專利名稱：固態電解電容器及其制造方法
技術領域：
本發明涉及閥金屬電容器的改進以及改進的形成閥金屬電容器的方法。具體來 說，本發明涉及制造在保持或提高電性能(具體來說是等效串聯電阻，ESR)的同時改善了容積效率的閥金屬電容器的方法。
背景技術：
在制造閥金屬電容器特別是制造表面安裝閥金屬電容器時，標準做法是形成包括從陽極核延伸的陽極線的單片結構，其中電介質和電荷收集陰極位于該單片的表面上，電介質處在陽極核和陰極之間。制造工藝包括在第一位置處將陽極線附接(attach)至引線框，并在第二位置處將陰極附接至引線框。圖IA以剖視圖的方式例示了通常的表面安裝閥金屬電容器I。在圖IA中，閥金屬陽極核2具有從其延伸的陽極線3。陽極線通常通過焊接電連接至陽極引線4。處在陽極的至少一部分上的電介質5將陽極與陰極6分離。陰極通過導電粘合劑11電連接至陰極引線7，并且整個結構中除了陽極引線和陰極引線的接觸部分之外均包裝(encase)在不導電材料8中。陽極引線4和陰極引線7構成接近連續的引線框的一部分，如本領域文獻中 所具體描述的，該引線框為陣列形式，多個陽極引線和陰極引線集成到公共引線框上。當通過例如切割獲得單個電容器時，陽極引線和陰極引線電分離。在基于鋁的閥金屬表面安裝電容器的情況下，標準做法是將鋁箔形式的鋁用作陽極，利用粗化表面來增大每單位體積的表面積，進行陽極化以在基底材料上形成電介質層，并成形為在大小上與整個器件的長度和寬度相應的元件。采用相對較薄鋁箔形式的鋁的原因在于，優選的粗化表面方法僅能夠到達相對較淺的深度，因此最有容積效率的形式是薄片或箔形。對每個陽極化的元件進行處理以在陽極化元件的一部分上創建用作主陰極的導電聚合物層，從而創建電容的有效面積。添加另外的陰極層以保護主陰極，從而從有效面積收集電流并將其導向位于器件封裝內的引線框延伸處。同樣在封裝空間內，預留了不帶陰極層的陽極元件的一部分，將其用作陽極延伸，其中該部分附接至分離的引線框延伸。引線框的陽極和陰極延伸均延伸出模塑封裝，并被隨后處理以形成器件引線，該器件引線提供用于將該器件焊接至印刷電路板安裝焊盤的手段。各個電容元件遠比通常的工業標準表面安裝電容器封裝中允許的空間薄，于是通過在封裝器件內彼此疊加多個單獨的電容元件來獲得額外的電容。額外的電容元件疊加在第一元件的頂部，并通過將第一元件附接至引線框的相同方式附接至第一元件。第一和/或后續元件的配置也可以設置在各個單獨的引線框延伸的相對側。
圖IB以剖視圖的方式例示了通常的基于鋁的表面安裝閥金屬電容器100。在圖IB中，存在多個由鋁箔102構成的電容元件101，鋁箔102的表面已被處理為具有多孔結構
103。該多孔鋁箔在其整個表面或者一部分表面上被陽極化以創建電介質層104。然后處理鋁箔以在電介質層上創建導電聚合物層105。然后在導電聚合物層上貼附(apply)保護性碳層106，并且在碳層上貼附銀涂層或金屬填充有機樹脂層107，以提供從陽極元件的電容性區域收集電流的功能。還存在從任何電容相關層中預留的陽極元件區域108，其作為陽極延伸并用作陽極電流的導電路徑。由此得出了完整的電容元件101。這些電容元件附接至引線框結構110，其中用銀粘合劑112將電容元件的陰極部分附接至引線框的陰極部分111，陽極延伸108通過焊接附接至引線框113的陽極部分。額外的電容元件疊加在其它電 容元件頂部并且以將第一電容元件附接至引線框延伸的相同方法附接。然后在熱固性樹脂114中封裝該結構。對引線框延伸進行處理以使其存在于封裝115的底表面處，從而提供焊接至印刷電路板的適當安裝表面。易于理解，必須使陽極組件和陰極組件電分離。這種需求導致了容積效率的損失，因為最終電容器的相當一部分體積不構成電容。例如，參照圖1，電容器的圍繞陽極線和陽極引線的部分除了將引線框與陰極層充分分離地附接至陽極線之外，不提供任何電作用。由于必須在電容元件的有效面積和焊點9之間提供足夠的分離，以確保通過環境向敏感且未受保護的電介質和陰極層的輻射不減的(unabated)焊接操作不使這些層的質量和性能劣化，上述問題還被進一步加劇。屏蔽元件免受焊接處理對減小所占據的體積并無益處，因為制造精度的實際限制使得此時所需距離的縮短并不超過不屏蔽的情況。當把多個電容元件組合成一個電容器時，容積效率甚至被進一步侵蝕。另一個問題是電流收集陰極層的厚度，該層通常是導電聚合物層和/或金屬填充層的某種組合。這些層必須具有足夠的厚度，以沿著電容元件的長度和寬度將適當量的電流傳導至引線框，從而獲得可接受的低等效串聯電阻(ESR)。在通常結構的包含層疊電容元件的固態電解鋁電容器的情況下，陰極層還具有將層疊在其上的全部電容層的全部電流引離引線框的額外負擔。作為表面安裝電容器的主要購買者的電子器件制造商具有大的安裝制造基地，其適合于將表面安裝電容器安裝到電路板或相關元件上以形成電配件。因此，必須提供如上文討論的結構與表面安裝電容器相似的電容器。必須對器件的大小、形狀和尺寸規格以及附接位置的大小、形狀和尺寸規格進行特別的考量。然而，電子工業始終在尋求電子器件的微縮化，或者在相同尺寸的器件中實現更大的容量和功能。這迫使諸如電容器之類的組件的制造商在給定的空間體積內尋求更多的功能。這些自相矛盾的需求導致了提供如下表面安裝電容器的期望，這種表面安裝電容器具有更高的容積效率或者每單位體積的電容量，同時模仿工業標準表面安裝電容器的尺寸和引線方位。為了解決由于在通常的閥金屬電容器中將陽極附接至其各個引線框所導致的容積效率上的損失，某些制造商已經嘗試將該附接置于器件封裝的外部。在美國專利第6，819，546號和美國專利第7，161，797號中提出了一些將陽極延伸連接至封裝外部的預先存在的外部端子的方法。這些方法包括將一部分傳統引線框材料或類似物形成為嵌入在封裝內，或者作為整個封裝殼體的一部分，并將端子邊緣連接至暴露的陽極延伸，將導電層貼附在器件末端上。美國申請2010/0165547中給出了類似結構的其它方法。該申請描述了將陽極延伸和所貼附的導電陰極的一部分暴露在保護封裝外部的器件。然后對暴露出陽極延伸和陰極層的器件末端表面進行火焰噴鍍，并隨后使其可焊，以在器件的每個末端上創建一個端子。所貼附的端子材料僅存在于器件的末端面上，而在器件的底部或表面安裝表面上不明顯存在。其還覆蓋器件的整個端面。這種設計代表具有MLCC器件的端子結構的閥金屬器件。這些端子構造是客戶所不期望的，因為這些器件不與閥金屬電容器的工業標準端子規格通用。此外，由于端子延伸過器件的全部寬度，因此這些端子構造是客戶所不期望的。在每種工業標準中，印刷電路板上的安裝焊盤總是比器件端子窄，因為在將器件安裝至PCB的焊接處理過程中需要器件的穩定效應。于是，當端子延伸過器件的全部寬度時，印刷電路板上的安裝焊盤比器件寬，因此需要電路板上具有的空間比具有這種端子構造的電容器件所能填充的空間更大，導致低于理想的容積效率。于是，其中端子顯著比器件的寬度窄的器件需要在印刷電路板上具有比電容器件窄的安裝焊盤，并且需要PCB上的更少的空間，從而帶來較高的容積效率。優選使器件符合工業標準，并且優選使器件端子為比器件殼窄的0.4_或更大。這里描述了固態電解閥金屬電容器的通常構造方法，其利用引線框來端接(terminate)器件，以滿足方才描述的期望的端子構造。此外，如美國專利第6，819, 546號 和7，161，797號以及美國申請2010/0165547所公開的端子構造也是不期望的，在這些端子構造中端子到達器件的頂表面。這歸因于現代電子器件的如在蜂窩電話中那樣呈現RF傳輸、或對外部RF和EM干擾敏感的一般情況,該情況下在電路板上設置導電金屬接地屏蔽來規避這些問題。在這些器件中，所述屏蔽會與安裝在PCB上的器件的頂部接觸。于是，端子到達器件頂部的器件會在這些端子和接地屏蔽之間提供電通路，使得器件和電路不可操作。由于上述情況，期望具有如下的器件，其具有潛在地通過將陽極延伸外部附接至端子而獲得的改善的容積效率，同時保持工業標準閥金屬表面安裝電容器的具體端子構造。提供具有工業標準構造的端子的其它原因在于客戶的返修產品的需求。很多客戶期望在電容器焊接至PCB之后可以在端子和焊盤之間看到焊料縫(fillet)。這允許更容易地去除器件，如果客戶需要的話。如美國專利第6，819，546號和第7，161，797號中所描述的，器件末端具有提供從陽極到嵌入在封裝中的端子的連接的層。由此引出兩項與前述返修相關的潛在問題。