°C，電流密度控制在 0. 2A / c Hf，鋁箔表面形成一定深度和孔徑的初始蝕孔；C、二級直流腐蝕將一級直流腐蝕后的鋁箔放在質量百分比濃度為30wt%硝酸中進行 直流電解腐蝕，溶液溫度為67°C，其電流密度為0.05 A / cm2，使初始蝕孔在原先的基礎上 進一步擴大并加深，使最終孔徑及深度滿足高壓化成要求；
d、后處理將二級直流腐蝕過的鋁箔放在質量百分比濃度為5wt%的硝酸溶液中浸泡3 分鐘，溶液溫度30°C，去除鋁箔表面的殘余氧化膜、表面和孔內殘留有害化學物質和裸露的 金屬雜質，保證在化成時形成致密而電氣性能優良的氧化膜。實施例7
本發明的鋁電解電容器用高壓陽極箔生產工藝，包括以下步驟 a、前處理將鋁箔放在含有質量百分比濃度為35wt%硫酸和質量百分比濃度為6襯％鹽 酸的混合液中浸泡2分鐘，溶液溫度為65°C，除去鋁箔表面油污、雜質及自燃氧化膜，使鋁 箔表面均勻活化，使鋁箔表面形成分布均勻的初始蝕孔；
b、一級直流腐蝕將前處理過的鋁箔放在含有質量百分比濃度為35襯％硫酸和質 量百分比濃度為6襯％鹽酸的混合液中進行直流電解腐蝕，其溫度72°C，電流密度控制在 0. 3A / c Hf，鋁箔表面形成一定深度和孔徑的初始蝕孔；
c、二級直流腐蝕將一級直流腐蝕后的鋁箔放在質量百分比濃度為45wt%硝酸中進行 直流電解腐蝕，溶液溫度為80°C，其電流密度為0. 12A / c m%使初始蝕孔在原先的基礎上 進一步擴大并加深，使最終孔徑及深度滿足高壓化成要求；
d、后處理將二級直流腐蝕過的鋁箔放在質量百分比濃度為9wt%的硝酸溶液中浸泡4 分鐘，溶液溫度40°C，去除鋁箔表面的殘余氧化膜、表面和孔內殘留有害化學物質和裸露的 金屬雜質，保證在化成時形成致密而電氣性能優良的氧化膜。實施例8
本發明的鋁電解電容器用高壓陽極箔生產工藝，包括以下步驟
a、前處理將鋁箔放在含有質量百分比濃度為50wt%硫酸和質量百分比濃度為10wt% 鹽酸的混合液中浸泡3分鐘，溶液溫度為75°C，除去鋁箔表面油污、雜質及自燃氧化膜，使 鋁箔表面均勻活化，使鋁箔表面形成分布均勻的初始蝕孔；
b、一級直流腐蝕將前處理過的鋁箔放在含有質量百分比濃度為50wt%硫酸和質量 百分比濃度為10襯％鹽酸的混合液中進行直流電解腐蝕，其溫度78°C，電流密度控制在 0. 4A / c Hf，鋁箔表面形成一定深度和孔徑的初始蝕孔；
c、二級直流腐蝕將一級直流腐蝕后的鋁箔放在質量百分比濃度為60wt%硝酸中進行 直流電解腐蝕，溶液溫度為82°C，其電流密度為0.2 A / cm2，使初始蝕孔在原先的基礎上 進一步擴大并加深，使最終孔徑及深度滿足高壓化成要求；
d、后處理將二級直流腐蝕過的鋁箔放在質量百分比濃度為12wt%的硝酸溶液中浸泡 5分鐘，溶液溫度50°C，去除鋁箔表面的殘余氧化膜、表面和孔內殘留有害化學物質和裸露 的金屬雜質，保證在化成時形成致密而電氣性能優良的氧化膜。結果120H,折曲64 次，F=26. ON / cm, C (520vf) =0. 74— 0. 75uf /cm2。本發明制造的高壓陽極箔具有高比容，較好的機械強度。
權利要求
1.鋁電解電容器用高壓陽極箔生產工藝，其特征在于，包括以下步驟a、前處理將鋁箔放在含有質量百分比濃度為20wt%—50wt%硫酸和質量百分比 濃度為lwt%— 10wt%鹽酸的混合液中浸泡1一 3分鐘，溶液溫度為55 — 750C，除去鋁箔表面 油污、雜質及自燃氧化膜，使鋁箔表面均勻活化，使鋁箔表面形成分布均勻的初始蝕孔；b、一級直流腐蝕將前處理過的鋁箔放在含有質量百分比濃度為20wt%—50wt% 硫酸和質量百分比濃度為1襯％—10襯％鹽酸的混合液中進行直流電解腐蝕，其溫度68 — 78°C，電流密度控制在0. 2-0. 4A / c in2，鋁箔表面形成一定深度和孔徑的初始蝕孔；c、二級直流腐蝕將一級直流腐蝕后的鋁箔放在質量百分比濃度為30wt%—60wt% 硝酸中進行直流電解腐蝕，溶液溫度為67 — 82°C，其電流密度為0.05 — 0.2 A / cm2，使初 始蝕孔在原先的基礎上進一步擴大并加深，使最終孔徑及深度滿足高壓化成要求；d、后處理將二級直流腐蝕過的鋁箔放在質量百分比濃度為5wt%—12wt%的硝酸 溶液中浸泡3— 5分鐘，溶液溫度30 — 50°C，去除鋁箔表面的殘余氧化膜、表面和孔內殘留 有害化學物質和裸露的金屬雜質，保證在化成時形成致密而電氣性能優良的氧化膜。
全文摘要
本發明涉及鋁電解電容器用高壓陽極箔生產工藝，包括以下步驟a、前處理將鋁箔放在含有質量百分比濃度為20wt%―50wt%硫酸和1wt%―10wt%鹽酸的混合液中浸泡1―3分鐘，溶液溫度為55―75℃；b、一級直流腐蝕將前處理過的鋁箔放在含有質量百分比濃度為20wt%―50wt%硫酸和1wt%―10wt%鹽酸的混合液中進行直流電解腐蝕，其溫度68―78℃，電流密度控制在0.2―0.4A∕c㎡；c、二級直流腐蝕將一級直流腐蝕后的鋁箔放在質量百分比濃度為30wt%―60wt%硝酸中進行直流電解腐蝕，溶液溫度為67―82℃，其電流密度為0.05―0.2A∕c㎡；d、后處理將二級直流腐蝕過的鋁箔放在硝酸溶液中浸泡。本發明的優點高壓陽極箔具有高比容，較好的機械強度。
文檔編號H01G9/055GK102074379SQ20111000460
公開日2011年5月25日 申請日期2011年1月11日 優先權日2011年1月11日
發明者朱文娟 申請人:江蘇立富電極箔有限公司