一個問題是需要仔細注意以確保連接層可焊接。很多已描述的特征會導致表面不可焊接，盡管可以電連接。另一項與返修相關的問題是連接層的機械完整性。如果需要返修，則用于取下器件的加熱可能會破壞連接層并最終破壞器件。優選的是使器件具有這種端子，該端子是位于全部暴露表面上的固體金屬，從而能夠避免返修處理過程中對器件的損壞，并且在焊盤表面和器件末端部分之間提供連續表面以形成焊縫。如在美國專利第6，185,091中可看到的，已經提出了用于構造表面安裝固態電解電容器的其它方法。這些指教仍會帶來容積效率的不足。焦點在于結構對電路影響上相關的性能改進。設計要求附接陽極和陰極延伸。這些指教描述了在封裝之前機械附接的端子。如上文所述，這會占據封裝內部的空間，降低器件的容積效率。另外，該專利中未指教附接的方法，因此應當認為其遵循著在容積效率上不具有優勢的傳統附接方法。如美國專利第6，819，546號和7，161，797號以及美國申請2010/0165547所公開的器件的容積效率還由于陰極層的構造而受到嚴重限制，如業界普遍使用的，陰極層指定為銀涂層。使用銀涂層作為電流收集陰極層會對容積效率造成顯著的負面影響，因為該涂層的電導率相比固態金屬導體較低，這迫使利用很厚的涂層來傳導必需的電流，從而獲得這些產品期望的ESR性能。
發明內容
本發明提供能夠消除現有技術中的問題的電容器。本發明的目的是提供改進的電容器。本發明的特定特征是電容器及其制造方法，該電容器具有改善的容積效率以及保持或改善的電特性。在形成固態電解電容器的方法中提供能夠實現的如下及其它優點。該方法包括形成陽極，該陽極包括閥金屬或閥金屬的導電氧化物，其中陽極引線延伸從陽極突出。在陽極上形成電介質，并在電介質上形成陰極層。陽極、電介質和陰極層包裝在不導電材料中，陽 極弓I線延伸在一側表面處暴露在包裝外部。導電金屬層附接至陽極引線延伸，其允許優選地通過將預先形成的固體金屬端子、最優選地通過將L形狀的端子在一側表面處電連接至導電金屬層來進行端接。提供作為形成固態電解電容器的方法的另一個實施例。該方法包括形成閥金屬或閥金屬的導電氧化物的陽極，其中閥金屬或導電閥金屬氧化物的陽極引線延伸從該陽極突出。在陽極上形成電介質，并在電介質上形成陰極層。陽極、電介質和陰極層包裝在不導電材料中以形成封裝。暴露陽極引線延伸，并且用鋅對暴露的閥金屬陽極引線延伸的一部分進行處理。優選通過電鍍或無電鍍(化學鍍)來用導電金屬覆蓋一部分鋅，并將預先形成的L形固體金屬端子附接至導電金屬。提供作為形成固態電解電容器的方法的另一個實施例。該處理包括形成閥金屬或閥金屬的導電氧化物的陽極，其中閥金屬或導電閥金屬氧化物的陽極引線延伸從該陽極突出。在陽極上形成電介質，并在電介質上形成陰極層。將陽極化導電材料貼附(apply)至陽極引線延伸。陽極、電介質和陰極層封裝在不導電材料中，陽極化導電材料的一部分在該封裝的一個表面處暴露。在所述封裝的表面處將預先形成的固體金屬端子附接至陽極化導電材料。提供作為形成電容器的方法的另一個實施例。該方法包括提供多個電容元件，其中每個電容元件包括閥金屬箔和陽極引線延伸，其中每個箔具有無效區域和有效區域。有效區域包括電介質和電介質上的導電層。電容元件與固體金屬集電器交疊。每個固體金屬集電器都使用導電粘合劑附接至至少一個導電層，從而形成有效電容層疊。該有效電容層疊被包裝，并且每個陽極引線延伸都在第一面上暴露，所述固體金屬集電器在所述包裝的第二面上暴露。用鋅對每個暴露的陽極引線延伸的一部分進行處理，并且優選通過從電鍍或無電鍍中選擇的方法將導電金屬附接至鋅。將預先形成的金屬陰極端子附接至暴露的固體金屬集電器；并將預先形成的金屬陽極端子附接至導電金屬。提供作為形成電容器的方法的另一個實施例。該方法包括提供多個電容元件，其中每個電容元件具有閥金屬箔和陽極引線延伸，每個箔具有無效區域和有效區域，該有效區域包括電介質和電介質上的導電層。將陽極化導電材料附接至無效區域處的每個閥金屬箔。電容元件與固體金屬集電器交疊。每個固體金屬集電器都使用導電粘合劑附接至至少一個導電層，從而形成有效電容層疊。形成將有效電容層疊置于包裝中的不導電材料的包裝。在第一面上暴露陽極化導電材料，并在第二面上暴露固體金屬集電器。將預先形成的固體金屬陰極端子附接至暴露的固體金屬集電器。將預先形成的固體金屬陽極端子附接至每個陽極化導電材料。提供作為形成電容器的方法的另一個實施例。該方法包括提供多個電容元件，其中每個電容元件具有閥金屬箔和陽極引線延伸。每個箔具有無效區域和有效區域，該有效區域包括電介質和電介質上的導電層。電容元件與固體金屬集電器交疊，固體金屬集電器使用導電粘合劑附接至至少一個導電層，從而形成有效電容層疊。形成將有效電容層疊置于包裝中的不導電材料的包裝。在第一面上暴露每個陽極引線延伸以形成暴露的陽極引線延伸，并在第二面上暴露固體金屬集電器。導電材料附接至暴露的陽極引線延伸，預先形成的金屬陰極端子附接至暴露的固體金屬集電器。預先形成的固體金屬陽極端子附接至導電材料。提供作為固態電解電容器的另一個實施例。該電容器具有至少一個電容元件，該電容元件包括閥金屬陽極主體，該閥金屬陽極主體具有從其延伸的陽極引線延伸。電介質層置于陽極主體表面上，陰極層置于電介質層上。至少一個固體金屬集電器利用導電粘合劑附接至陰極層。至少一種陽極化導電材料結合至陽極引線延伸。除了暴露在封裝外的陽 極引線延伸、陽極化導電材料和固體金屬集電器的一部分之外，該封裝將電容元件和固體金屬集電器包裝起來。預先形成的固體金屬陽極化端子電連接至同一表面上的陽極化導電材料。預先形成的固體金屬陰極化端子電連接至同一表面上的暴露的固體金屬集電器。提供作為固態電解電容器的另一個實施例。該電容器具有至少一個電容元件，該電容元件包括閥金屬陽極主體，該閥金屬陽極主體具有從其延伸的陽極引線。電介質層置于陽極主體表面上，陰極層置于電介質層上。至少一個固體金屬集電器利用導電粘合劑附接至陰極層。除了暴露在封裝外的陽極引線延伸和固體金屬集電器的一部分之外，該封裝將電容元件和固體金屬集電器包裝起來。預先形成的固體金屬陽極化端子焊接至同一表面上的陽極化導電材料。預先形成的固體金屬陰極化端子電連接至同一表面上的暴露的固體金屬集電器。提供作為固態電解電容器的另一個實施例。該電容器具有至少一個電容元件，其中每個電容元件包括閥金屬陽極主體、陽極主體表面上的電介質層、和電介質層上的陰極層，該閥金屬陽極主體具有從其延伸的陽極引線。至少一個固體金屬集電器利用導電粘合劑附接至陰極層。除了暴露在封裝外的陽極引線延伸和固體金屬集電器的一部分之外，該封裝將電容元件和固體金屬集電器包裝起來。中間導電結合層貼附在陽極引線延伸的暴露表面上。預先形成的固體金屬陽極化端子電連接至共用表面上的中間導電結合層。預先形成的固體金屬陰極化端子電連接至共用表面上的暴露的固體金屬集電器。提供作為固態電解電容器的另一個實施例。該電容器具有至少一個電容元件，該電容元件包括閥金屬陽極主體、陽極主體表面上的電介質層、和電介質層上的陰極層，該閥金屬陽極主體具有從其延伸的陽極引線。除了暴露在封裝外的陽極引線延伸的一部分之夕卜，該封裝將電容元件包裝起來。中間導電結合層貼附在陽極引線延伸的暴露表面上。預先形成的固體金屬陽極化端子電連接至共用表面上的中間導電結合層。提供作為改進的固態電解電容器的另一個實施例。該電容器具有至少一個電容元件，該電容元件包括閥金屬陽極主體，該閥金屬陽極主體具有從其延伸的陽極引線。電介質層置于陽極主體表面上，陰極層置于電介質層上。至少一種陽極化導電材料結合至陽極引線延伸。除了暴露在封裝外的陽極化導電材料的一部分之外，該封裝將電容元件包裝起來。預先形成的固體金屬陽極化端子電連接至同一表面上的陽極化導電材料。提供作為改進的固態電解電容器的另一個實施例。該電容器具有至少一個電容元件，該電容元件包括閥金屬陽極主體，該閥金屬陽極主體具有從其延伸的陽極引線。電介質層置于陽極主體表面上。陰極層置于電介質層上。除了暴露在封裝外的陽極引線延伸的一部分之外，該封裝將電容元件包裝起來。預先形成的固體金屬陽極化端子焊接至同一表面上的陽極化導電材料。提供作為形成固態電解電容器的方法的另一個實施例。該方法包括形成閥金屬或閥金屬的導電氧化物的陽極，其中閥金屬或導電閥金屬氧化物的陽極引線延伸從該陽極延伸。在陽極上形成電介質，并在電介質上形成陰極層。陽極、電介質和陰極層包裝在不導電材料中以形成封裝。陽極引線延伸的一部分在該封裝的一個表面處暴露。在所述封裝的表面處使預先形成的固體金屬端子與陽極化導電材料電接觸。提供作為形成電容器的方法的另一個實施例。該方法包括提供多個電容元件，其 中每個電容元件包括閥金屬箔和陽極引線延伸，其中每個箔具有無效區域和有效區域，該有效區域包括電介質和電介質上的導電層。電容元件與固體金屬集電器交疊，每個固體金屬集電器都使用導電粘合劑附接至至少一個導電層，從而形成有效電容層疊。在有效電容層疊上形成不導電材料的包裝，以形成包裝。在第一面上暴露陽極引線延伸，并在第二面上暴露固體金屬集電器。將預先形成的固體金屬陰極端子附接至暴露的固體金屬集電器，并將預先形成的固體金屬陽極端子附接至每個陽極引線延伸。
圖IA是現有技術電容器的示意剖視圖。圖IB是現有技術電容器的示意剖視圖。圖2是本發明的實施例在封裝之前的示意性部分剖視圖。圖3是圖2的本發明實施例的詳細分解示意圖。圖4是本發明的實施例在封裝之后的示意性剖視圖。圖5是帶有端子的本發明實施例的示意性剖視圖。圖6是帶有端子的本發明實施例的示意性剖視圖。圖7是采用附接至陽極的陽極化導電材料的端接設計的實施例的剖視圖。圖8是采用將陽極化導電材料附接至陽極的、附接有端子的端接設計的實施例的首1J視圖。圖9是在陽極延伸上采用鎳的附接有端子的端接設計的實施例的剖視圖。圖10是采用超聲直接連接的附接有端子的端接設計的實施例的剖視圖。
具體實施例方式本發明涉及改進的電容器以及制造改進的電容器的方法。本發明引入了如下器件構造，其中顯著減小了將電容元件的陽極部分附接至端子所占據的體積，從而提高了容積效率。類似地，本發明引入一種顯著減小電流收集陰極層的厚度的方法，同樣提高了容積效率。兩個方面均提供了增大元件的電容性區域的大小和/或增大電容元件在器件的相同總體積內的比例(計數，count)的能力，并同時維持或改善了電性能。電容元件由閥金屬箔制成，其中閥金屬箔(本文稱為陽極箔)具有粗化的表面以增大金屬表面積。在通過金屬陽極化形成的粗化金屬表面上形成電介質。導電聚合物層貼附至電介質的表面，從而與粗化區域的內表面接觸，并在電介質和后續層之間提供物理阻擋層。碳涂層貼附至聚合物層以方便粘結至聚合物層。固體金屬電流收集層貼附至每個元件的表面并通過金屬(優選為銀)填充粘合劑粘結至該表面。固體金屬集電器優選地至少覆蓋(但不限于)相鄰陰極層的70%，更優選地使固體金屬集電器至少覆蓋相鄰陰極層的80%，最優選為至少90%。固體金屬集電器優選粘合在導電陰極層和固體金屬集電器之間的整個重疊區域上。構建并封裝多個層。陽極箔暴露在封裝的外部表面上，固體金屬電流收集層暴露在封裝的對面表面上。陽極箔和固體金屬集電器附接至外部端子。使用表面處理應用來制備陽極箔或固體金屬集電器，使其可以附接至外部端子。這種方式的構造允許對電容器器件中與將陽極延伸連接至器件端子相關使用的 空間體積做出改進或者減小。這是通過陽極延伸周圍的封裝來實現的，該封裝在附接端子的處理中為元件的電容部分提供保護。一旦陽極延伸暴露到封裝外部，則其擴展了可用于制造附接的方法的可用性。這與傳統附接方法將變得更加難以執行、從而需要新的方法來方便連接的認知相反。對元件電容部分的保護允許連接更靠近電容部分，同時不對該部分構成破壞或負面影響，從而在現有工藝上改進器件的容積效率。本發明的一個優點在于能夠以允許端子直接附接至暴露延伸的方式制備陽極延伸，從而能夠利用符合固態電解表面安裝電容器的工業標準的端子設計。通過并入固體金屬集電器來代替現有技術中公知的陰極化銀涂層，一個實施例提供了進一步改進的容積效率和電參數。通過利用本文公開的端子附接方法，即將固體金屬集電器直接附接至器件封裝外部的器件端子，使得對固體金屬集電器的使用變得實用。與陽極延伸端子附接方法類似，封裝對元件的電容部分提供了保護。一旦固體金屬集電器暴露在封裝外部，它就擴展了可用于進行附接的方法的可用性。通過封裝來保護元件的電容部分還允許連接更靠近電容部分，而不對此部分構成破壞或負面影響，從而使得此器件的容積效率超過現有工藝。利用這種固體金屬集電器來代替通常的金屬填充聚合物，電流收集層現在可以變得更薄并且不會降低電性能，因為固體金屬層相比金屬填充聚合物具有增大的電導率。更薄的層在電容器件內提供了更多的可以被有效電容部分利用的可用容積，提高了容積效率。用于固體金屬集電器的典型材料厚度使得導電路徑與典型的金屬填充聚合物層相比具有更低的電阻，從而改善了電性能。由于從元件的電容區域到外部端子的路徑長度不再穿過元件間的金屬填充聚合物，而是從每個單獨的集電器直接導向器件端子，使得電阻進一步降低。這種集電器和端子附接方法的組合帶來了容積效率上的改善和改進的電參數。本發明公開了將電容元件的陽極延伸通過封裝或其等同物來包裝并且暴露到封裝外部的器件結構。然后器件的端子附接至電容元件的暴露的陽極延伸。通過封裝或其等同物來包裝陽極延伸保護了元件的電容區域不受所選附接方法的工藝的影響。此外還增加了可選的將陽極延伸附接至端子的實用方法的數量。另外，將陽極延伸包裝在封裝中以及將陽極延伸暴露到外部或暴露到封裝的表面上提供了如下能力，即將端子要附接至的陽極延伸的暴露部分限定為僅為其截面區域的暴露部分，該截面區域遠小于傳統附接所需的實用空間。現在可以在與元件的主平面垂直的平面上將陽極延伸附接至端子。因而，新的可用于將陽極延伸附接至端子的方法占據的體積遠小于采用通常的構造方法所占據的體積。本發明還公開了如下器件結構，其中電流收集陰極層由固體金屬導體組成，其遠比傳統結構中采用的相對較厚的電流收集陰極層薄，同時可以獲得相同的ESR性能。這是由于固體金屬集電器的電導率大約是傳統器件結構中用作電流收集陰極層的傳統導電“涂層”的電導率的10-1000倍。此外，每個固體金屬集電器都暴露到封裝外部，以便獨立地并直接地連接至器件端子，這是相比現有技術的一個顯著優點。這種構造在元件陰極層和器件端子之間提供了更高導電率的連接。 現有技術要求電流通過每個元件的處于后續元件和引線框之間的較低導電率的陰極層。這種從元件到元件的電流路徑導致了電阻的串聯，增大了器件的整體電阻。通過如一個實施例中所提供的那樣降低電阻和并聯分布電阻，能夠降低整體器件電阻。與陽極延伸到其端子的連接類似，固體金屬集電器到其端子的連接也可以從多種容積高效的方法中選擇。下面將參照附圖對本發明進行描述，附圖構成了本公開的整體的、非限定性的一部分。在整個說明書中，類似的元件將被相應編號。本發明涉及包括閥金屬陽極或具有閥金屬的導電氧化物的陽極的電容器。特別優選的陽極材料是形成用作電容電介質的陽極化氧化物層或允許在表面上貼附電介質材料的材料，該材料優選是從由Al、W、Ta、Nb、Ti、Zr、Hf及其導電氧化物組成的組中選擇的。更優選地，該陽極包括從由Al、Ta、Nb和NbO組成的組中選擇的材料。在使用鋁作為陽極材料的情況下，陽極的厚度優選為10-500微米厚。更優選地，該陽極為100-360微米厚。低于約10微米厚的箔將在制造尺度上難以掌控。高于約500微米厚將會對ESR性能造成不利影響。圖2例示了本發明的實施例的示意圖，其包括陽極箔201、掩模材料202、導電陰極層203和固體金屬集電器205。圖3中更詳細地圖示了導電陰極層、陽極箔和固體金屬集電器204的詳細示圖。圖3中例不了從圖2的部分204截取的部分剖開截面圖，其中圖不了陽極箔201和固體金屬集電器205之間的優選層的細節。在圖3中，電介質301位于陽極上，并優選通過陽極的化學陽極化來形成。優選包括導電聚合物的導電層302位于電介質上。碳層303提供相比導電層更容易粘合的表面。導電粘合劑304將固體金屬集電器附接至碳層。圖4例示了圖2的層結構在封裝之后、切割或曝露之前的示意剖視圖。在圖4中，每個陽極201在任一側上都具有集成到陽極的電介質(未單獨圖示)。導電層203位于電介質的任一側上，層疊的陽極和導電層形成有效電容器。交疊的固體金屬集電器205用作具有內部固體金屬集電器205和兩個外部固體金屬集電器205的電荷收集器，內部固體金屬集電器205在任一側上從陰極層收集電荷，兩個外部固體金屬集電器205從單個陰極層收集電荷。用非導電聚合物401封裝該組件。然后在陽極化側的402處以及在陰極化側的403處切割該組件。導電層優選包括導電聚合物302，在導電聚合物302上具有碳涂層303。導電粘合劑304以及最優選的銀填充粘合劑置于固體金屬集電器205和碳層302之間。
圖5例不了圖4的實施例在切割和端接之后的不意首I]視圖。在圖5中，形成如后文所述的陽極端接層501和陰極端接層503，如圖7-10所示。作為這些附圖的一部分，中間導電層501和503是一些實施例的代表。陽極端子502附接至陽極端接層，陰極端子504附接至陰極端接層。圖6例不了本發明的一個實施例。陽極主體608是一種大表面積閥金屬結構,優選為(但不限于)鉭。電介質層609是通過陽極化形成在陽極主體608上的氧化物。導電層606形成在電介質表面上并且電連接至陰極端子607。導電層優選包括(但不限于)導電聚合物層、碳涂層、銀涂層和銀粘合劑。集成到陽極主體608的是陽極延伸603。陽極延伸603暴露到器件封裝605外部。通過如圖7-10所示的方法來附接陽極端子601。作為這些附圖的一部分，中間導電層602是一些實施例的代表。下面參照圖7對本發明的一個實施例進行說明。在圖7中，陽極201具有閥金屬或閥金屬的導電氧化物的片或箔的形式。電介質301處在陽極表面上，并且可以覆蓋陽極的整個表面或兩個表面。由于所提供的制造效率，該電介質優選為(但不限于)陽極材料的 氧化物。陰極層203形成在電介質層301上。陽極化導電材料701電連接至陽極201，并延伸過掩模202。隨后在402處對該層結構進行最終切割。然后將多個電容元件堆疊，其中固體金屬集電器205在相鄰的陰極層203之間交疊。圖8例示了其中陽極端子502與陽極化導電材料701電接觸的部分層排列。陽極端子502通過結合層801連接至陽極化導電材料701，結合層801優選為(但不限于)焊料。陰極端子504通過結合層802連接至固體金屬集電器205，結合層802優選為(但不限于)焊料。未示出后續的層。圖9例示了本發明的一個實施例。中間導電層901電連接至陽極201。中間導電層901優選為(但不限于)鍍鎳層或者金屬火焰噴鍍、金屬電弧噴鍍、金屬噴濺、化學汽相沉積、或粉末金屬燒結層。陽極端子502通過結合層902結合至中間導電層901，結合層902優選為(但不限于)焊料。圖10例示了本發明的一個實施例。陽極端子502優選(但不限于)通過超聲焊接、電阻焊接、激光焊接或熔化來直接結合至陽極201。端接閥金屬電容器的挑戰之一是存在形成在金屬上的電阻性空氣氧化物，其為電阻性的。這使得將陽極端子附接至陽極延伸變得困難。在存在空氣氧化物的情況下能夠進行這種連接的工藝需要大量的熱和能量來熔化陽極延伸。這會很困難或者對暴露的陽極延伸不利，因為存在損壞電容元件的潛在可能。為了減輕這種問題，將中間導電結合層貼附至陽極延伸。通過移除或減少空氣氧化物及其電影響，該中間導電層可以被貼附為得使得所述層和陽極延伸之間具有較低的界面電阻，而不引入傳統附接方法中不利的熱和能量問題。另外，這種中間結合層不與閥金屬一樣形成產生問題的空氣氧化物層。這種中間導電結合層使得能夠使用更有利的工藝來將陽極端子結合到陽極延伸。這些工藝可以包括(但不限于)軟焊、釬焊、導電粘合劑結合、納米箔結合、超聲焊接、激光焊接、電阻焊接、低溫燒結、焊接或電氣粘合，或者能夠將中間層電氣或機械連接至端子的任意方法。對閥金屬的陽極延伸鍍鎳具有挑戰性，特別是在鋁和鉭陽極的情況下，因為會在暴露表面上形成空氣氧化物。通過鋅酸鹽工藝對在切割期間暴露的鋁的邊緣進行處理。鋅置換了表面上的鋁，從而在鋁上形成鋅覆蓋層。鋅層是用于促進在表面上鍍上金屬(如鎳)的保護性覆蓋層，其可包含也可不包含在最終的鍍層中。隨后通過標準的鍍層工藝(無電鍍或電鍍)用鎳置換鋅覆蓋層。這種工藝適用于對陽極延伸鍍鎳的實施例。在另一實施例中通過超聲焊接來附接陽極端子。端子與暴露的陽極延伸構成抗壓關系，并且對端子施加超聲脈沖。脈沖導致的摩擦熔合了端子和陽極延伸，從而在端子和陽極延伸之間形成永久電連接。盡管超聲焊由于這種焊接工藝相關的良好條件而成為優選的方法，但因為上述在保護有效電容元件方面的改進，也可以使用其它方法來方便端子的附接。這些方法可以包括(但不限于)電阻焊接、激光焊接或者在端子和延伸之間的結合部產生高溫以將這些零件(feature)熔合或熔化在一起的任意方法。與形成中間導電結合層(在一個實施例中為導電金屬層)的方法相對照，本文也對制備用于端子附接的陽極延伸的其它方法進行了描述。該方法包括在封裝之前將一個零件(本文稱作陽極化導電材料)電和/或機械結合至陽極延伸，這將在后面有助于端子附接。隨后陽極化導電材料與陽極延伸一起部分地暴露。一些有助的方法包括焊接至陽極化導電材料或用陽極化導電材料焊接的能力，以對諸如焊接工藝之類的其它工藝提供支持。根據現有技術的教導，全部的陽極延伸都在堆疊步驟在緊接封裝之前連接。與本文所述的本發明的教導相比，這些方法的靈活性較低，因為在本文所述的本發明的教導中去除了堆疊多個 元件的容限。如本文所述地結合各個元件允許更精確的布置，因此能夠在減少容積影響方面進行更好的控制。陽極化導電材料和固體金屬集電器優選為銅，鎳或任何其它可焊材料適用于本發明的實例。陽極化導電材料和固體金屬集電器優選為1-100微米厚，更優選為5-20微米厚。5微米以下的箔的制造尺度將難以掌握。超過100微米的箔會降低容積效率。本發明的實施例包括存在于器件的底面(即表面安裝表面)和暴露了陽極延伸的端面上的端子。陽極延伸和端子之間的連接獨立于封裝。這消除了沿著器件的暴露部分(包括延伸和周圍的封裝)構造具有足夠的機械附接和完整性以及導電性的導電層，從而將來自嵌在器件相鄰側上的端子的電流導至暴露的陽極延伸的需要，如美國專利第6，819，546號和第7，161，797號所要求的。附接到封裝是最關鍵的方面并且最難以保證。本發明的實施例包括端子和封裝之間的附接。使用這種附接能改善本發明的機械可靠性。這種附接可以應用于結構中的任一點處，并且不會干擾端子和陽極延伸或固體金屬集電器之間的電連接。這種附接可以是(但不限于)非導電性附接或是封裝材料。端子的一部分還可以嵌入封裝中。本發明的一個實施例是將固體金屬集電器獨特地用作每個電容元件的陰極集電器，這可以特別地(singularly)用在每多個電容元件之間，并使這些固體金屬集電器暴露在電容器封裝外部。陰極固體金屬集電器在至少一個方向上延伸超出陽極箔層，并且陽極箔層在至少一個方向上延伸超出陰極固體金屬集電器。本發明的實施例在多個元件之間使用陰極固體金屬集電器，從而允許去除每個電容元件上的導電金屬填充有機樹脂層。本發明中已經去除的導電樹脂層對于制造傳統的表面安裝閥金屬固態電解電容器來說是關鍵性的。這與電流收集層的傳統應用不同。一個慣例是傳統的引線框，其中相鄰的電容元件導電附接至固體金屬引線框，該固體金屬引線框還用作器件的端子附接。這要求后續的電容元件具有一系列用作集電器的金屬填充涂層的導電層，從而由于較低的相對電導率而導致較高的ESR。第二慣例是在器件中使用陰極箔，其使用多孔絕緣物材料來將陽極和陰極箔分開。在這些設計中，使用導電聚合物或液體電解質來填充陽極和陰極箔之間的間隙，并且連接電容元件和陰極箔。此外在本慣例中，陰極箔層是除了導電聚合物之外的全部陰極層的替代。這會犧牲器件的ESR或者增大成本和復雜度，因為必需對陰極箔增加處理以促進到聚合物的機械和電附接。另一個缺點體現在這些設計使用大表面積結構的電容的最大量的能力。利用聚合物覆蓋整個電介質表面的相關問題是業界公知的。在聚合之前將陰極箔貼附至陽極箔 會損失一部分浸潰陽極箔的能力。在組裝任何附加層之前對陽極進行處理能夠使聚合物覆蓋最大量的電介質表面，如當前所實際使用的。在表面安裝閥金屬固態電解電容器的傳統結構中，電容器兀件的高導電金屬填充有機樹脂外層(銀涂層)占據了電容器的大量空間。為了獲得改進的容積效率，傳統上使該層薄化以留出更大的電容可用體積。不過這種薄化會對最終器件的ESR構成不利影響。因為該層是金屬填充有機樹脂，其電導率低于純金屬的導電率的10-1000倍。本發明的一個實施例允許用與金屬填充有機樹脂層具有相同級別的期望厚度的固體金屬電流收集陰極層來代替這種傳統的金屬填充有機樹脂層，前者具有顯著改善的電阻并且還可以進一步薄化以在不對ESR構成負面影響的情況下實現額外的容積效率改進。通常將每個電容元件彼此連接或者連接至引線框的導電粘合劑現在將固體金屬集電器連接至電容元件而不經過金屬填充有機樹脂層。在本發明的一個實施例中，陰極固體金屬集電器直接向外連接至器件端子。這顯著改善了器件的整體ESR，因為集電器沿著電容元件的每個面構成了直接金屬連接，而傳統的設計則利用金屬填充有機樹脂層及其對應的附接層的導電性來將多個電容元件彼此連接并最終連接至器件的端子。因此在傳統的器件設計中，由于這些層不具有固體金屬的導電性，因此其ESR高于本發明所提出的設計。作為陰極層的導電層優選包含導電聚合物，例如聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、或它們的衍生物；二氧化錳；氧化鉛；或它們的組合。本身導電的聚合物是最優選的。特別優選的導電聚合物如式I所示
R(R2
Η]_
Λju式I選擇式I中的R1和R2使得該環β_位的聚合受到抑制。最優選的是，只允許發生α-位聚合。因此，優選R1和R2不是氫。更優選R1和R2是α-導向基團(a-director)。因此，醚鍵優于烷基鍵。最優選的是，這些基團為小基團，以避免位阻干擾。因此，最優選的是，R1和R2合起來構成-0-(CH2)2-0-。在式I中，X是S或N，X最優選為S。R1和R2獨立地表示直鏈或支鏈的C1-C16烷基或C2-C18烷氧基烷基；或者是C3-C8環烷基、苯基或芐基，它們未被取代或者被C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、鹵素或OR3取代；或者R1和R2合起來為直鏈C1-C6亞烷基，其未被取代或者被C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、鹵素、C3-C8環烷基、苯基、芐基X1-C4烷基苯基、C1-C4烷氧基苯基、鹵代苯基、C1-C4烷基芐基、C1-C4烷氧基芐基或鹵代芐基取代，或者為含有兩個氧元素的5-、6-或7-元雜環結構。R3優選表示氫；直鏈或支鏈的C1-C16烷基或C2-C18烷氧基烷基；或者為C3-C8環烷基、苯基或芐基，它們未被取代或者被C1-C6烷基取代。優選的是，導電聚合物選自聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩、以及含有式I的重復單元的聚合物，特別是它們與有機磺酸鹽的組合。特別優選的聚合物是3，4-聚乙烯二氧噻吩(PEDT)0可以通過任何在電容器上形成層時常用的技術來施加所述聚合物，所述技術包括將氧化劑摻雜劑和單基體浸潰、噴射到球粒或箔上，使之發生聚合達到設定的一段時間，并且通過沖洗來結束聚合。還可以通過本領域公知的電解沉積來施加所述聚合物。優選通過以下方式來獲得二氧化錳層將陽極元件浸入硝酸錳水溶液中。隨后通過在200°C至350°C的溫度下在干燥空氣或流空氣中使該硝酸鹽熱分解而形成氧化錳。對陽極的處理可以重復多次，以確保達到最佳的覆蓋狀態。 如本領域常規采用的那樣，可以在聚合工藝過程中將各種摻雜劑摻入聚合物中。摻雜劑可以衍生自各種酸或鹽，包括芳香族磺酸、芳香族多磺酸、具有羥基的有機磺酸、具有羧基羥基的有機磺酸、脂環族磺酸和苯醌磺酸、苯二磺酸、磺基水楊酸、磺基間苯二酸、樟腦磺酸、苯醌磺酸、十二烷基苯磺酸、甲苯磺酸。其他合適的摻雜劑包括美國專利No. 6，381，121中例舉的磺基醌、蒽單磺酸、取代的萘單磺酸、取代的苯磺酸或雜環磺酸，該專利的內容以引用方式并入本文。如果需要的話，還可以將粘結劑和交聯劑摻入導電聚合物層中。合適的材料包括聚乙酸乙烯酯、聚碳酸酯、聚丁酸乙烯酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚氯乙烯、聚丁二烯、聚異戊二烯、聚醚、聚酯、有機硅、吡咯/丙烯酸酯共聚物、乙酸乙烯酯/丙烯酸酯共聚物、以及乙烯/乙酸乙烯酯共聚物。碳層包括含樹脂和導電碳顆粒的導電合成物。碳層還可以包括諸如交聯添加劑、表面活性劑和分散劑之類的輔助劑。樹脂、導電碳顆粒和輔助劑優選分散在有機溶劑或水中以形成覆蓋層溶液。用于導電碳層的溶劑和樹脂需要對半導體陰極表面具有良好的可濕性。陰極導電層(銀涂層或金屬填充有機樹脂層)優選包括含樹脂和導電銀顆粒的導電合成物。銀層還可以包括諸如交聯添加劑、表面活性劑和分散劑之類的輔助劑。樹脂、導電銀顆粒和輔助劑優選分散在有機溶劑或水中以形成覆蓋層溶液。用于導電碳層的溶劑和樹脂需要對碳表面具有良好的可濕性。導電粘合劑通常用在將陰極層、優選為陰極層的碳層附接至固體金屬集電器的實施例中。導電粘合劑可以是用于機械和電結合各個層的任何層，優選為金屬填充聚合物，更優選為銀填充聚合物。導電粘合層可以是(但不限于)碳涂層或不對稱導電膜。通常對導電粘合劑的固化條件進行調整，以通過導電粘合層獲得電導性。在本發明的一個實施例中，可以通過蝕刻Al箔、陽極化以形成電介質、添加聚合物陰極層、碳陰極層和導電粘合層來制備電容元件。可以通過與固體金屬集電器片交疊的多個電容元件來制備電容堆疊，其中電容元件和固體金屬集電器片延伸超出彼此。電容堆疊可選地并且優選封裝在熱固樹脂中。可以切割封裝的電容堆疊以露出電容元件的陽極延伸和固體金屬集電器片的延伸。在另一實施例中，通過如下方式對器件的陽極末端進行處理以制備用于鎳鍍層的暴露的鋁箔，這些方式例如通過在無氧環境中進行鋅酸鹽處理、去除氧化鋁和鍍鎳。可以在從器件末端暴露的陽極箔上鍍鎳。在器件的每個末端可以應用“L”形的端子，其優選卷繞向器件底部的表面安裝面。可以將端子焊接至各個電組件、鍍鎳陽極延伸和固體金屬集電片。位于器件底部的端腳可以通過粘合劑附接至封裝表面。在另一實施例中，可以通過蝕刻Al箔、陽極化以形成電介質、添加聚合物陰極層、添加碳陰極層和添加導電粘合層來制備電容元件。每個電容元件可以具有結合至陽極延伸部分的銅箔，該銅箔與陰極層電隔離。多個電容元件與固體金屬集電器片/層交疊。電容元件與固體金屬集電器片延伸超過彼此。在一個實施例中它們延伸至器件的相對的末端。電容堆疊優選地封裝在熱固樹脂中。可以切割封裝的電容堆疊以露出電容元件的陽極化銅層、以及可能的陽極延伸和固體金屬集電器片的延伸。在陽極延伸和集電器片的每個延伸處可以應用“L”形的端子，其卷繞向器件底部的表面安裝面。可以將端子焊接至各個電組件、陽極化銅、陽極延伸和固體金屬集電片。位于器件底部的端腳可以通過粘合劑附接至封裝表面。 在另一實施例中，可以蝕刻Al箔，對其陽極化以形成電介質，貼附聚合物陰極層并隨后貼附碳陰極層和導電粘合劑層以形成電容性元件。多個電容元件與固體金屬集電器片/層交疊以形成電容堆疊，其中電容元件和固體金屬集電器片延伸超出彼此。在一個實施例中集電片和電容元件延伸至器件的相對的末端，不過也可以延伸至同一末端的不同部分或相鄰末端。電容堆疊優選地封裝在熱固樹脂中。可以切割封裝的電容堆疊以露出電容元件的陽極延伸和固體金屬集電器片的延伸。在器件的每個末端可以應用“L”形的端子，其優選卷繞向器件底部的表面安裝面。可以將端子焊接至各個電組件、陽極延伸和固體金屬集電片。位于器件底部的端腳可以通過粘合劑附接至封裝表面。在另一實施例中，可以蝕刻Al箔，對其陽極化以形成電介質，貼附聚合物陰極層并隨后貼附碳陰極層和導電粘合劑層以形成電容性元件。多個電容元件與固體金屬集電器片/層交疊以形成電容堆疊，其中電容元件和固體金屬集電器片延伸超出彼此。在一個實施例中，集電片和電容元件在器件的“底”面上暴露，但僅在器件的附近各個末端附近暴露，因而在器件的底面上不會暴露重疊的陽極和陰極層。本文所討論的容積效率是指有效電容材料在整個部件尺寸內部所占的體積。有效電容材料包括獲得電容的陽極元件區域。由大表面積區域、電介質和陽極核來獲得電容，其中所述陽極核在鋁箔的情況下是鋁網，而在鉭的情況下是嵌入的鉭線。下表中包含計算得到的容積效率。通過上面呈現的數據能夠了解到，本發明提供了容積效率至少為20%、更優選地為至少30%、再優選地為至少35%的固態電解電容器。這是對現有技術的實質性改進。
權利要求
1.一種形成固態電解電容器的方法，包括 形成陽極，該陽極包括閥金屬或閥金屬的導電氧化物，其中陽極引線延伸從所述陽極關出; 在所述陽極上形成電介質； 在所述電介質上形成陰極層； 將所述陽極、所述電介質和所述陰極層包裝在不導電材料包裝中； 將所述陽極引線延伸在側表面處暴露在所述包裝外部； 將導電金屬層附接至所述陽極引線延伸；和 在所述側表面處將預先形成的固體金屬端子電連接至所述導電金屬層。
2.權利要求I的形成固態電解電容器的方法，其中所述預先形成的固體金屬端子為L形狀，并具有小于所述包裝的最大寬度至少O. 4mm的寬度。
3.權利要求2的形成固態電解電容器的方法，其中所述L形狀的預先形成的固體金屬端子貼附到所述電容器的底面。
4.權利要求3的形成固態電解電容器的方法，其中所述L形狀的預先形成的固體金屬端子的一部分通過粘合劑附接至所述包裝。
5.權利要求3的形成固態電解電容器的方法，其中第一面和第二面位于所述包裝的相對側，所述陽極端子和陰極端子為對稱的。
6.權利要求I的形成固態電解電容器的方法，其中所述陽極引線延伸為閥金屬或者閥金屬的導電氧化物。
7.權利要求I的形成固態電解電容器的方法，其中所述附接是通過從金屬火焰噴鍍、化學汽相沉積、金屬濺射、電鍍、無電鍍和粉末金屬燒結中選擇的方法來實現。
8.權利要求I的形成固態電解電容器的方法，還包括在所述附接之前對所述陽極引線延伸進行鋅酸鹽處理。
9.權利要求8的形成固態電解電容器的方法，其中所述導電金屬層是鎳。
10.權利要求I的形成固態電解電容器的方法，其中所述電連接包括從軟焊、導電粘合劑結合、銅焊、納米箔結合、超聲焊接、激光焊接、電阻焊接和低溫燒結中選擇的方法。
11.權利要求I的形成固態電解電容器的方法，其中所述陰極層包括自身導電聚合物。
12.—種形成固態電解電容器的方法,包括 形成閥金屬或閥金屬的導電氧化物的陽極，其中閥金屬或導電閥金屬氧化物陽極引線延伸從所述陽極突出； 在所述陽極上形成電介質； 在所述電介質上形成陰極層； 將所述陽極、所述電介質和所述陰極層包裝在不導電材料中以形成封裝； 暴露所述陽極引線延伸； 利用鋅對暴露的閥金屬陽極引線延伸的一部分進行置換； 通過電鍍或無電鍍將導電金屬覆蓋到所述鋅的至少一部分上；和 將預先形成的L形狀的固體金屬端子焊接至所述導電金屬。
13.權利要求12的形成固態電解電容器的方法，其中所述L形狀的固體金屬端子貼附到所述電容器的底面。
14.權利要求12的形成固態電解電容器的方法，其中所述L形狀的預先形成的固體金屬端子的一部分通過粘合劑設置在所述封裝的底表面上。
15.權利要求12的形成固態電解電容器的方法，其中所述L形狀的預先形成的固體金屬端子具有小于所述封裝的最大寬度至少O. 4mm的寬度。
16.權利要求12的形成固態電解電容器的方法，其中第一面和第二面位于所述封裝的相對側，并且所述陽極端子和陰極端子為對稱的。
17.—種形成固態電解電容器的方法,包括 形成閥金屬或閥金屬的導電氧化物的陽極，其中閥金屬或閥金屬的導電氧化物的陽極引線延伸從所述陽極突出； 在所述陽極上形成電介質； 在所述電介質上形成陰極層； 將陽極化導電材料貼附至所述陽極引線延伸； 將所述陽極、所述電介質和所述陰極層包裝在不導電材料中以形成封裝； 在所述封裝的表面處暴露所述陽極化導電材料的一部分； 在所述封裝的所述表面處將預先形成的固體金屬端子附接為與所述陽極化導電材料電接觸。
18.權利要求17的形成固態電解電容器的方法，其中所述附接是從軟焊、導電粘合劑結合、銅焊、納米箔結合、超聲焊接、激光焊接、電阻焊接和低溫燒結中選擇的。
19.權利要求17的形成固態電解電容器的方法，其中所述預先形成的固體金屬端子為L形狀。
20.權利要求19的形成固態電解電容器的方法，其中所述L形狀的預先形成的固體金屬端子貼附到所述封裝的底面。
21.權利要求20的形成固態電解電容器的方法，其中設置在所述底面上的所述L形狀的預先形成的固體金屬端子的一部分通過粘合劑附接至所述封裝。
22.權利要求20的形成固態電解電容器的方法，其中所述L形狀的預先形成的固體金屬端子具有小于所述封裝的最大寬度至少O. 4mm的寬度。
23.權利要求20的形成固態電解電容器的方法，其中第一面和第二面位于所述封裝的相對側，并且所述陽極端子和陰極端子為對稱的。
24.—種形成電容器的方法,包括 提供多個電容元件，其中每個電容元件包括閥金屬箔和陽極引線延伸，其中每個箔具有無效區域和有效區域，其中所述有效區域包括電介質和所述電介質上的導電層； 將所述電容元件與固體金屬集電器交疊； 使用導電粘合劑將所述固體金屬集電器中的每個固體金屬集電器附接至至少一個所述導電層，以形成有效電容層疊； 形成將所述有效電容層疊包裝在其中的不導電材料的包裝； 在所述包裝的第一面上暴露每個所述陽極引線延伸，并且在所述包裝的第二面上暴露每個所述固體金屬集電器； 利用鋅來置換每個暴露的陽極引線延伸的一部分； 通過從電鍍或無電鍍中選擇的方法將導電金屬附接至鋅上；將預先形成的金屬陰極端子附接至所述暴露的固體金屬集電器；和 將預先形成的金屬陽極端子附接至所述導電金屬。
25.權利要求24的形成電容器的方法，其中所述固體導電金屬為鎳。
26.權利要求25的形成電容器的方法，其中所述預先形成的金屬陽極端子是通過從軟焊、導電粘合劑結合、銅焊、納米箔結合、超聲焊接、激光焊接、電阻焊接和低溫燒結中選擇的方法來附接的。
27.權利要求24的形成電容器的方法，其中所述陽極端子附接至所述包裝的第一面和底面，所述陰極端子附接至所述包裝的第二面和底面。
28.權利要求27的形成電容器的方法，其中位于所述底面上的陽極端子通過粘合劑附接至所述包裝。
29.權利要求27的形成電容器的方法，其中所述陽極端子為小于所述第一面的最大寬度至少O. 4mm,所述陰極端子為小于所述第二面的最大寬度O. 4mm。
30.權利要求27的形成電容器的方法，其中所述第一面和所述第二面位于所述包裝的相對側，并且所述陽極端子和陰極端子為對稱的。
31.權利要求24的形成電容器的方法，其中所述導電層包括導電聚合物。
32.權利要求24的形成電容器的方法，其中所述利用鋅置換所述暴露的陽極引線延伸的一部分包括將所述閥金屬箔暴露于鋅鹽。
33.權利要求24的形成電容器的方法，其中所述導電粘合劑在所述導電層的至少70%的表面上將所述固體金屬集電器電連接至所述陰極層。
34.—種形成電容器的方法,包括 提供多個電容元件，其中所述電容元件中的每個電容元件包括閥金屬箔和陽極引線延伸，其中每個箔具有無效區域和有效區域，其中所述有效區域包括電介質和所述電介質上的導電層； 在所述無效區域處將陽極化導電材料附接至每個所述閥金屬箔； 將所述電容元件與固體金屬集電器交疊； 使用導電粘合劑將所述固體金屬集電器中的每個固體金屬集電器附接至至少一個所述導電層，以形成有效電容層疊； 形成將所述有效電容層疊包裝在其中的不導電材料的包裝； 在第一面上暴露所述陽極化導電材料，并且在第二面上暴露所述固體金屬集電器； 將預先形成的固體金屬陰極端子附接至所述暴露的固體金屬集電器； 將預先形成的固體金屬陽極端子附接至每個所述陽極化導電材料。
35.權利要求34的形成電容器的方法，其中附接所述預先形成的固體金屬陽極端子包括從軟焊、導電粘合劑結合、銅焊、納米箔結合、超聲焊接、激光焊接、電阻焊接和低溫燒結中選擇的方法。
36.權利要求34的形成電容器的方法，其中所述預先形成的固體金屬陰極和所述預先形成的金屬陽極端子為L形狀。
37.權利要求36的形成電容器的方法，其中所述預先形成的固體金屬陽極端子和所述預先形成的固體金屬陰極端子貼附到所述包裝的底面。
38.權利要求37的形成電容器的方法，其中位于所述底面上的每個端子通過粘合劑附接至所述包裝表面。
39.權利要求37的形成電容器的方法，其中至少一個L形狀的端子具有小于所述包裝的最大寬度至少O. 4mm的寬度。
40.權利要求37的形成電容器的方法，其中所述第一面和所述第二面位于所述包裝的相對側，并且所述陽極端子和陰極端子為對稱的。
41.權利要求34的形成電容器的方法，其中所述陽極化導電材料為可焊的。
42.權利要求34的形成電容器的方法，其中所述固體金屬集電器為可焊的。
43.權利要求42的形成電容器的方法，其中通過焊接來附接所述陽極端子和陰極端子。
44.權利要求34的形成電容器的方法，其中所述導電粘合劑在所述導電層的至少70%的表面上將所述固體金屬集電器電連接至所述陰極層。
45.—種形成電容器的方法,包括 提供多個電容元件，其中每個電容元件包括閥金屬箔和陽極引線延伸，其中每個箔具有無效區域和有效區域，其中所述有效區域包括電介質和所述電介質上的導電層； 將所述電容元件與固體金屬集電器交疊； 使用導電粘合劑將所述固體金屬集電器中的每個固體金屬集電器附接至至少一個所述導電層，以形成有效電容層疊； 形成將所述有效電容層疊包裝在其中的不導電材料的包裝； 在第一面上暴露所述多個電容元件的每個所述陽極引線延伸以形成暴露的陽極引線延伸，并且在第二面上暴露所述固體金屬集電器； 將導電金屬附接至暴露的陽極引線延伸； 將預先形成的金屬陰極端子附接至所述暴露的固體金屬集電器；和 將預先形成的金屬陽極端子附接至所述導電金屬。
46.權利要求45的形成電容器的方法，其中所述預先形成的固體金屬陽極端子為L形狀，并具有小于所述包裝的最大寬度至少O. 4mm的寬度。
47.權利要求46的形成電容器的方法，其中所述陽極端子貼附至底面。
48.權利要求47的形成電容器的方法，其中所述陽極端子通過粘合劑附接至所述包裝表面。
49.權利要求45的形成電容器的方法，其中所述陽極引線延伸是閥金屬或閥金屬的導電氧化物。
50.權利要求45的形成電容器的方法，其中所述附接導電金屬包括從金屬火焰噴鍍、化學汽相沉積、金屬派射、電鍍、無電鍍和粉末金屬燒結中選擇的方法。
51.權利要求50的形成電容器的方法,其中所述導電金屬為鎳。
52.權利要求45的形成電容器的方法，其中附接所述預先形成的金屬陽極端子是從軟焊、導電粘合劑結合、銅焊、納米箔結合、超聲焊接、激光焊接、電阻焊接和低溫燒結中選擇的。
53.權利要求45的形成電容器的方法,其中所述導電層包括自身導電聚合物。
54.權利要求45的形成電容器的方法，其中所述導電粘合劑在所述導電層的至少70%的表面上將所述固體金屬集電器電連接至所述陰極層。
55.—種固態電解電容器,包括 至少一個電容元件，所述電容元件包括閥金屬陽極主體，所述閥金屬陽極主體具有從其延伸的陽極引線延伸； 置于陽極主體的表面上的電介質層； 置于電介質層上的陰極層； 利用導電粘合劑附接至所述陰極層的至少一個固體金屬集電器； 結合至所述陽極引線延伸的至少一種陽極化導電材料； 封裝，除了暴露在所述封裝外的所述陽極引線延伸、所述陽極化導電材料和所述固體金屬集電器的一部分之外，所述封裝將所述電容元件和所述固體金屬集電器包裝起來；預先形成的固體金屬陽極化端子，其電連接至同一表面上的陽極化導電材料；和 預先形成的固體金屬陰極化端子，其電連接至同一表面上的暴露的固體金屬集電器。
56.權利要求55的電容器,其中所述陽極化導電材料為金屬。
57.權利要求56的電容器，其中所述陽極化導電材料為銅。
58.權利要求56的電容器，其中所述陽極化端子通過軟焊、導電粘合劑、銅焊、納米箔、超聲焊接、激光焊接、電阻焊接或燒結電連接至所述陽極化導電材料。
59.權利要求55的電容器，其中所述預先形成的固體金屬陽極化端子和所述預先形成的固體金屬陰極化端子為L形狀。
60.權利要求59的電容器，其中所述預先形成的固體金屬陽極化端子附接至所述封裝的側表面和底表面，所述固體金屬陰極化端子附接至所述封裝的相對側表面和所述底表面。
61.權利要求60的電容器，其中所述金屬陽極化端子和金屬陰極化端子為對稱的。
62.權利要求60的電容器，其中所述預先形成的端子比封裝的最大寬度窄。
63.權利要求55的電容器，其中所述陽極引線延伸的暴露部分和所述固體金屬集電器的暴露部分暴露在所述封裝的同一平面內。
64.權利要求55的電容器，其中所述陽極化端子和所述陰極化端子通過粘合劑結合至所述封裝。
65.權利要求55的電容器，其中所述導電粘合劑在所述導電層的至少70%的表面上將所述固體金屬集電器電連接至所述陰極層。
66.權利要求55的電容器，具有至少20%的容積效率。
67.權利要求66的電容器，具有至少30%的容積效率。
68.權利要求67的電容器，具有至少35%的容積效率。
69.—種固態電解電容器,包括 至少一個電容元件，所述電容元件包括閥金屬陽極主體，所述閥金屬陽極主體具有從其延伸的陽極引線； 置于所述陽極主體的表面上的電介質層； 置于所述電介質層上的陰極層； 利用導電粘合劑附接至所述陰極層的至少一個固體金屬集電器； 封裝，除了暴露在所述封裝外的所述陽極引線延伸和所述固體金屬集電器的一部分之外，所述封裝將所述電容元件和所述固體金屬集電器包裝起來；預先形成的固體金屬陽極化端子，其焊接至同一表面上的所述陽極引線延伸；和 預先形成的固體金屬陰極化端子，其電連接至同一表面上的暴露的固體金屬集電器。
70.權利要求69的電容器，其中所述預先形成的固體金屬陽極化端子和所述預先形成的固體金屬陰極化端子為L形狀。
71.權利要求70的電容器，其中所述預先形成的固體金屬陽極化端子附接至所述封裝的側表面和底表面，所述固體金屬陰極化端子附接至所述封裝的相對側表面和所述底表面。
72.權利要求71的電容器，其中所述端子比封裝的最大寬度窄。
73.權利要求72的電容器，其中所述陽極化端子和陰極化端子為對稱的。
74.權利要求69的電容器，其中所述陽極引線延伸的暴露部分和所述固體金屬集電器的暴露部分暴露在所述封裝的同一平面內。
75.權利要求69的電容器，其中所述陽極化端子和所述陰極化端子通過粘合劑結合至所述封裝。
76.權利要求69的電容器，其中所述導電粘合劑在所述陰極層的至少70%的表面上將所述固體金屬集電器電連接至所述陰極層。
77.權利要求69的電容器，具有至少20%的容積效率。
78.權利要求77的電容器，具有至少30%的容積效率。
79.權利要求78的電容器，具有至少35%的容積效率。
80.—種固態電解電容器,包括 至少一個電容元件，其中每個電容元件包括閥金屬陽極主體，所述閥金屬陽極主體具有從其延伸的陽極引線； 置于所述陽極主體的表面上的電介質層； 置于所述電介質層上的陰極層； 利用導電粘合劑附接至所述陰極層的至少一個固體金屬集電器； 封裝，除了暴露在所述封裝外的所述陽極引線延伸和所述固體金屬集電器的一部分之外，所述封裝將所述電容元件和所述固體金屬集電器包裝起來； 其中在所述陽極引線延伸的所述暴露表面上貼附中間導電結合層； 預先形成的固體金屬陽極化端子，其電連接至同一表面上的所述中間導電結合層；和單獨的預先形成的固體金屬陰極化端子，其電連接至同一表面上的暴露的固體金屬集電器。
81.權利要求80的電容器，其中所述貼附中間導電結合層是通過從金屬電鍍、金屬火焰噴鍍、金屬電弧噴鍍、金屬濺射、化學汽相沉積、和粉末金屬燒結中選擇的方法實現的。
82.權利要求81的電容器，其中所述中間導電結合層鍍鎳。
83.權利要求80的電容器，其中所述陽極化端子通過軟焊、導電粘合劑、銅焊、納米箔結合、超聲焊接、激光焊接、電阻焊接或燒結電連接至所述中間導電結合層。
84.權利要求80的電容器，其中所述預先形成的固體金屬陽極化端子和所述預先形成的固體金屬陰極化端子為L形狀。
85.權利要求84的電容器，其中所述固體金屬陽極化端子附接至所述封裝的側表面和底表面，所述固體金屬陰極化端子附接至所述封裝的相對側表面和所述底表面。
86.權利要求85的電容器，其中所述金屬陽極化端子和金屬陰極化端子為對稱的。
87.權利要求85的電容器，其中所述端子比所述封裝的最大寬度窄。
88.權利要求80的電容器，其中所述陽極引線延伸的暴露部分和所述固體金屬集電器的暴露部分暴露在所述封裝的同一平面內。
89.權利要求80的電容器，其中所述固體金屬陽極化端子和所述固體金屬陰極化端子通過粘合劑結合至所述封裝。
90.權利要求80的電容器，其中所述導電粘合劑在所述陰極層的至少70%的表面上將所述固體金屬集電器電連接至所述陰極層。
91.權利要求80的電容器，具有至少20%的容積效率。
92.權利要求91的電容器，具有至少30%的容積效率。
93.權利要求92的電容器，具有至少35%的容積效率。
94.一種固態電解電容器，包括 至少一個電容元件，其包括閥金屬陽極主體，所述閥金屬陽極主體具有從其延伸的陽極引線； 置于所述陽極主體的表面上的電介質層； 置于所述電介質層上的陰極層； 封裝，除了暴露在所述封裝外的所述陽極引線延伸的一部分之外，所述封裝將所述電容元件包裝起來； 中間導電結合層，其貼附在所述陽極引線延伸的所述暴露表面上；和 預先形成的固體金屬陽極化端子，其電連接至同一表面上的所述中間導電結合層。
95.權利要求94的電容器，還包括 通過導電粘合劑附接至所述陰極層的至少一個固體金屬集電器； 封裝，除了暴露在所述封裝外的所述固體金屬集電器的一部分之外，所述封裝將所述固體金屬集電器包裝起來； 單獨的預先形成的固體金屬陰極化端子，其電連接至同一表面上的暴露的固體金屬集電器。
96.權利要求94的電容器，其中貼附所述中間導電結合層是通過從金屬電鍍、金屬火焰噴鍍、金屬電弧噴鍍、金屬濺射、化學汽相沉積、和粉末金屬燒結中選擇的方法實現的。
97.權利要求96的電容器，其中所述中間導電結合層鍍鎳。
98.權利要求97的電容器，其中所述陽極引線延伸的暴露部分和所述固體金屬集電器的暴露部分暴露在所述封裝的同一平面內。
99.權利要求97的電容器，其中所述陽極化端子和所述陰極化端子通過粘合劑結合至所述封裝。
100.權利要求94的電容器，其中所述陽極化端子通過軟焊、導電粘合劑、銅焊、納米箔結合、超聲焊接、激光焊接、電阻焊接或燒結電連接至所述中間導電結合層。
101.權利要求95的電容器，其中所述預先形成的固體金屬陽極化端子和所述預先形成的固體金屬陰極化端子為L形狀。
102.權利要求101的電容器，其中所述固體金屬陽極化端子附接至所述封裝的側表面和底表面，所述固體金屬陰極化端子附接至所述封裝的相對側表面和所述底表面。
103.權利要求94的電容器，其中所述端子比所述封裝的最大寬度窄。
104.權利要求94的電容器，具有至少20%的容積效率。
105.權利要求104的電容器，具有至少30%的容積效率。
106.權利要求105的電容器，具有至少35%的容積效率。
107.一種固態電解電容器,包括 至少一個電容元件，其包括閥金屬陽極主體，所述閥金屬陽極主體具有從其延伸的陽極引線； 置于所述陽極主體的表面上的電介質層； 置于所述電介質層上的陰極層； 結合至所述陽極引線延伸的至少一種陽極化導電材料； 封裝，除了暴露在所述封裝外的所述陽極導電材料的一部分之外，所述封裝將所述電容元件包裝起來； 預先形成的固體金屬陽極化端子，其電連接至同一表面上的所述陽極化導電材料。
108.權利要求107的電容器，還包括 通過導電粘合劑附接至所述陰極層的至少一個固體金屬集電器； 封裝，除了暴露在所述封裝外的所述固體金屬集電器的一部分之外，所述封裝將所述固體金屬集電器包裝起來； 單獨的預先形成的固體金屬陰極化端子，其電連接至同一表面上的所述暴露的固體金屬集電器。
109.權利要求107的電容器，其中所述陽極化導電材料為金屬。
110.權利要求107的電容器，其中所述陽極化導電材料為銅。
111.權利要求107的電容器，其中所述陽極化端子通過粘合劑結合至所述封裝。
112.權利要求107的電容器，其中所述陽極化端子通過軟焊、導電粘合劑、銅焊、納米箔結合、超聲焊接、激光焊接、電阻焊接或燒結電連接至所述陽極化導電材料。
113.權利要求107的電容器，其中所述固體金屬陽極化端子附接至所述封裝的側表面和底表面。
114.權利要求107的電容器，其中所述固體金屬陽極化端子比所述封裝的最大寬度窄。
115.權利要求107的電容器，具有至少20%的容積效率。
116.權利要求115的電容器，具有至少30%的容積效率。
117.權利要求116的電容器，具有至少35%的容積效率。
118.—種固態電解電容器,包括 至少一個電容元件，其包括閥金屬陽極主體，所述閥金屬陽極主體具有從其延伸的陽極引線； 置于所述陽極主體的表面上的電介質層； 置于所述電介質層上的陰極層； 封裝，除了暴露在所述封裝外的所述陽極引線延伸的一部分之外，所述封裝將所述電容元件包裝起來； 預先形成的固體金屬陽極化端子，其焊接至同一表面上的陽極化導電材料。
119.權利要求118的電容器，還包括 通過導電粘合劑附接至所述陰極層的至少一個固體金屬集電器； 封裝，除了暴露在所述封裝外的所述固體金屬集電器的一部分之外，所述封裝將所述固體金屬集電器包裝起來； 單獨的預先形成的固體金屬陰極化端子，其電連接至同一表面上的所述暴露的固體金屬集電器。
120.權利要求118的電容器，其中所述預先形成的固體金屬陽極化端子和所述預先形成的固體金屬陰極化端子為L形狀。
121.權利要求118的電容器，其中所述固體金屬陽極化端子附接至所述封裝的側表面和底表面。
122.權利要求118的電容器，其中所述固體金屬陽極化端子比所述封裝的最大寬度窄。
123.權利要求118的電容器，其中所述陽極化端子通過粘合劑結合至所述封裝。
124.權利要求118的電容器，具有至少20%的容積效率。
125.權利要求124的電容器，具有至少30%的容積效率。
126.權利要求125的電容器，具有至少35%的容積效率。
127.—種形成固態電解電容器的方法,包括 形成閥金屬或閥金屬的導電氧化物的陽極，其中閥金屬或閥金屬的導電氧化物的陽極引線延伸從所述陽極突出； 在所述陽極上形成電介質； 在所述電介質上形成陰極層； 將所述陽極、所述電介質和所述陰極層包裝在不導電材料中以形成封裝； 在所述封裝的表面處暴露所述陽極引線延伸的一部分； 在所述封裝的所述表面處將預先形成的固體金屬端子附接為與所述陽極化導電材料電接觸。
128.權利要求127的形成固態電解電容器的方法，其中所述附接是從軟焊、導電粘合劑結合、銅焊、納米箔結合、超聲焊接、激光焊接、電阻焊接和低溫燒結中選擇的。
129.權利要求127的形成固態電解電容器的方法，其中所述預先形成的固體金屬端子為L形狀。
130.權利要求129的形成固態電解電容器的方法，其中所述L形狀的預先形成的固體金屬端子貼附到所述封裝的底面。
131.權利要求130的形成固態電解電容器的方法，其中設置在所述底面上的所述L形狀的預先形成的固體金屬端子的一部分通過粘合劑附接至所述封裝。
132.權利要求130的形成固態電解電容器的方法，其中所述L形狀的預先形成的固體金屬端子具有小于所述封裝的最大寬度至少O. 4mm的寬度。
133.權利要求130的形成固態電解電容器的方法，其中第一面和第二面位于所述封裝的相對側，并且所述陽極端子和陰極端子為對稱的。
134.一種形成電容器的方法,包括 提供多個電容元件，其中所述電容元件中的每個電容元件包括閥金屬箔和陽極引線延伸，其中每個箔具有無效區域和有效區域，其中所述有效區域包括電介質和所述電介質上的導電層； 將所述電容元件與固體金屬集電器交疊； 使用導電粘合劑將所述固體金屬集電器中的每個固體金屬集電器附接至至少一個所述導電層，以形成有效電容層疊； 形成將所述有效電容層疊包裝在其中的不導電材料的包裝； 在第一面上暴露所述陽極引線延伸，并且在第二面上暴露所述固體金屬集電器； 將預先形成的固體金屬陰極端子附接至所述暴露的固體金屬集電器； 將預先形成的固體金屬陽極端子附接至每個所述陽極引線延伸。
135.權利要求134的形成電容器的方法，其中附接所述預先形成的固體金屬陽極端子包括從軟焊、導電粘合劑結合、銅焊、納米箔結合、超聲焊接、激光焊接、電阻焊接和低溫燒結中選擇的方法。
136.權利要求134的形成電容器的方法，其中所述預先形成的固體金屬陰極和所述預先形成的金屬陽極端子為L形狀。
137.權利要求136的形成電容器的方法，其中所述預先形成的固體金屬陽極端子和所述預先形成的固體金屬陰極端子貼附到所述封裝的底面。
138.權利要求137的形成電容器的方法，其中位于所述底面上的每個所述端子通過粘合劑附接至所述封裝表面。
139.權利要求137的形成電容器的方法，其中至少一個L形狀的端子具有小于所述封裝的覽度至少O. 4mm的覽度。
140.權利要求137的形成電容器的方法，還包括將所述預先形成的固體金屬陰極端子附接至所述固體電解電容器的與暴露的陽極引線延伸相對的一側。
141.權利要求134的形成電容器的方法，其中所述固體金屬集電器為可焊的。
142.權利要求141的形成電容器的方法，其中通過焊接來附接所述陰極端子。
143.權利要求34的形成電容器的方法，其中所述導電粘合劑在所述導電層的至少·70 %的表面上將所述固體金屬集電器電連接至所述陰極層。
全文摘要
本發明描述了改進的固體電解電容器以及形成固體電解電容器的方法。該方法包括形成陽極，該陽極包括閥金屬或閥金屬的導電氧化物，其中陽極引線延伸從陽極突出。在陽極上形成電介質，并在電介質上形成陰極層。陽極、電介質和陰極層包裝在不導電材料中，陽極引線延伸在一側表面處暴露在包裝外部。優選地通過將預先形成的固體金屬端子，最優選地通過將L形狀的端子在一側表面處電連接至導電金屬層，來將導電金屬層附接至陽極引線延伸。
文檔編號H01G9/15GK102763182SQ201080064429
公開日2012年10月31日 申請日期2010年12月22日 優先權日2009年12月22日
發明者倫道夫·S·哈恩, 克里斯·斯托拉斯基, 基思·R·布倫尼曼, 布蘭登·薩梅, 戴維·雅各布斯, 杰弗里·波爾托拉克, 艾伯特·哈林頓, 菲利普·M·萊斯納, 邱永堅 申請人:凱米特電子公司